【課題】高アスペクト比の細孔に対しても効率よくかつ精度よく当該細孔内を流れるガスの流量を測定することができる作業性のよい流量測定装置を提供する。
【解決手段】本発明の流量測定装置は、大気圧より低い所定圧力で吸引する吸引手段１と、この吸引手段に夫々接続される主吸気通路２、２ａ及び比較吸気通路３、３ａとを備える。主吸気通路が細孔Ｈの一側に着脱自在に接続され、比較吸気通路が細孔に対応する第１の測定基準孔ＲＨ１に連通し、この比較吸気通路に細孔に対応する第２の測定基準孔ＲＨ２が介設されると共に主吸気通路に細孔に対応する第３の測定基準孔ＲＨ３が介在され、吸引手段を稼働して細孔及び第１の測定基準孔を通してガスを夫々吸引し、細孔及び第３の測定基準孔備の間、及び、第１及び第２の両測定基準孔の間における主吸気通路と比較吸気通路との圧力差を測定する測定手段１５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】気泡の巻き込みが無く、貼付と剥離が容易であり、大型基板に対応できる転写成膜装置を提供する。
【解決手段】配置台１２上に転写リボン３４を装着した転写ヘッド１５₁〜１５₃を配置し、透明部材３３で転写リボン３４を押圧し、転写リボン３４表面のインク層４２を転写対象物１６に接触させて、転写リボン３４の裏面にレーザ光を照射し、インク層４２の裏面にレーザ光が照射された部分を転写対象物１６の表面に転写する。転写リボン３４の転写に使用した部分は移動させ、新しい部分を透明部材３３で転写対象物１６に接触させて、次の転写を行う。細長の転写リボン３４を使用しているので、気泡が巻き込まれることはなく、また、大型基板への転写が容易である。 （もっと読む）

【課題】熱変形や自重により熱電子放出領域が変動してもイオン化率の低下を抑制でき、長時間に亘って感度の安定性が良い熱陰極電離真空計を提供する。
【解決手段】熱陰極電離真空計ＩＧは、ヘアピン状に成形されたフィラメント２と筒状の輪郭を有するグリッド３とイオンコレクタ４とを備える。フィラメントを前記グリッド内にヘアピン状に折り返す頂部側から挿設し、このフィラメントの頂部をグリッドの母線方向の中央領域に位置させる。そして、フィラメントに通電してこのフィラメントを点灯させて熱電子を放出させ、フィラメントより高い電位をグリッドに付与し、このグリッド周辺で熱電子と衝突して生じた気体原子、分子の正イオンをイオンコレクタで捕集し、このときのイオン電流から圧力を検出する。 （もっと読む）

【課題】基板の一面と他面にそれぞれ機能膜を効率よく成膜することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】キャリア３５はフレーム４１を備えている。フレーム４１は、支持した基板Ｗの一面Ｗａ側、および他面Ｗｂ側をそれぞれ露出させる開口（開口部）４１ａ，４１ｂがそれぞれ形成されている。フレーム４１の一端には、キャリア３５をアノードとして機能させるためのアノード接点４３が設けられている。キャリア３５は、第一成膜室（プロセス室）や第二成膜室（プロセス室）において、アノード接点４３を介して接地側に電気的に接続され、アノードして機能する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法により、被処理基板の一面に形成されたチタンナイトライド膜上にタングステンシリサイド膜を形成する際に、タングステンシリサイド膜に含ませるシリコン原子の割合を微細制御することを可能にする、デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】被処理基板の一面１０３ａに、チタンナイトライド膜１０９、タングステンシリサイド膜１１０、タングステン膜１１１の順に堆積してなるデバイスの製造方法であって、タングステンシリサイド膜１１０をスパッタリング法により形成する際に、タングステン原子からなるターゲット１０２と、シリコン原子を含むプロセスガスを少なくとも用いる。 （もっと読む）

【課題】発光層への水分等の侵入を抑制できる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光領域２０と、発光領域２０とＸ軸方向に隣接する配線領域３０とをそれぞれ含む複数の素子領域１０が、Ｘ軸方向とＹ軸方向とにそれぞれ配列された基板Ｗに作製される。Ｙ軸方向に延在しＸ軸方向に配列された複数のバー４２と、複数のバー４２間に形成された複数の開口部４３とを有するマスク４０が、バー４２が配線領域３０を被覆し、開口部４３から発光領域２０が露出するように、基板Ｗ上に配置される。マスク４０を介して、基板Ｗ上に無機膜８と有機膜９とが交互に成膜される。基板Ｗが、素子領域１０毎に分離される。このように製造された発光素子１は、無機膜８と有機膜９からなる保護膜Ｐを有し、保護膜Ｐによって発光層５への水分等の侵入が抑制される。 （もっと読む）

【課題】従来例の三極管形の熱陰極電離真空計と同等の感度安定性を有すると共に、上記従来例のものよりも測定下限値を低くできるようにした熱陰極電離真空計を提供する。
【解決手段】試験体に装着されてその内部の圧力を検出する熱陰極電離真空計ＩＧは、フィラメント２と、このフィラメント２を囲うように配置される、筒状の輪郭を有するグリッド３と、板状部材で構成され、グリッドの母線方向の延長上に所定間隔を存して当該グリッドの少なくとも一方の開口を覆うように配置されるイオンコレクタ４_１、４_２とを備える。フィラメントに通電してこのフィラメントを点灯させて熱電子を放出させ、フィラメントより高い電位をグリッドに付与し、このグリッド周辺で熱電子と衝突して生じた気体原子、分子の正イオンがイオンコレクタで捕集され、このときのイオン電流から圧力を検出する （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム膜を、表面が平坦であるとともに、内部が均質である状態となるように、基体の一面に形成することが可能な、窒化アルミニウム膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基体の一面にスパッタリング法により窒化アルミニウム膜の形成方法であって、窒化アルミニウム膜を形成する際に、アルミニウムからなるターゲットと、不活性ガスに窒素ガスを混合させてなるプロセスガスとを、少なくとも用い、不活性ガスの流量に対する窒素ガスの流量の比率において、成膜時真空度が安定傾向から増加傾向へ移行する点をＡ、成膜時電圧が減少傾向から安定傾向へ移行する点をＢ、点Ａと点Ｂとの間を遷移モードＴ、と定義したとき、遷移モードＴにて成膜する。 （もっと読む）

【課題】膜厚分布が均一な薄膜を形成可能なＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明のＣＶＤ装置２では、排気口３１が排気空間７２に設けられており、成膜空間７１と排気空間７２とを接続する排気流路４１の流入口４４は、成膜空間７１の高さ方向中央位置で成膜空間７１を取り囲んでいる。真空排気装置３３によって、成膜空間７１内のガスを排気空間７２と排気流路４１とを介して排気口４６から真空排気しながらシャワープレート２０から原料ガスを放出すると、成膜空間７１内のガスは主たる流線の方向が基板表面に平行に保たれたまま流入口４４に流入し、基板１４表面に均一な薄膜が形成される。排気流路４１のコンダクタンスは排気空間７２のコンダクタンスよりも小さくされており、流入口４４のどの位置からでも均一に真空排気される。 （もっと読む）

【課題】微細な溝部の内部に隙間無く導電材料を埋め込み、導電性に優れた配線を得ることが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】バリア層（バリアメタル）１３を覆うようにライナー層１４が形成されている。ライナー層１４は、Ｎｉ（ニッケル）から構成される。ライナー層１４は、このライナー層１４の内側に形成されるＣｕ（銅）からなる導電体１５に対する濡れ性を高め、かつ、溝部１２の内側の平滑性を高める。 （もっと読む）