静電容量型入力装置および入力装置付き電気光学装置
【課題】入力操作側から侵入しようとする電磁波ノイズの影響を受けにくくした静電容量型入力装置、および入力装置付き電気光学装置を提供すること。
【解決手段】静電容量型入力装置１の入力パネル２において、配線２７は、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂのうち、入力操作側とは反対側に位置する第１導電膜４ａにより形成され、シールド電極２８は、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂのうち、入力操作側に位置する第２導電膜４ｂにより形成されており、シールド電極２８は、配線２７に対して入力操作側で重なっている。シールド電極２８には、第２実装端子２４ｂを介して、入力位置検出用電極２１に供給される位置検出信号と波形が同一の電位が印加される。入力操作側から配線２７に侵入しようとする電磁波ノイズは、シールド電極２８により遮断される。
【解決手段】静電容量型入力装置１の入力パネル２において、配線２７は、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂのうち、入力操作側とは反対側に位置する第１導電膜４ａにより形成され、シールド電極２８は、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂのうち、入力操作側に位置する第２導電膜４ｂにより形成されており、シールド電極２８は、配線２７に対して入力操作側で重なっている。シールド電極２８には、第２実装端子２４ｂを介して、入力位置検出用電極２１に供給される位置検出信号と波形が同一の電位が印加される。入力操作側から配線２７に侵入しようとする電磁波ノイズは、シールド電極２８により遮断される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入力位置検出用電極に結合する静電容量の変化に基づいて入力位置を検出する静電容量型入力装置、および当該静電容量型入力装置を備えた入力装置付き電気光学装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、カーナビゲーション、パーソナルコンピューター、券売機、銀行の端末等の電子機器では、液晶装置等の表面に、タッチパネルと称せられる入力装置が配置され、液晶装置の画像表示領域に表示された画像を参照しながら、情報の入力が行えるものがある。このような入力装置のうち、静電容量型入力装置は、複数の入力位置検出用電極の各々に対して、結合している静電容量を監視する。従って、複数の入力位置検出用電極のうちのいずれかに指が近接すると、指が近接した入力位置検出用電極では、指との間に生じた静電容量分だけ、静電容量が増大するので、指が近接した電極を特定することができる。
【０００３】
このような静電容量型入力装置では、入力位置検出用電極に結合する容量変化を検出するため、電磁波ノイズの影響を受けやすい。そこで、静電容量型入力装置に対して入力操作側とは反対側の全面にシールド電極を設けることが提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００３−５１１７９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載のシールド構造では、静電容量型入力装置に対して入力操作側から侵入しようとする電磁波ノイズを遮断できないという問題点がある。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、入力操作側から侵入しようとする電磁波ノイズの影響を受けにくくした静電容量型入力装置、および当該静電容量型入力装置を備えた入力装置付き電気光学装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明に係る静電容量型入力装置は、基板において複数の入力位置検出用電極が設けられた入力領域と、前記入力位置検出用電極に電気的に接続し、前記基板において前記入力領域の外側で延在する複数の配線と、前記配線に対して入力操作側で重なるシールド電極と、を有することを特徴とする。
【０００８】
本発明では、静電容量型入力装置の入力操作側にはシールド電極を設けることができないという従来の発想を転換し、入力領域の外側に設けられた配線に対して入力操作側にシールド電極を設けてある。このため、入力操作側から配線に侵入しようとする電磁波ノイズを遮断できるので、入力操作側から侵入しようとする電磁波の影響を受けにくい。それ故、本発明に係る静電容量型入力装置では、電磁波ノイズの影響に起因する誤作動が発生しにくい。また、入力領域に対して入力操作側にはシールド電極を設けていないため、静電容量方式による入力位置の検出には支障がない。
【０００９】
本発明において、前記シールド電極は、前記基板の外周縁全体に沿って設けられていることが好ましい。このように構成すると、入力操作側から侵入しようとする電磁波をより確実に遮断することができる。
【００１０】
本発明において、前記基板には、該基板側から第１導電膜、層間絶縁膜、および第２導電膜がこの順に形成され、前記入力位置検出用電極は、前記第１導電膜および前記第２導電膜のうちの少なくも一方により形成され、前記配線は、前記第１導電膜および前記第２導電膜のうち、入力操作側とは反対側に位置する導電膜により形成され、前記シールド電極は、前記第１導電膜および前記第２導電膜のうち、入力操作側に位置する導電膜により形成されていることが好ましい。このように構成すると、基板上に形成した導電膜によってシールド電極を形成することができるので、シールド電極を外付けする必要がない。
【００１１】
本発明において、前記基板において前記配線の外周側には、前記第１導電膜および前記第２導電膜のうち、入力操作側とは反対側に位置する導電膜によりシールド用補助電極が形成されており、前記シールド用補助電極と前記シールド電極とは、前記層間絶縁膜の非形成領域で重なって電気的接続していることが好ましい。このように構成すると、シールド電極の抵抗を実質的に低減することができる。また、配線に対して周囲から電磁波ノイズが侵入することを抑制することができる。
【００１２】
本発明において、前記シールド用補助電極は、前記基板の全ての辺に沿うように形成されており、前記シールド用補助電極と前記シールド電極とは、前記シールド用補助電極の長手方向の全域で重なって電気的接続していることが好ましい。このように構成すると、シールド電極の実質的な抵抗を、より効率よく低減することができる。また、配線に対して周囲から電磁波ノイズが侵入することをより確実に抑制することができる。
【００１３】
本発明において、前記基板において前記入力領域の外側には、前記第１導電膜および前記第２導電膜のうちの少なくとも一方の導電膜によって、前記配線に電気的接続する第１実装端子と、前記シールド電極に電気的接続する第２実装端子と、が設けられていることが好ましい。このように構成すると、第１実装端子と同様、基板に接続したフレキシブル配線基板等を介して外部からシールド電極に電位を印加することができ、シールド電極への電位の印加が容易である。また、第１実装端子および第２実装端子に共通のフレキシブル配線基板を接続することもできる。
【００１４】
本発明において、前記基板には、前記第１導電膜および前記第２導電膜のうちの一方の導電膜によって、前記入力位置検出用電極として、前記基板の面内方向において第１方向に延在する複数の第１入力位置検出用電極と、前記基板の面内方向において前記第１方向に対して交差する第２方向に延在する複数の第２入力位置検出用電極と、が設けられ、前記第１入力位置検出用電極と前記第２入力位置検出用電極との交差部分には、前記第１入力位置検出用電極および前記第２入力位置検出用電極のうちの一方の入力位置検出用電極を連続させる前記一方の導電膜からなる連結部分と、他方の入力位置検出用電極の途切れ部分と、前記層間絶縁膜を介して前記連結部分に重なって前記他方の入力位置検出用電極の途切れ部分を電気的に接続する他方の導電膜からなる中継電極と、が設けられていることが好ましい。
【００１５】
本発明において、前記第１導電膜、前記層間絶縁膜、および前記第２導電膜は、前記基板において入力操作側に位置する基板面に形成されており、前記配線は、前記第１導電膜により形成され、前記シールド電極は、前記第２導電膜により形成されている構成を採用することができる。
【００１６】
本発明において、前記第１導電膜、前記層間絶縁膜、および前記第２導電膜は、前記基板において入力操作側とは反対側の基板面に形成されており、前記配線は、前記第２導電膜により形成され、前記シールド電極は、前記第１導電膜により形成されている構成を採用してもよい。
【００１７】
本発明において、前記シールド電極には、前記入力位置検出用電極に印加される位置検出信号と波形および位相が同一の電位が印加されることが好ましい。このように構成すると、シールド電極と入力位置検出用電極との間に容量が寄生しない状態を実現することができる。
【００１８】
本発明を適用した静電容量型入力装置は、例えば、入力装置付き電気光学装置を構成するのに用いられ、かかる入力装置付き電気光学装置では、前記基板に対して入力操作側とは反対側に画像生成用の電気光学パネルが構成されている。
【００１９】
本発明を適用した入力装置付き電気光学装置は、携帯電話、カーナビゲーション、パーソナルコンピューター、券売機、銀行の端末等の電子機器に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明を適用した静電容量型入力装置の説明図である。
【図２】本発明を適用した入力装置付き電気光学装置の断面構成を模式的に示す説明図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る静電容量型入力装置の平面的な構成を模式的に示す説明図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る静電容量型入力装置の基板に形成された各電極等の平面的な構成を拡大して示す説明図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る静電容量型入力装置の基板の断面構成を示す説明図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る静電容量型入力装置の基板に形成した配線の構成を示す説明図である。
【図７】本発明の実施の形態２に係る静電容量型入力装置の平面的な構成を模式的に示す説明図である。
【図８】本発明の実施の形態２に係る静電容量型入力装置の基板に形成された各電極等の平面的な構成を拡大して示す説明図である。
【図９】本発明の実施の形態２に係る静電容量型入力装置の基板の断面構成を示す説明図である。
【図１０】本発明の実施の形態３に係る静電容量型入力装置の平面的な構成を模式的に示す説明図である。
【図１１】本発明の実施の形態３に係る静電容量型入力装置の基板に形成された各電極等の平面的な構成を拡大して示す説明図である。
【図１２】本発明の実施の形態３に係る静電容量型入力装置の基板の断面構成を示す説明図である。
【図１３】本発明の実施の形態４に係る静電容量型入力装置の平面的な構成を模式的に示す説明図である。
【図１４】本発明の実施の形態４に係る静電容量型入力装置の基板に形成された各電極等の平面的な構成を拡大して示す説明図である。
【図１５】本発明の実施の形態４に係る静電容量型入力装置の基板の断面構成を示す説明図である。
【図１６】本発明の実施の形態５に係る静電容量型入力装置の平面的な構成を模式的に示す説明図である。
【図１７】本発明の実施の形態５に係る静電容量型入力装置の基板に形成された各電極等の平面的な構成を拡大して示す説明図である。
【図１８】本発明の実施の形態５に係る静電容量型入力装置の基板の断面構成を示す説明図である。
【図１９】本発明を適用した静電容量型入力装置を備えた電子機器の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。以下、各実施の形態で共通な基本構成を説明した後、各実施の形態の詳細な説明を行なう。
【００２２】
［基本構成］
（入力装置付き電気光学装置の全体構成）
図１は、本発明を適用した静電容量型入力装置の説明図であり、図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本形態の静電容量型入力装置を備えた入力装置付き電気光学装置の全体構成を模式的に示す説明図、静電容量型入力装置の電気的な構成を模式的に示す説明図、および静電容量型入力装置に供給される電位の説明図である。図２は、本発明を適用した入力装置付き電気光学装置の断面構成を模式的に示す説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、基板において入力操作側の位置する第１面側に入力位置検出用電極を設けた構成例の説明図、および基板において入力操作側とは反対側の第２面側に入力位置検出用電極を設けた構成例の説明図である。
【００２３】
図１（ａ）において、本形態の入力装置付き電気光学装置１００は、概ね、液晶装置等からなる画像生成装置５と、この画像生成装置５において表示光を出射する側の面に重ねて配置された静電容量型入力装置１とを有している。静電容量型入力装置１は入力パネル２を備え、画像生成装置５は電気光学パネル５ａ（表示パネル）としての液晶パネルを備えている。静電容量型入力装置１は入力パネル２（タッチパネル）を備え、画像生成装置５は電気光学パネル５ａとしての液晶パネルを備えている。本形態において、入力パネル２および電気光学パネル５ａはいずれも矩形の平面形状を備えており、静電容量型入力装置１および入力装置付き電気光学装置１００を平面視したときの中央領域が入力領域２ａである。また、画像生成装置５および入力装置付き電気光学装置１００において入力領域２ａと平面視で重なる領域が画像形成領域である。入力パネル２において端部２０ｅが位置する側にはフレキシブル配線基板３５が接続され、電気光学パネル５ａにおいて端部２０ｅが位置する側にはフレキシブル配線基板７３が接続されている。
【００２４】
図１（ｂ）に示すように、静電容量型入力装置１は、入力パネル２での入力操作を検出するための制御用のＩＣ１０がフレキシブル配線基板３５を介して電気的に接続されており、ＩＣ１０からは、図１（ｃ）を参照して後述する電位が入力パネル２に供給される。
【００２５】
図１（ａ）および図２（ａ）、（ｂ）において、画像生成装置５は、透過型や半透過反射型のアクティブマトリクス型の液晶表示装置であり、電気光学パネル５ａに対して入力パネル２が配置されている側とは反対側（表示光の出射側とは反対側）にはバックライト装置（図示せず）が配置されている。バックライト装置は、例えば、電気光学パネル５ａに対して静電容量型入力装置１が配置されている側とは反対側に重ねて配置された透光性の導光板と、導光板の側端部に向けて白色光等を出射する発光ダイオード等の光源とを備えており、光源から出射された光は、導光板の側端部から入射した後、導光板内を伝搬しながら電気光学パネル５ａに向けて出射される。導光板と電気光学パネル５ａとの間には、光散乱シートやプリズムシート等のシート状光学部材が配置されることもある。
【００２６】
画像生成装置５において、電気光学パネル５ａに対して表示光の出射側には第１偏光板８１が重ねて配置され、その反対側に第２偏光板８２が重ねて配置されている。このため、静電容量型入力装置１は、アクリル樹脂系等といった透光性の接着剤（図示せず）によって第１偏光板８１に接着されている。電気光学パネル５ａは、表示光の出射側に配置された透光性の素子基板５０と、この素子基板５０に対して対向配置された透光性の対向基板６０とを備えている。対向基板６０と素子基板５０とは、矩形枠状のシール材７１により貼り合わされており、対向基板６０と素子基板５０との間においてシール材７１で囲まれた領域内に液晶層５５が保持されている。素子基板５０において、対向基板６０と対向する面には複数の画素電極５８がＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透光性導電膜により形成され、対向基板６０において、素子基板５０と対向する面には共通電極６８がＩＴＯ膜等の透光性導電膜により形成されている。なお、画像生成装置５がＩＰＳ(In Plane Switching)方式や、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式である場合、共通電極６８は素子基板５０の側に設けられる。また、素子基板５０が表示光の出射側に配置されることもある。素子基板５０において、対向基板６０の縁から張り出した張出領域５９には駆動用ＩＣ７５がＣＯＧ実装されているとともに、張出領域５９にはフレキシブル配線基板７３が接続されている。なお、素子基板５０には、素子基板５０上のスイッチング素子と同時に駆動回路を形成することもある。
【００２７】
このように構成した入力装置付き電気光学装置１００において、電気光学パネル５ａと入力パネル２との間には、ＩＴＯ膜等からなる透光性の導電層９９（図１には図示せず／図２（ａ）、（ｂ）参照）が配置されており、かかる導電層９９は、電気光学パネル５ａから放射された電磁波ノイズが入力パネル２に侵入することを防止する。
【００２８】
（入力装置１の詳細構成）
図２（ａ）、（ｂ）に示す静電容量型入力装置１において、入力パネル２は、ガラス板やプラスチック板等からなる透光性の基板２０を備えており、本形態では、基板２０としてガラス基板が用いられている。なお、基板２０をプラスチック材料から構成する場合、プラスチック材料としては、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ＰＩ（ポリイミド）、ポリノルボルネン等の環状オレフィン樹脂等の耐熱性の透光性シートを用いることができる。以下、基板２０において入力操作側に位置する基板面を第１面２０ａとし、入力操作側とは反対側に位置する基板面を第２面２０ｂとして説明する。
【００２９】
図２（ａ）、（ｂ）に示す静電容量型入力装置１のうち、図２（ａ）に示す構成例では、基板２０の第１面２０ａには、基板２０からみて下層側から上層側に向かって第１導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４、および第２導電膜４ｂが形成されており、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂのうちの少なくとも一方によって入力位置検出用電極２１が形成されている。基板２０の端部２０ｅでは、第１面２０ａにフレキシブル配線基板３５が接続されている。基板２０の第１面２０ａの側には、透光性および絶縁性のカバー９０が粘着剤９０ｅ等により貼付されており、かかるカバー９０には、基板２０の第１面２０ａの外側領域２ｂと重なる領域に絶縁性の遮光層９０ａが印刷されている。かかる遮光層９０ａで囲まれた領域が入力領域２ａである。遮光層９０ａは、電気光学パネル５ａの外側領域と重なっており、画像生成装置５の光源や導光板の端部から漏れた光を遮断する。
【００３０】
また、基板２０の第２面２０ｂの略全面には、電気光学パネル５ａから放射された電磁波ノイズが入力パネル２に侵入することを防止する透光性の導電層９９が形成されている。かかる導電層９９にはフレキシブル配線基板３５の分岐部分３５ａが接続されており、導電層９９には、フレキシブル配線基板３５を介して、後述するシールド電位が印加される。
【００３１】
図２（ｂ）に示す構成例では、詳しくは後述するように、基板２０の第２面２０ｂに、基板２０からみて下層側から上層側に向かって第１導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４、および第２導電膜４ｂが形成されており、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂのうちの少なくとも一方によって入力位置検出用電極２１が形成されている。かかる構成の場合、基板２０の端部２０ｅでは、第２面２０ｂにフレキシブル配線基板３５が接続されている。本形態でも、基板２０の第１面２０ａの側には透光性および絶縁性のカバー９０が粘着剤９０ｅ等により貼付されており、かかるカバー９０には、基板２０の第１面２０ａの外側領域２ｂと重なる領域に絶縁性の遮光層９０ａが印刷されている。
【００３２】
また、素子基板５０において入力パネル２が位置する側の面の略全面には、電気光学パネル５ａから放射された電磁波ノイズが入力パネル２に侵入することを防止する透光性の導電層９９が形成されている。かかる導電層９９にはフレキシブル配線基板３５の分岐部分３５ａが接続されており、導電層９９には、フレキシブル配線基板３５を介して、後述するシールド電位が印加される。
【００３３】
以下、基板２０の第１面２０ａに第１導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４、および第２導電膜４ｂが形成されている形態（図２（ａ）に示す形態）に本発明を適用した例を実施の形態１、２、３として説明し、基板２０の第２面２０ｂに第１導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４、および第２導電膜４ｂが形成されている形態（図２（ｂ）に示す形態）に本発明を適用した例を実施の形態４、５として説明する。
【００３４】
［実施の形態１］
図３〜図６を参照して、図２（ａ）を参照して説明したタイプの静電容量型入力装置１を説明する。図３は、本発明の実施の形態１に係る静電容量型入力装置１の平面的な構成を模式的に示す説明図である。なお、図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々、静電容量型入力装置１の基板２０に形成された各電極等の平面的な位置関係を示す説明図、基板２０に形成された第１導電膜４ａの平面的な構成を示す説明図、基板２０に形成された層間絶縁膜２１４の平面的な構成を示す説明図、および基板２０に形成された第２導電膜４ｂの平面的な構成を示す説明図であり、図３（ａ）は、図３（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示す要素を重ねて示してある。
【００３５】
図４は、本発明の実施の形態１に係る静電容量型入力装置１の基板２０に形成された各電極等の平面的な構成を拡大して示す説明図である。図５は、本発明の実施の形態１に係る静電容量型入力装置１の基板２０の断面構成を示す説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、基板２０を図４に示すＡ１−Ａ１′線、Ｂ１−Ｂ１′線、およびＣ１−Ｃ１′線に沿って切断したときの断面図である。図６は、本発明の実施の形態１に係る静電容量型入力装置１の基板２０に形成した配線の構成を示す説明図であり、図６（ａ）、（ｂ）は各々、配線の平面図、配線のＥ−Ｅ′断面図および配線のＦ−Ｆ′断面図である。
【００３６】
なお、図３（ａ）、（ｂ）、（ｄ）および図４において、第１導電膜４ａについては右上がりの斜線を付した領域として示し、第２導電膜４ｂについては右下がりの斜線を付した領域として示してある。図３（ｃ）において層間絶縁膜２１４については複数の点を付した領域として示してある。図３（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）および図４において、入力領域２ａについては、その角部分の位置を英文字の「Ｌ」状のマークで示してある。なお、後述する実施の形態２〜５で参照する図面においても同様である。
【００３７】
図３、図４および図５に示すように、本形態の静電容量型入力装置１において、基板２０の第１面２０ａの側には、基板２０からみて下層側から上層側に向けて第１導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４、および第２導電膜４ｂが順に形成されている。本形態において、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂは、膜厚が１０〜４０ｎｍのＩＴＯ膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜からなり、層間絶縁膜２１４は、膜厚が４０〜６０ｎｍのシリコン酸化膜等の透光性絶縁膜からなる。本形態において、基板２０の第１面２０ａには、その全面にシリコン酸化膜等からなる透光性の下地保護膜２１７が形成されており、かかる下地保護膜２１７上に第１導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４、および第２導電膜４ｂが順に形成されている。また、基板２０の第２面２０ｂの略全面には、図２（ａ）を参照して説明したように、電気光学パネル５ａから放射された電磁波ノイズが入力パネル２に侵入することを防止する透光性の導電層９９が形成されている（図５参照）。
【００３８】
図３（ｂ）に示すように、第１導電膜４ａは、まず、入力領域２ａに複数の矩形領域として形成され、かかる矩形領域は、入力位置検出用電極２１（第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２のパッド部２１１ａ、２１２ａ（大面積部分））を構成する。これらのパッド部２１１ａ、２１２ａは、Ｘ方向およびＹ方向において交互に配列されている。複数のパッド部２１１ａにおいて斜め方向で隣り合うパッド部２１１ａ同士の一部は連結部分２１１ｃで接続しており、複数のパッド部２１２ａにおいて斜め方向で隣り合うパッド部２１２ａ同士の一部も連結部分２１１ｃで繋がっている。また、第１導電膜４ａは、入力領域２ａの外側領域２ｂに、入力位置検出用電極２１から延在した配線２７として形成されているとともに、端部２０ｅ付近において第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂと重なる領域にも形成されている。
【００３９】
図３（ｃ）に示すように、層間絶縁膜２１４は、入力領域２ａ全体に形成されている。また、層間絶縁膜２１４は、基板２０の外周縁を除く広い領域に形成されている。また、層間絶縁膜２１４には、４つで一組のコンタクトホール２１４ａが形成されている。ここで、層間絶縁膜２１４の外周縁と基板２０の端部２０ｅとの間隔は、層間絶縁膜２１４の外周縁と基板２０の他の端部２０ｆ、２０ｇ、２１ｈとの間隔に比して広くなっており、第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂを形成するためのスペースが確保されている。
【００４０】
図３（ｄ）に示すように、第２導電膜４ｂは、入力領域２ａにおいて、図３（ｃ）に示すコンタクトホール２１４ａと重なる領域に中継電極２１５として形成されている。また、第２導電膜４ｂは、入力領域２ａより外側領域２ｂに、入力領域２ａの周り全体を囲む矩形枠状のシールド電極２８として形成されているとともに、端部２０ｅ付近において第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂと重なる領域にも形成されている。
【００４１】
このように構成した第１導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４および第２導電膜４ｂを重ねると、基板２０は、図３（ａ）、図４および図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように構成される。かかる基板２０を平面視すると、入力領域２ａの内側には複数の入力位置検出用電極２１が形成されている。本形態において、入力位置検出用電極２１は、第１方向（矢印Ｙで示す方向）に延在する複数列の第１入力位置検出用電極２１１（図３（ａ）に太い実線で示す）と、第１方向に交差する第２方向（矢印Ｘで示す方向）に延在する複数列の第２入力位置検出用電極２１２（図３（ａ）に太い点線で示す）とからなる。
【００４２】
入力位置検出用電極２１（第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２）は、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂのうち、第１導電膜４ａにより形成されており、同一層からなる。このため、基板２０の第１面２０ａには、第１入力位置検出用電極２１１と第２入力位置検出用電極２１２との交差部分２１８が複数、存在する。本形態においては、第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２のうち、第１入力位置検出用電極２１１は、交差部分２１８でも第１導電膜４ａからなる連結部分２１１ｃによってＹ方向で繋がって延在しているのに対して、第２入力位置検出用電極２１２には交差部分２１８に途切れ部分２１８ａが構成されている。また、第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２の上層側には、シリコン酸化膜等からなる層間絶縁膜２１４が形成され、かかる層間絶縁膜２１４の上層には、交差部分２１８で途切れている第２入力位置検出用電極２１２同士を層間絶縁膜２１４の計４つのコンタクトホール２１４ａを介して電気的に接続する透光性の中継電極２１５が第２導電膜４ｂにより形成されている。このため、第２入力位置検出用電極２１２はＸ方向で電気的に接続されている。なお、中継電極２１５は、層間絶縁膜２１４を介して連結部分２１１ｃに重なっているため、短絡するおそれはない。
【００４３】
このように構成した第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２は各々、交差部分２１８で挟まれた領域に矩形の大面積のパッド部２１１ａ、２１２ａを備えており、第１入力位置検出用電極２１１において交差部分２１８に位置する連結部分２１１ｃは、パッド部２１１ａ、２１２ａより幅の狭い細幅形状になっている。また、中継電極２１５も、パッド部２１１ａ、２１２ａより幅の狭い細幅形状に形成されている。
【００４４】
（配線２７およびシールド電極２８の構成）
本形態の静電容量型入力装置１では、基板２０の第１面２０ａにおいて入力領域２ａの外側領域２ｂに、第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２の各々から基板２０の端部２０ｅまで延在する複数の配線２７が形成されている。より具体的には、第１入力位置検出用電極２１１に接続する配線２７は、入力領域２ａと基板２０の端部２０ｅとの間で引き回され、第２入力位置検出用電極２１２に接続する配線２７は、入力領域２ａと基板２０の端部２０ｆ、あるいは入力領域２ａと基板２０の端部２０ｈで直線的に延在した後、入力領域２ａと基板２０の端部２０ｅとの間で引き回されている。このように構成した配線２７において、基板２０の端部２０ｅ付近に位置する部分は、図１および図２を参照して説明したフレキシブル配線基板３５が接続される第１実装端子２４ａを備えている。
【００４５】
また、基板２０の第１面２０ａにおいて入力領域２ａの外側領域２ｂには、配線２７と重なる領域にシールド電極２８が形成されている。本形態において、シールド電極２８は、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂのうち、入力操作側に位置する第２導電膜４ｂにより形成されており、配線２７とシールド電極２８との間には層間絶縁膜２１４が介在している。
【００４６】
本形態において、配線２７は、入力領域２ａと基板２０の端部２０ｅとに挟まれた領域、入力領域２ａと基板２０の端部２０ｆとに挟まれた領域、および入力領域２ａと基板２０の端部２０ｈとに挟まれた領域の計３辺に相当する領域に形成されている。これに対して、シールド電極２８は、入力領域２ａと基板２０の端部２０ｅとに挟まれた領域、入力領域２ａと基板２０の端部２０ｆとに挟まれた領域、入力領域２ａと基板２０の端部２０ｇとに挟まれた領域、および入力領域２ａと基板２０の端部２０ｈとに挟まれた領域の計４辺に相当する領域にわたって、周方向で繋がった矩形枠状に形成されている。また、シールド電極２８の幅寸法は、配線２７の幅寸法よりも大である。このため、シールド電極２８は、配線２７に対して入力操作側で配線２７の延在領域を含む広い領域に形成されている。また、シールド電極２８は、層間絶縁膜２１４の外周縁から張り出している。従って、シールド電極２８は、層間絶縁膜２１４の側面部２１４ｅを覆っている。
【００４７】
また、基板２０の第１面２０ａにおいて外側領域２ｂには、第１実装端子２４ａの配列領域を両側で挟むように２つの第２実装端子２４ｂが形成されている。第１実装端子２４ａは配線２７に電気的接続し、第２実装端子２４ｂは、第１実装端子２４ａの配列領域の両側でシールド電極２８に電気的接続している。
【００４８】
（基板２０の製造方法）
かかる構成の基板２０の製造方法を簡単に説明しながら、第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂ等の構成を説明する。基板２０を形成するには、まず、第１導電膜４ａを構成する透光性導電膜を形成した後、図３（ｂ）に示すように、透光性導電膜をエッチングによりパターニングし、入力位置検出用電極２１（第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２）、および配線２７を形成する。
【００４９】
次に、層間絶縁膜２１４を形成した後、図３（ｃ）に示すように、層間絶縁膜２１４をエッチングによりパターニングし、コンタクトホール２１４ａを形成するとともに、基板２０の端部分から層間絶縁膜２１４を除去する。
【００５０】
次に、第２導電膜４ｂを構成する透光性導電膜を形成した後、図３（ｄ）に示すように、透光性導電膜をエッチングによりパターニングし、中継電極２１５およびシールド電極２８を形成する。その際、シールド電極２８については、層間絶縁膜２１４の外周縁から張り出すように形成する。従って、シールド電極２８は、層間絶縁膜２１４の側面部２１４ｅを覆うことになる。なお、本形態では、第２導電膜４ｂの上層側に透光性のトップコート層２１９が形成されており、かかるトップコート層２１９は、例えば、液状組成物を塗布した後、硬化させた樹脂組成物やシリコン酸化物からなる。
【００５１】
本形態では、上記工程を行なう際、第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂを同時形成する。すなわち、第１導電膜４ａによって、入力位置検出用電極２１および配線２７を形成する際、図５（ｂ）、（ｃ）に示すように、第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂと重なる領域に第１導電膜４ａを残す。但し、このままでは、第２導電膜４ｂによって中継電極２１５およびシールド電極２８を形成する際、第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂと重なる領域に形成した第１導電膜４ａがエッチング除去される。そこで、本形態では、第２導電膜４ｂによって中継電極２１５およびシールド電極２８を形成する際、第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂと重なる領域に第２導電膜４ｂを残す。従って、第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂと重なる領域に形成した第１導電膜４ａがエッチング除去されることがない。
【００５２】
なお、第２導電膜４ｂによって中継電極２１５およびシールド電極２８を形成する際、第２実装端子２４ｂに残す第２導電膜４ｂは、シールド電極２８に繋がっている。これに対して、第１実装端子２４ａに残す第２導電膜４ｂは、シールド電極２８との間に途切れ部分を備えている。但し、第１実装端子２４ａに残す第２導電膜４ｂの端部は、層間絶縁膜２１４に重なっている。このため、第１実装端子２４ａと重なる領域に形成した第２導電膜４ｂは、第１実装端子２４ａと重なる領域に形成した第１導電膜４ａに完全に重なっているため、第１実装端子２４ａと重なる領域に第１導電膜４ａを確実に残すことができる。
【００５３】
また、本形態では、配線２７を構成するにあたって、図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、第１導電膜４ａを配線２７の形成領域に沿って延在させるとともに、第１導電膜４ａの上層に、クロム、銀、アルミニウム、銀−アルミニウム合金等の金属層４ｃを配線２７の形成領域に沿って延在させることが好ましい。かかる多層構造を採用すれば、配線２７の配線抵抗を低減することができる。
【００５４】
（入力位置検出動作）
図１（ｂ）に示すように、本形態の静電容量型入力装置１では、入力パネル２の第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂに対してフレキシブル配線基板３５を介してＩＣ１０が接続される。ここで、ＩＣ１０は、フレキシブル配線基板３５を介して第１実装端子２４ａに位置検出信号ＶＤを順次出力する端子１１ａと、フレキシブル配線基板３５を介して第２実装端子２４ｂにシールド電位ＶＳを出力する端子１１ｂとを備えている。なお、ＩＣ１０は、入力パネル２にグランド電位を出力するグランド端子も備えているが、本発明には直接、関係しないので、図示および説明を省略する。
【００５５】
このように構成した静電容量型入力装置１において、ＩＣ１０は、例えば、図１（ｃ）に示す矩形パルス状の位置検出信号ＶＤを出力する。その結果、入力位置検出用電極２１に容量が寄生していない場合、端子１１ａからは、図１（ｃ）に実線で示す波形の信号が検出される。これに対して、入力位置検出用電極２１に容量が寄生していると、図１（ｃ）に点線で示すように、容量に起因する波形の歪みが発生するので、入力位置検出用電極２１に容量が寄生しているか否かを検出することができる。従って、本形態では、複数の入力位置検出用電極２１に順次、位置検出信号ＶＤを出力して入力位置検出用電極２１の各々に対して、結合している静電容量を監視する。それ故、複数の入力位置検出用電極２１のうちのいずれかに指が近接すると、指が近接した入力位置検出用電極２１では、指との間に生じた静電容量分だけ、静電容量が増大するので、指が近接した電極を特定することができる。
【００５６】
（本形態の作用および効果）
本形態の静電容量型入力装置１では、入力位置検出用電極２１に結合する容量変化を検出するため、電磁波ノイズの影響を受けやすい。そこで、本形態では、フレキシブル配線基板３５に形成されている配線３５ａにはシールド層３５ｂが形成されており、かかるシールド層３５ｂには、シールド用配線３５ｃを介してシールド電位ＶＳが印加されている。本形態では、シールド電位ＶＳとして、入力位置検出用電極２１に供給される位置検出信号ＶＤと波形（位相も含めて）が同一の電位が印加される。従って、配線３５ａとシールド層３５ｂとの間に容量が寄生しない状態を実現することができる。
【００５７】
また、本形態では、ＩＣ１０からはフレキシブル配線基板３５のシールド用配線３５ｄおよび第２実装端子２４ｂを介してシールド電極２８に、位置検出信号ＶＤと波形（位相も含めて）が同一のシールド電位ＶＳが印加される。ここで、シールド電極２８は、基板２０において入力領域２ａの外側領域２ｂで延在する複数の配線２７に対して入力操作側で重なっている。このため、シールド電極２８によって入力操作側から配線２７に侵入しようとする電磁波ノイズを遮断することができる。従って、入力パネル２は、入力操作側から侵入しようとする電磁波の影響を受けにくい。それ故、本形態の静電容量型入力装置１では、電磁波ノイズの影響に起因する誤作動が発生しにくい。また、入力領域２ａに対して入力操作側にはシールド電極２８を設けていないため、静電容量方式による入力位置の検出には支障がない。
【００５８】
また、シールド電位ＶＳは、入力位置検出用電極２１に供給される位置検出信号ＶＤと波形（位相も含めて）が同一の電位であるので、配線２７とシールド電極２８との間に容量が寄生しない状態を実現することができる。それ故、シールド電極２８を設けても、静電容量方式による入力位置の検出には支障がない。
【００５９】
また、配線２７は、第１入力位置検出用電極２１１、第２入力位置検出用電極２１２および中継電極２１５の形成に用いた第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂのうち、入力操作側とは反対側に位置する第１導電膜４ａにより形成されている。これに対して、シールド電極２８は、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂのうち、入力操作側に位置する第２導電膜４ｂにより形成されている。このため、シールド電極２８を形成するにあたって、シールド電極を外付けする必要がない等の利点がある。
【００６０】
また、シールド電極２８は、基板２０の外周縁全体に沿って設けられているため、入力操作側から侵入しようとする電磁波をより確実に遮断することができる。また、シールド電極２８は、層間絶縁膜２１４において基板２０の外周縁近傍に位置する側面部２１４ｅを覆っている。このため、配線２７に対して周囲から侵入しようとする電磁波ノイズを遮断することができる。
【００６１】
さらに、基板２０の外側領域２ｂには、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂの双方を利用して第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂが設けられている。このため、基板２０に接続したフレキシブル配線基板３５を介して外部からシールド電極ＶＳに電位を印加することができ、シールド電極２８へのシールド電位ＶＳの印加が容易である。また、第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂに共通のフレキシブル配線基板３５を接続することもできる。しかも、第２実装端子２４ｂは、第１実装端子２４ａの配列領域の両側でシールド電極２８に電気的接続しているため、配線２７に対して周囲から侵入しようとする電磁波ノイズを遮断することができる。
【００６２】
［実施の形態２］
図７〜図９を参照して、実施の形態１をベースにして基板２０にシールド用補助電極２９を追加した例を説明する。図７は、本発明の実施の形態２に係る静電容量型入力装置１の平面的な構成を模式的に示す説明図である。なお、図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々、静電容量型入力装置１の基板２０に形成された各電極等の平面的な位置関係を示す説明図、基板２０に形成された第１導電膜４ａの平面的な構成を示す説明図、基板２０に形成された層間絶縁膜２１４の平面的な構成を示す説明図、および基板２０に形成された第２導電膜４ｂの平面的な構成を示す説明図であり、図７（ａ）は、図７（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示す要素を重ねて示してある。
【００６３】
図８は、本発明の実施の形態２に係る静電容量型入力装置１の基板２０に形成された各電極等の平面的な構成を拡大して示す説明図である。図９は、本発明の実施の形態２に係る静電容量型入力装置１の基板２０の断面構成を示す説明図であり、図９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、基板２０を図８に示すＡ２−Ａ２′線、Ｂ２−Ｂ２′線、およびＣ２−Ｃ２′線に沿って切断したときの断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００６４】
図７、図８および図９に示すように、本形態の静電容量型入力装置１においても、実施の形態１と同様、基板２０の第１面２０ａの側には、基板２０からみて下層側から上層側に向けて第１導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４、および第２導電膜４ｂが順に形成されている。
【００６５】
図７（ｂ）に示すように、第１導電膜４ａは、実施の形態１と同様、第１入力位置検出用電極２１１のパッド部２１１ａ、第２入力位置検出用電極２１２のパッド部２１２ａ、配線２７として形成されているとともに、端部２０ｅ付近に第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂと重なる領域にも形成されている。
【００６６】
本形態では、実施の形態１と違って、第１導電膜４ａは、基板２０の外側領域２ｂにおいて、配線２７の外側領域にシールド用補助電極２９として形成されている。ここで、配線２７は、入力領域２ａと基板２０の端部２０ｅ、入力領域２ａと基板２０の端部２０ｆ、および入力領域２ａと基板２０の端部２０ｈとの間に形成され、基板２０の３辺の相当する領域に形成されている。これに対して、シールド用補助電極２９は、入力領域２ａと基板２０の端部２０ｅとに挟まれた領域、入力領域２ａと基板２０の端部２０ｆとに挟まれた領域、入力領域２ａと基板２０の端部２０ｇとに挟まれた領域、および入力領域２ａと基板２０の端部２０ｈとに挟まれた領域に形成されており、基板２０の全ての辺に沿うように形成されている。なお、シールド用補助電極２９は、入力領域２ａと基板２０の端部２０ｅとに挟まれた領域では途中で第２実装端子２４ｂに向けて屈曲し、配線２７が延在している領域で途切れている。
【００６７】
図７（ｃ）に示すように、層間絶縁膜２１４は、実施の形態１と同様、基板２０の外周縁を除く広い領域に形成されており、層間絶縁膜２１４には、４つで一組のコンタクトホール２１４ａが形成されている。ここで、層間絶縁膜２１４は、基板２０の外周縁よりやや内側に形成されており、基板２０の外周縁付近は層間絶縁膜２１４の非形成領域になっている。
【００６８】
図７（ｄ）に示すように、第２導電膜４ｂは、実施の形態１と同様、入力領域２ａにおいて、図７（ｃ）に示すコンタクトホール２１４ａと重なる中継電極２１５として形成されている。また、第２導電膜４ｂは、外側領域２ｂにおいてシールド電極２８として形成されているとともに、端部２０ｅ付近に第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂと重なる領域にも形成されている。かかるシールド電極２８には、入力位置検出用電極２１に供給される位置検出信号と波形（位相も含めて）が同一の電位が印加される。
【００６９】
また、基板２０の第１面２０ａにおいて外側領域２ｂには、第１実装端子２４ａの配列領域を両側で挟むように２つの第２実装端子２４ｂが形成されている。第１実装端子２４ａは配線２７に電気的接続し、第２実装端子２４ｂは、第１実装端子２４ａの配列領域の両側でシールド電極２８に電気的接続している。その他の構成は、実施の形態１と同等であるため、説明を省略する。
【００７０】
このように構成した入力パネル２においては、実施の形態１と同様、配線２７は、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂのうち、入力操作側とは反対側に位置する第１導電膜４ａより形成され、シールド電極２８は、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂのうち、入力操作側に位置する第２導電膜４ｂにより形成されており、シールド電極２８は、配線２７に対して入力操作側で重なっている。このため、シールド電極２８によって入力操作側から配線２７に侵入しようとする電磁波ノイズを遮断できる等、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００７１】
また、シールド用補助電極２９は、基板２０の４辺に相当する位置で層間絶縁膜２１４の外周縁よりも外側まで形成されており、層間絶縁膜２１４から一部が露出されている。また、シールド電極２８は、基板２０の４辺に相当する位置で層間絶縁膜２１４の外周縁よりも外側まで形成されている。このため、シールド電極２８は、層間絶縁膜２１４の外周側の側面部２１４ｅを覆うとともに、層間絶縁膜２１４の外周側（層間絶縁膜２１４の非形成領域）において層間絶縁膜２１４から露出されているシールド用補助電極２９に対してシールド用補助電極２９の長手方向（延在方向）の全体で接続している。それ故、本形態では、シールド電極２８の抵抗を実質的に低減することができる。また、シールド電極２８とシールド用補助電極２９とによって、配線２７に対して周囲から電磁波ノイズが侵入することを抑制することができる。
【００７２】
［実施の形態３］
図１０〜図１２を参照して、図２（ａ）を参照して説明したタイプの静電容量型入力装置１において第２導電膜４ｂによって入力位置検出用電極を構成した例を説明する。図１０は、本発明の実施の形態３に係る静電容量型入力装置１の平面的な構成を模式的に示す説明図である。なお、図１０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々、静電容量型入力装置１の基板２０に形成された各電極等の平面的な位置関係を示す説明図、基板２０に形成された第１導電膜４ａの平面的な構成を示す説明図、基板２０に形成された層間絶縁膜２１４の平面的な構成を示す説明図、および基板２０に形成された第２導電膜４ｂの平面的な構成を示す説明図であり、図１０（ａ）は、図１０（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示す要素を重ねて示してある。
【００７３】
図１１は、本発明の実施の形態３に係る静電容量型入力装置１の基板２０に形成された各電極等の平面的な構成を拡大して示す説明図である。図１２は、本発明の実施の形態３に係る静電容量型入力装置１の基板２０の断面構成を示す説明図であり、図１２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、基板２０を図１１に示すＡ３−Ａ３′線、Ｂ３−Ｂ３′線、およびＣ３−Ｃ３′線に沿って切断したときの断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００７４】
図１０、図１１および図１２に示すように、本形態の静電容量型入力装置１において、基板２０の第１面２０ａの側には、基板２０からみて下層側から上層側に向けて第１導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４、および第２導電膜４ｂが順に形成されている。
【００７５】
図１０（ｂ）に示すように、第１導電膜４ａは、まず、入力領域２ａに複数の中継電極２１５として形成されている。また、第１導電膜４ａは、外側領域２ｂに複数の配線２７として形成されている。ここで、配線２７は、端部が入力領域２ａの内側に位置し、かかる端部は、配線２７より広幅の接続部２７ａになっている。また、第１導電膜４ａは、実施の形態２と同様、外側領域２ｂにおいて基板２０の４辺に相当する部分にシールド用補助電極２９として形成されている。
【００７６】
図１０（ｃ）に示すように、層間絶縁膜２１４は、入力領域２ａのうち、後述する交差部分２１８のみに形成されているとともに、外側領域２ｂには入力領域２ａの周りを囲むように矩形枠状に形成されている。ここで、層間絶縁膜２１４は、基板２０の外周縁よりやや内側に形成されており、基板２０の外周縁付近は層間絶縁膜２１４の非形成領域になっている。
【００７７】
図１０（ｄ）に示すように、第２導電膜４ｂは、入力領域２ａにおいて、複数の矩形領域として形成され、かかる矩形領域は、第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２のパッド部２１１ａ、２１２ａ（大面積部分）を構成する。また、第２導電膜４ｂは、外側領域２ｂに矩形枠状のシールド電極２８として形成されているとともに、端部２０ｅ付近に第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂと重なる領域にも形成されている。
【００７８】
このように構成した第１導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４および第２導電膜４ｂを重ねると、基板２０は、図１０（ａ）、図１１、および図１２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように構成される。かかる基板２０を平面視すると、入力領域２ａの内側には複数の入力位置検出用電極２１が形成される。本形態において、入力位置検出用電極２１は、第１方向（矢印Ｙで示す方向）に延在する複数列の第１入力位置検出用電極２１１（図１０（ａ）に太い実線で示す）と、第１方向に交差する第２方向（矢印Ｘで示す方向）に延在する複数列の第２入力位置検出用電極２１２（図１０（ａ）に太い点線で示す）とからなる。ここで、入力位置検出用電極２１（第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２）は、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂのうち、第１導電膜４ａにより形成されており、同一層からなる。このため、基板２０の第１面２０ａには、第１入力位置検出用電極２１１と第２入力位置検出用電極２１２との交差部分２１８が複数、存在する。本形態では、第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２のうち、第１入力位置検出用電極２１１は、交差部分２１８でも第２導電膜４ｂからなる連結部分２１１ｃによってＹ方向で繋がって延在しているのに対して、第２入力位置検出用電極２１２には交差部分２１８に途切れ部分２１８ａが構成されている。また、交差部分２１８には、第１導電膜４ａから中継電極２１５および層間絶縁膜２１４が形成されており、このため、第２入力位置検出用電極２１２は中継電極２１５によってＸ方向で電気的に接続されている。
【００７９】
また、配線２７は、第１導電膜４ａによって形成されているが、先端側の接続部２７ａが入力領域２ａ内に位置し、かつ、接続部２７ａの上層は層間絶縁膜２１４で覆われていない。このため、第２導電膜４ｂによって入力位置検出用電極２１を形成すると、入力位置検出用電極２１は、配線２７の接続部２７ａと重なって電気的接続する。
【００８０】
また、基板２０の第１面２０ａにおいて外側領域２ｂには、第１実装端子２４ａの配列領域を両側で挟むように２つの第２実装端子２４ｂが形成されている。第１実装端子２４ａは配線２７に電気的接続し、第２実装端子２４ｂは、第１実装端子２４ａの配列領域の両側でシールド電極２８に電気的接続している。その他の構成は、実施の形態１と同等であるため、説明を省略する。
【００８１】
このように構成した入力パネル２においては、実施の形態１、２と同様、配線２７は、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂのうち、入力操作側とは反対側に位置する第１導電膜４ａより形成され、シールド電極２８は、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂのうち、入力操作側に位置する第２導電膜４ｂにより形成されており、シールド電極２８は、配線２７に対して入力操作側で重なっている。このため、シールド電極２８によって入力操作側から配線２７に侵入しようとする電磁波ノイズを遮断できる等、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００８２】
また、実施の形態２と同様、シールド電極２８は、層間絶縁膜２１４の外周側の側面部２１４ｅを覆うとともに、層間絶縁膜２１４の外周側（層間絶縁膜２１４の非形成領域）において層間絶縁膜２１４から露出されたシールド用補助電極２９に対してシールド用補助電極２９の長手方向の全体で接続している。それ故、本形態では、シールド電極２８の抵抗を実質的に低減することができる。また、シールド電極２８とシールド用補助電極２９とによって、配線２７に対して周囲から電磁波ノイズが侵入することを抑制することができる。
【００８３】
さらに、本形態において、層間絶縁膜２１４は、入力領域２ａでは交差部分２１８のみに形成されており、入力位置検出用電極２１（第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２）のパッド部２１１ａ、２１２ａと重なる位置にはほとんど形成されていない。それ故、入力パネル２は光透過性が高いので、本形態の入力装置付き電気光学装置１００によれば明るい画像を表示することができる。
【００８４】
［実施の形態４］
図１３〜図１５を参照して、図２（ｂ）を参照して説明したタイプの静電容量型入力装置１の構成例を説明する。図１３は、本発明の実施の形態４に係る静電容量型入力装置１の平面的な構成を模式的に示す説明図である。なお、図１３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々、静電容量型入力装置１の基板２０に形成された各電極等の平面的な位置関係を示す説明図、基板２０に形成された第１導電膜４ａの平面的な構成を示す説明図、基板２０に形成された層間絶縁膜２１４の平面的な構成を示す説明図、および基板２０に形成された第２導電膜４ｂの平面的な構成を示す説明図であり、図１３（ａ）は、図１３（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示す要素を重ねて示してある。
【００８５】
図１４は、本発明の実施の形態４に係る静電容量型入力装置１の基板２０に形成された各電極等の平面的な構成を拡大して示す説明図である。図１５は、本発明の実施の形態４に係る静電容量型入力装置１の基板２０の断面構成を示す説明図であり、図１５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、基板２０を図１４に示すＡ４−Ａ４′線、Ｂ４−Ｂ４′線、およびＣ４−Ｃ４′線に沿って切断したときの断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００８６】
図１３、図１４および図１５に示すように、本形態の静電容量型入力装置１において、基板２０の第２面２０ｂの側には、基板２０からみて下層側から上層側に向けて第１導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４、および第２導電膜４ｂが順に形成されている。
【００８７】
図１３（ｂ）に示すように、第１導電膜４ａは、まず、入力領域２ａにおいて、複数の矩形領域として形成され、かかる矩形領域は、第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２のパッド部２１１ａ、２１２ａ（大面積部分）を構成する。また、第１導電膜４ａは、外側領域２ｂにシールド電極２８として形成されている。かかるシールド電極２８には、入力位置検出用電極２１に供給される位置検出信号ＶＤと波形（位相も含めて）が同一の電位が印加される。
【００８８】
図１３（ｃ）に示すように、層間絶縁膜２１４は、実施の形態１と同様、基板２０の外周縁を除く広い領域に形成されており、層間絶縁膜２１４には、４つで一組のコンタクトホール２１４ａが形成されている。また、層間絶縁膜２１４には、図１３（ｄ）に示す配線２７の接続部２７ａと重なる位置にコンタクトホール２１４ｂが形成されている。
【００８９】
図１３（ｄ）に示すように、第２導電膜４ｂは、実施の形態１と同様、入力領域２ａにおいて、図１３（ｃ）に示すコンタクトホール２１４ａと重なる中継電極２１５として形成されている。また、第２導電膜４ｂは、端部２０ｅ付近に第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂと重なる領域にも形成されている。また、第２導電膜４ｂは、外側領域２ｂに複数の配線２７として形成されている。配線２７は、端部が入力領域２ａの内側に位置し、かかる端部は、配線２７より広幅の接続部２７ａになっている。また、第２導電膜４ｂは、外側領域２ｂにおいて基板２０の４辺に相当する部分にシールド用補助電極２９として形成されている。ここで、第１実装端子２４ａと配線２７とは繋がっており、第２実装端子２４ｂとシールド用補助電極２９とは繋がっている。
【００９０】
このように構成した第１導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４および第２導電膜４ｂを重ねると、基板２０は、図１３（ａ）、図１４、および図１５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように構成される。その結果、入力領域２ａの内側には複数の入力位置検出用電極２１が形成される。また、入力位置検出用電極２１（第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２）は第１導電膜４ａに形成されている一方、配線２７は第２導電膜４ｂにより形成されている。それでも、層間絶縁膜２１４にはコンクタクトホール２１４ｂが形成されているため、入力位置検出用電極２１と配線２７とはコンクタクトホール２１４ｂを介して電気的接続される。
【００９１】
また、基板２０の第１面２０ａにおいて外側領域２ｂには、第１実装端子２４ａの配列領域を両側で挟むように２つの第２実装端子２４ｂが形成されている。第１実装端子２４ａは配線２７に電気的接続し、第２実装端子２４ｂは、第１実装端子２４ａの配列領域の両側でシールド電極２８に電気的接続している。その他の構成は、実施の形態１と同等であるため、説明を省略する。
【００９２】
このように構成した入力パネル２において、配線２７は、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂのうち、入力操作側とは反対側に位置する第２導電膜４ｂより形成され、シールド電極２８は、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂのうち、入力操作側に位置する第１導電膜４ａにより形成されており、シールド電極２８は、配線２７に対して入力操作側で重なっている。このため、シールド電極２８によって入力操作側から配線２７に侵入しようとする電磁波ノイズを遮断できる等、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００９３】
また、シールド用補助電極２９は、実施の形態２と同様、基板２０の４辺に相当する位置で層間絶縁膜２１４の外周縁よりも外側まで形成されており、層間絶縁膜２１４から一部が露出されている。また、シールド電極２８は、基板２０の４辺に相当する位置で層間絶縁膜２１４の外周縁よりも外側まで形成されている。このため、シールド用補助電極２９は、層間絶縁膜２１４の外周側の側面部２１４ｅを覆うとともに、シールド電極２８は、層間絶縁膜２１４の外周側（層間絶縁膜２１４の非形成領域）において層間絶縁膜２１４から露出されたシールド用補助電極２９に対してシールド用補助電極２９の長手方向の全体で接続する。それ故、本形態では、シールド電極２８の抵抗を実質的に低減することができる。また、シールド電極２８とシールド用補助電極２９とによって、配線２７に対して周囲から電磁波ノイズが侵入することを抑制することができる。
【００９４】
［実施の形態５］
図１６〜図１８を参照して、実施の形態４をベースにして、入力位置検出用電極２１を第２導電膜４ｂで形成した構成例を説明する。図１６は、本発明の実施の形態５に係る静電容量型入力装置１の平面的な構成を模式的に示す説明図である。なお、図１６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々、静電容量型入力装置１の基板２０に形成された各電極等の平面的な位置関係を示す説明図、基板２０に形成された第１導電膜４ａの平面的な構成を示す説明図、基板２０に形成された層間絶縁膜２１４の平面的な構成を示す説明図、および基板２０に形成された第２導電膜４ｂの平面的な構成を示す説明図であり、図１６（ａ）は、図１６（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示す要素を重ねて示してある。
【００９５】
図１７は、本発明の実施の形態５に係る静電容量型入力装置１の基板２０に形成された各電極等の平面的な構成を拡大して示す説明図である。図１８は、本発明の実施の形態５に係る静電容量型入力装置１の基板２０の断面構成を示す説明図であり、図１８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、基板２０を図１７に示すＡ５−Ａ５′線、Ｂ５−Ｂ５′線、およびＣ５−Ｃ５′線に沿って切断したときの断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００９６】
図１６、図１７および図１８に示すように、本形態の静電容量型入力装置１において、基板２０の第２面２０ｂの側には、基板２０からみて下層側から上層側に向けて第１導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４、および第２導電膜４ｂが順に形成されている。
【００９７】
図１６（ｂ）に示すように、入力領域２ａにおいて、後述するコンタクトホール２１４ａと重なる位置に中継電極２１５として形成されている。また、第１導電膜４ａは、外側領域２ｂにシールド電極２８として形成されている。
【００９８】
図１６（ｃ）に示すように、層間絶縁膜２１４は、実施の形態１と同様、基板２０の外周縁を除く広い領域に形成されており、層間絶縁膜２１４には、４つで一組のコンタクトホール２１４ａが形成されている。
【００９９】
図１６（ｄ）に示すように、第２導電膜４ｂは、まず、入力領域２ａにおいて、複数の矩形領域として形成され、かかる矩形領域は、第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２のパッド部２１１ａ、２１２ａ（大面積部分）を構成する。また、第２導電膜４ｂは、端部２０ｅ付近に第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂと重なる領域にも形成されている。また、第２導電膜４ｂは、外側領域２ｂに複数の配線２７として形成されているとともに、外側領域２ｂにおいて基板２０の４辺に相当する部分にシールド用補助電極２９として形成されている。ここで、第１実装端子２４ａと配線２７とは繋がっており、第２実装端子２４ｂとシールド用補助電極２９とは繋がっている。
【０１００】
このように構成した第１導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４および第２導電膜４ｂを重ねると、基板２０は、図１６（ａ）、図１７、および図１８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように構成される。その結果、入力領域２ａの内側には複数の入力位置検出用電極２１（第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２）が形成される。
【０１０１】
また、基板２０の第１面２０ａにおいて外側領域２ｂには、第１実装端子２４ａの配列領域を両側で挟むように２つの第２実装端子２４ｂが形成されている。第１実装端子２４ａは配線２７に電気的接続し、第２実装端子２４ｂは、第１実装端子２４ａの配列領域の両側でシールド電極２８に電気的接続している。その他の構成は、実施の形態１と同等であるため、説明を省略する。
【０１０２】
このように構成した入力パネル２において、配線２７は、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂのうち、入力操作側とは反対側に位置する第２導電膜４ｂより形成され、シールド電極２８は、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂのうち、入力操作側に位置する第１導電膜４ａにより形成されており、シールド電極２８は、配線２７に対して入力操作側で重なっている。このため、シールド電極２８によって入力操作側から配線２７に侵入しようとする電磁波ノイズを遮断できる等、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【０１０３】
また、シールド用補助電極２９は、実施の形態２と同様、基板２０の４辺に相当する位置で層間絶縁膜２１４の外周縁よりも外側まで形成されており、層間絶縁膜２１４から一部が露出されている。また、シールド電極２８は、基板２０の４辺に相当する位置で層間絶縁膜２１４の外周縁よりも外側まで形成されている。このため、シールド用補助電極２９は、層間絶縁膜２１４の外周側の側面部２１４ｅを覆うとともに、シールド電極２８は、層間絶縁膜２１４の外周側（層間絶縁膜２１４の非形成領域）において層間絶縁膜２１４から露出されたシールド用補助電極２９に対してシールド用補助電極２９の長手方向の全体で接続する。それ故、本形態では、シールド電極２８の抵抗を実質的に低減することができる。また、シールド電極２８とシールド用補助電極２９とによって、配線２７に対して周囲から電磁波ノイズが侵入することを抑制することができる。
【０１０４】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２を形成するにあたって、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂの一方のみを用いたが、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂの双方を用いて第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２を形成してもよい。例えば、第１導電膜４ａを用いて第１入力位置検出用電極２１１を形成し、第２導電膜４ｂを用いて第２入力位置検出用電極２１２を形成してもよい。
【０１０５】
上記実施の形態では、配線２７に対して入力操作側にシールド電極２８を形成するにああたって、第１導電膜４ａあるいは第２導電膜４ｂを用いたが、例えば、図２に示すカバー９０に形成した遮光層９０ａをクロム等の導電膜により形成し、かかる遮光層９０ａをシールド電極として利用してもよい。
【０１０６】
上記実施の形態では、画像生成装置５として液晶装置を用いたが、画像生成装置５としては有機エレクトロルミネッセンス装置を用いてもよい。
【０１０７】
［電子機器への搭載例］
次に、上述した実施形態に係る入力装置付き電気光学装置１００を適用した電子機器について説明する。図１９（ａ）に、入力装置付き電気光学装置１００を備えたモバイル型のパーソナルコンピューターの構成を示す。パーソナルコンピューター２０００は、表示ユニットとしての入力装置付き電気光学装置１００と本体部２０１０を備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。図１９（ｂ）に、入力装置付き電気光学装置１００を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての入力装置付き電気光学装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、入力装置付き電気光学装置１００に表示される画面がスクロールされる。図１９（ｃ）に、入力装置付き電気光学装置１００を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての入力装置付き電気光学装置１００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が入力装置付き電気光学装置１００に表示される。
【０１０８】
なお、入力装置付き電気光学装置１００が適用される電子機器としては、図１９に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型、モニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、銀行端末等の電子機器等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した入力装置付き電気光学装置１００が適用可能である。
【符号の説明】
【０１０９】
１・・静電容量型入力装置、２・・入力パネル、２ａ・・基板の入力領域、２ｂ・・基板の外側領域、４ａ・・第１導電膜、４ｂ・・第２導電膜、２０・・基板、２１・・入力位置検出用電極、２７・・配線、２８・・シールド電極、２９・・シールド用補助電極、９９・・導電層、１００・・入力装置付き電気光学装置、２１１・・第１入力位置検出用電極、２１１ｃ・・連結部分、２１２・・第２入力位置検出用電極、２１４・・層間絶縁膜、２１５・・中継電極、２１８・・交差部分、２１８ａ・・途切れ部分
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入力位置検出用電極に結合する静電容量の変化に基づいて入力位置を検出する静電容量型入力装置、および当該静電容量型入力装置を備えた入力装置付き電気光学装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、カーナビゲーション、パーソナルコンピューター、券売機、銀行の端末等の電子機器では、液晶装置等の表面に、タッチパネルと称せられる入力装置が配置され、液晶装置の画像表示領域に表示された画像を参照しながら、情報の入力が行えるものがある。このような入力装置のうち、静電容量型入力装置は、複数の入力位置検出用電極の各々に対して、結合している静電容量を監視する。従って、複数の入力位置検出用電極のうちのいずれかに指が近接すると、指が近接した入力位置検出用電極では、指との間に生じた静電容量分だけ、静電容量が増大するので、指が近接した電極を特定することができる。
【０００３】
このような静電容量型入力装置では、入力位置検出用電極に結合する容量変化を検出するため、電磁波ノイズの影響を受けやすい。そこで、静電容量型入力装置に対して入力操作側とは反対側の全面にシールド電極を設けることが提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００３−５１１７９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載のシールド構造では、静電容量型入力装置に対して入力操作側から侵入しようとする電磁波ノイズを遮断できないという問題点がある。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、入力操作側から侵入しようとする電磁波ノイズの影響を受けにくくした静電容量型入力装置、および当該静電容量型入力装置を備えた入力装置付き電気光学装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明に係る静電容量型入力装置は、基板において複数の入力位置検出用電極が設けられた入力領域と、前記入力位置検出用電極に電気的に接続し、前記基板において前記入力領域の外側で延在する複数の配線と、前記配線に対して入力操作側で重なるシールド電極と、を有することを特徴とする。
【０００８】
本発明では、静電容量型入力装置の入力操作側にはシールド電極を設けることができないという従来の発想を転換し、入力領域の外側に設けられた配線に対して入力操作側にシールド電極を設けてある。このため、入力操作側から配線に侵入しようとする電磁波ノイズを遮断できるので、入力操作側から侵入しようとする電磁波の影響を受けにくい。それ故、本発明に係る静電容量型入力装置では、電磁波ノイズの影響に起因する誤作動が発生しにくい。また、入力領域に対して入力操作側にはシールド電極を設けていないため、静電容量方式による入力位置の検出には支障がない。
【０００９】
本発明において、前記シールド電極は、前記基板の外周縁全体に沿って設けられていることが好ましい。このように構成すると、入力操作側から侵入しようとする電磁波をより確実に遮断することができる。
【００１０】
本発明において、前記基板には、該基板側から第１導電膜、層間絶縁膜、および第２導電膜がこの順に形成され、前記入力位置検出用電極は、前記第１導電膜および前記第２導電膜のうちの少なくも一方により形成され、前記配線は、前記第１導電膜および前記第２導電膜のうち、入力操作側とは反対側に位置する導電膜により形成され、前記シールド電極は、前記第１導電膜および前記第２導電膜のうち、入力操作側に位置する導電膜により形成されていることが好ましい。このように構成すると、基板上に形成した導電膜によってシールド電極を形成することができるので、シールド電極を外付けする必要がない。
【００１１】
本発明において、前記基板において前記配線の外周側には、前記第１導電膜および前記第２導電膜のうち、入力操作側とは反対側に位置する導電膜によりシールド用補助電極が形成されており、前記シールド用補助電極と前記シールド電極とは、前記層間絶縁膜の非形成領域で重なって電気的接続していることが好ましい。このように構成すると、シールド電極の抵抗を実質的に低減することができる。また、配線に対して周囲から電磁波ノイズが侵入することを抑制することができる。
【００１２】
本発明において、前記シールド用補助電極は、前記基板の全ての辺に沿うように形成されており、前記シールド用補助電極と前記シールド電極とは、前記シールド用補助電極の長手方向の全域で重なって電気的接続していることが好ましい。このように構成すると、シールド電極の実質的な抵抗を、より効率よく低減することができる。また、配線に対して周囲から電磁波ノイズが侵入することをより確実に抑制することができる。
【００１３】
本発明において、前記基板において前記入力領域の外側には、前記第１導電膜および前記第２導電膜のうちの少なくとも一方の導電膜によって、前記配線に電気的接続する第１実装端子と、前記シールド電極に電気的接続する第２実装端子と、が設けられていることが好ましい。このように構成すると、第１実装端子と同様、基板に接続したフレキシブル配線基板等を介して外部からシールド電極に電位を印加することができ、シールド電極への電位の印加が容易である。また、第１実装端子および第２実装端子に共通のフレキシブル配線基板を接続することもできる。
【００１４】
本発明において、前記基板には、前記第１導電膜および前記第２導電膜のうちの一方の導電膜によって、前記入力位置検出用電極として、前記基板の面内方向において第１方向に延在する複数の第１入力位置検出用電極と、前記基板の面内方向において前記第１方向に対して交差する第２方向に延在する複数の第２入力位置検出用電極と、が設けられ、前記第１入力位置検出用電極と前記第２入力位置検出用電極との交差部分には、前記第１入力位置検出用電極および前記第２入力位置検出用電極のうちの一方の入力位置検出用電極を連続させる前記一方の導電膜からなる連結部分と、他方の入力位置検出用電極の途切れ部分と、前記層間絶縁膜を介して前記連結部分に重なって前記他方の入力位置検出用電極の途切れ部分を電気的に接続する他方の導電膜からなる中継電極と、が設けられていることが好ましい。
【００１５】
本発明において、前記第１導電膜、前記層間絶縁膜、および前記第２導電膜は、前記基板において入力操作側に位置する基板面に形成されており、前記配線は、前記第１導電膜により形成され、前記シールド電極は、前記第２導電膜により形成されている構成を採用することができる。
【００１６】
本発明において、前記第１導電膜、前記層間絶縁膜、および前記第２導電膜は、前記基板において入力操作側とは反対側の基板面に形成されており、前記配線は、前記第２導電膜により形成され、前記シールド電極は、前記第１導電膜により形成されている構成を採用してもよい。
【００１７】
本発明において、前記シールド電極には、前記入力位置検出用電極に印加される位置検出信号と波形および位相が同一の電位が印加されることが好ましい。このように構成すると、シールド電極と入力位置検出用電極との間に容量が寄生しない状態を実現することができる。
【００１８】
本発明を適用した静電容量型入力装置は、例えば、入力装置付き電気光学装置を構成するのに用いられ、かかる入力装置付き電気光学装置では、前記基板に対して入力操作側とは反対側に画像生成用の電気光学パネルが構成されている。
【００１９】
本発明を適用した入力装置付き電気光学装置は、携帯電話、カーナビゲーション、パーソナルコンピューター、券売機、銀行の端末等の電子機器に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明を適用した静電容量型入力装置の説明図である。
【図２】本発明を適用した入力装置付き電気光学装置の断面構成を模式的に示す説明図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る静電容量型入力装置の平面的な構成を模式的に示す説明図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る静電容量型入力装置の基板に形成された各電極等の平面的な構成を拡大して示す説明図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る静電容量型入力装置の基板の断面構成を示す説明図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る静電容量型入力装置の基板に形成した配線の構成を示す説明図である。
【図７】本発明の実施の形態２に係る静電容量型入力装置の平面的な構成を模式的に示す説明図である。
【図８】本発明の実施の形態２に係る静電容量型入力装置の基板に形成された各電極等の平面的な構成を拡大して示す説明図である。
【図９】本発明の実施の形態２に係る静電容量型入力装置の基板の断面構成を示す説明図である。
【図１０】本発明の実施の形態３に係る静電容量型入力装置の平面的な構成を模式的に示す説明図である。
【図１１】本発明の実施の形態３に係る静電容量型入力装置の基板に形成された各電極等の平面的な構成を拡大して示す説明図である。
【図１２】本発明の実施の形態３に係る静電容量型入力装置の基板の断面構成を示す説明図である。
【図１３】本発明の実施の形態４に係る静電容量型入力装置の平面的な構成を模式的に示す説明図である。
【図１４】本発明の実施の形態４に係る静電容量型入力装置の基板に形成された各電極等の平面的な構成を拡大して示す説明図である。
【図１５】本発明の実施の形態４に係る静電容量型入力装置の基板の断面構成を示す説明図である。
【図１６】本発明の実施の形態５に係る静電容量型入力装置の平面的な構成を模式的に示す説明図である。
【図１７】本発明の実施の形態５に係る静電容量型入力装置の基板に形成された各電極等の平面的な構成を拡大して示す説明図である。
【図１８】本発明の実施の形態５に係る静電容量型入力装置の基板の断面構成を示す説明図である。
【図１９】本発明を適用した静電容量型入力装置を備えた電子機器の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。以下、各実施の形態で共通な基本構成を説明した後、各実施の形態の詳細な説明を行なう。
【００２２】
［基本構成］
（入力装置付き電気光学装置の全体構成）
図１は、本発明を適用した静電容量型入力装置の説明図であり、図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本形態の静電容量型入力装置を備えた入力装置付き電気光学装置の全体構成を模式的に示す説明図、静電容量型入力装置の電気的な構成を模式的に示す説明図、および静電容量型入力装置に供給される電位の説明図である。図２は、本発明を適用した入力装置付き電気光学装置の断面構成を模式的に示す説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、基板において入力操作側の位置する第１面側に入力位置検出用電極を設けた構成例の説明図、および基板において入力操作側とは反対側の第２面側に入力位置検出用電極を設けた構成例の説明図である。
【００２３】
図１（ａ）において、本形態の入力装置付き電気光学装置１００は、概ね、液晶装置等からなる画像生成装置５と、この画像生成装置５において表示光を出射する側の面に重ねて配置された静電容量型入力装置１とを有している。静電容量型入力装置１は入力パネル２を備え、画像生成装置５は電気光学パネル５ａ（表示パネル）としての液晶パネルを備えている。静電容量型入力装置１は入力パネル２（タッチパネル）を備え、画像生成装置５は電気光学パネル５ａとしての液晶パネルを備えている。本形態において、入力パネル２および電気光学パネル５ａはいずれも矩形の平面形状を備えており、静電容量型入力装置１および入力装置付き電気光学装置１００を平面視したときの中央領域が入力領域２ａである。また、画像生成装置５および入力装置付き電気光学装置１００において入力領域２ａと平面視で重なる領域が画像形成領域である。入力パネル２において端部２０ｅが位置する側にはフレキシブル配線基板３５が接続され、電気光学パネル５ａにおいて端部２０ｅが位置する側にはフレキシブル配線基板７３が接続されている。
【００２４】
図１（ｂ）に示すように、静電容量型入力装置１は、入力パネル２での入力操作を検出するための制御用のＩＣ１０がフレキシブル配線基板３５を介して電気的に接続されており、ＩＣ１０からは、図１（ｃ）を参照して後述する電位が入力パネル２に供給される。
【００２５】
図１（ａ）および図２（ａ）、（ｂ）において、画像生成装置５は、透過型や半透過反射型のアクティブマトリクス型の液晶表示装置であり、電気光学パネル５ａに対して入力パネル２が配置されている側とは反対側（表示光の出射側とは反対側）にはバックライト装置（図示せず）が配置されている。バックライト装置は、例えば、電気光学パネル５ａに対して静電容量型入力装置１が配置されている側とは反対側に重ねて配置された透光性の導光板と、導光板の側端部に向けて白色光等を出射する発光ダイオード等の光源とを備えており、光源から出射された光は、導光板の側端部から入射した後、導光板内を伝搬しながら電気光学パネル５ａに向けて出射される。導光板と電気光学パネル５ａとの間には、光散乱シートやプリズムシート等のシート状光学部材が配置されることもある。
【００２６】
画像生成装置５において、電気光学パネル５ａに対して表示光の出射側には第１偏光板８１が重ねて配置され、その反対側に第２偏光板８２が重ねて配置されている。このため、静電容量型入力装置１は、アクリル樹脂系等といった透光性の接着剤（図示せず）によって第１偏光板８１に接着されている。電気光学パネル５ａは、表示光の出射側に配置された透光性の素子基板５０と、この素子基板５０に対して対向配置された透光性の対向基板６０とを備えている。対向基板６０と素子基板５０とは、矩形枠状のシール材７１により貼り合わされており、対向基板６０と素子基板５０との間においてシール材７１で囲まれた領域内に液晶層５５が保持されている。素子基板５０において、対向基板６０と対向する面には複数の画素電極５８がＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透光性導電膜により形成され、対向基板６０において、素子基板５０と対向する面には共通電極６８がＩＴＯ膜等の透光性導電膜により形成されている。なお、画像生成装置５がＩＰＳ(In Plane Switching)方式や、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式である場合、共通電極６８は素子基板５０の側に設けられる。また、素子基板５０が表示光の出射側に配置されることもある。素子基板５０において、対向基板６０の縁から張り出した張出領域５９には駆動用ＩＣ７５がＣＯＧ実装されているとともに、張出領域５９にはフレキシブル配線基板７３が接続されている。なお、素子基板５０には、素子基板５０上のスイッチング素子と同時に駆動回路を形成することもある。
【００２７】
このように構成した入力装置付き電気光学装置１００において、電気光学パネル５ａと入力パネル２との間には、ＩＴＯ膜等からなる透光性の導電層９９（図１には図示せず／図２（ａ）、（ｂ）参照）が配置されており、かかる導電層９９は、電気光学パネル５ａから放射された電磁波ノイズが入力パネル２に侵入することを防止する。
【００２８】
（入力装置１の詳細構成）
図２（ａ）、（ｂ）に示す静電容量型入力装置１において、入力パネル２は、ガラス板やプラスチック板等からなる透光性の基板２０を備えており、本形態では、基板２０としてガラス基板が用いられている。なお、基板２０をプラスチック材料から構成する場合、プラスチック材料としては、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ＰＩ（ポリイミド）、ポリノルボルネン等の環状オレフィン樹脂等の耐熱性の透光性シートを用いることができる。以下、基板２０において入力操作側に位置する基板面を第１面２０ａとし、入力操作側とは反対側に位置する基板面を第２面２０ｂとして説明する。
【００２９】
図２（ａ）、（ｂ）に示す静電容量型入力装置１のうち、図２（ａ）に示す構成例では、基板２０の第１面２０ａには、基板２０からみて下層側から上層側に向かって第１導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４、および第２導電膜４ｂが形成されており、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂのうちの少なくとも一方によって入力位置検出用電極２１が形成されている。基板２０の端部２０ｅでは、第１面２０ａにフレキシブル配線基板３５が接続されている。基板２０の第１面２０ａの側には、透光性および絶縁性のカバー９０が粘着剤９０ｅ等により貼付されており、かかるカバー９０には、基板２０の第１面２０ａの外側領域２ｂと重なる領域に絶縁性の遮光層９０ａが印刷されている。かかる遮光層９０ａで囲まれた領域が入力領域２ａである。遮光層９０ａは、電気光学パネル５ａの外側領域と重なっており、画像生成装置５の光源や導光板の端部から漏れた光を遮断する。
【００３０】
また、基板２０の第２面２０ｂの略全面には、電気光学パネル５ａから放射された電磁波ノイズが入力パネル２に侵入することを防止する透光性の導電層９９が形成されている。かかる導電層９９にはフレキシブル配線基板３５の分岐部分３５ａが接続されており、導電層９９には、フレキシブル配線基板３５を介して、後述するシールド電位が印加される。
【００３１】
図２（ｂ）に示す構成例では、詳しくは後述するように、基板２０の第２面２０ｂに、基板２０からみて下層側から上層側に向かって第１導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４、および第２導電膜４ｂが形成されており、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂのうちの少なくとも一方によって入力位置検出用電極２１が形成されている。かかる構成の場合、基板２０の端部２０ｅでは、第２面２０ｂにフレキシブル配線基板３５が接続されている。本形態でも、基板２０の第１面２０ａの側には透光性および絶縁性のカバー９０が粘着剤９０ｅ等により貼付されており、かかるカバー９０には、基板２０の第１面２０ａの外側領域２ｂと重なる領域に絶縁性の遮光層９０ａが印刷されている。
【００３２】
また、素子基板５０において入力パネル２が位置する側の面の略全面には、電気光学パネル５ａから放射された電磁波ノイズが入力パネル２に侵入することを防止する透光性の導電層９９が形成されている。かかる導電層９９にはフレキシブル配線基板３５の分岐部分３５ａが接続されており、導電層９９には、フレキシブル配線基板３５を介して、後述するシールド電位が印加される。
【００３３】
以下、基板２０の第１面２０ａに第１導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４、および第２導電膜４ｂが形成されている形態（図２（ａ）に示す形態）に本発明を適用した例を実施の形態１、２、３として説明し、基板２０の第２面２０ｂに第１導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４、および第２導電膜４ｂが形成されている形態（図２（ｂ）に示す形態）に本発明を適用した例を実施の形態４、５として説明する。
【００３４】
［実施の形態１］
図３〜図６を参照して、図２（ａ）を参照して説明したタイプの静電容量型入力装置１を説明する。図３は、本発明の実施の形態１に係る静電容量型入力装置１の平面的な構成を模式的に示す説明図である。なお、図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々、静電容量型入力装置１の基板２０に形成された各電極等の平面的な位置関係を示す説明図、基板２０に形成された第１導電膜４ａの平面的な構成を示す説明図、基板２０に形成された層間絶縁膜２１４の平面的な構成を示す説明図、および基板２０に形成された第２導電膜４ｂの平面的な構成を示す説明図であり、図３（ａ）は、図３（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示す要素を重ねて示してある。
【００３５】
図４は、本発明の実施の形態１に係る静電容量型入力装置１の基板２０に形成された各電極等の平面的な構成を拡大して示す説明図である。図５は、本発明の実施の形態１に係る静電容量型入力装置１の基板２０の断面構成を示す説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、基板２０を図４に示すＡ１−Ａ１′線、Ｂ１−Ｂ１′線、およびＣ１−Ｃ１′線に沿って切断したときの断面図である。図６は、本発明の実施の形態１に係る静電容量型入力装置１の基板２０に形成した配線の構成を示す説明図であり、図６（ａ）、（ｂ）は各々、配線の平面図、配線のＥ−Ｅ′断面図および配線のＦ−Ｆ′断面図である。
【００３６】
なお、図３（ａ）、（ｂ）、（ｄ）および図４において、第１導電膜４ａについては右上がりの斜線を付した領域として示し、第２導電膜４ｂについては右下がりの斜線を付した領域として示してある。図３（ｃ）において層間絶縁膜２１４については複数の点を付した領域として示してある。図３（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）および図４において、入力領域２ａについては、その角部分の位置を英文字の「Ｌ」状のマークで示してある。なお、後述する実施の形態２〜５で参照する図面においても同様である。
【００３７】
図３、図４および図５に示すように、本形態の静電容量型入力装置１において、基板２０の第１面２０ａの側には、基板２０からみて下層側から上層側に向けて第１導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４、および第２導電膜４ｂが順に形成されている。本形態において、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂは、膜厚が１０〜４０ｎｍのＩＴＯ膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜からなり、層間絶縁膜２１４は、膜厚が４０〜６０ｎｍのシリコン酸化膜等の透光性絶縁膜からなる。本形態において、基板２０の第１面２０ａには、その全面にシリコン酸化膜等からなる透光性の下地保護膜２１７が形成されており、かかる下地保護膜２１７上に第１導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４、および第２導電膜４ｂが順に形成されている。また、基板２０の第２面２０ｂの略全面には、図２（ａ）を参照して説明したように、電気光学パネル５ａから放射された電磁波ノイズが入力パネル２に侵入することを防止する透光性の導電層９９が形成されている（図５参照）。
【００３８】
図３（ｂ）に示すように、第１導電膜４ａは、まず、入力領域２ａに複数の矩形領域として形成され、かかる矩形領域は、入力位置検出用電極２１（第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２のパッド部２１１ａ、２１２ａ（大面積部分））を構成する。これらのパッド部２１１ａ、２１２ａは、Ｘ方向およびＹ方向において交互に配列されている。複数のパッド部２１１ａにおいて斜め方向で隣り合うパッド部２１１ａ同士の一部は連結部分２１１ｃで接続しており、複数のパッド部２１２ａにおいて斜め方向で隣り合うパッド部２１２ａ同士の一部も連結部分２１１ｃで繋がっている。また、第１導電膜４ａは、入力領域２ａの外側領域２ｂに、入力位置検出用電極２１から延在した配線２７として形成されているとともに、端部２０ｅ付近において第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂと重なる領域にも形成されている。
【００３９】
図３（ｃ）に示すように、層間絶縁膜２１４は、入力領域２ａ全体に形成されている。また、層間絶縁膜２１４は、基板２０の外周縁を除く広い領域に形成されている。また、層間絶縁膜２１４には、４つで一組のコンタクトホール２１４ａが形成されている。ここで、層間絶縁膜２１４の外周縁と基板２０の端部２０ｅとの間隔は、層間絶縁膜２１４の外周縁と基板２０の他の端部２０ｆ、２０ｇ、２１ｈとの間隔に比して広くなっており、第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂを形成するためのスペースが確保されている。
【００４０】
図３（ｄ）に示すように、第２導電膜４ｂは、入力領域２ａにおいて、図３（ｃ）に示すコンタクトホール２１４ａと重なる領域に中継電極２１５として形成されている。また、第２導電膜４ｂは、入力領域２ａより外側領域２ｂに、入力領域２ａの周り全体を囲む矩形枠状のシールド電極２８として形成されているとともに、端部２０ｅ付近において第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂと重なる領域にも形成されている。
【００４１】
このように構成した第１導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４および第２導電膜４ｂを重ねると、基板２０は、図３（ａ）、図４および図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように構成される。かかる基板２０を平面視すると、入力領域２ａの内側には複数の入力位置検出用電極２１が形成されている。本形態において、入力位置検出用電極２１は、第１方向（矢印Ｙで示す方向）に延在する複数列の第１入力位置検出用電極２１１（図３（ａ）に太い実線で示す）と、第１方向に交差する第２方向（矢印Ｘで示す方向）に延在する複数列の第２入力位置検出用電極２１２（図３（ａ）に太い点線で示す）とからなる。
【００４２】
入力位置検出用電極２１（第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２）は、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂのうち、第１導電膜４ａにより形成されており、同一層からなる。このため、基板２０の第１面２０ａには、第１入力位置検出用電極２１１と第２入力位置検出用電極２１２との交差部分２１８が複数、存在する。本形態においては、第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２のうち、第１入力位置検出用電極２１１は、交差部分２１８でも第１導電膜４ａからなる連結部分２１１ｃによってＹ方向で繋がって延在しているのに対して、第２入力位置検出用電極２１２には交差部分２１８に途切れ部分２１８ａが構成されている。また、第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２の上層側には、シリコン酸化膜等からなる層間絶縁膜２１４が形成され、かかる層間絶縁膜２１４の上層には、交差部分２１８で途切れている第２入力位置検出用電極２１２同士を層間絶縁膜２１４の計４つのコンタクトホール２１４ａを介して電気的に接続する透光性の中継電極２１５が第２導電膜４ｂにより形成されている。このため、第２入力位置検出用電極２１２はＸ方向で電気的に接続されている。なお、中継電極２１５は、層間絶縁膜２１４を介して連結部分２１１ｃに重なっているため、短絡するおそれはない。
【００４３】
このように構成した第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２は各々、交差部分２１８で挟まれた領域に矩形の大面積のパッド部２１１ａ、２１２ａを備えており、第１入力位置検出用電極２１１において交差部分２１８に位置する連結部分２１１ｃは、パッド部２１１ａ、２１２ａより幅の狭い細幅形状になっている。また、中継電極２１５も、パッド部２１１ａ、２１２ａより幅の狭い細幅形状に形成されている。
【００４４】
（配線２７およびシールド電極２８の構成）
本形態の静電容量型入力装置１では、基板２０の第１面２０ａにおいて入力領域２ａの外側領域２ｂに、第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２の各々から基板２０の端部２０ｅまで延在する複数の配線２７が形成されている。より具体的には、第１入力位置検出用電極２１１に接続する配線２７は、入力領域２ａと基板２０の端部２０ｅとの間で引き回され、第２入力位置検出用電極２１２に接続する配線２７は、入力領域２ａと基板２０の端部２０ｆ、あるいは入力領域２ａと基板２０の端部２０ｈで直線的に延在した後、入力領域２ａと基板２０の端部２０ｅとの間で引き回されている。このように構成した配線２７において、基板２０の端部２０ｅ付近に位置する部分は、図１および図２を参照して説明したフレキシブル配線基板３５が接続される第１実装端子２４ａを備えている。
【００４５】
また、基板２０の第１面２０ａにおいて入力領域２ａの外側領域２ｂには、配線２７と重なる領域にシールド電極２８が形成されている。本形態において、シールド電極２８は、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂのうち、入力操作側に位置する第２導電膜４ｂにより形成されており、配線２７とシールド電極２８との間には層間絶縁膜２１４が介在している。
【００４６】
本形態において、配線２７は、入力領域２ａと基板２０の端部２０ｅとに挟まれた領域、入力領域２ａと基板２０の端部２０ｆとに挟まれた領域、および入力領域２ａと基板２０の端部２０ｈとに挟まれた領域の計３辺に相当する領域に形成されている。これに対して、シールド電極２８は、入力領域２ａと基板２０の端部２０ｅとに挟まれた領域、入力領域２ａと基板２０の端部２０ｆとに挟まれた領域、入力領域２ａと基板２０の端部２０ｇとに挟まれた領域、および入力領域２ａと基板２０の端部２０ｈとに挟まれた領域の計４辺に相当する領域にわたって、周方向で繋がった矩形枠状に形成されている。また、シールド電極２８の幅寸法は、配線２７の幅寸法よりも大である。このため、シールド電極２８は、配線２７に対して入力操作側で配線２７の延在領域を含む広い領域に形成されている。また、シールド電極２８は、層間絶縁膜２１４の外周縁から張り出している。従って、シールド電極２８は、層間絶縁膜２１４の側面部２１４ｅを覆っている。
【００４７】
また、基板２０の第１面２０ａにおいて外側領域２ｂには、第１実装端子２４ａの配列領域を両側で挟むように２つの第２実装端子２４ｂが形成されている。第１実装端子２４ａは配線２７に電気的接続し、第２実装端子２４ｂは、第１実装端子２４ａの配列領域の両側でシールド電極２８に電気的接続している。
【００４８】
（基板２０の製造方法）
かかる構成の基板２０の製造方法を簡単に説明しながら、第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂ等の構成を説明する。基板２０を形成するには、まず、第１導電膜４ａを構成する透光性導電膜を形成した後、図３（ｂ）に示すように、透光性導電膜をエッチングによりパターニングし、入力位置検出用電極２１（第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２）、および配線２７を形成する。
【００４９】
次に、層間絶縁膜２１４を形成した後、図３（ｃ）に示すように、層間絶縁膜２１４をエッチングによりパターニングし、コンタクトホール２１４ａを形成するとともに、基板２０の端部分から層間絶縁膜２１４を除去する。
【００５０】
次に、第２導電膜４ｂを構成する透光性導電膜を形成した後、図３（ｄ）に示すように、透光性導電膜をエッチングによりパターニングし、中継電極２１５およびシールド電極２８を形成する。その際、シールド電極２８については、層間絶縁膜２１４の外周縁から張り出すように形成する。従って、シールド電極２８は、層間絶縁膜２１４の側面部２１４ｅを覆うことになる。なお、本形態では、第２導電膜４ｂの上層側に透光性のトップコート層２１９が形成されており、かかるトップコート層２１９は、例えば、液状組成物を塗布した後、硬化させた樹脂組成物やシリコン酸化物からなる。
【００５１】
本形態では、上記工程を行なう際、第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂを同時形成する。すなわち、第１導電膜４ａによって、入力位置検出用電極２１および配線２７を形成する際、図５（ｂ）、（ｃ）に示すように、第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂと重なる領域に第１導電膜４ａを残す。但し、このままでは、第２導電膜４ｂによって中継電極２１５およびシールド電極２８を形成する際、第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂと重なる領域に形成した第１導電膜４ａがエッチング除去される。そこで、本形態では、第２導電膜４ｂによって中継電極２１５およびシールド電極２８を形成する際、第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂと重なる領域に第２導電膜４ｂを残す。従って、第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂと重なる領域に形成した第１導電膜４ａがエッチング除去されることがない。
【００５２】
なお、第２導電膜４ｂによって中継電極２１５およびシールド電極２８を形成する際、第２実装端子２４ｂに残す第２導電膜４ｂは、シールド電極２８に繋がっている。これに対して、第１実装端子２４ａに残す第２導電膜４ｂは、シールド電極２８との間に途切れ部分を備えている。但し、第１実装端子２４ａに残す第２導電膜４ｂの端部は、層間絶縁膜２１４に重なっている。このため、第１実装端子２４ａと重なる領域に形成した第２導電膜４ｂは、第１実装端子２４ａと重なる領域に形成した第１導電膜４ａに完全に重なっているため、第１実装端子２４ａと重なる領域に第１導電膜４ａを確実に残すことができる。
【００５３】
また、本形態では、配線２７を構成するにあたって、図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、第１導電膜４ａを配線２７の形成領域に沿って延在させるとともに、第１導電膜４ａの上層に、クロム、銀、アルミニウム、銀−アルミニウム合金等の金属層４ｃを配線２７の形成領域に沿って延在させることが好ましい。かかる多層構造を採用すれば、配線２７の配線抵抗を低減することができる。
【００５４】
（入力位置検出動作）
図１（ｂ）に示すように、本形態の静電容量型入力装置１では、入力パネル２の第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂに対してフレキシブル配線基板３５を介してＩＣ１０が接続される。ここで、ＩＣ１０は、フレキシブル配線基板３５を介して第１実装端子２４ａに位置検出信号ＶＤを順次出力する端子１１ａと、フレキシブル配線基板３５を介して第２実装端子２４ｂにシールド電位ＶＳを出力する端子１１ｂとを備えている。なお、ＩＣ１０は、入力パネル２にグランド電位を出力するグランド端子も備えているが、本発明には直接、関係しないので、図示および説明を省略する。
【００５５】
このように構成した静電容量型入力装置１において、ＩＣ１０は、例えば、図１（ｃ）に示す矩形パルス状の位置検出信号ＶＤを出力する。その結果、入力位置検出用電極２１に容量が寄生していない場合、端子１１ａからは、図１（ｃ）に実線で示す波形の信号が検出される。これに対して、入力位置検出用電極２１に容量が寄生していると、図１（ｃ）に点線で示すように、容量に起因する波形の歪みが発生するので、入力位置検出用電極２１に容量が寄生しているか否かを検出することができる。従って、本形態では、複数の入力位置検出用電極２１に順次、位置検出信号ＶＤを出力して入力位置検出用電極２１の各々に対して、結合している静電容量を監視する。それ故、複数の入力位置検出用電極２１のうちのいずれかに指が近接すると、指が近接した入力位置検出用電極２１では、指との間に生じた静電容量分だけ、静電容量が増大するので、指が近接した電極を特定することができる。
【００５６】
（本形態の作用および効果）
本形態の静電容量型入力装置１では、入力位置検出用電極２１に結合する容量変化を検出するため、電磁波ノイズの影響を受けやすい。そこで、本形態では、フレキシブル配線基板３５に形成されている配線３５ａにはシールド層３５ｂが形成されており、かかるシールド層３５ｂには、シールド用配線３５ｃを介してシールド電位ＶＳが印加されている。本形態では、シールド電位ＶＳとして、入力位置検出用電極２１に供給される位置検出信号ＶＤと波形（位相も含めて）が同一の電位が印加される。従って、配線３５ａとシールド層３５ｂとの間に容量が寄生しない状態を実現することができる。
【００５７】
また、本形態では、ＩＣ１０からはフレキシブル配線基板３５のシールド用配線３５ｄおよび第２実装端子２４ｂを介してシールド電極２８に、位置検出信号ＶＤと波形（位相も含めて）が同一のシールド電位ＶＳが印加される。ここで、シールド電極２８は、基板２０において入力領域２ａの外側領域２ｂで延在する複数の配線２７に対して入力操作側で重なっている。このため、シールド電極２８によって入力操作側から配線２７に侵入しようとする電磁波ノイズを遮断することができる。従って、入力パネル２は、入力操作側から侵入しようとする電磁波の影響を受けにくい。それ故、本形態の静電容量型入力装置１では、電磁波ノイズの影響に起因する誤作動が発生しにくい。また、入力領域２ａに対して入力操作側にはシールド電極２８を設けていないため、静電容量方式による入力位置の検出には支障がない。
【００５８】
また、シールド電位ＶＳは、入力位置検出用電極２１に供給される位置検出信号ＶＤと波形（位相も含めて）が同一の電位であるので、配線２７とシールド電極２８との間に容量が寄生しない状態を実現することができる。それ故、シールド電極２８を設けても、静電容量方式による入力位置の検出には支障がない。
【００５９】
また、配線２７は、第１入力位置検出用電極２１１、第２入力位置検出用電極２１２および中継電極２１５の形成に用いた第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂのうち、入力操作側とは反対側に位置する第１導電膜４ａにより形成されている。これに対して、シールド電極２８は、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂのうち、入力操作側に位置する第２導電膜４ｂにより形成されている。このため、シールド電極２８を形成するにあたって、シールド電極を外付けする必要がない等の利点がある。
【００６０】
また、シールド電極２８は、基板２０の外周縁全体に沿って設けられているため、入力操作側から侵入しようとする電磁波をより確実に遮断することができる。また、シールド電極２８は、層間絶縁膜２１４において基板２０の外周縁近傍に位置する側面部２１４ｅを覆っている。このため、配線２７に対して周囲から侵入しようとする電磁波ノイズを遮断することができる。
【００６１】
さらに、基板２０の外側領域２ｂには、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂの双方を利用して第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂが設けられている。このため、基板２０に接続したフレキシブル配線基板３５を介して外部からシールド電極ＶＳに電位を印加することができ、シールド電極２８へのシールド電位ＶＳの印加が容易である。また、第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂに共通のフレキシブル配線基板３５を接続することもできる。しかも、第２実装端子２４ｂは、第１実装端子２４ａの配列領域の両側でシールド電極２８に電気的接続しているため、配線２７に対して周囲から侵入しようとする電磁波ノイズを遮断することができる。
【００６２】
［実施の形態２］
図７〜図９を参照して、実施の形態１をベースにして基板２０にシールド用補助電極２９を追加した例を説明する。図７は、本発明の実施の形態２に係る静電容量型入力装置１の平面的な構成を模式的に示す説明図である。なお、図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々、静電容量型入力装置１の基板２０に形成された各電極等の平面的な位置関係を示す説明図、基板２０に形成された第１導電膜４ａの平面的な構成を示す説明図、基板２０に形成された層間絶縁膜２１４の平面的な構成を示す説明図、および基板２０に形成された第２導電膜４ｂの平面的な構成を示す説明図であり、図７（ａ）は、図７（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示す要素を重ねて示してある。
【００６３】
図８は、本発明の実施の形態２に係る静電容量型入力装置１の基板２０に形成された各電極等の平面的な構成を拡大して示す説明図である。図９は、本発明の実施の形態２に係る静電容量型入力装置１の基板２０の断面構成を示す説明図であり、図９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、基板２０を図８に示すＡ２−Ａ２′線、Ｂ２−Ｂ２′線、およびＣ２−Ｃ２′線に沿って切断したときの断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００６４】
図７、図８および図９に示すように、本形態の静電容量型入力装置１においても、実施の形態１と同様、基板２０の第１面２０ａの側には、基板２０からみて下層側から上層側に向けて第１導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４、および第２導電膜４ｂが順に形成されている。
【００６５】
図７（ｂ）に示すように、第１導電膜４ａは、実施の形態１と同様、第１入力位置検出用電極２１１のパッド部２１１ａ、第２入力位置検出用電極２１２のパッド部２１２ａ、配線２７として形成されているとともに、端部２０ｅ付近に第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂと重なる領域にも形成されている。
【００６６】
本形態では、実施の形態１と違って、第１導電膜４ａは、基板２０の外側領域２ｂにおいて、配線２７の外側領域にシールド用補助電極２９として形成されている。ここで、配線２７は、入力領域２ａと基板２０の端部２０ｅ、入力領域２ａと基板２０の端部２０ｆ、および入力領域２ａと基板２０の端部２０ｈとの間に形成され、基板２０の３辺の相当する領域に形成されている。これに対して、シールド用補助電極２９は、入力領域２ａと基板２０の端部２０ｅとに挟まれた領域、入力領域２ａと基板２０の端部２０ｆとに挟まれた領域、入力領域２ａと基板２０の端部２０ｇとに挟まれた領域、および入力領域２ａと基板２０の端部２０ｈとに挟まれた領域に形成されており、基板２０の全ての辺に沿うように形成されている。なお、シールド用補助電極２９は、入力領域２ａと基板２０の端部２０ｅとに挟まれた領域では途中で第２実装端子２４ｂに向けて屈曲し、配線２７が延在している領域で途切れている。
【００６７】
図７（ｃ）に示すように、層間絶縁膜２１４は、実施の形態１と同様、基板２０の外周縁を除く広い領域に形成されており、層間絶縁膜２１４には、４つで一組のコンタクトホール２１４ａが形成されている。ここで、層間絶縁膜２１４は、基板２０の外周縁よりやや内側に形成されており、基板２０の外周縁付近は層間絶縁膜２１４の非形成領域になっている。
【００６８】
図７（ｄ）に示すように、第２導電膜４ｂは、実施の形態１と同様、入力領域２ａにおいて、図７（ｃ）に示すコンタクトホール２１４ａと重なる中継電極２１５として形成されている。また、第２導電膜４ｂは、外側領域２ｂにおいてシールド電極２８として形成されているとともに、端部２０ｅ付近に第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂと重なる領域にも形成されている。かかるシールド電極２８には、入力位置検出用電極２１に供給される位置検出信号と波形（位相も含めて）が同一の電位が印加される。
【００６９】
また、基板２０の第１面２０ａにおいて外側領域２ｂには、第１実装端子２４ａの配列領域を両側で挟むように２つの第２実装端子２４ｂが形成されている。第１実装端子２４ａは配線２７に電気的接続し、第２実装端子２４ｂは、第１実装端子２４ａの配列領域の両側でシールド電極２８に電気的接続している。その他の構成は、実施の形態１と同等であるため、説明を省略する。
【００７０】
このように構成した入力パネル２においては、実施の形態１と同様、配線２７は、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂのうち、入力操作側とは反対側に位置する第１導電膜４ａより形成され、シールド電極２８は、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂのうち、入力操作側に位置する第２導電膜４ｂにより形成されており、シールド電極２８は、配線２７に対して入力操作側で重なっている。このため、シールド電極２８によって入力操作側から配線２７に侵入しようとする電磁波ノイズを遮断できる等、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００７１】
また、シールド用補助電極２９は、基板２０の４辺に相当する位置で層間絶縁膜２１４の外周縁よりも外側まで形成されており、層間絶縁膜２１４から一部が露出されている。また、シールド電極２８は、基板２０の４辺に相当する位置で層間絶縁膜２１４の外周縁よりも外側まで形成されている。このため、シールド電極２８は、層間絶縁膜２１４の外周側の側面部２１４ｅを覆うとともに、層間絶縁膜２１４の外周側（層間絶縁膜２１４の非形成領域）において層間絶縁膜２１４から露出されているシールド用補助電極２９に対してシールド用補助電極２９の長手方向（延在方向）の全体で接続している。それ故、本形態では、シールド電極２８の抵抗を実質的に低減することができる。また、シールド電極２８とシールド用補助電極２９とによって、配線２７に対して周囲から電磁波ノイズが侵入することを抑制することができる。
【００７２】
［実施の形態３］
図１０〜図１２を参照して、図２（ａ）を参照して説明したタイプの静電容量型入力装置１において第２導電膜４ｂによって入力位置検出用電極を構成した例を説明する。図１０は、本発明の実施の形態３に係る静電容量型入力装置１の平面的な構成を模式的に示す説明図である。なお、図１０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々、静電容量型入力装置１の基板２０に形成された各電極等の平面的な位置関係を示す説明図、基板２０に形成された第１導電膜４ａの平面的な構成を示す説明図、基板２０に形成された層間絶縁膜２１４の平面的な構成を示す説明図、および基板２０に形成された第２導電膜４ｂの平面的な構成を示す説明図であり、図１０（ａ）は、図１０（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示す要素を重ねて示してある。
【００７３】
図１１は、本発明の実施の形態３に係る静電容量型入力装置１の基板２０に形成された各電極等の平面的な構成を拡大して示す説明図である。図１２は、本発明の実施の形態３に係る静電容量型入力装置１の基板２０の断面構成を示す説明図であり、図１２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、基板２０を図１１に示すＡ３−Ａ３′線、Ｂ３−Ｂ３′線、およびＣ３−Ｃ３′線に沿って切断したときの断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００７４】
図１０、図１１および図１２に示すように、本形態の静電容量型入力装置１において、基板２０の第１面２０ａの側には、基板２０からみて下層側から上層側に向けて第１導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４、および第２導電膜４ｂが順に形成されている。
【００７５】
図１０（ｂ）に示すように、第１導電膜４ａは、まず、入力領域２ａに複数の中継電極２１５として形成されている。また、第１導電膜４ａは、外側領域２ｂに複数の配線２７として形成されている。ここで、配線２７は、端部が入力領域２ａの内側に位置し、かかる端部は、配線２７より広幅の接続部２７ａになっている。また、第１導電膜４ａは、実施の形態２と同様、外側領域２ｂにおいて基板２０の４辺に相当する部分にシールド用補助電極２９として形成されている。
【００７６】
図１０（ｃ）に示すように、層間絶縁膜２１４は、入力領域２ａのうち、後述する交差部分２１８のみに形成されているとともに、外側領域２ｂには入力領域２ａの周りを囲むように矩形枠状に形成されている。ここで、層間絶縁膜２１４は、基板２０の外周縁よりやや内側に形成されており、基板２０の外周縁付近は層間絶縁膜２１４の非形成領域になっている。
【００７７】
図１０（ｄ）に示すように、第２導電膜４ｂは、入力領域２ａにおいて、複数の矩形領域として形成され、かかる矩形領域は、第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２のパッド部２１１ａ、２１２ａ（大面積部分）を構成する。また、第２導電膜４ｂは、外側領域２ｂに矩形枠状のシールド電極２８として形成されているとともに、端部２０ｅ付近に第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂと重なる領域にも形成されている。
【００７８】
このように構成した第１導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４および第２導電膜４ｂを重ねると、基板２０は、図１０（ａ）、図１１、および図１２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように構成される。かかる基板２０を平面視すると、入力領域２ａの内側には複数の入力位置検出用電極２１が形成される。本形態において、入力位置検出用電極２１は、第１方向（矢印Ｙで示す方向）に延在する複数列の第１入力位置検出用電極２１１（図１０（ａ）に太い実線で示す）と、第１方向に交差する第２方向（矢印Ｘで示す方向）に延在する複数列の第２入力位置検出用電極２１２（図１０（ａ）に太い点線で示す）とからなる。ここで、入力位置検出用電極２１（第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２）は、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂのうち、第１導電膜４ａにより形成されており、同一層からなる。このため、基板２０の第１面２０ａには、第１入力位置検出用電極２１１と第２入力位置検出用電極２１２との交差部分２１８が複数、存在する。本形態では、第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２のうち、第１入力位置検出用電極２１１は、交差部分２１８でも第２導電膜４ｂからなる連結部分２１１ｃによってＹ方向で繋がって延在しているのに対して、第２入力位置検出用電極２１２には交差部分２１８に途切れ部分２１８ａが構成されている。また、交差部分２１８には、第１導電膜４ａから中継電極２１５および層間絶縁膜２１４が形成されており、このため、第２入力位置検出用電極２１２は中継電極２１５によってＸ方向で電気的に接続されている。
【００７９】
また、配線２７は、第１導電膜４ａによって形成されているが、先端側の接続部２７ａが入力領域２ａ内に位置し、かつ、接続部２７ａの上層は層間絶縁膜２１４で覆われていない。このため、第２導電膜４ｂによって入力位置検出用電極２１を形成すると、入力位置検出用電極２１は、配線２７の接続部２７ａと重なって電気的接続する。
【００８０】
また、基板２０の第１面２０ａにおいて外側領域２ｂには、第１実装端子２４ａの配列領域を両側で挟むように２つの第２実装端子２４ｂが形成されている。第１実装端子２４ａは配線２７に電気的接続し、第２実装端子２４ｂは、第１実装端子２４ａの配列領域の両側でシールド電極２８に電気的接続している。その他の構成は、実施の形態１と同等であるため、説明を省略する。
【００８１】
このように構成した入力パネル２においては、実施の形態１、２と同様、配線２７は、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂのうち、入力操作側とは反対側に位置する第１導電膜４ａより形成され、シールド電極２８は、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂのうち、入力操作側に位置する第２導電膜４ｂにより形成されており、シールド電極２８は、配線２７に対して入力操作側で重なっている。このため、シールド電極２８によって入力操作側から配線２７に侵入しようとする電磁波ノイズを遮断できる等、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００８２】
また、実施の形態２と同様、シールド電極２８は、層間絶縁膜２１４の外周側の側面部２１４ｅを覆うとともに、層間絶縁膜２１４の外周側（層間絶縁膜２１４の非形成領域）において層間絶縁膜２１４から露出されたシールド用補助電極２９に対してシールド用補助電極２９の長手方向の全体で接続している。それ故、本形態では、シールド電極２８の抵抗を実質的に低減することができる。また、シールド電極２８とシールド用補助電極２９とによって、配線２７に対して周囲から電磁波ノイズが侵入することを抑制することができる。
【００８３】
さらに、本形態において、層間絶縁膜２１４は、入力領域２ａでは交差部分２１８のみに形成されており、入力位置検出用電極２１（第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２）のパッド部２１１ａ、２１２ａと重なる位置にはほとんど形成されていない。それ故、入力パネル２は光透過性が高いので、本形態の入力装置付き電気光学装置１００によれば明るい画像を表示することができる。
【００８４】
［実施の形態４］
図１３〜図１５を参照して、図２（ｂ）を参照して説明したタイプの静電容量型入力装置１の構成例を説明する。図１３は、本発明の実施の形態４に係る静電容量型入力装置１の平面的な構成を模式的に示す説明図である。なお、図１３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々、静電容量型入力装置１の基板２０に形成された各電極等の平面的な位置関係を示す説明図、基板２０に形成された第１導電膜４ａの平面的な構成を示す説明図、基板２０に形成された層間絶縁膜２１４の平面的な構成を示す説明図、および基板２０に形成された第２導電膜４ｂの平面的な構成を示す説明図であり、図１３（ａ）は、図１３（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示す要素を重ねて示してある。
【００８５】
図１４は、本発明の実施の形態４に係る静電容量型入力装置１の基板２０に形成された各電極等の平面的な構成を拡大して示す説明図である。図１５は、本発明の実施の形態４に係る静電容量型入力装置１の基板２０の断面構成を示す説明図であり、図１５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、基板２０を図１４に示すＡ４−Ａ４′線、Ｂ４−Ｂ４′線、およびＣ４−Ｃ４′線に沿って切断したときの断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００８６】
図１３、図１４および図１５に示すように、本形態の静電容量型入力装置１において、基板２０の第２面２０ｂの側には、基板２０からみて下層側から上層側に向けて第１導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４、および第２導電膜４ｂが順に形成されている。
【００８７】
図１３（ｂ）に示すように、第１導電膜４ａは、まず、入力領域２ａにおいて、複数の矩形領域として形成され、かかる矩形領域は、第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２のパッド部２１１ａ、２１２ａ（大面積部分）を構成する。また、第１導電膜４ａは、外側領域２ｂにシールド電極２８として形成されている。かかるシールド電極２８には、入力位置検出用電極２１に供給される位置検出信号ＶＤと波形（位相も含めて）が同一の電位が印加される。
【００８８】
図１３（ｃ）に示すように、層間絶縁膜２１４は、実施の形態１と同様、基板２０の外周縁を除く広い領域に形成されており、層間絶縁膜２１４には、４つで一組のコンタクトホール２１４ａが形成されている。また、層間絶縁膜２１４には、図１３（ｄ）に示す配線２７の接続部２７ａと重なる位置にコンタクトホール２１４ｂが形成されている。
【００８９】
図１３（ｄ）に示すように、第２導電膜４ｂは、実施の形態１と同様、入力領域２ａにおいて、図１３（ｃ）に示すコンタクトホール２１４ａと重なる中継電極２１５として形成されている。また、第２導電膜４ｂは、端部２０ｅ付近に第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂと重なる領域にも形成されている。また、第２導電膜４ｂは、外側領域２ｂに複数の配線２７として形成されている。配線２７は、端部が入力領域２ａの内側に位置し、かかる端部は、配線２７より広幅の接続部２７ａになっている。また、第２導電膜４ｂは、外側領域２ｂにおいて基板２０の４辺に相当する部分にシールド用補助電極２９として形成されている。ここで、第１実装端子２４ａと配線２７とは繋がっており、第２実装端子２４ｂとシールド用補助電極２９とは繋がっている。
【００９０】
このように構成した第１導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４および第２導電膜４ｂを重ねると、基板２０は、図１３（ａ）、図１４、および図１５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように構成される。その結果、入力領域２ａの内側には複数の入力位置検出用電極２１が形成される。また、入力位置検出用電極２１（第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２）は第１導電膜４ａに形成されている一方、配線２７は第２導電膜４ｂにより形成されている。それでも、層間絶縁膜２１４にはコンクタクトホール２１４ｂが形成されているため、入力位置検出用電極２１と配線２７とはコンクタクトホール２１４ｂを介して電気的接続される。
【００９１】
また、基板２０の第１面２０ａにおいて外側領域２ｂには、第１実装端子２４ａの配列領域を両側で挟むように２つの第２実装端子２４ｂが形成されている。第１実装端子２４ａは配線２７に電気的接続し、第２実装端子２４ｂは、第１実装端子２４ａの配列領域の両側でシールド電極２８に電気的接続している。その他の構成は、実施の形態１と同等であるため、説明を省略する。
【００９２】
このように構成した入力パネル２において、配線２７は、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂのうち、入力操作側とは反対側に位置する第２導電膜４ｂより形成され、シールド電極２８は、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂのうち、入力操作側に位置する第１導電膜４ａにより形成されており、シールド電極２８は、配線２７に対して入力操作側で重なっている。このため、シールド電極２８によって入力操作側から配線２７に侵入しようとする電磁波ノイズを遮断できる等、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００９３】
また、シールド用補助電極２９は、実施の形態２と同様、基板２０の４辺に相当する位置で層間絶縁膜２１４の外周縁よりも外側まで形成されており、層間絶縁膜２１４から一部が露出されている。また、シールド電極２８は、基板２０の４辺に相当する位置で層間絶縁膜２１４の外周縁よりも外側まで形成されている。このため、シールド用補助電極２９は、層間絶縁膜２１４の外周側の側面部２１４ｅを覆うとともに、シールド電極２８は、層間絶縁膜２１４の外周側（層間絶縁膜２１４の非形成領域）において層間絶縁膜２１４から露出されたシールド用補助電極２９に対してシールド用補助電極２９の長手方向の全体で接続する。それ故、本形態では、シールド電極２８の抵抗を実質的に低減することができる。また、シールド電極２８とシールド用補助電極２９とによって、配線２７に対して周囲から電磁波ノイズが侵入することを抑制することができる。
【００９４】
［実施の形態５］
図１６〜図１８を参照して、実施の形態４をベースにして、入力位置検出用電極２１を第２導電膜４ｂで形成した構成例を説明する。図１６は、本発明の実施の形態５に係る静電容量型入力装置１の平面的な構成を模式的に示す説明図である。なお、図１６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々、静電容量型入力装置１の基板２０に形成された各電極等の平面的な位置関係を示す説明図、基板２０に形成された第１導電膜４ａの平面的な構成を示す説明図、基板２０に形成された層間絶縁膜２１４の平面的な構成を示す説明図、および基板２０に形成された第２導電膜４ｂの平面的な構成を示す説明図であり、図１６（ａ）は、図１６（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示す要素を重ねて示してある。
【００９５】
図１７は、本発明の実施の形態５に係る静電容量型入力装置１の基板２０に形成された各電極等の平面的な構成を拡大して示す説明図である。図１８は、本発明の実施の形態５に係る静電容量型入力装置１の基板２０の断面構成を示す説明図であり、図１８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、基板２０を図１７に示すＡ５−Ａ５′線、Ｂ５−Ｂ５′線、およびＣ５−Ｃ５′線に沿って切断したときの断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００９６】
図１６、図１７および図１８に示すように、本形態の静電容量型入力装置１において、基板２０の第２面２０ｂの側には、基板２０からみて下層側から上層側に向けて第１導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４、および第２導電膜４ｂが順に形成されている。
【００９７】
図１６（ｂ）に示すように、入力領域２ａにおいて、後述するコンタクトホール２１４ａと重なる位置に中継電極２１５として形成されている。また、第１導電膜４ａは、外側領域２ｂにシールド電極２８として形成されている。
【００９８】
図１６（ｃ）に示すように、層間絶縁膜２１４は、実施の形態１と同様、基板２０の外周縁を除く広い領域に形成されており、層間絶縁膜２１４には、４つで一組のコンタクトホール２１４ａが形成されている。
【００９９】
図１６（ｄ）に示すように、第２導電膜４ｂは、まず、入力領域２ａにおいて、複数の矩形領域として形成され、かかる矩形領域は、第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２のパッド部２１１ａ、２１２ａ（大面積部分）を構成する。また、第２導電膜４ｂは、端部２０ｅ付近に第１実装端子２４ａおよび第２実装端子２４ｂと重なる領域にも形成されている。また、第２導電膜４ｂは、外側領域２ｂに複数の配線２７として形成されているとともに、外側領域２ｂにおいて基板２０の４辺に相当する部分にシールド用補助電極２９として形成されている。ここで、第１実装端子２４ａと配線２７とは繋がっており、第２実装端子２４ｂとシールド用補助電極２９とは繋がっている。
【０１００】
このように構成した第１導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４および第２導電膜４ｂを重ねると、基板２０は、図１６（ａ）、図１７、および図１８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように構成される。その結果、入力領域２ａの内側には複数の入力位置検出用電極２１（第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２）が形成される。
【０１０１】
また、基板２０の第１面２０ａにおいて外側領域２ｂには、第１実装端子２４ａの配列領域を両側で挟むように２つの第２実装端子２４ｂが形成されている。第１実装端子２４ａは配線２７に電気的接続し、第２実装端子２４ｂは、第１実装端子２４ａの配列領域の両側でシールド電極２８に電気的接続している。その他の構成は、実施の形態１と同等であるため、説明を省略する。
【０１０２】
このように構成した入力パネル２において、配線２７は、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂのうち、入力操作側とは反対側に位置する第２導電膜４ｂより形成され、シールド電極２８は、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂのうち、入力操作側に位置する第１導電膜４ａにより形成されており、シールド電極２８は、配線２７に対して入力操作側で重なっている。このため、シールド電極２８によって入力操作側から配線２７に侵入しようとする電磁波ノイズを遮断できる等、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【０１０３】
また、シールド用補助電極２９は、実施の形態２と同様、基板２０の４辺に相当する位置で層間絶縁膜２１４の外周縁よりも外側まで形成されており、層間絶縁膜２１４から一部が露出されている。また、シールド電極２８は、基板２０の４辺に相当する位置で層間絶縁膜２１４の外周縁よりも外側まで形成されている。このため、シールド用補助電極２９は、層間絶縁膜２１４の外周側の側面部２１４ｅを覆うとともに、シールド電極２８は、層間絶縁膜２１４の外周側（層間絶縁膜２１４の非形成領域）において層間絶縁膜２１４から露出されたシールド用補助電極２９に対してシールド用補助電極２９の長手方向の全体で接続する。それ故、本形態では、シールド電極２８の抵抗を実質的に低減することができる。また、シールド電極２８とシールド用補助電極２９とによって、配線２７に対して周囲から電磁波ノイズが侵入することを抑制することができる。
【０１０４】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２を形成するにあたって、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂの一方のみを用いたが、第１導電膜４ａおよび第２導電膜４ｂの双方を用いて第１入力位置検出用電極２１１および第２入力位置検出用電極２１２を形成してもよい。例えば、第１導電膜４ａを用いて第１入力位置検出用電極２１１を形成し、第２導電膜４ｂを用いて第２入力位置検出用電極２１２を形成してもよい。
【０１０５】
上記実施の形態では、配線２７に対して入力操作側にシールド電極２８を形成するにああたって、第１導電膜４ａあるいは第２導電膜４ｂを用いたが、例えば、図２に示すカバー９０に形成した遮光層９０ａをクロム等の導電膜により形成し、かかる遮光層９０ａをシールド電極として利用してもよい。
【０１０６】
上記実施の形態では、画像生成装置５として液晶装置を用いたが、画像生成装置５としては有機エレクトロルミネッセンス装置を用いてもよい。
【０１０７】
［電子機器への搭載例］
次に、上述した実施形態に係る入力装置付き電気光学装置１００を適用した電子機器について説明する。図１９（ａ）に、入力装置付き電気光学装置１００を備えたモバイル型のパーソナルコンピューターの構成を示す。パーソナルコンピューター２０００は、表示ユニットとしての入力装置付き電気光学装置１００と本体部２０１０を備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。図１９（ｂ）に、入力装置付き電気光学装置１００を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての入力装置付き電気光学装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、入力装置付き電気光学装置１００に表示される画面がスクロールされる。図１９（ｃ）に、入力装置付き電気光学装置１００を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての入力装置付き電気光学装置１００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が入力装置付き電気光学装置１００に表示される。
【０１０８】
なお、入力装置付き電気光学装置１００が適用される電子機器としては、図１９に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型、モニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、銀行端末等の電子機器等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した入力装置付き電気光学装置１００が適用可能である。
【符号の説明】
【０１０９】
１・・静電容量型入力装置、２・・入力パネル、２ａ・・基板の入力領域、２ｂ・・基板の外側領域、４ａ・・第１導電膜、４ｂ・・第２導電膜、２０・・基板、２１・・入力位置検出用電極、２７・・配線、２８・・シールド電極、２９・・シールド用補助電極、９９・・導電層、１００・・入力装置付き電気光学装置、２１１・・第１入力位置検出用電極、２１１ｃ・・連結部分、２１２・・第２入力位置検出用電極、２１４・・層間絶縁膜、２１５・・中継電極、２１８・・交差部分、２１８ａ・・途切れ部分
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板において複数の入力位置検出用電極が設けられた入力領域と、
前記入力位置検出用電極に電気的に接続し、前記基板において前記入力領域の外側で延在する複数の配線と、
前記配線に対して入力操作側で重なるシールド電極と、
を有することを特徴とする静電容量型入力装置。
【請求項２】
前記シールド電極は、前記基板の外周縁全体に沿って設けられていることを特徴とする請求項１に記載の静電容量型入力装置。
【請求項３】
前記基板には、該基板側から第１導電膜、層間絶縁膜、および第２導電膜がこの順に形成され、
前記入力位置検出用電極は、前記第１導電膜および前記第２導電膜のうちの少なくも一方により形成され、
前記配線は、前記第１導電膜および前記第２導電膜のうち、入力操作側とは反対側に位置する導電膜により形成され、
前記シールド電極は、前記第１導電膜および前記第２導電膜のうち、入力操作側に位置する導電膜により形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の静電容量型入力装置。
【請求項４】
前記基板において前記配線の外周側には、前記第１導電膜および前記第２導電膜のうち、入力操作側とは反対側に位置する導電膜によりシールド用補助電極が形成されており、
前記シールド用補助電極と前記シールド電極とは、前記層間絶縁膜の非形成領域で重なって電気的接続していることを特徴とする請求項３に記載の静電容量型入力装置。
【請求項５】
前記シールド用補助電極は、前記基板の全ての辺に沿うように形成されており、
前記シールド用補助電極と前記シールド電極とは、前記シールド用補助電極の長手方向の全域で重なって電気的接続していることを特徴とする請求項４に記載の静電容量型入力装置。
【請求項６】
前記基板において前記入力領域の外側には、前記第１導電膜および前記第２導電膜のうちの少なくとも一方の導電膜によって、前記配線に電気的接続する第１実装端子と、前記シールド電極に電気的接続する第２実装端子と、が設けられていることを特徴とする請求項３乃至５の何れか一項に記載の静電容量型入力装置。
【請求項７】
前記基板には、前記第１導電膜および前記第２導電膜のうちの一方の導電膜によって、前記入力位置検出用電極として、前記基板の面内方向において第１方向に延在する複数の第１入力位置検出用電極と、前記基板の面内方向において前記第１方向に対して交差する第２方向に延在する複数の第２入力位置検出用電極と、が設けられ、
前記第１入力位置検出用電極と前記第２入力位置検出用電極との交差部分には、前記第１入力位置検出用電極および前記第２入力位置検出用電極のうちの一方の入力位置検出用電極を連続させる前記一方の導電膜からなる連結部分と、他方の入力位置検出用電極の途切れ部分と、前記層間絶縁膜を介して前記連結部分に重なって前記他方の入力位置検出用電極の途切れ部分を電気的に接続する他方の導電膜からなる中継電極と、が設けられていることを特徴とする請求項３乃至６の何れか一項に記載の静電容量型入力装置。
【請求項８】
前記第１導電膜、前記層間絶縁膜、および前記第２導電膜は、前記基板において入力操作側に位置する基板面に形成されており、
前記配線は、前記第１導電膜により形成され、
前記シールド電極は、前記第２導電膜により形成されていることを特徴とする請求項３乃至７の何れか一項に記載の静電容量型入力装置。
【請求項９】
前記第１導電膜、前記層間絶縁膜、および前記第２導電膜は、前記基板において入力操作側とは反対側の基板面に形成されており、
前記配線は、前記第２導電膜により形成され、
前記シールド電極は、前記第１導電膜により形成されていることを特徴とする請求項３乃至７の何れか一項に記載の静電容量型入力装置。
【請求項１０】
前記シールド電極には、前記入力位置検出用電極に印加される位置検出信号と波形および位相が同一の電位が印加されることを特徴とする請求項１乃至９の何れか一項に記載の静電容量型入力装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０の何れか一項に記載の静電容量型入力装置を備えた入力装置付き電気光学装置であって、
前記基板に対して入力操作側とは反対側に画像生成用の電気光学パネルが構成されていることを特徴とする入力装置付き電気光学装置。
【請求項１】
基板において複数の入力位置検出用電極が設けられた入力領域と、
前記入力位置検出用電極に電気的に接続し、前記基板において前記入力領域の外側で延在する複数の配線と、
前記配線に対して入力操作側で重なるシールド電極と、
を有することを特徴とする静電容量型入力装置。
【請求項２】
前記シールド電極は、前記基板の外周縁全体に沿って設けられていることを特徴とする請求項１に記載の静電容量型入力装置。
【請求項３】
前記基板には、該基板側から第１導電膜、層間絶縁膜、および第２導電膜がこの順に形成され、
前記入力位置検出用電極は、前記第１導電膜および前記第２導電膜のうちの少なくも一方により形成され、
前記配線は、前記第１導電膜および前記第２導電膜のうち、入力操作側とは反対側に位置する導電膜により形成され、
前記シールド電極は、前記第１導電膜および前記第２導電膜のうち、入力操作側に位置する導電膜により形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の静電容量型入力装置。
【請求項４】
前記基板において前記配線の外周側には、前記第１導電膜および前記第２導電膜のうち、入力操作側とは反対側に位置する導電膜によりシールド用補助電極が形成されており、
前記シールド用補助電極と前記シールド電極とは、前記層間絶縁膜の非形成領域で重なって電気的接続していることを特徴とする請求項３に記載の静電容量型入力装置。
【請求項５】
前記シールド用補助電極は、前記基板の全ての辺に沿うように形成されており、
前記シールド用補助電極と前記シールド電極とは、前記シールド用補助電極の長手方向の全域で重なって電気的接続していることを特徴とする請求項４に記載の静電容量型入力装置。
【請求項６】
前記基板において前記入力領域の外側には、前記第１導電膜および前記第２導電膜のうちの少なくとも一方の導電膜によって、前記配線に電気的接続する第１実装端子と、前記シールド電極に電気的接続する第２実装端子と、が設けられていることを特徴とする請求項３乃至５の何れか一項に記載の静電容量型入力装置。
【請求項７】
前記基板には、前記第１導電膜および前記第２導電膜のうちの一方の導電膜によって、前記入力位置検出用電極として、前記基板の面内方向において第１方向に延在する複数の第１入力位置検出用電極と、前記基板の面内方向において前記第１方向に対して交差する第２方向に延在する複数の第２入力位置検出用電極と、が設けられ、
前記第１入力位置検出用電極と前記第２入力位置検出用電極との交差部分には、前記第１入力位置検出用電極および前記第２入力位置検出用電極のうちの一方の入力位置検出用電極を連続させる前記一方の導電膜からなる連結部分と、他方の入力位置検出用電極の途切れ部分と、前記層間絶縁膜を介して前記連結部分に重なって前記他方の入力位置検出用電極の途切れ部分を電気的に接続する他方の導電膜からなる中継電極と、が設けられていることを特徴とする請求項３乃至６の何れか一項に記載の静電容量型入力装置。
【請求項８】
前記第１導電膜、前記層間絶縁膜、および前記第２導電膜は、前記基板において入力操作側に位置する基板面に形成されており、
前記配線は、前記第１導電膜により形成され、
前記シールド電極は、前記第２導電膜により形成されていることを特徴とする請求項３乃至７の何れか一項に記載の静電容量型入力装置。
【請求項９】
前記第１導電膜、前記層間絶縁膜、および前記第２導電膜は、前記基板において入力操作側とは反対側の基板面に形成されており、
前記配線は、前記第２導電膜により形成され、
前記シールド電極は、前記第１導電膜により形成されていることを特徴とする請求項３乃至７の何れか一項に記載の静電容量型入力装置。
【請求項１０】
前記シールド電極には、前記入力位置検出用電極に印加される位置検出信号と波形および位相が同一の電位が印加されることを特徴とする請求項１乃至９の何れか一項に記載の静電容量型入力装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０の何れか一項に記載の静電容量型入力装置を備えた入力装置付き電気光学装置であって、
前記基板に対して入力操作側とは反対側に画像生成用の電気光学パネルが構成されていることを特徴とする入力装置付き電気光学装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２０１１−２８５３５（Ｐ２０１１−２８５３５Ａ）
【公開日】平成２３年２月１０日（２０１１．２．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１７３９８４（Ｐ２００９−１７３９８４）
【出願日】平成２１年７月２７日（２００９．７．２７）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年２月１０日（２０１１．２．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年７月２７日（２００９．７．２７）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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