ＥＬパネル及びＥＬパネルの製造方法
【課題】有機ＥＬ素子から放射される光により画素トランジスタが劣化することを防止する。
【解決手段】ＥＬパネル１の基板１０上において、駆動トランジスタ６やスイッチトランジスタ５が設けられる領域と、有機ＥＬ素子８が設けられる領域とをそれぞれ独立させるように、ゲート絶縁膜１１と層間絶縁膜１２を、ゲート電極６ａ、５ａと画素電極８ａとの間に相当する部分で基板１０の面に沿った方向に分断することによって、有機ＥＬ素子８の発光した光が、ゲート絶縁膜１１や層間絶縁膜１２に導光されて駆動トランジスタ６やスイッチトランジスタ５に到達することを防止し、その有機ＥＬ素子８から放射される光により駆動トランジスタ６やスイッチトランジスタ５の劣化や光リークを防止する。
【解決手段】ＥＬパネル１の基板１０上において、駆動トランジスタ６やスイッチトランジスタ５が設けられる領域と、有機ＥＬ素子８が設けられる領域とをそれぞれ独立させるように、ゲート絶縁膜１１と層間絶縁膜１２を、ゲート電極６ａ、５ａと画素電極８ａとの間に相当する部分で基板１０の面に沿った方向に分断することによって、有機ＥＬ素子８の発光した光が、ゲート絶縁膜１１や層間絶縁膜１２に導光されて駆動トランジスタ６やスイッチトランジスタ５に到達することを防止し、その有機ＥＬ素子８から放射される光により駆動トランジスタ６やスイッチトランジスタ５の劣化や光リークを防止する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＬパネル及びＥＬパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子）は、アノードとカソードとの間に有機化合物層が介在した積層構造を為しており、アノードとカソードの間に順バイアス電圧が印加されると、有機化合物層内で電子と正孔が再結合して有機化合物層が発光する。それぞれ赤、緑、青に発光する複数の有機ＥＬ素子をサブピクセルとして基板上にマトリクス状に配列し、画像表示を行うＥＬパネルが実現化されている。
【０００３】
アクティブ駆動の場合、画素トランジスタを基板上に形成した後、画素トランジスタを覆う保護絶縁膜を形成し、保護絶縁膜の上に画素電極を形成した後に画素電極上に有機化合物層を形成する構造が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００７−２３４３９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、図１７に示すように、基板１０上のゲート絶縁膜１１に対して形成された画素トランジスタ６と透明画素電極８ａとを覆う保護絶縁膜１２を成膜して、その保護絶縁膜１２に透明画素電極８ａを露出させる開口を形成した後に、透明画素電極８ａ上に有機化合物層（８ｂ、８ｃ）と対向電極８ｄとを積層してなる構造の有機ＥＬ素子８を備えるＥＬパネルが知られている。
【０００５】
しかし、ゲート絶縁膜１１や保護絶縁膜１２は光を透過させるため、この構造では、図１７に示すように、有機化合物層から放出されてゲート絶縁膜１１や保護絶縁膜１２などで導光された光や、基板１０などで反射された光が画素トランジスタ６に到達することが考えられる。このような場合、図３に示す画素トランジスタ５および６にトランジスタ特性の光劣化や、非選択時における選択トランジスタ５の光リークにより補助容量７に書き込まれた書込み電圧の低下を引き起こすなどの不都合が生じてしまうことがある。
【０００６】
本発明の課題は、有機ＥＬ素子から放射される光により画素トランジスタが劣化することや光リークによる書込み電圧の低下を防止することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以上の課題を解決するため、請求項１に記載の発明は、基板上に設けられたゲート電極を被覆する第一絶縁膜と、前記ゲート電極に対応する前記第一絶縁膜部分に設けられた、そのゲート電極を含む画素トランジスタと、前記ゲート電極に対応しない前記第一絶縁膜上に設けられた第一電極と、前記画素トランジスタを被覆する第二絶縁膜と、前記第一電極上に設けられた有機発光層と、前記有機発光層を覆い前記第一電極と対向する第二電極と、を備えるＥＬパネルであって、前記第一絶縁膜と前記第二絶縁膜のうち少なくとも一方は、前記ゲート電極と前記第一電極との間に相当する部分で、前記基板の面に沿った方向に分断されていることを特徴としている。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のＥＬパネルにおいて、前記第二絶縁膜と前記画素トランジスタを覆う隔壁を備え、前記隔壁は、前記有機発光層が発光した光を前記画素トランジスタに到達させない遮光性を有することを特徴としている。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、ＥＬパネルであって、基板と、前記基板上に設けられたゲート電極を含む画素トランジスタと、前記基板上に設けられた第一絶縁膜と、前記第一絶縁膜を分断させ、前記第一絶縁膜内を導光された光を遮断する導光ストッパと、前記第一絶縁膜上に設けられた第一電極と、前記第一電極上に設けられた有機発光層と、前記有機発光層を覆い前記第一電極と対向する第二電極と、を備えることを特徴としている。
【００１０】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載のＥＬパネルにおいて、前記第一絶縁膜の上方であって、前記画素トランジスタ上に設けられた第二絶縁膜と、前記第二絶縁膜と前記画素トランジスタを覆う隔壁と、を更に備え、前記隔壁は、前記有機発光層が発光した光を前記画素トランジスタに到達させない遮光性を有することを特徴としている。
【００１１】
請求項５に記載の発明は、基板上に設けられた画素トランジスタのゲート電極を被覆する第一絶縁膜と、前記ゲート電極に対応する前記第一絶縁膜上に設けられた、前記ゲート電極を含む画素トランジスタと、前記ゲート電極に対応しない前記第一絶縁膜上に設けられた第一電極と、前記画素トランジスタを被覆する第二絶縁膜と、前記第一電極上に設けられた有機発光層と、前記有機発光層を覆い前記第一電極と対向する第二電極と、を備えるＥＬパネルの製造方法であって、前記第一絶縁膜と前記第二絶縁膜のうち少なくとも一方を、前記ゲート電極と前記第一電極との間に相当する部分で、前記基板の面に沿った方向に分断する工程を備えることを特徴としている。
【００１２】
請求項６に記載の発明は、ＥＬパネルの製造方法であって、画素トランジスタと、第一電極及び第二電極に挟まれた有機発光層とを備えたＥＬパネルの製造方法において、前記画素トランジスタのゲート電極及び前記ゲート電極に接する第一絶縁膜を形成し、前記第一絶縁膜を分断する導光ストッパを形成することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、有機ＥＬ素子から放射される光により画素トランジスタが劣化することや光リークによる書込み電圧の低下を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に、本発明を実施するための好ましい形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。
【００１５】
図１は、ＥＬパネル１における複数の画素Ｐの配置構成を示す平面図であり、図２は、ＥＬパネル１の概略構成を示す平面図である。
【００１６】
図１、図２に示すように、ＥＬパネル１には、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）をそれぞれ発光する複数の画素Ｐが所定のパターンでマトリクス状に配置されている。
このＥＬパネル１には、複数の走査線２が行方向に沿って互いに略平行となるよう配列され、複数の信号線３が平面視して走査線２と略直交する列方向に沿って互いに略平行となるよう配列されている。また、隣り合う走査線２の間において電圧供給線４が走査線２に沿って設けられている。そして、これら各走査線２と隣接する二本の信号線３と各電圧供給線４とによって囲われる範囲が、画素Ｐに相当する。
また、ＥＬパネル１には、走査線２、信号線３、電圧供給線４の上方に覆うように、格子状の隔壁であるバンク１３が設けられている。このバンク１３によって囲われてなる略長方形状の複数の開口部１３ａが画素Ｐごとに形成されており、この開口部１３ａ内に所定の発光層（後述する発光層８ｃ）が設けられて、画素Ｐの発光領域となる。
【００１７】
図３は、アクティブマトリクス駆動方式で動作するＥＬパネル１の１画素に相当する回路を示した回路図である。
【００１８】
図３に示すように、ＥＬパネル１には、走査線２と、走査線２と交差する信号線３と、走査線２に沿う電圧供給線４とが設けられており、このＥＬパネル１の１画素につき、画素トランジスタであるスイッチトランジスタ５と、画素トランジスタである駆動トランジスタ６と、キャパシタ７と、有機ＥＬ素子８とが設けられている。
【００１９】
各画素Ｐにおいては、スイッチトランジスタ５のゲートが走査線２に接続され、スイッチトランジスタ５のドレインとソースのうちの一方が信号線３に接続され、スイッチトランジスタ５のドレインとソースのうちの他方がキャパシタ７の一方の電極及び駆動トランジスタ６のゲートに接続されている。駆動トランジスタ６のソースとドレインのうちの一方が電圧供給線４に接続され、駆動トランジスタ６のソースとドレインのうち他方がキャパシタ７の他方の電極及び有機ＥＬ素子８のアノードに接続されている。なお、全ての画素Ｐの有機ＥＬ素子８はカソードを共通電極とし、カソードが一定電圧Ｖcomに保たれている（例えば、接地されている）。
【００２０】
また、このＥＬパネル１の周囲において走査線２が走査側ドライバに接続され、電圧供給線４が一定電圧源又はドライバに接続され、信号線３がデータ側ドライバに接続され、これらドライバによってＥＬパネル１がアクティブマトリクス駆動方式で駆動される。電圧供給線４には、一定電圧源又はドライバによって所定の電力が供給される。
【００２１】
次に、ＥＬパネル１と、その画素Ｐの回路構造について、図４、図５を用いて説明する。ここで、図４は、ＥＬパネル１００の１画素に相当する平面図であり、図５は、図４のV−V線に沿った面の矢視断面図である。なお、図４においては、電極及び配線を主に示す。
【００２２】
図４に示すように、スイッチトランジスタ５及び駆動トランジスタ６は、信号線３に沿うように配列され、スイッチトランジスタ５の近傍にキャパシタ７が配置され、駆動トランジスタ６の近傍に有機ＥＬ素子８が配置されている。また、走査線２と電圧供給線４の間に、スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６、キャパシタ７及び有機ＥＬ素子８が配置されている。
【００２３】
図４、図５に示すように、光透過性を有し絶縁性のガラス基板などである基板１０上にゲート絶縁膜１１が成膜されている。
信号線３はゲート絶縁膜１１と基板１０との間に形成されている。なお、図示はしないが、走査線２及び電圧供給線４はゲート絶縁膜１１と層間絶縁膜１２との間に形成されている。
駆動トランジスタ６及びスイッチトランジスタ５は、逆スタガ構造の薄膜トランジスタであり、ゲート絶縁膜１１に対して形成されている。
【００２４】
駆動トランジスタ６は、ゲート電極６ａ、半導体膜６ｂ、チャネル保護膜６ｄ、不純物半導体膜６ｆ，６ｇ、ドレイン電極６ｈ、ソース電極６ｉ等を有するものである。
【００２５】
ゲート電極６ａは、基板１０とゲート絶縁膜１１の間に形成されている。このゲート電極６ａは、例えば、Ｃｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｄ合金膜からなる。また、ゲート電極６ａの上に絶縁性のゲート絶縁膜１１が成膜されており、そのゲート絶縁膜１１によってゲート電極６ａが被覆されている。なお、このゲート電極６ａは、基板１０上に設けられた一対の導光ストッパＳに挟まれるようにその基板１０上に設けられている。
ゲート絶縁膜１１は、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる。このゲート絶縁膜１１上であってゲート電極６ａに対応する位置に真性な半導体膜６ｂが形成されており、半導体膜６ｂがゲート絶縁膜１１を挟んでゲート電極６ａと相対している。
半導体膜６ｂは、例えば、アモルファスシリコンからなり、この半導体膜６ｂがチャネルとなる。また、半導体膜６ｂの中央部上には、絶縁性のチャネル保護膜６ｄが形成されている。このチャネル保護膜６ｄは、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる。
また、半導体膜６ｂの一端部の上には、不純物半導体膜６ｆが一部チャネル保護膜６ｄに重なるようにして形成されており、半導体膜６ｂの他端部の上には、不純物半導体膜６ｇが一部チャネル保護膜６ｄに重なるようにして形成されている。そして、不純物半導体膜６ｆ，６ｇは半導体膜６ｂの両端側に互いに離間して形成されている。なお、不純物半導体膜６ｆ，６ｇはｐ型半導体であってもよいし、ｎ型半導体であってもよい。
不純物半導体膜６ｆの上には、ドレイン電極６ｈが形成されている。不純物半導体膜６ｇの上には、ソース電極６ｉが形成されている。電極６ｈ，６ｉは、例えば、Ｃｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｄ合金膜からなる。
チャネル保護膜６ｄ、ドレイン電極６ｈ及びソース電極６ｉの上には、絶縁性の層間絶縁膜１２が成膜され、チャネル保護膜６ｄ、ドレイン電極６ｈ及びソース電極６ｉを含む駆動トランジスタ６が、その層間絶縁膜１２によって被覆されている。
【００２６】
同様にスイッチトランジスタ５は、ゲート電極５ａ、半導体膜５ｂ、チャネル保護膜５ｄ、不純物半導体膜５ｆ，５ｇ、ドレイン電極５ｈ、ソース電極５ｉ等を有するものである。
なお、スイッチトランジスタ５の構成は、駆動トランジスタ６と同様であるので、詳述しない。
【００２７】
キャパシタ７は、図４に示すように、基板１０とゲート絶縁膜１１との間に第一容量電極７ａが形成され、ゲート絶縁膜１１と層間絶縁膜１２との間に第二容量電極７ｂが形成され、第一容量電極７ａと第二容量電極７ｂがゲート絶縁膜１１を挟んで相対している。
【００２８】
なお、信号線３、キャパシタ７の第一容量電極７ａ、スイッチトランジスタ５のゲート電極５ａ及び駆動トランジスタ６のゲート電極６ａ、導光ストッパＳは、基板１０に一面に成膜された導電膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法等によって形状加工することで形成されたものである。
また、走査線２、電圧供給線４、キャパシタ７の第二容量電極７ｂ、スイッチトランジスタ５の電極５ｈ，５ｉ及び駆動トランジスタ６の電極６ｈ，６ｉは、ゲート絶縁膜１１に一面に成膜された導電膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法等によって形状加工することで形成されたものである。
【００２９】
第一絶縁膜としてのゲート絶縁膜１１と、第二絶縁膜としての層間絶縁膜１２は、例えば、それぞれシリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる。
このゲート絶縁膜１１にはコンタクトホール１１ａ〜１１ｃが形成されており、コンタクトホール１１ａ〜１１ｃ内にコンタクトプラグ２０ａ〜２０ｃがそれぞれ埋め込まれている。コンタクトプラグ２０ａによってスイッチトランジスタ５のゲート５ａと走査線２が電気的に導通し、コンタクトプラグ２０ｂによってスイッチトランジスタ５の電極５ｈと信号線３が電気的に導通し、コンタクトプラグ２０ｃによってスイッチトランジスタ５の電極５ｉとキャパシタ７の電極７ａが電気的に導通するとともにスイッチトランジスタ５の電極５ｉと駆動トランジスタ６のゲート６ａが電気的に導通する。
なお、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａがキャパシタ７の第一容量電極７ａに一体に連なっており、駆動トランジスタ６のドレイン電極６ｈが電圧供給線４に一体に連なっており、駆動トランジスタ６のソース電極６ｉがキャパシタ７の第二容量電極７ｂに一体に連なっている。
【００３０】
有機ＥＬ素子８は、図４、図５に示すように、アノードとなる第一電極（以下、画素電極という）８ａと、画素電極８ａの上に形成された有機化合物膜である正孔注入層８ｂと、正孔注入層８ｂの上に形成された有機化合物膜である発光層８ｃと、発光層８ｃの上に形成された第二電極としての共通電極８ｄとを備えている。
【００３１】
画素電極８ａは、ゲート絶縁膜１１を介して基板１０上に設けられており、画素Ｐごとに独立して形成されている。この画素電極８ａは透明電極であって、例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）又はカドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ）からなる。なお、画素電極８ａは一部、駆動トランジスタ６のソース電極６ｉに重なり、画素電極８ａとソース電極６ｉが接触している。
【００３２】
正孔注入層８ｂは、例えば、導電性高分子であるＰＥＤＯＴ（poly(ethylenedioxy)thiophene；ポリエチレンジオキシチオフェン）及びドーパントであるＰＳＳ（polystyrene sulfonate；ポリスチレンスルホン酸）からなる層であって、画素電極８ａから発光層８ｃに向けて正孔を注入することで、発光層８ｃの発光に寄与する。
発光層８ｃは、例えば、ポリフルオレン系発光材料やポリフェニレンビニレン系発光材料からなり、共通電極８ｄから供給される電子と、正孔注入層８ｂから注入される正孔との再結合に伴い発光する層である。
この正孔注入層８ｂと発光層８ｃとで有機発光層を構成している。
【００３３】
共通電極８ｄは、画素電極８ａよりも仕事関数の低い材料で形成されており、例えば、インジウム、マグネシウム、カルシウム、リチウム、バリウム、希土類金属の少なくとも一種を含む単体又は合金からなる単層膜または複層膜が形成され、さらにその上にアルミニウム等の良両導電性を示す金属が形成されている。
この共通電極８ｄは全ての画素Ｐに共通した電極であり、発光層８ｃなどの有機化合物膜とともに後述するバンク１３を被覆している。
【００３４】
そして、図５に示すように、駆動トランジスタ６やスイッチトランジスタ５などを覆うゲート絶縁膜１１と層間絶縁膜１２は、駆動トランジスタ６やスイッチトランジスタ５などの画素トランジスタ部分に独立して設けられている。
具体的には、ゲート絶縁膜１１は、導光ストッパＳによって分断されており、基板１０上のゲート電極６ａ部分に対応するゲート絶縁膜１１と、ゲート電極６ａ部分に対応しないゲート絶縁膜１１とに分割されている。
そして、そのゲート電極６ａに対応するゲート絶縁膜１１部分に対して駆動トランジスタ６が設けられており、そのゲート絶縁膜１１部分上の駆動トランジスタ６を被覆するように層間絶縁膜１２が設けられている。更に、層間絶縁膜１２とともに駆動トランジスタ６を覆うようにバンク１３が設けられている。このバンク１３には開口部１３ａが形成されており、バンク１３は平面視略格子形状を呈するようになっている。
また、ゲート電極６ａに対応しないゲート絶縁膜１１部分の上には画素電極８ａが設けられており、格子状のバンク１３における開口部１３ａから画素電極８ａが露出している。つまり、このバンク１３によって画素電極８ａの上の所定領域が画素Ｐごとに仕切られており、複数の画素電極８ａがバンク１３により画素Ｐごとに隔離されている。
この開口部１３ａ内において、有機発光層としての正孔注入層８ｂ及び発光層８ｃが、画素電極８ａ上に積層されている。
【００３５】
バンク１３は、正孔注入層８ｂや発光層８ｃを湿式法により形成するに際して、正孔注入層８ｂや発光層８ｃを構成する有機材料が溶媒に溶解または分散された液状体が隣接する画素Ｐに滲み出ないようにする隔壁として機能する。
例えば、図４、図５に示すように、層間絶縁膜１２の上に設けられたバンク１３には、バンク１３における画素電極８ａに対応する位置に開口部１３ａが形成されている。
そして、開口部１３ａ内に、正孔注入層８ｂを構成する有機材料が含有される液状体を塗布し、その液状体を乾燥させ成膜させた有機化合物膜が、有機発光層における正孔注入層８ｂとなる。さらに、開口部１３ａ内の正孔注入層８ｂ上に、発光層８ｃを構成する有機材料が含有される液状体を塗布し、その液状体を乾燥させ成膜させた有機化合物膜が、有機発光層における発光層８ｃとなる。
特に、このバンク１３は、遮光性を有するように黒色に着色されるなどしており、有機発光層（発光層８ｃ）が発光した光を導光してしまわないようになっている。つまり、有機発光層（発光層８ｃ）が発光した光を、バンク１３で覆った画素トランジスタ（駆動トランジスタ６、スイッチトランジスタ５）に到達させないようになっている。
なお、この発光層８ｃとバンク１３を被覆するように共通電極８ｄが設けられている。
【００３６】
そして、このＥＬパネル１においては、画素電極８ａ、基板１０及びゲート絶縁膜１１が透明であり、発光層８ｃから発した光が画素電極８ａ、ゲート絶縁膜１１及び基板１０を透過して出射する。そのため、基板１０の裏面（下面）が表示面となる。
なお、基板１０側ではなく、反対側が表示面となってもよい。この場合、共通電極８ｄを透明電極とし、発光層８ｃから発した光が共通電極８ｄを透過して出射する。
【００３７】
このＥＬパネル１は、次のように駆動されて発光する。
全ての電圧供給線４に所定レベルの電圧が印加された状態で、走査側ドライバによって走査線２に順次電圧が印加されることで、これら走査線２が順次選択される。
各走査線２が選択されている時に、データ側ドライバによって階調に応じたレベルの電圧が全ての信号線３に印加されると、その選択されている走査線２に対応するスイッチトランジスタ５がオンになっていることから、その階調に応じたレベルの電圧が駆動トランジスタ６のゲート電極６ａに印加される。
この駆動トランジスタ６のゲート電極６ａに印加された電圧レベルに応じて、駆動トランジスタ６におけるソース・ドレイン電流のレベルが定まり、その電圧レベルに応じたレベルのソース・ドレイン電流が電圧供給線４から駆動トランジスタ６に流れ、有機ＥＬ素子８がその電流レベルに応じた明るさで発光する。
その後、その走査線２の選択が解除されると、スイッチトランジスタ５がオフとなるので、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａの電荷が閉じ込められる。なお、その閉じ込められた電荷はキャパシタ７に蓄えられることとなる。
そして、キャパシタ７が、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａの電圧を保つことを補助することで、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａの電圧が先の選択時と同レベルに保たれ、発光が継続するようになっている。
【００３８】
次に、ＥＬパネル１の製造方法について、図４に示す平面図や、図５〜図１５に示す断面図を用いて説明する。
なお、図６から図１５および図５は、本実施形態に係るＥＬパネル１の製造過程の一例を示す工程断面図である。この工程断面図は、図４に示したV−V線に沿った断面部分を示す説明図であり、これらの図を参照して製造方法の概略を説明する。
また、ここでは、図４のV−V線に沿った断面部分によって駆動トランジスタ６の製造過程を例示し、同様の製造過程を経るスイッチトランジスタ５に関する図示は省略する。
【００３９】
まず、気相成長法（スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法、蒸着法等）によって基板１０の表面に、例えば、アルミニウムなどの導電膜を成膜し、フォトリソグラフィー法・エッチング法等によってその導電膜をパターニングする。これにより図６などに示すように、基板１０上に信号線３、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａ、導光ストッパＳや、スイッチトランジスタ５のゲート電極５ａ（図４参照）、キャパシタ７の第一容量電極７ａ（図４参照）を形成する。
【００４０】
次いで、信号線３、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａ、導光ストッパＳ等を含む基板１０の全域を被覆するようにＣＶＤ法等によって、例えば、図７などに示すように、シリコン窒化物などからなりゲート絶縁膜１１となる絶縁体層、アモルファスシリコン等からなり半導体膜６ｂ、５ｂとなる半導体層、シリコン窒化物などからなりチャネル保護膜６ｄ、５ｄとなる絶縁体層を順次積層する。
【００４１】
次いで、最上層の絶縁体層をフォトリソグラフィー法・エッチング法等によってパターニングし、図８などに示すように、チャネル保護膜６ｄ、５ｄを形成する。
【００４２】
次いで、チャネル保護膜６ｄ、５ｄを含む半導体層上である基板１０の全域を被覆するようにＣＶＤ法等によって、不純物をドープしたシリコン層を形成した後、例えば、その不純物シリコン層と半導体層を連続的にドライエッチングすることで、図９などに示すように、半導体膜６ｂ、５ｂや、不純物半導体膜６ｆ，６ｇ、５ｆ，５ｇを形成する。
【００４３】
次いで、ゲート絶縁膜１１となる絶縁体層上にスパッタリング法等によって、例えば、ＩＴＯなどの透明電極材料からなる透明導電膜を成膜し、フォトリソグラフィー法・エッチング法等によってその透明導電膜をパターニングする。これにより図１０などに示すように、ゲート電極６ａに対応しないゲート絶縁膜１１部分となる絶縁体層上に有機ＥＬ素子８の画素電極８ａを形成する。
【００４４】
次いで、絶縁体層における導光ストッパＳ上をエッチングし、その導光ストッパＳを露出させる開口１１ａを形成することで、図１１などに示すように、基板１０上のゲート電極６ａ、５ａ部分に対応するゲート絶縁膜１１部分と、ゲート電極６ａ、５ａ部分に対応しないゲート絶縁膜１１部分とに分割されているゲート絶縁膜１１を形成する。
【００４５】
次いで、不純物半導体膜６ｆ，６ｇ、５ｆ，５ｇを含む基板１０の全域を被覆するように、気相成長法等によって、例えば、アルミニウムなどの導電膜を成膜し、その導電膜上にパターニングされたマスクを用いてエッチングして、図１２などに示すように、駆動トランジスタ６の電極６ｈ、６ｉ、スイッチトランジスタ５の電極５ｈ、５ｉ（図４参照）を形成する。
なお、駆動トランジスタ６の電極６ｈ、６ｉなどとともに、走査線２や電圧供給線４、キャパシタ７の第二容量電極７ｂが形成されている（図４参照）。
【００４６】
次いで、駆動トランジスタ６やスイッチトランジスタ５などを含む基板１０の全域を被覆するようにＣＶＤ法等によって、シリコン窒化物などからなる絶縁体層を形成し、その絶縁体層をフォトリソグラフィー法・エッチング法等によってパターニングして、図１３などに示すように、画素トランジスタである駆動トランジスタ６やスイッチトランジスタ５を被覆する層間絶縁膜１２を形成する。
なお、層間絶縁膜１２は、ゲート電極６ａ、５ａ部分に対応するゲート絶縁膜１１の上方に位置する駆動トランジスタ６やスイッチトランジスタ５を覆うようになっている。
【００４７】
次いで、層間絶縁膜１２を含む基板１０の全域を被覆するように、例えば、ポリイミド系やアクリル系の樹脂材料層を成膜し、フォトリソグラフィー法・エッチング法等によってその樹脂材料層をパターニングする。これにより図１４などに示すように、画素電極８ａが露出する開口部１３ａを有するバンク１３を形成する。
そして、このバンク１３が形成された基板１０を純水で洗浄した後、Ｏ２プラズマ処理またはＵＶオゾン処理を施すことで、画素電極８ａの表面を親水化し、後述するノズルプリント方式により塗布する液状体が画素電極８ａに馴染みやすくする。なお、バンク１３の表面は撥水化処理を施すことが好ましい。
【００４８】
次いで、バンク１３の開口部１３ａ内に、正孔注入層８ｂを構成する有機材料（例えば、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）が含有される液状体をノズルプリント方式で塗布し、その液状体を乾燥させ成膜させることで、図１５などに示すように、有機発光層における正孔注入層８ｂを形成する。
更に、開口部１３ａ内の正孔注入層８ｂ上に、発光層８ｃを構成する有機材料（例えば、ポリフルオレン系発光材料）が含有される液状体をノズルプリント方式で塗布し、その液状体を乾燥させ成膜させることで、図１５などに示すように、有機発光層における発光層８ｃを形成する。
【００４９】
そして、有機発光層である発光層８ｃ上を覆い、基板１０の全域を被覆するようにスパッタリング法等によって、例えば、インジウムなどの導電膜を形成することで、図５に示すように、光反射性を有する共通電極８ｄを形成する。
こうしてＥＬパネル１が製造される。
【００５０】
このように、ＥＬパネル１におけるゲート絶縁膜１１は、導光ストッパＳによって分断されており、基板１０上のゲート電極６ａ、５ａ部分に対応するゲート絶縁膜１１と、ゲート電極６ａ、５ａ部分に対応しないゲート絶縁膜１１とに分割されている。また、層間絶縁膜１２は、基板１０上のゲート電極６ａ、５ａ部分に対応するゲート絶縁膜１１部分に対して設けられている。
そして、ＥＬパネル１は、基板１０上のゲート電極６ａ、５ａに対応するように形成されているゲート絶縁膜１１の領域に画素トランジスタである駆動トランジスタ６やスイッチトランジスタ５を備えており、また、基板１０上にゲート電極６ａ、５ａがない部分に形成されているゲート絶縁膜１１の領域に有機ＥＬ素子８を備えている。
【００５１】
つまり、このＥＬパネル１において、駆動トランジスタ６やスイッチトランジスタ５が設けられる領域と、有機ＥＬ素子８が設けられる領域とがそれぞれ独立するように、ゲート絶縁膜１１と層間絶縁膜１２は、ゲート電極６ａ、５ａと画素電極８ａとの間に相当する部分で基板１０の面に沿った方向に分断されているので、有機ＥＬ素子８の発光した光が、ゲート絶縁膜１１や層間絶縁膜１２に導光されて駆動トランジスタ６やスイッチトランジスタ５に到達することはない。
従って、有機ＥＬ素子８の発光した光が、駆動トランジスタ６やスイッチトランジスタ５に作用してしまうことを低減することができ、その有機ＥＬ素子８から放射される光により駆動トランジスタ６やスイッチトランジスタ５が劣化することを防止することができる。
【００５２】
更に、ＥＬパネル１におけるバンク１３は、遮光性を有しているため、有機ＥＬ素子８の発光した光を導光してしまったり、分断されているゲート絶縁膜１１と層間絶縁膜１２の間を光学的に接続してしまうことでその間を導光可能にしてしまったりすることがないので、有機ＥＬ素子８の発光した光が、駆動トランジスタ６やスイッチトランジスタ５により到達しにくくなり、有機ＥＬ素子８が発光した光による駆動トランジスタ６やスイッチトランジスタ５の劣化をより低減することができる。
【００５３】
なお、以上の実施の形態においては、基板１０上のゲート電極６ａ、５ａに対応するように形成されているゲート絶縁膜１１部分の上方に層間絶縁膜１２を設けた場合を例に説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、図１６に示すように、基板１０の面に沿った方向に分断され、分割された層間絶縁膜１２を設けるようにしてもよい。
【００５４】
また、以上の実施の形態においては、正孔注入層８ｂと発光層８ｃとの２層よりなる有機発光層を例に説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、発光層１層のみからなる有機発光層や、正孔注入層の他に電子注入層などを有する３層以上の有機発光層を備える有機ＥＬ素子であってもよい。
【００５５】
また、その他、具体的な細部構造等についても適宜に変更可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】ＥＬパネルの画素の配置構成を示す平面図である。
【図２】ＥＬパネルの概略構成を示す平面図である。
【図３】ＥＬパネルの１画素に相当する回路を示した回路図である。
【図４】ＥＬパネルの１画素を示した平面図である。
【図５】図４のV−V線に沿った面の矢視断面図である。
【図６】ＥＬパネルの製造過程における第一工程を示す断面図である。
【図７】ＥＬパネルの製造過程における第二工程を示す断面図である。
【図８】ＥＬパネルの製造過程における第三工程を示す断面図である。
【図９】ＥＬパネルの製造過程における第四工程を示す断面図である。
【図１０】ＥＬパネルの製造過程における第五工程を示す断面図である。
【図１１】ＥＬパネルの製造過程における第六工程を示す断面図である。
【図１２】ＥＬパネルの製造過程における第七工程を示す断面図である。
【図１３】ＥＬパネルの製造過程における第八工程を示す断面図である。
【図１４】ＥＬパネルの製造過程における第九工程を示す断面図である。
【図１５】ＥＬパネルの製造過程における第十工程を示す断面図である。
【図１６】ＥＬパネルの変形例を示す断面図である。
【図１７】従来のＥＬパネルを示す断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１ ＥＬパネル
５ スイッチトランジスタ（画素トランジスタ）
５ａ ゲート電極
６ 駆動トランジスタ（画素トランジスタ）
６ａ ゲート電極
７ キャパシタ
７ａ 第一容量電極
７ｂ 第二容量電極
８ 有機ＥＬ素子
８ａ 画素電極（第一電極）
８ｂ 正孔注入層（有機発光層）
８ｃ 発光層（有機発光層）
８ｄ 共通電極（第二電極）
１０ 基板
１１ ゲート絶縁膜（第一絶縁膜）
１１ａ 開口
１２ 層間絶縁膜（第二絶縁膜）
１３ バンク（隔壁）
１３ａ 開口部
Ｐ 画素
Ｓ 導光ストッパ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＬパネル及びＥＬパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子）は、アノードとカソードとの間に有機化合物層が介在した積層構造を為しており、アノードとカソードの間に順バイアス電圧が印加されると、有機化合物層内で電子と正孔が再結合して有機化合物層が発光する。それぞれ赤、緑、青に発光する複数の有機ＥＬ素子をサブピクセルとして基板上にマトリクス状に配列し、画像表示を行うＥＬパネルが実現化されている。
【０００３】
アクティブ駆動の場合、画素トランジスタを基板上に形成した後、画素トランジスタを覆う保護絶縁膜を形成し、保護絶縁膜の上に画素電極を形成した後に画素電極上に有機化合物層を形成する構造が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００７−２３４３９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、図１７に示すように、基板１０上のゲート絶縁膜１１に対して形成された画素トランジスタ６と透明画素電極８ａとを覆う保護絶縁膜１２を成膜して、その保護絶縁膜１２に透明画素電極８ａを露出させる開口を形成した後に、透明画素電極８ａ上に有機化合物層（８ｂ、８ｃ）と対向電極８ｄとを積層してなる構造の有機ＥＬ素子８を備えるＥＬパネルが知られている。
【０００５】
しかし、ゲート絶縁膜１１や保護絶縁膜１２は光を透過させるため、この構造では、図１７に示すように、有機化合物層から放出されてゲート絶縁膜１１や保護絶縁膜１２などで導光された光や、基板１０などで反射された光が画素トランジスタ６に到達することが考えられる。このような場合、図３に示す画素トランジスタ５および６にトランジスタ特性の光劣化や、非選択時における選択トランジスタ５の光リークにより補助容量７に書き込まれた書込み電圧の低下を引き起こすなどの不都合が生じてしまうことがある。
【０００６】
本発明の課題は、有機ＥＬ素子から放射される光により画素トランジスタが劣化することや光リークによる書込み電圧の低下を防止することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以上の課題を解決するため、請求項１に記載の発明は、基板上に設けられたゲート電極を被覆する第一絶縁膜と、前記ゲート電極に対応する前記第一絶縁膜部分に設けられた、そのゲート電極を含む画素トランジスタと、前記ゲート電極に対応しない前記第一絶縁膜上に設けられた第一電極と、前記画素トランジスタを被覆する第二絶縁膜と、前記第一電極上に設けられた有機発光層と、前記有機発光層を覆い前記第一電極と対向する第二電極と、を備えるＥＬパネルであって、前記第一絶縁膜と前記第二絶縁膜のうち少なくとも一方は、前記ゲート電極と前記第一電極との間に相当する部分で、前記基板の面に沿った方向に分断されていることを特徴としている。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のＥＬパネルにおいて、前記第二絶縁膜と前記画素トランジスタを覆う隔壁を備え、前記隔壁は、前記有機発光層が発光した光を前記画素トランジスタに到達させない遮光性を有することを特徴としている。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、ＥＬパネルであって、基板と、前記基板上に設けられたゲート電極を含む画素トランジスタと、前記基板上に設けられた第一絶縁膜と、前記第一絶縁膜を分断させ、前記第一絶縁膜内を導光された光を遮断する導光ストッパと、前記第一絶縁膜上に設けられた第一電極と、前記第一電極上に設けられた有機発光層と、前記有機発光層を覆い前記第一電極と対向する第二電極と、を備えることを特徴としている。
【００１０】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載のＥＬパネルにおいて、前記第一絶縁膜の上方であって、前記画素トランジスタ上に設けられた第二絶縁膜と、前記第二絶縁膜と前記画素トランジスタを覆う隔壁と、を更に備え、前記隔壁は、前記有機発光層が発光した光を前記画素トランジスタに到達させない遮光性を有することを特徴としている。
【００１１】
請求項５に記載の発明は、基板上に設けられた画素トランジスタのゲート電極を被覆する第一絶縁膜と、前記ゲート電極に対応する前記第一絶縁膜上に設けられた、前記ゲート電極を含む画素トランジスタと、前記ゲート電極に対応しない前記第一絶縁膜上に設けられた第一電極と、前記画素トランジスタを被覆する第二絶縁膜と、前記第一電極上に設けられた有機発光層と、前記有機発光層を覆い前記第一電極と対向する第二電極と、を備えるＥＬパネルの製造方法であって、前記第一絶縁膜と前記第二絶縁膜のうち少なくとも一方を、前記ゲート電極と前記第一電極との間に相当する部分で、前記基板の面に沿った方向に分断する工程を備えることを特徴としている。
【００１２】
請求項６に記載の発明は、ＥＬパネルの製造方法であって、画素トランジスタと、第一電極及び第二電極に挟まれた有機発光層とを備えたＥＬパネルの製造方法において、前記画素トランジスタのゲート電極及び前記ゲート電極に接する第一絶縁膜を形成し、前記第一絶縁膜を分断する導光ストッパを形成することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、有機ＥＬ素子から放射される光により画素トランジスタが劣化することや光リークによる書込み電圧の低下を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に、本発明を実施するための好ましい形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。
【００１５】
図１は、ＥＬパネル１における複数の画素Ｐの配置構成を示す平面図であり、図２は、ＥＬパネル１の概略構成を示す平面図である。
【００１６】
図１、図２に示すように、ＥＬパネル１には、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）をそれぞれ発光する複数の画素Ｐが所定のパターンでマトリクス状に配置されている。
このＥＬパネル１には、複数の走査線２が行方向に沿って互いに略平行となるよう配列され、複数の信号線３が平面視して走査線２と略直交する列方向に沿って互いに略平行となるよう配列されている。また、隣り合う走査線２の間において電圧供給線４が走査線２に沿って設けられている。そして、これら各走査線２と隣接する二本の信号線３と各電圧供給線４とによって囲われる範囲が、画素Ｐに相当する。
また、ＥＬパネル１には、走査線２、信号線３、電圧供給線４の上方に覆うように、格子状の隔壁であるバンク１３が設けられている。このバンク１３によって囲われてなる略長方形状の複数の開口部１３ａが画素Ｐごとに形成されており、この開口部１３ａ内に所定の発光層（後述する発光層８ｃ）が設けられて、画素Ｐの発光領域となる。
【００１７】
図３は、アクティブマトリクス駆動方式で動作するＥＬパネル１の１画素に相当する回路を示した回路図である。
【００１８】
図３に示すように、ＥＬパネル１には、走査線２と、走査線２と交差する信号線３と、走査線２に沿う電圧供給線４とが設けられており、このＥＬパネル１の１画素につき、画素トランジスタであるスイッチトランジスタ５と、画素トランジスタである駆動トランジスタ６と、キャパシタ７と、有機ＥＬ素子８とが設けられている。
【００１９】
各画素Ｐにおいては、スイッチトランジスタ５のゲートが走査線２に接続され、スイッチトランジスタ５のドレインとソースのうちの一方が信号線３に接続され、スイッチトランジスタ５のドレインとソースのうちの他方がキャパシタ７の一方の電極及び駆動トランジスタ６のゲートに接続されている。駆動トランジスタ６のソースとドレインのうちの一方が電圧供給線４に接続され、駆動トランジスタ６のソースとドレインのうち他方がキャパシタ７の他方の電極及び有機ＥＬ素子８のアノードに接続されている。なお、全ての画素Ｐの有機ＥＬ素子８はカソードを共通電極とし、カソードが一定電圧Ｖcomに保たれている（例えば、接地されている）。
【００２０】
また、このＥＬパネル１の周囲において走査線２が走査側ドライバに接続され、電圧供給線４が一定電圧源又はドライバに接続され、信号線３がデータ側ドライバに接続され、これらドライバによってＥＬパネル１がアクティブマトリクス駆動方式で駆動される。電圧供給線４には、一定電圧源又はドライバによって所定の電力が供給される。
【００２１】
次に、ＥＬパネル１と、その画素Ｐの回路構造について、図４、図５を用いて説明する。ここで、図４は、ＥＬパネル１００の１画素に相当する平面図であり、図５は、図４のV−V線に沿った面の矢視断面図である。なお、図４においては、電極及び配線を主に示す。
【００２２】
図４に示すように、スイッチトランジスタ５及び駆動トランジスタ６は、信号線３に沿うように配列され、スイッチトランジスタ５の近傍にキャパシタ７が配置され、駆動トランジスタ６の近傍に有機ＥＬ素子８が配置されている。また、走査線２と電圧供給線４の間に、スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６、キャパシタ７及び有機ＥＬ素子８が配置されている。
【００２３】
図４、図５に示すように、光透過性を有し絶縁性のガラス基板などである基板１０上にゲート絶縁膜１１が成膜されている。
信号線３はゲート絶縁膜１１と基板１０との間に形成されている。なお、図示はしないが、走査線２及び電圧供給線４はゲート絶縁膜１１と層間絶縁膜１２との間に形成されている。
駆動トランジスタ６及びスイッチトランジスタ５は、逆スタガ構造の薄膜トランジスタであり、ゲート絶縁膜１１に対して形成されている。
【００２４】
駆動トランジスタ６は、ゲート電極６ａ、半導体膜６ｂ、チャネル保護膜６ｄ、不純物半導体膜６ｆ，６ｇ、ドレイン電極６ｈ、ソース電極６ｉ等を有するものである。
【００２５】
ゲート電極６ａは、基板１０とゲート絶縁膜１１の間に形成されている。このゲート電極６ａは、例えば、Ｃｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｄ合金膜からなる。また、ゲート電極６ａの上に絶縁性のゲート絶縁膜１１が成膜されており、そのゲート絶縁膜１１によってゲート電極６ａが被覆されている。なお、このゲート電極６ａは、基板１０上に設けられた一対の導光ストッパＳに挟まれるようにその基板１０上に設けられている。
ゲート絶縁膜１１は、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる。このゲート絶縁膜１１上であってゲート電極６ａに対応する位置に真性な半導体膜６ｂが形成されており、半導体膜６ｂがゲート絶縁膜１１を挟んでゲート電極６ａと相対している。
半導体膜６ｂは、例えば、アモルファスシリコンからなり、この半導体膜６ｂがチャネルとなる。また、半導体膜６ｂの中央部上には、絶縁性のチャネル保護膜６ｄが形成されている。このチャネル保護膜６ｄは、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる。
また、半導体膜６ｂの一端部の上には、不純物半導体膜６ｆが一部チャネル保護膜６ｄに重なるようにして形成されており、半導体膜６ｂの他端部の上には、不純物半導体膜６ｇが一部チャネル保護膜６ｄに重なるようにして形成されている。そして、不純物半導体膜６ｆ，６ｇは半導体膜６ｂの両端側に互いに離間して形成されている。なお、不純物半導体膜６ｆ，６ｇはｐ型半導体であってもよいし、ｎ型半導体であってもよい。
不純物半導体膜６ｆの上には、ドレイン電極６ｈが形成されている。不純物半導体膜６ｇの上には、ソース電極６ｉが形成されている。電極６ｈ，６ｉは、例えば、Ｃｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｄ合金膜からなる。
チャネル保護膜６ｄ、ドレイン電極６ｈ及びソース電極６ｉの上には、絶縁性の層間絶縁膜１２が成膜され、チャネル保護膜６ｄ、ドレイン電極６ｈ及びソース電極６ｉを含む駆動トランジスタ６が、その層間絶縁膜１２によって被覆されている。
【００２６】
同様にスイッチトランジスタ５は、ゲート電極５ａ、半導体膜５ｂ、チャネル保護膜５ｄ、不純物半導体膜５ｆ，５ｇ、ドレイン電極５ｈ、ソース電極５ｉ等を有するものである。
なお、スイッチトランジスタ５の構成は、駆動トランジスタ６と同様であるので、詳述しない。
【００２７】
キャパシタ７は、図４に示すように、基板１０とゲート絶縁膜１１との間に第一容量電極７ａが形成され、ゲート絶縁膜１１と層間絶縁膜１２との間に第二容量電極７ｂが形成され、第一容量電極７ａと第二容量電極７ｂがゲート絶縁膜１１を挟んで相対している。
【００２８】
なお、信号線３、キャパシタ７の第一容量電極７ａ、スイッチトランジスタ５のゲート電極５ａ及び駆動トランジスタ６のゲート電極６ａ、導光ストッパＳは、基板１０に一面に成膜された導電膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法等によって形状加工することで形成されたものである。
また、走査線２、電圧供給線４、キャパシタ７の第二容量電極７ｂ、スイッチトランジスタ５の電極５ｈ，５ｉ及び駆動トランジスタ６の電極６ｈ，６ｉは、ゲート絶縁膜１１に一面に成膜された導電膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法等によって形状加工することで形成されたものである。
【００２９】
第一絶縁膜としてのゲート絶縁膜１１と、第二絶縁膜としての層間絶縁膜１２は、例えば、それぞれシリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる。
このゲート絶縁膜１１にはコンタクトホール１１ａ〜１１ｃが形成されており、コンタクトホール１１ａ〜１１ｃ内にコンタクトプラグ２０ａ〜２０ｃがそれぞれ埋め込まれている。コンタクトプラグ２０ａによってスイッチトランジスタ５のゲート５ａと走査線２が電気的に導通し、コンタクトプラグ２０ｂによってスイッチトランジスタ５の電極５ｈと信号線３が電気的に導通し、コンタクトプラグ２０ｃによってスイッチトランジスタ５の電極５ｉとキャパシタ７の電極７ａが電気的に導通するとともにスイッチトランジスタ５の電極５ｉと駆動トランジスタ６のゲート６ａが電気的に導通する。
なお、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａがキャパシタ７の第一容量電極７ａに一体に連なっており、駆動トランジスタ６のドレイン電極６ｈが電圧供給線４に一体に連なっており、駆動トランジスタ６のソース電極６ｉがキャパシタ７の第二容量電極７ｂに一体に連なっている。
【００３０】
有機ＥＬ素子８は、図４、図５に示すように、アノードとなる第一電極（以下、画素電極という）８ａと、画素電極８ａの上に形成された有機化合物膜である正孔注入層８ｂと、正孔注入層８ｂの上に形成された有機化合物膜である発光層８ｃと、発光層８ｃの上に形成された第二電極としての共通電極８ｄとを備えている。
【００３１】
画素電極８ａは、ゲート絶縁膜１１を介して基板１０上に設けられており、画素Ｐごとに独立して形成されている。この画素電極８ａは透明電極であって、例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）又はカドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ）からなる。なお、画素電極８ａは一部、駆動トランジスタ６のソース電極６ｉに重なり、画素電極８ａとソース電極６ｉが接触している。
【００３２】
正孔注入層８ｂは、例えば、導電性高分子であるＰＥＤＯＴ（poly(ethylenedioxy)thiophene；ポリエチレンジオキシチオフェン）及びドーパントであるＰＳＳ（polystyrene sulfonate；ポリスチレンスルホン酸）からなる層であって、画素電極８ａから発光層８ｃに向けて正孔を注入することで、発光層８ｃの発光に寄与する。
発光層８ｃは、例えば、ポリフルオレン系発光材料やポリフェニレンビニレン系発光材料からなり、共通電極８ｄから供給される電子と、正孔注入層８ｂから注入される正孔との再結合に伴い発光する層である。
この正孔注入層８ｂと発光層８ｃとで有機発光層を構成している。
【００３３】
共通電極８ｄは、画素電極８ａよりも仕事関数の低い材料で形成されており、例えば、インジウム、マグネシウム、カルシウム、リチウム、バリウム、希土類金属の少なくとも一種を含む単体又は合金からなる単層膜または複層膜が形成され、さらにその上にアルミニウム等の良両導電性を示す金属が形成されている。
この共通電極８ｄは全ての画素Ｐに共通した電極であり、発光層８ｃなどの有機化合物膜とともに後述するバンク１３を被覆している。
【００３４】
そして、図５に示すように、駆動トランジスタ６やスイッチトランジスタ５などを覆うゲート絶縁膜１１と層間絶縁膜１２は、駆動トランジスタ６やスイッチトランジスタ５などの画素トランジスタ部分に独立して設けられている。
具体的には、ゲート絶縁膜１１は、導光ストッパＳによって分断されており、基板１０上のゲート電極６ａ部分に対応するゲート絶縁膜１１と、ゲート電極６ａ部分に対応しないゲート絶縁膜１１とに分割されている。
そして、そのゲート電極６ａに対応するゲート絶縁膜１１部分に対して駆動トランジスタ６が設けられており、そのゲート絶縁膜１１部分上の駆動トランジスタ６を被覆するように層間絶縁膜１２が設けられている。更に、層間絶縁膜１２とともに駆動トランジスタ６を覆うようにバンク１３が設けられている。このバンク１３には開口部１３ａが形成されており、バンク１３は平面視略格子形状を呈するようになっている。
また、ゲート電極６ａに対応しないゲート絶縁膜１１部分の上には画素電極８ａが設けられており、格子状のバンク１３における開口部１３ａから画素電極８ａが露出している。つまり、このバンク１３によって画素電極８ａの上の所定領域が画素Ｐごとに仕切られており、複数の画素電極８ａがバンク１３により画素Ｐごとに隔離されている。
この開口部１３ａ内において、有機発光層としての正孔注入層８ｂ及び発光層８ｃが、画素電極８ａ上に積層されている。
【００３５】
バンク１３は、正孔注入層８ｂや発光層８ｃを湿式法により形成するに際して、正孔注入層８ｂや発光層８ｃを構成する有機材料が溶媒に溶解または分散された液状体が隣接する画素Ｐに滲み出ないようにする隔壁として機能する。
例えば、図４、図５に示すように、層間絶縁膜１２の上に設けられたバンク１３には、バンク１３における画素電極８ａに対応する位置に開口部１３ａが形成されている。
そして、開口部１３ａ内に、正孔注入層８ｂを構成する有機材料が含有される液状体を塗布し、その液状体を乾燥させ成膜させた有機化合物膜が、有機発光層における正孔注入層８ｂとなる。さらに、開口部１３ａ内の正孔注入層８ｂ上に、発光層８ｃを構成する有機材料が含有される液状体を塗布し、その液状体を乾燥させ成膜させた有機化合物膜が、有機発光層における発光層８ｃとなる。
特に、このバンク１３は、遮光性を有するように黒色に着色されるなどしており、有機発光層（発光層８ｃ）が発光した光を導光してしまわないようになっている。つまり、有機発光層（発光層８ｃ）が発光した光を、バンク１３で覆った画素トランジスタ（駆動トランジスタ６、スイッチトランジスタ５）に到達させないようになっている。
なお、この発光層８ｃとバンク１３を被覆するように共通電極８ｄが設けられている。
【００３６】
そして、このＥＬパネル１においては、画素電極８ａ、基板１０及びゲート絶縁膜１１が透明であり、発光層８ｃから発した光が画素電極８ａ、ゲート絶縁膜１１及び基板１０を透過して出射する。そのため、基板１０の裏面（下面）が表示面となる。
なお、基板１０側ではなく、反対側が表示面となってもよい。この場合、共通電極８ｄを透明電極とし、発光層８ｃから発した光が共通電極８ｄを透過して出射する。
【００３７】
このＥＬパネル１は、次のように駆動されて発光する。
全ての電圧供給線４に所定レベルの電圧が印加された状態で、走査側ドライバによって走査線２に順次電圧が印加されることで、これら走査線２が順次選択される。
各走査線２が選択されている時に、データ側ドライバによって階調に応じたレベルの電圧が全ての信号線３に印加されると、その選択されている走査線２に対応するスイッチトランジスタ５がオンになっていることから、その階調に応じたレベルの電圧が駆動トランジスタ６のゲート電極６ａに印加される。
この駆動トランジスタ６のゲート電極６ａに印加された電圧レベルに応じて、駆動トランジスタ６におけるソース・ドレイン電流のレベルが定まり、その電圧レベルに応じたレベルのソース・ドレイン電流が電圧供給線４から駆動トランジスタ６に流れ、有機ＥＬ素子８がその電流レベルに応じた明るさで発光する。
その後、その走査線２の選択が解除されると、スイッチトランジスタ５がオフとなるので、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａの電荷が閉じ込められる。なお、その閉じ込められた電荷はキャパシタ７に蓄えられることとなる。
そして、キャパシタ７が、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａの電圧を保つことを補助することで、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａの電圧が先の選択時と同レベルに保たれ、発光が継続するようになっている。
【００３８】
次に、ＥＬパネル１の製造方法について、図４に示す平面図や、図５〜図１５に示す断面図を用いて説明する。
なお、図６から図１５および図５は、本実施形態に係るＥＬパネル１の製造過程の一例を示す工程断面図である。この工程断面図は、図４に示したV−V線に沿った断面部分を示す説明図であり、これらの図を参照して製造方法の概略を説明する。
また、ここでは、図４のV−V線に沿った断面部分によって駆動トランジスタ６の製造過程を例示し、同様の製造過程を経るスイッチトランジスタ５に関する図示は省略する。
【００３９】
まず、気相成長法（スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法、蒸着法等）によって基板１０の表面に、例えば、アルミニウムなどの導電膜を成膜し、フォトリソグラフィー法・エッチング法等によってその導電膜をパターニングする。これにより図６などに示すように、基板１０上に信号線３、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａ、導光ストッパＳや、スイッチトランジスタ５のゲート電極５ａ（図４参照）、キャパシタ７の第一容量電極７ａ（図４参照）を形成する。
【００４０】
次いで、信号線３、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａ、導光ストッパＳ等を含む基板１０の全域を被覆するようにＣＶＤ法等によって、例えば、図７などに示すように、シリコン窒化物などからなりゲート絶縁膜１１となる絶縁体層、アモルファスシリコン等からなり半導体膜６ｂ、５ｂとなる半導体層、シリコン窒化物などからなりチャネル保護膜６ｄ、５ｄとなる絶縁体層を順次積層する。
【００４１】
次いで、最上層の絶縁体層をフォトリソグラフィー法・エッチング法等によってパターニングし、図８などに示すように、チャネル保護膜６ｄ、５ｄを形成する。
【００４２】
次いで、チャネル保護膜６ｄ、５ｄを含む半導体層上である基板１０の全域を被覆するようにＣＶＤ法等によって、不純物をドープしたシリコン層を形成した後、例えば、その不純物シリコン層と半導体層を連続的にドライエッチングすることで、図９などに示すように、半導体膜６ｂ、５ｂや、不純物半導体膜６ｆ，６ｇ、５ｆ，５ｇを形成する。
【００４３】
次いで、ゲート絶縁膜１１となる絶縁体層上にスパッタリング法等によって、例えば、ＩＴＯなどの透明電極材料からなる透明導電膜を成膜し、フォトリソグラフィー法・エッチング法等によってその透明導電膜をパターニングする。これにより図１０などに示すように、ゲート電極６ａに対応しないゲート絶縁膜１１部分となる絶縁体層上に有機ＥＬ素子８の画素電極８ａを形成する。
【００４４】
次いで、絶縁体層における導光ストッパＳ上をエッチングし、その導光ストッパＳを露出させる開口１１ａを形成することで、図１１などに示すように、基板１０上のゲート電極６ａ、５ａ部分に対応するゲート絶縁膜１１部分と、ゲート電極６ａ、５ａ部分に対応しないゲート絶縁膜１１部分とに分割されているゲート絶縁膜１１を形成する。
【００４５】
次いで、不純物半導体膜６ｆ，６ｇ、５ｆ，５ｇを含む基板１０の全域を被覆するように、気相成長法等によって、例えば、アルミニウムなどの導電膜を成膜し、その導電膜上にパターニングされたマスクを用いてエッチングして、図１２などに示すように、駆動トランジスタ６の電極６ｈ、６ｉ、スイッチトランジスタ５の電極５ｈ、５ｉ（図４参照）を形成する。
なお、駆動トランジスタ６の電極６ｈ、６ｉなどとともに、走査線２や電圧供給線４、キャパシタ７の第二容量電極７ｂが形成されている（図４参照）。
【００４６】
次いで、駆動トランジスタ６やスイッチトランジスタ５などを含む基板１０の全域を被覆するようにＣＶＤ法等によって、シリコン窒化物などからなる絶縁体層を形成し、その絶縁体層をフォトリソグラフィー法・エッチング法等によってパターニングして、図１３などに示すように、画素トランジスタである駆動トランジスタ６やスイッチトランジスタ５を被覆する層間絶縁膜１２を形成する。
なお、層間絶縁膜１２は、ゲート電極６ａ、５ａ部分に対応するゲート絶縁膜１１の上方に位置する駆動トランジスタ６やスイッチトランジスタ５を覆うようになっている。
【００４７】
次いで、層間絶縁膜１２を含む基板１０の全域を被覆するように、例えば、ポリイミド系やアクリル系の樹脂材料層を成膜し、フォトリソグラフィー法・エッチング法等によってその樹脂材料層をパターニングする。これにより図１４などに示すように、画素電極８ａが露出する開口部１３ａを有するバンク１３を形成する。
そして、このバンク１３が形成された基板１０を純水で洗浄した後、Ｏ２プラズマ処理またはＵＶオゾン処理を施すことで、画素電極８ａの表面を親水化し、後述するノズルプリント方式により塗布する液状体が画素電極８ａに馴染みやすくする。なお、バンク１３の表面は撥水化処理を施すことが好ましい。
【００４８】
次いで、バンク１３の開口部１３ａ内に、正孔注入層８ｂを構成する有機材料（例えば、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）が含有される液状体をノズルプリント方式で塗布し、その液状体を乾燥させ成膜させることで、図１５などに示すように、有機発光層における正孔注入層８ｂを形成する。
更に、開口部１３ａ内の正孔注入層８ｂ上に、発光層８ｃを構成する有機材料（例えば、ポリフルオレン系発光材料）が含有される液状体をノズルプリント方式で塗布し、その液状体を乾燥させ成膜させることで、図１５などに示すように、有機発光層における発光層８ｃを形成する。
【００４９】
そして、有機発光層である発光層８ｃ上を覆い、基板１０の全域を被覆するようにスパッタリング法等によって、例えば、インジウムなどの導電膜を形成することで、図５に示すように、光反射性を有する共通電極８ｄを形成する。
こうしてＥＬパネル１が製造される。
【００５０】
このように、ＥＬパネル１におけるゲート絶縁膜１１は、導光ストッパＳによって分断されており、基板１０上のゲート電極６ａ、５ａ部分に対応するゲート絶縁膜１１と、ゲート電極６ａ、５ａ部分に対応しないゲート絶縁膜１１とに分割されている。また、層間絶縁膜１２は、基板１０上のゲート電極６ａ、５ａ部分に対応するゲート絶縁膜１１部分に対して設けられている。
そして、ＥＬパネル１は、基板１０上のゲート電極６ａ、５ａに対応するように形成されているゲート絶縁膜１１の領域に画素トランジスタである駆動トランジスタ６やスイッチトランジスタ５を備えており、また、基板１０上にゲート電極６ａ、５ａがない部分に形成されているゲート絶縁膜１１の領域に有機ＥＬ素子８を備えている。
【００５１】
つまり、このＥＬパネル１において、駆動トランジスタ６やスイッチトランジスタ５が設けられる領域と、有機ＥＬ素子８が設けられる領域とがそれぞれ独立するように、ゲート絶縁膜１１と層間絶縁膜１２は、ゲート電極６ａ、５ａと画素電極８ａとの間に相当する部分で基板１０の面に沿った方向に分断されているので、有機ＥＬ素子８の発光した光が、ゲート絶縁膜１１や層間絶縁膜１２に導光されて駆動トランジスタ６やスイッチトランジスタ５に到達することはない。
従って、有機ＥＬ素子８の発光した光が、駆動トランジスタ６やスイッチトランジスタ５に作用してしまうことを低減することができ、その有機ＥＬ素子８から放射される光により駆動トランジスタ６やスイッチトランジスタ５が劣化することを防止することができる。
【００５２】
更に、ＥＬパネル１におけるバンク１３は、遮光性を有しているため、有機ＥＬ素子８の発光した光を導光してしまったり、分断されているゲート絶縁膜１１と層間絶縁膜１２の間を光学的に接続してしまうことでその間を導光可能にしてしまったりすることがないので、有機ＥＬ素子８の発光した光が、駆動トランジスタ６やスイッチトランジスタ５により到達しにくくなり、有機ＥＬ素子８が発光した光による駆動トランジスタ６やスイッチトランジスタ５の劣化をより低減することができる。
【００５３】
なお、以上の実施の形態においては、基板１０上のゲート電極６ａ、５ａに対応するように形成されているゲート絶縁膜１１部分の上方に層間絶縁膜１２を設けた場合を例に説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、図１６に示すように、基板１０の面に沿った方向に分断され、分割された層間絶縁膜１２を設けるようにしてもよい。
【００５４】
また、以上の実施の形態においては、正孔注入層８ｂと発光層８ｃとの２層よりなる有機発光層を例に説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、発光層１層のみからなる有機発光層や、正孔注入層の他に電子注入層などを有する３層以上の有機発光層を備える有機ＥＬ素子であってもよい。
【００５５】
また、その他、具体的な細部構造等についても適宜に変更可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】ＥＬパネルの画素の配置構成を示す平面図である。
【図２】ＥＬパネルの概略構成を示す平面図である。
【図３】ＥＬパネルの１画素に相当する回路を示した回路図である。
【図４】ＥＬパネルの１画素を示した平面図である。
【図５】図４のV−V線に沿った面の矢視断面図である。
【図６】ＥＬパネルの製造過程における第一工程を示す断面図である。
【図７】ＥＬパネルの製造過程における第二工程を示す断面図である。
【図８】ＥＬパネルの製造過程における第三工程を示す断面図である。
【図９】ＥＬパネルの製造過程における第四工程を示す断面図である。
【図１０】ＥＬパネルの製造過程における第五工程を示す断面図である。
【図１１】ＥＬパネルの製造過程における第六工程を示す断面図である。
【図１２】ＥＬパネルの製造過程における第七工程を示す断面図である。
【図１３】ＥＬパネルの製造過程における第八工程を示す断面図である。
【図１４】ＥＬパネルの製造過程における第九工程を示す断面図である。
【図１５】ＥＬパネルの製造過程における第十工程を示す断面図である。
【図１６】ＥＬパネルの変形例を示す断面図である。
【図１７】従来のＥＬパネルを示す断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１ ＥＬパネル
５ スイッチトランジスタ（画素トランジスタ）
５ａ ゲート電極
６ 駆動トランジスタ（画素トランジスタ）
６ａ ゲート電極
７ キャパシタ
７ａ 第一容量電極
７ｂ 第二容量電極
８ 有機ＥＬ素子
８ａ 画素電極（第一電極）
８ｂ 正孔注入層（有機発光層）
８ｃ 発光層（有機発光層）
８ｄ 共通電極（第二電極）
１０ 基板
１１ ゲート絶縁膜（第一絶縁膜）
１１ａ 開口
１２ 層間絶縁膜（第二絶縁膜）
１３ バンク（隔壁）
１３ａ 開口部
Ｐ 画素
Ｓ 導光ストッパ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられたゲート電極を被覆する第一絶縁膜と、
前記ゲート電極に対応する前記第一絶縁膜部分に設けられた、そのゲート電極を含む画素トランジスタと、
前記ゲート電極に対応しない前記第一絶縁膜上に設けられた第一電極と、
前記画素トランジスタを被覆する第二絶縁膜と、
前記第一電極上に設けられた有機発光層と、
前記有機発光層を覆い前記第一電極と対向する第二電極と、を備えるＥＬパネルであって、
前記第一絶縁膜と前記第二絶縁膜のうち少なくとも一方は、前記ゲート電極と前記第一電極との間に相当する部分で、前記基板の面に沿った方向に分断されていることを特徴とするＥＬパネル。
【請求項２】
前記第二絶縁膜と前記画素トランジスタを覆う隔壁を備え、
前記隔壁は、前記有機発光層が発光した光を前記画素トランジスタに到達させない遮光性を有することを特徴とする請求項１に記載のＥＬパネル。
【請求項３】
基板と、
前記基板上に設けられたゲート電極を含む画素トランジスタと、
前記基板上に設けられた第一絶縁膜と、
前記第一絶縁膜を分断させ、前記第一絶縁膜内を導光された光を遮断する導光ストッパと、
前記第一絶縁膜上に設けられた第一電極と、
前記第一電極上に設けられた有機発光層と、
前記有機発光層を覆い前記第一電極と対向する第二電極と、
を備えることを特徴とするＥＬパネル。
【請求項４】
前記第一絶縁膜の上方であって、前記画素トランジスタ上に設けられた第二絶縁膜と、
前記第二絶縁膜と前記画素トランジスタを覆う隔壁と、を更に備え、
前記隔壁は、前記有機発光層が発光した光を前記画素トランジスタに到達させない遮光性を有することを特徴とする請求項３に記載のＥＬパネル。
【請求項５】
基板上に設けられた画素トランジスタのゲート電極を被覆する第一絶縁膜と、前記ゲート電極に対応する前記第一絶縁膜上に設けられた、前記ゲート電極を含む画素トランジスタと、前記ゲート電極に対応しない前記第一絶縁膜上に設けられた第一電極と、前記画素トランジスタを被覆する第二絶縁膜と、前記第一電極上に設けられた有機発光層と、前記有機発光層を覆い前記第一電極と対向する第二電極と、を備えるＥＬパネルの製造方法であって、
前記第一絶縁膜と前記第二絶縁膜のうち少なくとも一方を、前記ゲート電極と前記第一電極との間に相当する部分で、前記基板の面に沿った方向に分断する工程を備えることを特徴とするＥＬパネルの製造方法。
【請求項６】
画素トランジスタと、第一電極及び第二電極に挟まれた有機発光層とを備えたＥＬパネルの製造方法において、
前記画素トランジスタのゲート電極及び前記ゲート電極に接する第一絶縁膜を形成し、
前記第一絶縁膜を分断する導光ストッパを形成することを特徴とするＥＬパネルの製造方法。
【請求項１】
基板上に設けられたゲート電極を被覆する第一絶縁膜と、
前記ゲート電極に対応する前記第一絶縁膜部分に設けられた、そのゲート電極を含む画素トランジスタと、
前記ゲート電極に対応しない前記第一絶縁膜上に設けられた第一電極と、
前記画素トランジスタを被覆する第二絶縁膜と、
前記第一電極上に設けられた有機発光層と、
前記有機発光層を覆い前記第一電極と対向する第二電極と、を備えるＥＬパネルであって、
前記第一絶縁膜と前記第二絶縁膜のうち少なくとも一方は、前記ゲート電極と前記第一電極との間に相当する部分で、前記基板の面に沿った方向に分断されていることを特徴とするＥＬパネル。
【請求項２】
前記第二絶縁膜と前記画素トランジスタを覆う隔壁を備え、
前記隔壁は、前記有機発光層が発光した光を前記画素トランジスタに到達させない遮光性を有することを特徴とする請求項１に記載のＥＬパネル。
【請求項３】
基板と、
前記基板上に設けられたゲート電極を含む画素トランジスタと、
前記基板上に設けられた第一絶縁膜と、
前記第一絶縁膜を分断させ、前記第一絶縁膜内を導光された光を遮断する導光ストッパと、
前記第一絶縁膜上に設けられた第一電極と、
前記第一電極上に設けられた有機発光層と、
前記有機発光層を覆い前記第一電極と対向する第二電極と、
を備えることを特徴とするＥＬパネル。
【請求項４】
前記第一絶縁膜の上方であって、前記画素トランジスタ上に設けられた第二絶縁膜と、
前記第二絶縁膜と前記画素トランジスタを覆う隔壁と、を更に備え、
前記隔壁は、前記有機発光層が発光した光を前記画素トランジスタに到達させない遮光性を有することを特徴とする請求項３に記載のＥＬパネル。
【請求項５】
基板上に設けられた画素トランジスタのゲート電極を被覆する第一絶縁膜と、前記ゲート電極に対応する前記第一絶縁膜上に設けられた、前記ゲート電極を含む画素トランジスタと、前記ゲート電極に対応しない前記第一絶縁膜上に設けられた第一電極と、前記画素トランジスタを被覆する第二絶縁膜と、前記第一電極上に設けられた有機発光層と、前記有機発光層を覆い前記第一電極と対向する第二電極と、を備えるＥＬパネルの製造方法であって、
前記第一絶縁膜と前記第二絶縁膜のうち少なくとも一方を、前記ゲート電極と前記第一電極との間に相当する部分で、前記基板の面に沿った方向に分断する工程を備えることを特徴とするＥＬパネルの製造方法。
【請求項６】
画素トランジスタと、第一電極及び第二電極に挟まれた有機発光層とを備えたＥＬパネルの製造方法において、
前記画素トランジスタのゲート電極及び前記ゲート電極に接する第一絶縁膜を形成し、
前記第一絶縁膜を分断する導光ストッパを形成することを特徴とするＥＬパネルの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２００９−２３８５８０（Ｐ２００９−２３８５８０Ａ）
【公開日】平成２１年１０月１５日（２００９．１０．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−８３１５２（Ｐ２００８−８３１５２）
【出願日】平成２０年３月２７日（２００８．３．２７）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１０月１５日（２００９．１０．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年３月２７日（２００８．３．２７）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
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