【課題】より微細な気泡によって気泡層を形成することが可能で、これによりＴＡＴおよび歩留まりの向上を図ることが可能な薄膜半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板１の全面において深さを一定に制御してイオンＩを注入するイオン注入工程と、半導体基板１の加熱により半導体基板１に注入したイオンを気化させて気泡層７を形成する気泡層形成工程と、半導体基板１に絶縁性基板１１を張り合わせる張り合わせ工程と、気泡層７を劈開面１５として半導体基板１を劈開し、絶縁性基板１１側に半導体基板１を劈開させた半導体薄膜１ａを設ける劈開工程とを行う。特に気泡層形成工程においては、半導体基板１を１０００℃〜１２００℃の温度で１０μ秒〜１００ｍ秒間加熱する。このような加熱は、例えば光ビームｈνのようなエネルギービームの照射によって行う。 （もっと読む）

【課題】高周波放電型のプラズマ発生装置において、ＰＦＧ電流の減少が少なく、長寿命化を図る。
【解決手段】プラズマ生成容器内で高周波放電によってガスを電離させてプラズマを生成して、電子放出孔を通してプラズマよりの電子を外部に放出する装置であって、プラズマ生成容器内に設けられていて高周波を放射するアンテナとアンテナ全体を覆うものであって絶縁物から成るアンテナカバーとを備えており、前記電子放出孔のあるプラズマ電極材質が導電性材料であるプラズマ発生装置において、プラズマ電極の表面にプラズマによるスパッタリングによって絶縁物がプラズマ電極のプラズマ側に堆積することを防止し、導通を確保する筒状の枠体領域に枠体の内側または内側と外側に厚みの異なる突起部がある枠カバーをもっていることを特徴とするプラズマ発生装置。 （もっと読む）

【課題】複数本のリボン状イオンビームを少なくとも部分的に重ね合わせてガラス基板上に所定の注入量分布を実現するイオン注入方法において、各リボン状イオンビームのビーム電流密度分布を効率的に調整する。
【解決手段】複数のイオンビーム供給装置のビーム立上げ操作を開始させた後、各装置のビーム立上げ操作の完了を個別に検出することで、もっともビーム立上げ操作の完了が遅いとされるイオンビーム供給装置を特定する。その後、各イオンビーム供給装置より供給されるリボン状イオンビームによってガラス基板上に形成されるイオン注入量分布を重ね合わせた際、この重ね合わせによる注入量分布が予め決められた所定の分布となるように、特定されたイオンビーム供給装置より供給されるリボン状イオンビームのビーム電流密度分布の調整を行う。 （もっと読む）

【課題】互いに位置決めされた複数枚のマスクの搬送を可能にするマスクホルダーを提供する。
【解決手段】マスクホルダー６は、複数枚のマスクの重ね合わせにより形成される開口部５を介して、基板へのイオン注入を実施するイオン注入装置に用いられるマスクホルダー６である。そして、マスクホルダー６は、複数枚のマスクをその内部に挿入する為のマスク挿入口８と、マスク挿入口８に連設されたマスク収納部９と、開口部の少なくとも一部をマスクホルダーの外側に露出させるマスク露出用の貫通窓７とを有する。 （もっと読む）

【課題】イオンビームによるスパッタリングの影響を受けにくく、コンパクトな装置構成を可能とするイオンビーム整形手段および当該整形手段を有するイオン注入装置を提供する。
【解決手段】イオンビーム整形手段は、その主面に対して垂直な方向に沿って開口部が形成されたマスクと、マスクを保持するマスクホルダー５とから構成される。そして、マスクホルダー５には、マスクを挿入する為のマスク挿入口７と、マスクホルダー５の主面に対してマスクの主面が斜めになる状態でマスクが収納されるマスク収納部８と、マスクに形成された開口部の少なくとも一部をマスクホルダー５の外側に露出させる為にマスクの主面に設けられたマスク露出用の貫通窓６とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】 イオン源の引出し電極系を構成する電極の広い領域に亘って高速で堆積物を除去することができるクリーニング方法を提供する。
【解決手段】 イオン源２のプラズマ生成部４にイオン化ガスを導入してイオンビームを引き出す代わりに、引出し電極系１０を構成する第１電極１１と第２電極１２との間にクリーニングガス４８を供給して、第１電極１１と第２電極１２との間のガス圧を、イオンビーム引き出し時のガス圧よりも高く保った状態で、第１電極１１と第２電極１２との間にグロー放電用電源６０から電圧を印加して、両電極１１、１２間にクリーニングガス４８のグロー放電８０を発生させる。 （もっと読む）

【課題】平行化レンズを用いずに、ガラス基板に対してのイオン注入を実現するＣООに優れたイオン注入装置を提供する。
【解決手段】本発明のイオン注入装置は、リボン状のイオンビーム３をガラス基板７に照射する質量分析型のイオン注入装置１であって、さらに、イオン源２から質量分析マグネット４までのイオンビーム３の輸送経路にイオンビーム発散手段を備えている。イオンビーム発散手段は、イオンビーム３の長辺方向（Ｙ方向）とイオンビームの進行方向（Ｚ方向）からなる平面において、ガラス基板７上に引かれた垂線とガラス基板７に入射するイオンビーム３との成す角度であるイオンビーム３の照射角度が０度よりも大きくデザインルールに基づいて設定される許容発散角度以下となるように、イオンビーム３をその長辺方向に発散させる。 （もっと読む）

【課題】単位時間当たりに処理できる基板の枚数や単位時間当たりのイオン注入量を大幅に向上させ、さらに、近年の基板の大型化に対応しつつ、装置全体が極端に大きくなってしまうのを防ぐことができるイオン注入装置を提供する
【解決手段】互いに離間する平行な一対の軌道３１、３２を有し、それら各軌道３１、３２に沿って同一形状の基板２を、その面板部が前記軌道３１、３２と平行になり、かつ各軌道上の基板２同士が平行となる姿勢に維持しながら、互いに逆向きに進行させる搬送機構３と、一対のイオンビーム照射機構５とを具備し、前記面板部と垂直な方向から視て、各軌道上の基板２が、所定の重合位置に到達したときに、略重なり合うように構成するとともに、各イオンビームＢが前記重合位置にある基板を避けており、かつ、当該基板２の進行方向側と反進行方向側をそれぞれ通過するように構成した。 （もっと読む）

【課題】真空シール部および配管接続部が簡単な構造であって、配管接続部のシール強度が大きく、メンテナンス容易である真空シールおよび配管接続機構を提供する。
【解決手段】真空容器１に挿通する第一のパイプ２の大気側端部に、流体を供給するための第二のパイプ２０をＯリング５２とともに接続し配管接続部を形成する。そして、第一のパイプ２をハウジング２１を介して真空容器１に固定し、Ｏリング５０、５１を用いて真空シール部を形成する。さらに、第二のパイプ２０の鍔部２４とハウジング２１とをスタッド２６により連結する。 （もっと読む）

【課題】時々刻々と変化する処理室内での圧力変動に応じて、ターゲットに照射されている実質的なビーム電流の値を算出可能にするとともに、ターゲットのチャージアップに起因するゆらぎの影響を受けずに正確なビーム電流の測定を可能とするビーム電流測定器を備えたイオン注入装置を提供する。
【手段】このイオン注入装置１は、処理室７内の圧力を測定する圧力計８と、イオン源２とターゲット９との間に配置されているとともに、イオンビーム３のビーム電流を部分的に測定するビーム電流測定器６と、圧力計８による測定値が予め決められた基準値以上となった時、少なくともビーム電流測定器６の測定結果に基づいて、ターゲット９に所定量のイオンビームが照射されるように、イオン注入パラメーターを調節する制御装置１２と、を備えている。
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