ＳＡＷ発振器
【課題】 シーム溶接前後の周波数偏差が小さく、生産性及び信頼性を向上させる。
【解決手段】 平板状の基板部１１と、基板部１１の一方の主面に設けられて凹部を形成する枠部１２と、凹部内の基板部１１上に設けられる搭載部１３と、凹部内の基板部１１上に設けられる緩衝部１４ａと、を備えて構成される素子搭載部材１０と、搭載部１３上に設けられる表面弾性波素子３０と、素子搭載部材１０に搭載される集積回路素子２０と、凹部を塞ぐ蓋部材４０と、を備え、表面弾性波素子３０が片持ち支持され、凹部内の基板部１１上に設けられる。緩衝部１４ａは、搭載部１３の蓋部材側を向く主面の中心を通り凹部の基板部１１の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線ＣＬ１と、凹部の基板部１１の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線ＣＬ２と、が交差する位置に設けられることを特徴とする。
【解決手段】 平板状の基板部１１と、基板部１１の一方の主面に設けられて凹部を形成する枠部１２と、凹部内の基板部１１上に設けられる搭載部１３と、凹部内の基板部１１上に設けられる緩衝部１４ａと、を備えて構成される素子搭載部材１０と、搭載部１３上に設けられる表面弾性波素子３０と、素子搭載部材１０に搭載される集積回路素子２０と、凹部を塞ぐ蓋部材４０と、を備え、表面弾性波素子３０が片持ち支持され、凹部内の基板部１１上に設けられる。緩衝部１４ａは、搭載部１３の蓋部材側を向く主面の中心を通り凹部の基板部１１の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線ＣＬ１と、凹部の基板部１１の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線ＣＬ２と、が交差する位置に設けられることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器に用いられるＳＡＷ発振器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電子機器に組み込まれるタイミングデバイスとして、圧電発振器が幅広く用いられている。
ここでは電子デバイスの一つであるＳＡＷ発振器について説明する。
【０００３】
例えばＳＡＷ発振器は、平板状の基板部と、前記基板部の一方の主面に設けられた凹部を形成し前記基板部側と相対する主面に接合用の金属層が形成される枠部と、凹部内側に露出する基板部上に設けられる搭載部と、凹部内側に露出する基板部上に設けられる緩衝部と、を備えて構成される素子搭載部材と、前記搭載部上に導電性接着剤等を介して設けられる四角形の表面弾性波素子と、前記素子搭載部材に搭載される集積回路素子と、前記凹部を塞ぐ蓋部材と、を備えて構成されている。また、前記表面弾性波素子は、前記搭載部に片持ち状態で搭載される。このとき表面弾性波素子は、一方の主面に櫛形状の電極パターン及び前記電極パターンを挟むように両側に格子状の反射電極パターンが設けられており、他方の主面の自由端側が緩衝部と接触している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平６−２９１５９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来のＳＡＷ発振器は、前記表面弾性波素子を搭載した素子搭載部材と、前記蓋部材とを前記素子搭載部材の枠部に設けられた接合用の金属層を介してシーム溶接にて封止することにより、素子搭載部材の長手方向に反りが発生する。この反りは、素子搭載部材に設けられた緩衝部を押し上げ、緩衝部に接触している表面弾性波素子に応力を与える。ここでこのようなＳＡＷ発振器におけるシーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差（以下、周波数偏差という）を、縦軸に周波数値、横軸に測定項目としたグラフを用いて説明する。（図５（ｂ）を参照）また、例えばグラフ上の上限周波数変動値（以下、上限値という）は、シーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差がプラス方向に最大となった値である。また、グラフ上の下限周波数変動値（以下、下限値という）は、シーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差が上限値より最小となった値である。このとき従来の緩衝部位置での周波数偏差は、上限値＋７．０Ｅ×−０６から下限値−１９．０Ｅ×−０６と、上限値と下限値の幅が大きな値となり、ＳＡＷ発振器の生産性及び信頼性を下げるおそれがある。
【０００６】
そこで、本発明では、前記した問題を解決し、周波数偏差が少なく、生産性及び信頼性を向上させたＳＡＷ発振器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するため、本発明は、平板状の基板部と、前記基板部の一方の主面に設けられて凹部を形成し、前記基板部側と相対する主面に接合用の金属層が形成されている枠部と、凹部内側の基板部上に設けられる搭載部と、凹部内側の基板部上に設けられる緩衝部と、を備えて構成される素子搭載部材と、前記搭載部上に導電性接着剤を介して設けられる四角形の表面弾性波素子と、前記素子搭載部材に搭載される集積回路素子と、前記凹部を塞ぐ蓋部材と、を備え、前記表面弾性波素子が片持ち支持され、前記凹部内側の基板部上に設けられる。例えば前記緩衝部は、前記搭載部の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線と、前記凹部の基板部の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線と、が交差する位置に設けられることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明は、平板状の基板部と、前記基板部の一方の主面に設けられて凹部を形成し、前記基板部側と相対する主面に接合用の金属層が形成されている枠部と、凹部内側の基板部上に設けられる搭載部と、凹部内側の基板部上に設けられる緩衝部と、を備えて構成される素子搭載部材と、前記搭載部上に導電性接着剤を介して設けられる四角形の表面弾性波素子と、前記素子搭載部材に搭載される集積回路素子と、前記凹部を塞ぐ蓋部材と、を備え、前記表面弾性波素子が片持ち支持され、前記凹部内側の基板部上に設けられる。前記緩衝部は、前記搭載部の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線と、前記凹部の基板部の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線と、が交差する位置より前記表面弾性波素子の自由端側に向かい、前記凹部の基板部の長辺寸法の８％ずれた位置にあることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明は、平板状の基板部と、前記基板部の一方の主面に設けられて凹部を形成し、前記基板部側と相対する主面に接合用の金属層が形成されている枠部と、凹部内側の基板部上に設けられる搭載部と、凹部内側の基板部上に設けられる緩衝部と、を備えて構成される素子搭載部材と、前記搭載部上に導電性接着剤を介して設けられる四角形の表面弾性波素子と、前記素子搭載部材に搭載される集積回路素子と、前記凹部を塞ぐ蓋部材と、を備え、前記表面弾性波素子が片持ち支持され、前記凹部内側の基板部上に設けられる。前記緩衝部は、前記搭載部の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線と、前記凹部の基板部の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線と、が交差する位置より前記表面弾性波素子の自由端側に向かい、前記凹部の基板部の長辺寸法の１６％ずれた位置にあることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明は、平板状の基板部と、前記基板部の一方の主面に設けられて凹部を形成し、前記基板部側と相対する主面に接合用の金属層が形成されている枠部と、凹部内側の基板部上に設けられる搭載部と、凹部内側の基板部上に設けられる緩衝部と、を備えて構成される素子搭載部材と、前記搭載部上に導電性接着剤を介して設けられる四角形の表面弾性波素子と、前記素子搭載部材に搭載される集積回路素子と、前記凹部を塞ぐ蓋部材と、を備え、前記表面弾性波素子が片持ち支持され、前記凹部内側の基板部上に設けられる。前記緩衝部は、前記搭載部の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線と、前記凹部の基板部の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線と、が交差する位置から前記表面弾性波素子の自由端側へ、前記凹部の基板部の長辺寸法の１６％ずれた位置までにあることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
このような本発明のＳＡＷ発振器によれば、表面弾性波素子は、素子搭載部材と、蓋部材と、を前記素子搭載部材の枠部に設けられた接合用の金属層を介してシーム溶接にて封止することにより、前記蓋部材が加熱され前記蓋部材と前記素子搭載部材の枠部に設けられた接合用の金属層が溶融し接合される。このとき加熱され溶融した金属部分の熱が冷める事により金属の収縮が起こり、素子搭載部材の長手方向に反りが発生する。この反りは、素子搭載部材に設けられた緩衝部を押し上げることとなるが、緩衝部の位置が、前記搭載部の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線と、前記凹部の基板部の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線と、が交差する位置に設けられているため、前記緩衝部が前記表面弾性波素子を押し上げにくくすることができる。したがって、本発明のＳＡＷ発振器は、シーム溶接後の周波数偏差を小さくすることができ、生産性及び信頼性を向上させることが出来る。
【００１２】
また、本発明のＳＡＷ発振器によれば、表面弾性波素子は、素子搭載部材と、蓋部材と、を前記素子搭載部材の枠部に設けられた接合用の金属層を介してシーム溶接にて封止することにより、前記蓋部材が加熱され前記蓋部材と前記素子搭載部材の枠部に設けられた接合用の金属層が溶融し接合される。このとき加熱され溶融した金属部分の熱が冷める事により金属の収縮が起こり、素子搭載部材の長手方向に反りが発生する。この反りは、素子搭載部材に設けられた緩衝部を押し上げることとなるが、緩衝部の位置が、前記搭載部の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線と、前記凹部の基板部の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線と、が交差する位置より前記表面弾性波素子の自由端側に向かい、前記凹部の基板部の長辺寸法の８％ずれた位置に設けられているため、前記緩衝部が前記表面弾性波素子を押し上げにくくすることができる。したがって、本発明のＳＡＷ発振器は、シーム溶接後の周波数偏差を小さくすることができ、生産性及び信頼性を向上させることが出来る。
【００１３】
また、本発明のＳＡＷ発振器によれば、表面弾性波素子は、素子搭載部材と、蓋部材と、を前記素子搭載部材の枠部に設けられた接合用の金属層を介してシーム溶接にて封止することにより、前記蓋部材が加熱され前記蓋部材と前記素子搭載部材の枠部に設けられた接合用の金属層が溶融し接合される。このとき加熱され溶融した金属部分の熱が冷める事により金属の収縮が起こり、素子搭載部材の長手方向に反りが発生する。この反りは、素子搭載部材に設けられた緩衝部を押し上げることとなるが、緩衝部の位置が、前記搭載部の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線と、前記凹部の基板部の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線と、が交差する位置より前記表面弾性波素子の自由端側に向かい、前記凹部の基板部の長辺寸法の１６％ずれた位置に設けられているため、前記緩衝部が前記表面弾性波素子を押し上げにくくすることができる。したがって、本発明のＳＡＷ発振器は、シーム溶接後の周波数偏差を小さくすることができ、生産性及び信頼性を向上させることが出来る。
【００１４】
また、本発明のＳＡＷ発振器によれば、表面弾性波素子は、素子搭載部材と、蓋部材と、を前記素子搭載部材の枠部に設けられた接合用の金属層を介してシーム溶接にて封止することにより、前記蓋部材が加熱され前記蓋部材と前記素子搭載部材の枠部に設けられた接合用の金属層が溶融し接合される。このとき加熱され溶融した金属部分の熱が冷める事により金属の収縮が起こり、素子搭載部材の長手方向に反りが発生する。この反りは、素子搭載部材に設けられた緩衝部を押し上げることとなるが、緩衝部の位置が、前記搭載部の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線と、前記凹部の基板部の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線と、が交差する位置から前記表面弾性波素子の自由端側へ、前記凹部の基板部の長辺寸法の１６％ずれた位置までに設けられているため、前記緩衝部が前記表面弾性波素子を押し上げにくくすることができる。したがって、本発明のＳＡＷ発振器は、シーム溶接後の周波数偏差を小さくすることができ、生産性及び信頼性を向上させることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ発振器の一例を示す分解斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ発振器に用いられる素子搭載部材の模式図である。
【図３】本発明の実施形態に係るＳＡＷ発振器の一例を示す断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係るＳＡＷ発振器に用いられる素子搭載部材の模式図である。
【図５】本発明の第３の実施形態に係るＳＡＷ発振器に用いられる素子搭載部材の模式図である。
【図６】ＳＡＷ発振器におけるシーム溶接前の周波数とシーム溶接後の周波数との差のグラフであり、（ａ）は第１実施形態における周波数偏差のグラフであり、（ｂ）は第２実施形態における周波数偏差のグラフであり、（ｃ）は第３実施形態における周波数偏差のグラフである。
【図７】従来の形態に係るＳＡＷ発振器の一例を示し、（ａ）はＳＡＷ発振器の断面図であり、（ｂ）はＳＡＷ発振器における素子搭載部材の模式平面図であり、（ｃ）は従来位置における周波数偏差のグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明を実施するための最良の形態（以下、「実施形態」という）について、適宜図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各構成要素について、状態をわかりやすくするために、誇張して図示している。
【００１７】
（第１の実施形態）
図１及び図２に示すように、本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ発振器１００は、凹部を有し凹部内側に形成される緩衝部１４ａを備える素子搭載部材１０と、前記素子搭載部材１０の凹部内側に搭載される表面弾性波素子３０と、前記素子搭載部材１０の凹部内側に搭載される集積回路素子２０と、凹部を塞ぐ蓋部材４０とから主に構成されている。
【００１８】
素子搭載部材１０は、平板状の基板部１１と、前記基板部１１の一方の主面に設けられて凹部を形成する枠部１２と、凹部内側の基板部上に設けられる搭載部１３と、凹部内側の基板部上に設けられる緩衝部１４ａと、から形成されている。
【００１９】
基板部１１は、例えばアルミナセラミックス等のセラミックス材料よりなり、前記基板部１１の一方の主面に形成された集積回路素子搭載パッド（図示せず）及び基板内部には所定の配線導体が形成され、他方の主面に外部端子（図示せず）が形成されている。
【００２０】
枠部１２は、前記基板部１１と同様にアルミナセラミックス等のセラミックス材料よりなり、前記基板部１１の一方の主面に設けられて凹部を形成している。また、枠部１２は、前記基板部側と相対する主面に接合用の金属層１６が形成されている。
【００２１】
搭載部１３は、例えばアルミナセラミックス等のセラミックス材料よりなり、凹部内側の基板部上において所定の隅部に位置している。また、搭載部１３は、例えば平面視において四角形の形状で形成されており、所定の厚さを有している。この搭載部１３は、表面弾性波素子３０を搭載するために用いられる。
【００２２】
緩衝部１４ａは、例えばシリコン系の材料よりなり、凹部内側の基板部１１上に設けられる。例えば前記緩衝部１４ａは、前記搭載部１３の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部１１の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線ＣＬ１と、前記凹部の基板部１１の主面上において２つの凹部内の長辺の中心を通る第２の中心線ＣＬ２と、が交差する位置に設けられている。
【００２３】
表面弾性波素子３０は、圧電素子と、前記圧電素子の一方の主面上に形成された電極パターンと、前記電極パターンと同一面上に形成された反射電極パターンとから構成されており、前記圧電素子の他方の主面上に前記電極パターン及び前記反射電極パターンが形成されていない。また、前記表面弾性波素子３０は、前記搭載部１３上に他方の主面を前記搭載部１３側に向けて、導電性接着剤１５を介して機械的に片持ち支持されている。また、前記電極パターンは、前記圧電素子の一方の主面上の中央部に櫛型状に形成されている。また、前記反射電極パターンは、前記電極パターンが形成されている同一面上に、前記電極パターンを挟むように両側に位置し格子状に形成されている。このとき、表面弾性波素子３０は、前記搭載部１３に搭載された場合、前記表面弾性波素子３０の一方の主面が前記緩衝部１４ａと対向するようになっている。
【００２４】
集積回路素子２０は、凹部内側の基板部上に前記表面弾性波素子３０と相対する位置に設けられている。また、集積回路素子２０は、前記表面弾性波素子３０とワイヤーボンディングにより電気的に接続され、（図示せず）前記基板部１１の一方の主面に形成された集積回路素子搭載パッドと電気的に接続されている。（図示せず）また、集積回路素子２０は、前記表面弾性波素子３０の振動に基づいて発信出力を制御している。また、この集積回路素子２０は、凹部内側の基板部１１上であって、前記表面弾性波素子３０と前記搭載部１３と、ともに前記基板部１１に設けられている。
【００２５】
蓋部材４０は、例えば金属材料よりなり、四角形の金属から形成されている。また、蓋部材４０は、前記素子搭載部材１０と前記素子搭載部材１０の枠部１２に設けられた接合用の金属層１６を介してシーム溶接で接合される。
【００２６】
シーム溶接は、溶接部に大電流を流し溶接部を加熱させ圧力を加えながら行う溶接方法である。
【００２７】
図２及び図３に示すように、前記素子搭載部材１０と前記蓋部材４０とを前記素子搭載部材１０の枠部１２に設けられた接合用の金属層１６を介してシーム溶接することにより、前記蓋部材４０が加熱され前記蓋部材４０と前記素子搭載部材１０の枠部１２に設けられた接合用の金属層１６が溶融し接合される。このとき加熱され溶融した金属部分の熱が冷める事により金属の収縮が起こり、前記素子搭載部材１０の長手方向に反りが発生する。この反りは、前記素子搭載部材１０に設けられた前記緩衝部１４ａを押し上げるが、前記搭載部１３の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部１１の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線ＣＬ１と、前記凹部の基板部１１の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線ＣＬ２と、が交差する位置に設けられているため、前記表面弾性波素子３０は、前記緩衝部１４ａによる応力を受けにくくなる。
【００２８】
また、図６（ａ）のグラフは、第１の実施形態でのＳＡＷ発振器のシーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差（以下、周波数偏差という）を、縦軸に周波数値、横軸に測定項目で表したグラフである。また、例えばグラフ上の上限周波数変動値（以下、上限値という）は、シーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差がプラス方向に最大となった値である。また、グラフ上の下限周波数変動値（以下、下限値という）は、シーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差が上限値より最小となった値である。このときこの図６（ａ）に示すように、周波数偏差は、上限値＋７．０Ｅ×−０６から下限値＋０．５Ｅ×−０６であり、図７（ｂ）の従来の緩衝部位置２１４での周波数偏差である上限値＋７．０Ｅ×−０６から下限値−１９．０Ｅ×−０６と比べると、第１の実施形態位置での上限値と下限値の幅が従来の緩衝部位置での上限値と下限値の幅よりも第１の実施形態位置の方の幅が小さくなる。したがって第１の実施形態は、ＳＡＷ発振器の生産性及び信頼性を向上させることが可能となる。
【００２９】
（第２の実施形態）
図１及び図４に示すように、本発明の第２の実施形態に係るＳＡＷ発振器１００は、凹部を有し凹部内側に形成される緩衝部１４ｂを備える素子搭載部材１０と、前記素子搭載部材１０の凹部内側に搭載される表面弾性波素子３０と、前記素子搭載部材１０の凹部内側に搭載される集積回路素子２０と、凹部を塞ぐ蓋部材４０とから主に構成されている。
【００３０】
素子搭載部材１０は、平板状の基板部１１と、前記基板部１１の一方の主面に設けられて凹部を形成する枠部１２と、凹部内側の基板部上に設けられる搭載部１３と、凹部内側の基板部上に設けられる緩衝部１４ｂと、から形成されている。
【００３１】
基板部１１は、例えばアルミナセラミックス等のセラミックス材料よりなり、前記基板部１１の一方の主面に形成された集積回路素子搭載パッド（図示せず）及び基板内部には所定の配線導体が形成され、他方の主面に外部端子（図示せず）が形成されている。
【００３２】
枠部１２は、前記基板部１１と同様にアルミナセラミックス等のセラミックス材料よりなり、前記基板部１１の一方の主面に設けられて凹部を形成している。また、枠部１２は、前記基板部側と相対する主面に接合用の金属層１６が形成されている。
【００３３】
搭載部１３は、例えばアルミナセラミックス等のセラミックス材料よりなり、凹部内側の基板部上において所定の隅部に位置している。また、搭載部１３は、例えば平面視において四角形の形状で形成されており、所定の厚さを有している。この搭載部１３は、表面弾性波素子３０を搭載するために用いられる。
【００３４】
緩衝部１４ｂは、例えばシリコン系の材料よりなり、凹部内側の基板部１１上に設けられる。例えば前記緩衝部１４ｂは、前記搭載部１３の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部１１の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線ＣＬ１と、前記凹部の基板部１１の主面上において２つの凹部内の長辺の中心を通る第２の中心線ＣＬ２と、が交差する位置より前記表面弾性波素子３０の自由端側に向かい、前記凹部の基板部１１において長辺寸法の８％ずれた位置になっている。
【００３５】
表面弾性波素子３０は、圧電素子と、前記圧電素子の一方の主面上に形成された電極パターンと、前記電極パターンと同一面上に形成された反射電極パターンとから構成されており、前記圧電素子の他方の主面上に前記電極パターン及び前記反射電極パターンが形成されていない。また、前記表面弾性波素子３０は、前記搭載部１３上に他方の主面を前記搭載部１３側に向けて、導電性接着剤１５を介して機械的に片持ち支持されている。また、前記電極パターンは、前記圧電素子の一方の主面上の中央部に櫛型状に形成されている。また、前記反射電極パターンは、前記電極パターンが形成されている同一面上に、前記電極パターンを挟むように両側に位置し格子状に形成されている。このとき、表面弾性波素子３０は、前記搭載部１３に搭載された場合、前記表面弾性波素子３０の一方の主面が前記緩衝部１４ｂと対向するようになっている。
【００３６】
集積回路素子２０は、凹部内側の基板部上に前記表面弾性波素子３０と相対する位置に設けられている。また、集積回路素子２０は、前記表面弾性波素子３０とワイヤーボンディングにより電気的に接続され、（図示せず）前記基板部１１の一方の主面に形成された集積回路素子搭載パッドと電気的に接続されている。（図示せず）また、集積回路素子２０は、前記表面弾性波素子３０の振動に基づいて発信出力を制御している。また、この集積回路素子２０は、凹部内側の基板部１１上であって、前記表面弾性波素子３０と前記搭載部１３と、ともに前記基板部１１に設けられている。
【００３７】
蓋部材４０は、例えば金属材料よりなり、四角形の金属から形成されている。また、蓋部材４０は、前記素子搭載部材１０と前記素子搭載部材１０の枠部１２に設けられた接合用の金属層１６を介してシーム溶接で接合される。
【００３８】
シーム溶接は、溶接部に大電流を流し溶接部を加熱させ圧力を加えながら行う溶接方法である。
【００３９】
図３及び図４に示すように、前記素子搭載部材１０と前記蓋部材４０とを前記素子搭載部材１０の枠部１２に設けられた接合用の金属層１６を介してシーム溶接することにより、前記蓋部材４０が加熱され前記蓋部材４０と前記素子搭載部材１０の枠部１２に設けられた接合用の金属層１６が溶融し接合される。このとき加熱され溶融した金属部分の熱が冷める事により金属の収縮が起こり、前記素子搭載部材１０の長手方向に反りが発生する。この反りは、前記素子搭載部材１０に設けられた前記緩衝部１４ｂを押し上げるが、前記搭載部１３の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部１１の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線ＣＬ１と、前記凹部の基板部１１の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線ＣＬ２と、が交差する位置より前記表面弾性波素子３０の自由端側に向かい、前記凹部の基板部１１の長辺寸法の８％ずれた位置になっているため、前記表面弾性波素子３０は、前記緩衝部１４ｂによる応力を受けにくくなる。
【００４０】
また、図６（ｂ）のグラフは、第２の実施形態でのＳＡＷ発振器のシーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差（以下、周波数偏差という）を、縦軸に周波数値、横軸に測定項目で表したグラフである。また、例えばグラフ上の上限周波数変動値（以下、上限値という）は、シーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差がプラス方向に最大となった値である。また、グラフ上の下限周波数変動値（以下、下限値という）は、シーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差が上限値より最小となった値である。このときこの図６（ｂ）に示すように、周波数偏差は、上限値＋５．０Ｅ×−０６から下限値−１．５Ｅ×−０６であり、図７（ｂ）の従来の緩衝部位置２１４での周波数偏差である上限値＋７．０Ｅ×−０６から下限値−１９．０Ｅ×−０６と比べると、第２の実施形態位置での上限値と下限値の幅が従来の緩衝部位置での上限値と下限値の幅よりも第２の実施形態位置の方の幅が小さくなる。したがって第２の実施形態は、ＳＡＷ発振器の生産性及び信頼性を向上させることが可能となる。
【００４１】
このように本発明の第２の実施形態に係る緩衝部１４ｂの位置においても、第１の実施形態と同等の効果を奏する。
【００４２】
（第３の実施形態）
図１及び図５に示すように、本発明の第３の実施形態に係るＳＡＷ発振器１００は、凹部を有し凹部内側に形成される緩衝部１４ｃを備える素子搭載部材１０と、前記素子搭載部材１０の凹部内側に搭載される表面弾性波素子３０と、前記素子搭載部材１０の凹部内側に搭載される集積回路素子２０と、凹部を塞ぐ蓋部材４０とから主に構成されている。
【００４３】
素子搭載部材１０は、平板状の基板部１１と、前記基板部１１の一方の主面に設けられて凹部を形成する枠部１２と、凹部内側の基板部上に設けられる搭載部１３と、凹部内側の基板部上に設けられる緩衝部１４ｃと、から形成されている。
【００４４】
基板部１１は、例えばアルミナセラミックス等のセラミックス材料よりなり、前記基板部１１の一方の主面に形成された集積回路素子搭載パッド（図示せず）及び基板内部には所定の配線導体が形成され、他方の主面に外部端子（図示せず）が形成されている。
【００４５】
枠部１２は、前記基板部１１と同様にアルミナセラミックス等のセラミックス材料よりなり、前記基板部１１の一方の主面に設けられて凹部を形成している。また、枠部１２は、前記基板部側と相対する主面に接合用の金属層１６が形成されている。
【００４６】
搭載部１３は、例えばアルミナセラミックス等のセラミックス材料よりなり、凹部内側の基板部上において所定の隅部に位置している。また、搭載部１３は、例えば平面視において四角形の形状で形成されており、所定の厚さを有している。この搭載部１３は、表面弾性波素子３０を搭載するために用いられる。
【００４７】
緩衝部１４ｃは、例えばシリコン系の材料よりなり、凹部内側の基板部１１上に設けられる。例えば前記緩衝部１４ｃは、前記搭載部１３の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部１１の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線ＣＬ１と、前記凹部の基板部１１の主面上において２つの凹部内の長辺の中心を通る第２の中心線ＣＬ２と、が交差する位置より前記表面弾性波素子３０の自由端側に向かい、前記凹部の基板部１１において長辺寸法の１６％ずれた位置になっている。
【００４８】
表面弾性波素子３０は、圧電素子と、前記圧電素子の一方の主面上に形成された電極パターンと、前記電極パターンと同一面上に形成された反射電極パターンとから構成されており、前記圧電素子の他方の主面上に前記電極パターン及び前記反射電極パターンが形成されていない。また、前記表面弾性波素子３０は、前記搭載部１３上に他方の主面を前記搭載部１３側に向けて、導電性接着剤１５を介して機械的に片持ち支持されている。また、前記電極パターンは、前記圧電素子の一方の主面上の中央部に櫛型状に形成されている。
また、前記反射電極パターンは、前記電極パターンが形成されている同一面上に、前記電極パターンを挟むように両側に位置し格子状に形成されている。このとき、表面弾性波素子３０は、前記搭載部１３に搭載された場合、前記表面弾性波素子３０の一方の主面が前記緩衝部１４ｃと対向するようになっている。
【００４９】
集積回路素子２０は、凹部内側の基板部上に前記表面弾性波素子３０と相対する位置に設けられている。また、集積回路素子２０は、前記表面弾性波素子３０とワイヤーボンディングにより電気的に接続され、（図示せず）前記基板部１１の一方の主面に形成された集積回路素子搭載パッドと電気的に接続されている。（図示せず）また、集積回路素子２０は、前記表面弾性波素子３０の振動に基づいて発信出力を制御している。また、この集積回路素子２０は、凹部内側の基板部１１上であって、前記表面弾性波素子３０と前記搭載部１３と、ともに前記基板部１１に設けられている。
【００５０】
蓋部材４０は、例えば金属材料よりなり、四角形の金属から形成されている。また、蓋部材４０は、前記素子搭載部材１０と前記素子搭載部材１０の枠部１２に設けられた接合用の金属層１６を介してシーム溶接で接合される。
【００５１】
シーム溶接は、溶接部に大電流を流し溶接部を加熱させ圧力を加えながら行う溶接方法である。
【００５２】
図３及び図５に示すように、前記素子搭載部材１０と前記蓋部材４０とを前記素子搭載部材１０の枠部１２に設けられた接合用の金属層１６を介してシーム溶接することにより、前記蓋部材４０が加熱され前記蓋部材４０と前記素子搭載部材１０の枠部１２に設けられた接合用の金属層１６が溶融し接合される。このとき加熱され溶融した金属部分の熱が冷める事により金属の収縮が起こり、前記素子搭載部材１０の長手方向に反りが発生する。この反りは、前記素子搭載部材１０に設けられた前記緩衝部１４ｃを押し上げるが、前記搭載部１３の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部１１の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線ＣＬ１と、前記凹部の基板部１１の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線ＣＬ２と、が交差する位置より前記表面弾性波素子３０の自由端側に向かい、前記凹部の基板部１１の長辺寸法の１６％ずれた位置になっているため、前記表面弾性波素子３０は、前記緩衝部１４ｃによる応力を受けにくくなる。なお、前記緩衝部１４ｃが前記凹部の基板部１１の長辺寸法の１６％をこえて自由端側に位置すると、前記素子搭載部材１０の長手方向の反りにより前記緩衝部１４ｃを押し上げ、前記緩衝部１４ｃに接触している前記表面弾性波素子３０に応力をあたえる。
【００５３】
また、図６（ｃ）のグラフは、第３の実施形態でのＳＡＷ発振器のシーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差（以下、周波数偏差という）を、縦軸に周波数値、横軸に測定項目で表したグラフである。また、例えばグラフ上の上限周波数変動値（以下、上限値という）は、シーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差がプラス方向に最大となった値である。また、グラフ上の下限周波数変動値（以下、下限値という）は、シーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差が上限値より最小となった値である。このときこの図６（ｃ）に示すように、周波数偏差は、上限値＋６．０Ｅ×−０６から下限値−２．５Ｅ×−０６であり、図７（ｂ）の従来の緩衝部位置２１４での周波数偏差である上限値＋７．０Ｅ×−０６から下限値−１９．０Ｅ×−０６と比べると、第３の実施形態位置での上限値と下限値の幅が従来の緩衝部位置での上限値と下限値の幅よりも第３の実施形態位置の方の幅が小さくなる。したがって第３の実施形態は、ＳＡＷ発振器の生産性及び信頼性を向上させることが可能となる。
【００５４】
このように本発明の第３の実施形態に係る緩衝部１４ｃの位置においても、第１の実施形態と同等の効果を奏する。
【００５５】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、前記実施形態には限定されない。例えば本実施形態では、表面弾性波素子の振動に基づいて発信出力を制御する集積回路素子（ＩＣ）を搭載しているが、搭載させなくとも良い。また、本発明は、シーム溶接で説明をしたが、例えばガラス封止やレーザー封止などの接合部を加熱し接合させる封止方法でも同様の効果が得られる。
【００５６】
(変形例)
本発明の第１の実施形態から第３の実施形態に係るＳＡＷ発振器１００は、緩衝部１４ａが、前記搭載部１３の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部１１の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線ＣＬ１と、前記凹部の基板部１１の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線ＣＬ２と、が交差する位置から前記表面弾性波素子３０の自由端側へ、前記凹部の基板部１１の長辺寸法の１６％ずれた位置までにあっても、第１の実施形態、第２の実施形態、第３の実施形態と同様の効果が得られる。
すなわち、本発明のＳＡＷ発振器１００によれば、表面弾性波素子３０は、素子搭載部材１０と、蓋部材４０と、を前記素子搭載部材１０の枠部に設けられた接合用の金属層を介してシーム溶接にて封止することにより、前記蓋部材４０が加熱され前記蓋部材４０と前記素子搭載部材１０の枠部に設けられた接合用の金属層が溶融し接合される。このとき加熱され溶融した金属部分の熱が冷める事により金属の収縮が起こり、素子搭載部材１０の長手方向に反りが発生する。この反りは、素子搭載部材１０に設けられた緩衝部１４ａを押し上げることとなるが、緩衝部の位置が、前記搭載部１３の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線ＣＬ１と、前記凹部の基板部の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線ＣＬ２と、が交差する位置から前記表面弾性波素子３０の自由端側へ、前記凹部の基板部の長辺寸法の１６％ずれた位置までに設けられているため、前記緩衝部１４ａが前記表面弾性波素子を押し上げにくくすることができる。したがって、本発明のＳＡＷ発振器は、シーム溶接後の周波数偏差を小さくすることができ、生産性及び信頼性を向上させることが出来る。
【符号の説明】
【００５７】
１００、２００ ＳＡＷ発振器
１０、２１０ 素子搭載部材
１１、２１１ 基板部
１２、２１２ 枠部
１３、２１３ 搭載部
１５、２１５ 導電性接着剤
１６、２１６ 接合用の金属層
２０、２２０ 集積回路素子
３０、２３０ 表面弾性波素子
４０、２４０ 蓋部材
１４ａ 第１実施例
１４ｂ 第２実施例
１４ｃ 第３実施例
２１４ 従来の位置
ＣＬ１、ＣＬ２ 中心線
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器に用いられるＳＡＷ発振器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電子機器に組み込まれるタイミングデバイスとして、圧電発振器が幅広く用いられている。
ここでは電子デバイスの一つであるＳＡＷ発振器について説明する。
【０００３】
例えばＳＡＷ発振器は、平板状の基板部と、前記基板部の一方の主面に設けられた凹部を形成し前記基板部側と相対する主面に接合用の金属層が形成される枠部と、凹部内側に露出する基板部上に設けられる搭載部と、凹部内側に露出する基板部上に設けられる緩衝部と、を備えて構成される素子搭載部材と、前記搭載部上に導電性接着剤等を介して設けられる四角形の表面弾性波素子と、前記素子搭載部材に搭載される集積回路素子と、前記凹部を塞ぐ蓋部材と、を備えて構成されている。また、前記表面弾性波素子は、前記搭載部に片持ち状態で搭載される。このとき表面弾性波素子は、一方の主面に櫛形状の電極パターン及び前記電極パターンを挟むように両側に格子状の反射電極パターンが設けられており、他方の主面の自由端側が緩衝部と接触している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平６−２９１５９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来のＳＡＷ発振器は、前記表面弾性波素子を搭載した素子搭載部材と、前記蓋部材とを前記素子搭載部材の枠部に設けられた接合用の金属層を介してシーム溶接にて封止することにより、素子搭載部材の長手方向に反りが発生する。この反りは、素子搭載部材に設けられた緩衝部を押し上げ、緩衝部に接触している表面弾性波素子に応力を与える。ここでこのようなＳＡＷ発振器におけるシーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差（以下、周波数偏差という）を、縦軸に周波数値、横軸に測定項目としたグラフを用いて説明する。（図５（ｂ）を参照）また、例えばグラフ上の上限周波数変動値（以下、上限値という）は、シーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差がプラス方向に最大となった値である。また、グラフ上の下限周波数変動値（以下、下限値という）は、シーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差が上限値より最小となった値である。このとき従来の緩衝部位置での周波数偏差は、上限値＋７．０Ｅ×−０６から下限値−１９．０Ｅ×−０６と、上限値と下限値の幅が大きな値となり、ＳＡＷ発振器の生産性及び信頼性を下げるおそれがある。
【０００６】
そこで、本発明では、前記した問題を解決し、周波数偏差が少なく、生産性及び信頼性を向上させたＳＡＷ発振器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するため、本発明は、平板状の基板部と、前記基板部の一方の主面に設けられて凹部を形成し、前記基板部側と相対する主面に接合用の金属層が形成されている枠部と、凹部内側の基板部上に設けられる搭載部と、凹部内側の基板部上に設けられる緩衝部と、を備えて構成される素子搭載部材と、前記搭載部上に導電性接着剤を介して設けられる四角形の表面弾性波素子と、前記素子搭載部材に搭載される集積回路素子と、前記凹部を塞ぐ蓋部材と、を備え、前記表面弾性波素子が片持ち支持され、前記凹部内側の基板部上に設けられる。例えば前記緩衝部は、前記搭載部の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線と、前記凹部の基板部の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線と、が交差する位置に設けられることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明は、平板状の基板部と、前記基板部の一方の主面に設けられて凹部を形成し、前記基板部側と相対する主面に接合用の金属層が形成されている枠部と、凹部内側の基板部上に設けられる搭載部と、凹部内側の基板部上に設けられる緩衝部と、を備えて構成される素子搭載部材と、前記搭載部上に導電性接着剤を介して設けられる四角形の表面弾性波素子と、前記素子搭載部材に搭載される集積回路素子と、前記凹部を塞ぐ蓋部材と、を備え、前記表面弾性波素子が片持ち支持され、前記凹部内側の基板部上に設けられる。前記緩衝部は、前記搭載部の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線と、前記凹部の基板部の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線と、が交差する位置より前記表面弾性波素子の自由端側に向かい、前記凹部の基板部の長辺寸法の８％ずれた位置にあることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明は、平板状の基板部と、前記基板部の一方の主面に設けられて凹部を形成し、前記基板部側と相対する主面に接合用の金属層が形成されている枠部と、凹部内側の基板部上に設けられる搭載部と、凹部内側の基板部上に設けられる緩衝部と、を備えて構成される素子搭載部材と、前記搭載部上に導電性接着剤を介して設けられる四角形の表面弾性波素子と、前記素子搭載部材に搭載される集積回路素子と、前記凹部を塞ぐ蓋部材と、を備え、前記表面弾性波素子が片持ち支持され、前記凹部内側の基板部上に設けられる。前記緩衝部は、前記搭載部の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線と、前記凹部の基板部の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線と、が交差する位置より前記表面弾性波素子の自由端側に向かい、前記凹部の基板部の長辺寸法の１６％ずれた位置にあることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明は、平板状の基板部と、前記基板部の一方の主面に設けられて凹部を形成し、前記基板部側と相対する主面に接合用の金属層が形成されている枠部と、凹部内側の基板部上に設けられる搭載部と、凹部内側の基板部上に設けられる緩衝部と、を備えて構成される素子搭載部材と、前記搭載部上に導電性接着剤を介して設けられる四角形の表面弾性波素子と、前記素子搭載部材に搭載される集積回路素子と、前記凹部を塞ぐ蓋部材と、を備え、前記表面弾性波素子が片持ち支持され、前記凹部内側の基板部上に設けられる。前記緩衝部は、前記搭載部の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線と、前記凹部の基板部の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線と、が交差する位置から前記表面弾性波素子の自由端側へ、前記凹部の基板部の長辺寸法の１６％ずれた位置までにあることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
このような本発明のＳＡＷ発振器によれば、表面弾性波素子は、素子搭載部材と、蓋部材と、を前記素子搭載部材の枠部に設けられた接合用の金属層を介してシーム溶接にて封止することにより、前記蓋部材が加熱され前記蓋部材と前記素子搭載部材の枠部に設けられた接合用の金属層が溶融し接合される。このとき加熱され溶融した金属部分の熱が冷める事により金属の収縮が起こり、素子搭載部材の長手方向に反りが発生する。この反りは、素子搭載部材に設けられた緩衝部を押し上げることとなるが、緩衝部の位置が、前記搭載部の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線と、前記凹部の基板部の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線と、が交差する位置に設けられているため、前記緩衝部が前記表面弾性波素子を押し上げにくくすることができる。したがって、本発明のＳＡＷ発振器は、シーム溶接後の周波数偏差を小さくすることができ、生産性及び信頼性を向上させることが出来る。
【００１２】
また、本発明のＳＡＷ発振器によれば、表面弾性波素子は、素子搭載部材と、蓋部材と、を前記素子搭載部材の枠部に設けられた接合用の金属層を介してシーム溶接にて封止することにより、前記蓋部材が加熱され前記蓋部材と前記素子搭載部材の枠部に設けられた接合用の金属層が溶融し接合される。このとき加熱され溶融した金属部分の熱が冷める事により金属の収縮が起こり、素子搭載部材の長手方向に反りが発生する。この反りは、素子搭載部材に設けられた緩衝部を押し上げることとなるが、緩衝部の位置が、前記搭載部の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線と、前記凹部の基板部の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線と、が交差する位置より前記表面弾性波素子の自由端側に向かい、前記凹部の基板部の長辺寸法の８％ずれた位置に設けられているため、前記緩衝部が前記表面弾性波素子を押し上げにくくすることができる。したがって、本発明のＳＡＷ発振器は、シーム溶接後の周波数偏差を小さくすることができ、生産性及び信頼性を向上させることが出来る。
【００１３】
また、本発明のＳＡＷ発振器によれば、表面弾性波素子は、素子搭載部材と、蓋部材と、を前記素子搭載部材の枠部に設けられた接合用の金属層を介してシーム溶接にて封止することにより、前記蓋部材が加熱され前記蓋部材と前記素子搭載部材の枠部に設けられた接合用の金属層が溶融し接合される。このとき加熱され溶融した金属部分の熱が冷める事により金属の収縮が起こり、素子搭載部材の長手方向に反りが発生する。この反りは、素子搭載部材に設けられた緩衝部を押し上げることとなるが、緩衝部の位置が、前記搭載部の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線と、前記凹部の基板部の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線と、が交差する位置より前記表面弾性波素子の自由端側に向かい、前記凹部の基板部の長辺寸法の１６％ずれた位置に設けられているため、前記緩衝部が前記表面弾性波素子を押し上げにくくすることができる。したがって、本発明のＳＡＷ発振器は、シーム溶接後の周波数偏差を小さくすることができ、生産性及び信頼性を向上させることが出来る。
【００１４】
また、本発明のＳＡＷ発振器によれば、表面弾性波素子は、素子搭載部材と、蓋部材と、を前記素子搭載部材の枠部に設けられた接合用の金属層を介してシーム溶接にて封止することにより、前記蓋部材が加熱され前記蓋部材と前記素子搭載部材の枠部に設けられた接合用の金属層が溶融し接合される。このとき加熱され溶融した金属部分の熱が冷める事により金属の収縮が起こり、素子搭載部材の長手方向に反りが発生する。この反りは、素子搭載部材に設けられた緩衝部を押し上げることとなるが、緩衝部の位置が、前記搭載部の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線と、前記凹部の基板部の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線と、が交差する位置から前記表面弾性波素子の自由端側へ、前記凹部の基板部の長辺寸法の１６％ずれた位置までに設けられているため、前記緩衝部が前記表面弾性波素子を押し上げにくくすることができる。したがって、本発明のＳＡＷ発振器は、シーム溶接後の周波数偏差を小さくすることができ、生産性及び信頼性を向上させることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ発振器の一例を示す分解斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ発振器に用いられる素子搭載部材の模式図である。
【図３】本発明の実施形態に係るＳＡＷ発振器の一例を示す断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係るＳＡＷ発振器に用いられる素子搭載部材の模式図である。
【図５】本発明の第３の実施形態に係るＳＡＷ発振器に用いられる素子搭載部材の模式図である。
【図６】ＳＡＷ発振器におけるシーム溶接前の周波数とシーム溶接後の周波数との差のグラフであり、（ａ）は第１実施形態における周波数偏差のグラフであり、（ｂ）は第２実施形態における周波数偏差のグラフであり、（ｃ）は第３実施形態における周波数偏差のグラフである。
【図７】従来の形態に係るＳＡＷ発振器の一例を示し、（ａ）はＳＡＷ発振器の断面図であり、（ｂ）はＳＡＷ発振器における素子搭載部材の模式平面図であり、（ｃ）は従来位置における周波数偏差のグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明を実施するための最良の形態（以下、「実施形態」という）について、適宜図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各構成要素について、状態をわかりやすくするために、誇張して図示している。
【００１７】
（第１の実施形態）
図１及び図２に示すように、本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ発振器１００は、凹部を有し凹部内側に形成される緩衝部１４ａを備える素子搭載部材１０と、前記素子搭載部材１０の凹部内側に搭載される表面弾性波素子３０と、前記素子搭載部材１０の凹部内側に搭載される集積回路素子２０と、凹部を塞ぐ蓋部材４０とから主に構成されている。
【００１８】
素子搭載部材１０は、平板状の基板部１１と、前記基板部１１の一方の主面に設けられて凹部を形成する枠部１２と、凹部内側の基板部上に設けられる搭載部１３と、凹部内側の基板部上に設けられる緩衝部１４ａと、から形成されている。
【００１９】
基板部１１は、例えばアルミナセラミックス等のセラミックス材料よりなり、前記基板部１１の一方の主面に形成された集積回路素子搭載パッド（図示せず）及び基板内部には所定の配線導体が形成され、他方の主面に外部端子（図示せず）が形成されている。
【００２０】
枠部１２は、前記基板部１１と同様にアルミナセラミックス等のセラミックス材料よりなり、前記基板部１１の一方の主面に設けられて凹部を形成している。また、枠部１２は、前記基板部側と相対する主面に接合用の金属層１６が形成されている。
【００２１】
搭載部１３は、例えばアルミナセラミックス等のセラミックス材料よりなり、凹部内側の基板部上において所定の隅部に位置している。また、搭載部１３は、例えば平面視において四角形の形状で形成されており、所定の厚さを有している。この搭載部１３は、表面弾性波素子３０を搭載するために用いられる。
【００２２】
緩衝部１４ａは、例えばシリコン系の材料よりなり、凹部内側の基板部１１上に設けられる。例えば前記緩衝部１４ａは、前記搭載部１３の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部１１の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線ＣＬ１と、前記凹部の基板部１１の主面上において２つの凹部内の長辺の中心を通る第２の中心線ＣＬ２と、が交差する位置に設けられている。
【００２３】
表面弾性波素子３０は、圧電素子と、前記圧電素子の一方の主面上に形成された電極パターンと、前記電極パターンと同一面上に形成された反射電極パターンとから構成されており、前記圧電素子の他方の主面上に前記電極パターン及び前記反射電極パターンが形成されていない。また、前記表面弾性波素子３０は、前記搭載部１３上に他方の主面を前記搭載部１３側に向けて、導電性接着剤１５を介して機械的に片持ち支持されている。また、前記電極パターンは、前記圧電素子の一方の主面上の中央部に櫛型状に形成されている。また、前記反射電極パターンは、前記電極パターンが形成されている同一面上に、前記電極パターンを挟むように両側に位置し格子状に形成されている。このとき、表面弾性波素子３０は、前記搭載部１３に搭載された場合、前記表面弾性波素子３０の一方の主面が前記緩衝部１４ａと対向するようになっている。
【００２４】
集積回路素子２０は、凹部内側の基板部上に前記表面弾性波素子３０と相対する位置に設けられている。また、集積回路素子２０は、前記表面弾性波素子３０とワイヤーボンディングにより電気的に接続され、（図示せず）前記基板部１１の一方の主面に形成された集積回路素子搭載パッドと電気的に接続されている。（図示せず）また、集積回路素子２０は、前記表面弾性波素子３０の振動に基づいて発信出力を制御している。また、この集積回路素子２０は、凹部内側の基板部１１上であって、前記表面弾性波素子３０と前記搭載部１３と、ともに前記基板部１１に設けられている。
【００２５】
蓋部材４０は、例えば金属材料よりなり、四角形の金属から形成されている。また、蓋部材４０は、前記素子搭載部材１０と前記素子搭載部材１０の枠部１２に設けられた接合用の金属層１６を介してシーム溶接で接合される。
【００２６】
シーム溶接は、溶接部に大電流を流し溶接部を加熱させ圧力を加えながら行う溶接方法である。
【００２７】
図２及び図３に示すように、前記素子搭載部材１０と前記蓋部材４０とを前記素子搭載部材１０の枠部１２に設けられた接合用の金属層１６を介してシーム溶接することにより、前記蓋部材４０が加熱され前記蓋部材４０と前記素子搭載部材１０の枠部１２に設けられた接合用の金属層１６が溶融し接合される。このとき加熱され溶融した金属部分の熱が冷める事により金属の収縮が起こり、前記素子搭載部材１０の長手方向に反りが発生する。この反りは、前記素子搭載部材１０に設けられた前記緩衝部１４ａを押し上げるが、前記搭載部１３の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部１１の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線ＣＬ１と、前記凹部の基板部１１の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線ＣＬ２と、が交差する位置に設けられているため、前記表面弾性波素子３０は、前記緩衝部１４ａによる応力を受けにくくなる。
【００２８】
また、図６（ａ）のグラフは、第１の実施形態でのＳＡＷ発振器のシーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差（以下、周波数偏差という）を、縦軸に周波数値、横軸に測定項目で表したグラフである。また、例えばグラフ上の上限周波数変動値（以下、上限値という）は、シーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差がプラス方向に最大となった値である。また、グラフ上の下限周波数変動値（以下、下限値という）は、シーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差が上限値より最小となった値である。このときこの図６（ａ）に示すように、周波数偏差は、上限値＋７．０Ｅ×−０６から下限値＋０．５Ｅ×−０６であり、図７（ｂ）の従来の緩衝部位置２１４での周波数偏差である上限値＋７．０Ｅ×−０６から下限値−１９．０Ｅ×−０６と比べると、第１の実施形態位置での上限値と下限値の幅が従来の緩衝部位置での上限値と下限値の幅よりも第１の実施形態位置の方の幅が小さくなる。したがって第１の実施形態は、ＳＡＷ発振器の生産性及び信頼性を向上させることが可能となる。
【００２９】
（第２の実施形態）
図１及び図４に示すように、本発明の第２の実施形態に係るＳＡＷ発振器１００は、凹部を有し凹部内側に形成される緩衝部１４ｂを備える素子搭載部材１０と、前記素子搭載部材１０の凹部内側に搭載される表面弾性波素子３０と、前記素子搭載部材１０の凹部内側に搭載される集積回路素子２０と、凹部を塞ぐ蓋部材４０とから主に構成されている。
【００３０】
素子搭載部材１０は、平板状の基板部１１と、前記基板部１１の一方の主面に設けられて凹部を形成する枠部１２と、凹部内側の基板部上に設けられる搭載部１３と、凹部内側の基板部上に設けられる緩衝部１４ｂと、から形成されている。
【００３１】
基板部１１は、例えばアルミナセラミックス等のセラミックス材料よりなり、前記基板部１１の一方の主面に形成された集積回路素子搭載パッド（図示せず）及び基板内部には所定の配線導体が形成され、他方の主面に外部端子（図示せず）が形成されている。
【００３２】
枠部１２は、前記基板部１１と同様にアルミナセラミックス等のセラミックス材料よりなり、前記基板部１１の一方の主面に設けられて凹部を形成している。また、枠部１２は、前記基板部側と相対する主面に接合用の金属層１６が形成されている。
【００３３】
搭載部１３は、例えばアルミナセラミックス等のセラミックス材料よりなり、凹部内側の基板部上において所定の隅部に位置している。また、搭載部１３は、例えば平面視において四角形の形状で形成されており、所定の厚さを有している。この搭載部１３は、表面弾性波素子３０を搭載するために用いられる。
【００３４】
緩衝部１４ｂは、例えばシリコン系の材料よりなり、凹部内側の基板部１１上に設けられる。例えば前記緩衝部１４ｂは、前記搭載部１３の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部１１の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線ＣＬ１と、前記凹部の基板部１１の主面上において２つの凹部内の長辺の中心を通る第２の中心線ＣＬ２と、が交差する位置より前記表面弾性波素子３０の自由端側に向かい、前記凹部の基板部１１において長辺寸法の８％ずれた位置になっている。
【００３５】
表面弾性波素子３０は、圧電素子と、前記圧電素子の一方の主面上に形成された電極パターンと、前記電極パターンと同一面上に形成された反射電極パターンとから構成されており、前記圧電素子の他方の主面上に前記電極パターン及び前記反射電極パターンが形成されていない。また、前記表面弾性波素子３０は、前記搭載部１３上に他方の主面を前記搭載部１３側に向けて、導電性接着剤１５を介して機械的に片持ち支持されている。また、前記電極パターンは、前記圧電素子の一方の主面上の中央部に櫛型状に形成されている。また、前記反射電極パターンは、前記電極パターンが形成されている同一面上に、前記電極パターンを挟むように両側に位置し格子状に形成されている。このとき、表面弾性波素子３０は、前記搭載部１３に搭載された場合、前記表面弾性波素子３０の一方の主面が前記緩衝部１４ｂと対向するようになっている。
【００３６】
集積回路素子２０は、凹部内側の基板部上に前記表面弾性波素子３０と相対する位置に設けられている。また、集積回路素子２０は、前記表面弾性波素子３０とワイヤーボンディングにより電気的に接続され、（図示せず）前記基板部１１の一方の主面に形成された集積回路素子搭載パッドと電気的に接続されている。（図示せず）また、集積回路素子２０は、前記表面弾性波素子３０の振動に基づいて発信出力を制御している。また、この集積回路素子２０は、凹部内側の基板部１１上であって、前記表面弾性波素子３０と前記搭載部１３と、ともに前記基板部１１に設けられている。
【００３７】
蓋部材４０は、例えば金属材料よりなり、四角形の金属から形成されている。また、蓋部材４０は、前記素子搭載部材１０と前記素子搭載部材１０の枠部１２に設けられた接合用の金属層１６を介してシーム溶接で接合される。
【００３８】
シーム溶接は、溶接部に大電流を流し溶接部を加熱させ圧力を加えながら行う溶接方法である。
【００３９】
図３及び図４に示すように、前記素子搭載部材１０と前記蓋部材４０とを前記素子搭載部材１０の枠部１２に設けられた接合用の金属層１６を介してシーム溶接することにより、前記蓋部材４０が加熱され前記蓋部材４０と前記素子搭載部材１０の枠部１２に設けられた接合用の金属層１６が溶融し接合される。このとき加熱され溶融した金属部分の熱が冷める事により金属の収縮が起こり、前記素子搭載部材１０の長手方向に反りが発生する。この反りは、前記素子搭載部材１０に設けられた前記緩衝部１４ｂを押し上げるが、前記搭載部１３の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部１１の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線ＣＬ１と、前記凹部の基板部１１の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線ＣＬ２と、が交差する位置より前記表面弾性波素子３０の自由端側に向かい、前記凹部の基板部１１の長辺寸法の８％ずれた位置になっているため、前記表面弾性波素子３０は、前記緩衝部１４ｂによる応力を受けにくくなる。
【００４０】
また、図６（ｂ）のグラフは、第２の実施形態でのＳＡＷ発振器のシーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差（以下、周波数偏差という）を、縦軸に周波数値、横軸に測定項目で表したグラフである。また、例えばグラフ上の上限周波数変動値（以下、上限値という）は、シーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差がプラス方向に最大となった値である。また、グラフ上の下限周波数変動値（以下、下限値という）は、シーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差が上限値より最小となった値である。このときこの図６（ｂ）に示すように、周波数偏差は、上限値＋５．０Ｅ×−０６から下限値−１．５Ｅ×−０６であり、図７（ｂ）の従来の緩衝部位置２１４での周波数偏差である上限値＋７．０Ｅ×−０６から下限値−１９．０Ｅ×−０６と比べると、第２の実施形態位置での上限値と下限値の幅が従来の緩衝部位置での上限値と下限値の幅よりも第２の実施形態位置の方の幅が小さくなる。したがって第２の実施形態は、ＳＡＷ発振器の生産性及び信頼性を向上させることが可能となる。
【００４１】
このように本発明の第２の実施形態に係る緩衝部１４ｂの位置においても、第１の実施形態と同等の効果を奏する。
【００４２】
（第３の実施形態）
図１及び図５に示すように、本発明の第３の実施形態に係るＳＡＷ発振器１００は、凹部を有し凹部内側に形成される緩衝部１４ｃを備える素子搭載部材１０と、前記素子搭載部材１０の凹部内側に搭載される表面弾性波素子３０と、前記素子搭載部材１０の凹部内側に搭載される集積回路素子２０と、凹部を塞ぐ蓋部材４０とから主に構成されている。
【００４３】
素子搭載部材１０は、平板状の基板部１１と、前記基板部１１の一方の主面に設けられて凹部を形成する枠部１２と、凹部内側の基板部上に設けられる搭載部１３と、凹部内側の基板部上に設けられる緩衝部１４ｃと、から形成されている。
【００４４】
基板部１１は、例えばアルミナセラミックス等のセラミックス材料よりなり、前記基板部１１の一方の主面に形成された集積回路素子搭載パッド（図示せず）及び基板内部には所定の配線導体が形成され、他方の主面に外部端子（図示せず）が形成されている。
【００４５】
枠部１２は、前記基板部１１と同様にアルミナセラミックス等のセラミックス材料よりなり、前記基板部１１の一方の主面に設けられて凹部を形成している。また、枠部１２は、前記基板部側と相対する主面に接合用の金属層１６が形成されている。
【００４６】
搭載部１３は、例えばアルミナセラミックス等のセラミックス材料よりなり、凹部内側の基板部上において所定の隅部に位置している。また、搭載部１３は、例えば平面視において四角形の形状で形成されており、所定の厚さを有している。この搭載部１３は、表面弾性波素子３０を搭載するために用いられる。
【００４７】
緩衝部１４ｃは、例えばシリコン系の材料よりなり、凹部内側の基板部１１上に設けられる。例えば前記緩衝部１４ｃは、前記搭載部１３の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部１１の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線ＣＬ１と、前記凹部の基板部１１の主面上において２つの凹部内の長辺の中心を通る第２の中心線ＣＬ２と、が交差する位置より前記表面弾性波素子３０の自由端側に向かい、前記凹部の基板部１１において長辺寸法の１６％ずれた位置になっている。
【００４８】
表面弾性波素子３０は、圧電素子と、前記圧電素子の一方の主面上に形成された電極パターンと、前記電極パターンと同一面上に形成された反射電極パターンとから構成されており、前記圧電素子の他方の主面上に前記電極パターン及び前記反射電極パターンが形成されていない。また、前記表面弾性波素子３０は、前記搭載部１３上に他方の主面を前記搭載部１３側に向けて、導電性接着剤１５を介して機械的に片持ち支持されている。また、前記電極パターンは、前記圧電素子の一方の主面上の中央部に櫛型状に形成されている。
また、前記反射電極パターンは、前記電極パターンが形成されている同一面上に、前記電極パターンを挟むように両側に位置し格子状に形成されている。このとき、表面弾性波素子３０は、前記搭載部１３に搭載された場合、前記表面弾性波素子３０の一方の主面が前記緩衝部１４ｃと対向するようになっている。
【００４９】
集積回路素子２０は、凹部内側の基板部上に前記表面弾性波素子３０と相対する位置に設けられている。また、集積回路素子２０は、前記表面弾性波素子３０とワイヤーボンディングにより電気的に接続され、（図示せず）前記基板部１１の一方の主面に形成された集積回路素子搭載パッドと電気的に接続されている。（図示せず）また、集積回路素子２０は、前記表面弾性波素子３０の振動に基づいて発信出力を制御している。また、この集積回路素子２０は、凹部内側の基板部１１上であって、前記表面弾性波素子３０と前記搭載部１３と、ともに前記基板部１１に設けられている。
【００５０】
蓋部材４０は、例えば金属材料よりなり、四角形の金属から形成されている。また、蓋部材４０は、前記素子搭載部材１０と前記素子搭載部材１０の枠部１２に設けられた接合用の金属層１６を介してシーム溶接で接合される。
【００５１】
シーム溶接は、溶接部に大電流を流し溶接部を加熱させ圧力を加えながら行う溶接方法である。
【００５２】
図３及び図５に示すように、前記素子搭載部材１０と前記蓋部材４０とを前記素子搭載部材１０の枠部１２に設けられた接合用の金属層１６を介してシーム溶接することにより、前記蓋部材４０が加熱され前記蓋部材４０と前記素子搭載部材１０の枠部１２に設けられた接合用の金属層１６が溶融し接合される。このとき加熱され溶融した金属部分の熱が冷める事により金属の収縮が起こり、前記素子搭載部材１０の長手方向に反りが発生する。この反りは、前記素子搭載部材１０に設けられた前記緩衝部１４ｃを押し上げるが、前記搭載部１３の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部１１の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線ＣＬ１と、前記凹部の基板部１１の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線ＣＬ２と、が交差する位置より前記表面弾性波素子３０の自由端側に向かい、前記凹部の基板部１１の長辺寸法の１６％ずれた位置になっているため、前記表面弾性波素子３０は、前記緩衝部１４ｃによる応力を受けにくくなる。なお、前記緩衝部１４ｃが前記凹部の基板部１１の長辺寸法の１６％をこえて自由端側に位置すると、前記素子搭載部材１０の長手方向の反りにより前記緩衝部１４ｃを押し上げ、前記緩衝部１４ｃに接触している前記表面弾性波素子３０に応力をあたえる。
【００５３】
また、図６（ｃ）のグラフは、第３の実施形態でのＳＡＷ発振器のシーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差（以下、周波数偏差という）を、縦軸に周波数値、横軸に測定項目で表したグラフである。また、例えばグラフ上の上限周波数変動値（以下、上限値という）は、シーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差がプラス方向に最大となった値である。また、グラフ上の下限周波数変動値（以下、下限値という）は、シーム溶接前の周波数を基準としシーム溶接後の周波数との差が上限値より最小となった値である。このときこの図６（ｃ）に示すように、周波数偏差は、上限値＋６．０Ｅ×−０６から下限値−２．５Ｅ×−０６であり、図７（ｂ）の従来の緩衝部位置２１４での周波数偏差である上限値＋７．０Ｅ×−０６から下限値−１９．０Ｅ×−０６と比べると、第３の実施形態位置での上限値と下限値の幅が従来の緩衝部位置での上限値と下限値の幅よりも第３の実施形態位置の方の幅が小さくなる。したがって第３の実施形態は、ＳＡＷ発振器の生産性及び信頼性を向上させることが可能となる。
【００５４】
このように本発明の第３の実施形態に係る緩衝部１４ｃの位置においても、第１の実施形態と同等の効果を奏する。
【００５５】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、前記実施形態には限定されない。例えば本実施形態では、表面弾性波素子の振動に基づいて発信出力を制御する集積回路素子（ＩＣ）を搭載しているが、搭載させなくとも良い。また、本発明は、シーム溶接で説明をしたが、例えばガラス封止やレーザー封止などの接合部を加熱し接合させる封止方法でも同様の効果が得られる。
【００５６】
(変形例)
本発明の第１の実施形態から第３の実施形態に係るＳＡＷ発振器１００は、緩衝部１４ａが、前記搭載部１３の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部１１の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線ＣＬ１と、前記凹部の基板部１１の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線ＣＬ２と、が交差する位置から前記表面弾性波素子３０の自由端側へ、前記凹部の基板部１１の長辺寸法の１６％ずれた位置までにあっても、第１の実施形態、第２の実施形態、第３の実施形態と同様の効果が得られる。
すなわち、本発明のＳＡＷ発振器１００によれば、表面弾性波素子３０は、素子搭載部材１０と、蓋部材４０と、を前記素子搭載部材１０の枠部に設けられた接合用の金属層を介してシーム溶接にて封止することにより、前記蓋部材４０が加熱され前記蓋部材４０と前記素子搭載部材１０の枠部に設けられた接合用の金属層が溶融し接合される。このとき加熱され溶融した金属部分の熱が冷める事により金属の収縮が起こり、素子搭載部材１０の長手方向に反りが発生する。この反りは、素子搭載部材１０に設けられた緩衝部１４ａを押し上げることとなるが、緩衝部の位置が、前記搭載部１３の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線ＣＬ１と、前記凹部の基板部の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線ＣＬ２と、が交差する位置から前記表面弾性波素子３０の自由端側へ、前記凹部の基板部の長辺寸法の１６％ずれた位置までに設けられているため、前記緩衝部１４ａが前記表面弾性波素子を押し上げにくくすることができる。したがって、本発明のＳＡＷ発振器は、シーム溶接後の周波数偏差を小さくすることができ、生産性及び信頼性を向上させることが出来る。
【符号の説明】
【００５７】
１００、２００ ＳＡＷ発振器
１０、２１０ 素子搭載部材
１１、２１１ 基板部
１２、２１２ 枠部
１３、２１３ 搭載部
１５、２１５ 導電性接着剤
１６、２１６ 接合用の金属層
２０、２２０ 集積回路素子
３０、２３０ 表面弾性波素子
４０、２４０ 蓋部材
１４ａ 第１実施例
１４ｂ 第２実施例
１４ｃ 第３実施例
２１４ 従来の位置
ＣＬ１、ＣＬ２ 中心線
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平板状の基板部と、前記基板部の一方の主面に設けられて、凹部を形成する枠部と、凹部内側の基板部上に設けられる搭載部と、凹部内側の基板部上に設けられる緩衝部と、を備える素子搭載部材と、前記搭載部上に導電性接着剤を介して設けられる四角形の表面弾性波素子と、前記素子搭載部材に搭載される集積回路素子と、前記凹部を塞ぐ蓋部材と、を備え、前記表面弾性波素子が前記凹部内側の基板部上に片持ち支持され、前記緩衝部は、前記搭載部の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線と、前記凹部の基板部の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線と、が交差する位置に設けられることを特徴とするＳＡＷ発振器。
【請求項２】
平板状の基板部と、前記基板部の一方の主面に設けられて、凹部を形成する枠部と、凹部内側の基板部上に設けられる搭載部と、凹部内側の基板部上に設けられる緩衝部と、を備える素子搭載部材と、前記搭載部上に導電性接着剤を介して設けられる四角形の表面弾性波素子と、前記素子搭載部材に搭載される集積回路素子と、前記凹部を塞ぐ蓋部材と、を備え、前記表面弾性波素子が前記凹部内側の基板部上に片持ち支持され、前記緩衝部は、前記搭載部の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線と、前記凹部の基板部の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線と、が交差する位置より前記表面弾性波素子の自由端側に向かい、前記凹部の基板部の長辺寸法の８％ずれた位置にあることを特徴とする請求項１に記載のＳＡＷ発振器。
【請求項３】
平板状の基板部と、前記基板部の一方の主面に設けられて、凹部を形成する枠部と、凹部内側の基板部上に設けられる搭載部と、凹部内側の基板部上に設けられる緩衝部と、を備える素子搭載部材と、前記搭載部上に導電性接着剤を介して設けられる四角形の表面弾性波素子と、前記素子搭載部材に搭載される集積回路素子と、前記凹部を塞ぐ蓋部材と、を備え、前記表面弾性波素子が前記凹部内側の基板部上に片持ち支持され、前記緩衝部は、前記搭載部の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線と、前記凹部の基板部の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線と、が交差する位置より前記表面弾性波素子の自由端側に向かい、前記凹部の基板部の長辺寸法の１６％ずれた位置にあることを特徴とする請求項１に記載のＳＡＷ発振器。
【請求項４】
平板状の基板部と、前記基板部の一方の主面に設けられて、凹部を形成する枠部と、凹部内側の基板部上に設けられる搭載部と、凹部内側の基板部上に設けられる緩衝部と、を備える素子搭載部材と、前記搭載部上に導電性接着剤を介して設けられる四角形の表面弾性波素子と、前記素子搭載部材に搭載される集積回路素子と、前記凹部を塞ぐ蓋部材と、を備え、前記表面弾性波素子が前記凹部内側の基板部上に片持ち支持され、前記緩衝部は、前記搭載部の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線と、前記凹部の基板部の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線と、が交差する位置から前記表面弾性波素子の自由端側へ、前記凹部の基板部の長辺寸法の１６％ずれた位置までにあることを特徴とする請求項１に記載のＳＡＷ発振器。
【請求項１】
平板状の基板部と、前記基板部の一方の主面に設けられて、凹部を形成する枠部と、凹部内側の基板部上に設けられる搭載部と、凹部内側の基板部上に設けられる緩衝部と、を備える素子搭載部材と、前記搭載部上に導電性接着剤を介して設けられる四角形の表面弾性波素子と、前記素子搭載部材に搭載される集積回路素子と、前記凹部を塞ぐ蓋部材と、を備え、前記表面弾性波素子が前記凹部内側の基板部上に片持ち支持され、前記緩衝部は、前記搭載部の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線と、前記凹部の基板部の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線と、が交差する位置に設けられることを特徴とするＳＡＷ発振器。
【請求項２】
平板状の基板部と、前記基板部の一方の主面に設けられて、凹部を形成する枠部と、凹部内側の基板部上に設けられる搭載部と、凹部内側の基板部上に設けられる緩衝部と、を備える素子搭載部材と、前記搭載部上に導電性接着剤を介して設けられる四角形の表面弾性波素子と、前記素子搭載部材に搭載される集積回路素子と、前記凹部を塞ぐ蓋部材と、を備え、前記表面弾性波素子が前記凹部内側の基板部上に片持ち支持され、前記緩衝部は、前記搭載部の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線と、前記凹部の基板部の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線と、が交差する位置より前記表面弾性波素子の自由端側に向かい、前記凹部の基板部の長辺寸法の８％ずれた位置にあることを特徴とする請求項１に記載のＳＡＷ発振器。
【請求項３】
平板状の基板部と、前記基板部の一方の主面に設けられて、凹部を形成する枠部と、凹部内側の基板部上に設けられる搭載部と、凹部内側の基板部上に設けられる緩衝部と、を備える素子搭載部材と、前記搭載部上に導電性接着剤を介して設けられる四角形の表面弾性波素子と、前記素子搭載部材に搭載される集積回路素子と、前記凹部を塞ぐ蓋部材と、を備え、前記表面弾性波素子が前記凹部内側の基板部上に片持ち支持され、前記緩衝部は、前記搭載部の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線と、前記凹部の基板部の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線と、が交差する位置より前記表面弾性波素子の自由端側に向かい、前記凹部の基板部の長辺寸法の１６％ずれた位置にあることを特徴とする請求項１に記載のＳＡＷ発振器。
【請求項４】
平板状の基板部と、前記基板部の一方の主面に設けられて、凹部を形成する枠部と、凹部内側の基板部上に設けられる搭載部と、凹部内側の基板部上に設けられる緩衝部と、を備える素子搭載部材と、前記搭載部上に導電性接着剤を介して設けられる四角形の表面弾性波素子と、前記素子搭載部材に搭載される集積回路素子と、前記凹部を塞ぐ蓋部材と、を備え、前記表面弾性波素子が前記凹部内側の基板部上に片持ち支持され、前記緩衝部は、前記搭載部の蓋部材側を向く主面の中心を通り前記凹部の基板部の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線と、前記凹部の基板部の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線と、が交差する位置から前記表面弾性波素子の自由端側へ、前記凹部の基板部の長辺寸法の１６％ずれた位置までにあることを特徴とする請求項１に記載のＳＡＷ発振器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１２−１６０９６３（Ｐ２０１２−１６０９６３Ａ）
【公開日】平成２４年８月２３日（２０１２．８．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２００４６（Ｐ２０１１−２００４６）
【出願日】平成２３年２月１日（２０１１．２．１）
【出願人】（０００１０４７２２）京セラクリスタルデバイス株式会社 (870)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年８月２３日（２０１２．８．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年２月１日（２０１１．２．１）
【出願人】（０００１０４７２２）京セラクリスタルデバイス株式会社 (870)
【Ｆターム（参考）】
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