【構成】 複数の光源１０１ａ、１０１ｂから放射された光束は曲面反射鏡１０２で反射され、第１レンズ板１０３と第２レンズ板１０４で構成される均一照明光学素子１１８を通過する。さらに均一照明光学素子１１８からの発散光束を平行化するフィールドレンズ１０８を通過した後、液晶パネル１０９を均一に照明する。液晶パネル１０９により変調された画像は投写レンズ１１６で拡大投影される。
【効果】 従来より明るく、照度の均一性に優れ色ムラがなく、高効率で高品位な映像表示が実現できる。 （もっと読む）

【目的】 光ディスクのROM部において、磁気的超解像を用いることで記録密度の向上を達成する。
【構成】 透明な基板上に、情報を持たせたピット部を形成し、その上に磁気的超解像を実現する磁性層２層を形成する。ピット部の情報は光磁気効果を検出することで読みだす。 （もっと読む）

【構成】 マイクロマシニング技術により加工したＳｉ基板及び／またはガラス基板を構成部材とし、振動板を変形させるためのギャップ部を金属または半導体の薄膜で形成し、該構成部材間を陽極接合法により接合する。または、ギャップ部をＳｉと共晶を形成する物質で形成する。
【効果】 ギャップ部の寸法精度が高いことにより、印字品質が優れたインクジェットヘッドを提供する。 （もっと読む）

【目的】半導体基板上に半導体素子が形成され、層間絶縁膜によって保護される半導体装置の製造方法において、スピン・オン・グラス（ＳＯＧ）中にあり素子特性に大きく影響することも知られているＯＨ基の除去方法を提供する。
【構成】ハロゲンガス雰囲気またはハロゲンイオン雰囲気中に露呈する工程を有する。ハロゲンガス及びイオン源として、Ｃｌ₂，Ｂｒ₂，Ｉ₂を、ハロゲン化イオン源としては、ＨＣｌ，ＨＢｒ，ＣＣｌ₄，ＣＨＣｌ₃，ＳｉＣｌ₄，ＳｉＨＣｌ，ＢＣｌ₃を用いる。
【効果】ＯＨ基がＣｌイオン等に置換され電気的に且つ機械的に安定な膜となる。トランジスタ素子のしきい値電圧の変動、移動度の低下の防止、多結晶シリコンの抵抗値の低下防止等に有効である。酸化膜の質、耐湿性も向上しＡＬの腐食による断線等の生じない高信頼性の平坦化が可能となる。 （もっと読む）

【目的】 印字ヘッドのノズル面上のノズル群内とノズル群間で、インクの混色を防止し、印字ヘッドの高密度化、小型化を可能とする。
【構成】 印字ヘッド１には同一色のインク２を吐出するノズル３を垂直方向に配列した各ノズル群４−Ｙ、４−Ｍ、４−Ｃ、４−ＢＫが印字走査方向に垂直方向に配列されている。ノズル面５上において、各ノズル群４−Ｙ、４−Ｍ、４−Ｃ、４−ＢＫ内には表面処理６に対するインク２の接触角が８０°以上となる撥水処理６ａ、各ノズル群４−Ｙ、４−Ｍ、４−Ｃ、４−ＢＫ間には同接触角が３０°以下となる親水処理６ｂを施す。また、各ノズル群４−Ｙ、４−Ｍ、４−Ｃ、４−ＢＫ内に撥水処理６ａ、各ノズル群４−Ｙ、４−Ｍ、４−Ｃ、４−ＢＫ間に親水処理６ｂを施す。 （もっと読む）

【目的】埋め込みコンタクトを具備する半導体装置において、素子分離シリコン酸化膜のバーズビークにより、埋め込みコンタクト領域が減少することを防ぐことができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【構成】埋め込みコンタクト形成領域のシリコン基板１が削り取られており、その削り取られたシリコン基板の領域に多結晶シリコン層１０が埋め込まれている。
【効果】埋め込みコンタクトの接続領域を制限するバーズビークをゲート酸化膜形成前に削り取るため、埋め込みコンタクトによる多結晶シリコン配線層と不純物拡散層との接続を確実なものにできる。 （もっと読む）

【目的】 エネルギー効率の良い発電装置付電子時計を提供する。
【構成】 回転錘からのエネルギーを機械エネルギー蓄積装置と発電機に分配して、機械エネルギー蓄積手段からのエネルギーにより指示系を駆動し、発電機により変換された電気エネルギーを蓄積した電源からのエネルギーにより回路系を駆動させる。
【効果】 電気エネルギーを蓄積した電源のみにより駆動される場合に比べ電源が同じならば、消費エネルギーが減るため長時間駆動させることができる。時計が止まってもすぐに駆動することができる。機械エネルギー蓄積装置による発電のように常に高速で回転する必要がないため耐久性に優れている。全てゼンマイの機械エネルギー蓄積装置に比べ、蓄積エネルギーが極めて小さいため時計の小型化ができる。 （もっと読む）

【目的】 小型高密度で低電圧による駆動が可能な、しかも安定した高品質の印字が可能なインクジェットヘッド及びその製造方法を得る。
【構成】 インク液滴を吐出するノズル孔４と、該ノズル孔にそれぞれ連通する吐出室５と、該吐出室の底壁の振動板６と、振動板に対向して配置され、振動板を静電気力により駆動する電極２１とを備え、振動板を形成する第１の基板１と電極を形成する第２の基板２との陽極接合面のいずれか一方又は両方の面に振動室用の凹部１５あるいは電極装着用の凹部２５もしくはＳｉＯ₂ 膜４１、４２等を形成することにより振動板と電極間のギャップ長Ｇを０．０５〜２．０μｍとする。 （もっと読む）