【課題】浴の均一電着性に有意な影響を及ぼさずに、すなわち、浴が効果的にブラインドバイアおよびスルーホールを充填しつつ、平滑な銅堆積物を生成する、ＰＣＢの製造に使用される銅電気めっき浴における使用のための平滑化剤及びそれを使用しためっき方法を提供する。
【解決手段】１種以上の特定のシクロジアザ化合物と１種以上のエポキシド含有化合物との反応生成物である平滑化剤を含む銅めっき浴が提供され、この浴は導電層の表面上に銅を堆積させる。このめっき浴は様々な銅濃度にわたって基体表面上に実質的に平坦な銅層を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】プリント回路板の製造に使用される樹脂積層基体、特に基体に形成されたスルーホールに適用される安定でかつ信頼性のある無電解金属めっき用触媒を提供する。
【解決手段】銀、金、白金、イリジウム、銅、アルミニウム、コバルト、ニッケルおよび鉄から選択される金属と、セルロースまたはセルロース誘導体とのナノ粒子、並びに１種以上の酸化防止剤を含み、かつスズを含まない水系溶液を触媒とすることで目的が達成される。 （もっと読む）

【課題】浸漬フォトリソグラフィのための新規な組成物及びプロセスを提供する。
【解決手段】（ａ）基体の上にフォトレジスト組成物を適用する工程、（ｂ）適用したフォトレジスト組成物を流体組成物で処理する工程、並びに（ｃ）フォトレジスト層を、フォトレジスト組成物を活性化する放射線に浸漬露光する工程を含む、フォトレジスト組成物の処理方法。 （もっと読む）

【課題】銅または銅合金下層上での接着促進を可能にするシアン化物非含有スズ／銅浴からホワイトブロンズめっき方法を提供する。
【解決手段】銅下層を被覆する空隙抑制層上に、シアン化物非含有スズ／銅浴からホワイトブロンズが電気めっきされる。この空隙抑制金属層は１種以上の空隙抑制金属を含む。 （もっと読む）

【課題】安定でかつ信頼性のある無電解金属めっき触媒を提供する。
【解決手段】銀、金、白金、パラジウム、イリジウム、銅、アルミニウム、コバルト、ニッケルおよび鉄から選択される１種以上の金属と、没食子酸、没食子酸誘導体およびこれらの塩から選択される１種以上の安定化化合物とのナノ粒子を含む水系触媒溶液を用いる。この水系触媒溶液はスズを含まない。この水系触媒溶液で基体を処理した後無電解金属めっき浴を用いて前記基体上に金属を無電解堆積する。 （もっと読む）

【課題】従来のスズ／パラジウム触媒と比べて容易に酸化しない、無電解金属化ためのスズを含まないパラジウム触媒の安定な水溶液を提供する。
【解決手段】パラジウム金属とセルロース誘導体とのナノ粒子、および１種以上の酸化防止剤を含む水系触媒溶液であって、ナノ粒子の粒径が１ｎｍ〜１０００ｎｍである。水系触媒溶液はスズを含まず、従来のスズ／パラジウム触媒と比べて容易に酸化しないので、この触媒は貯蔵の際に、および無電解金属めっきの際に活性低下やコロイド構造の維持が出来なくなるといった問題が無く、基体の良好な金属被覆を可能にする。 （もっと読む）

【課題】高い屈折率、良好な熱安定性および透明性を有する発光ダイオード封止材用硬化性組成物の提供。
【解決手段】発光ダイオード封止材として使用するための硬化性液体ポリシロキサン／ＴｉＯ_２複合体であって；５ｎｍ未満の平均ドメインサイズを有するＴｉＯ_２ドメインを有するポリシロキサンを当該複合体が含み；前記硬化性液体ポリシロキサン／ＴｉＯ_２複合体が全固形分基準で２０〜６０モル％のＴｉＯ_２を含み；前記硬化性液体ポリシロキサン／ＴｉＯ_２複合体が１．６１より大きく１．７以下の屈折率を示し；並びに、前記硬化性液体ポリシロキサン／ＴｉＯ_２複合体が室温および大気圧で液体である；硬化性液体ポリシロキサン／ＴｉＯ_２複合体及び発光ダイオード製造アセンブリ。 （もっと読む）

【課題】低濃度のアルファ粒子放射性不純物を有する金属組成物の分野、および金属組成物からアルファ粒子放射性不純物を除去する方法を提供する。
【解決手段】アルファ放射性物質を有する酸性金属溶液を提供し、アルファ放射性物質の少なくとも一部分を除去するのに充分な期間にわたって金属溶液をイオン交換樹脂と接触させ、イオン交換樹脂と金属溶液とを分離して精製された金属溶液を提供する。イオン交換樹脂が、キレート化樹脂、アニオン交換樹脂、カチオン交換樹脂、チタニアベースの吸着性樹脂、並びにこれらの混合物から選択される。 （もっと読む）

【課題】銅または銅合金を含む基体への銀被膜の接着性が改良された、高温においてさえ、良好な接着性を有する銀層がコーティングされた、電気コネクタ、プリント回路板、発光ダイオードまたは電気自動車の部品またはコンポーネントとして使用されうる銅含有基体を提供する。
【解決手段】銅または銅合金を含む金属基体に隣接してニッケル層を堆積させ、前記ニッケル層に隣接して薄膜のスズ層を堆積させ、次いで前記薄膜のスズ層のすぐ上に前記薄膜のスズ層の少なくとも２倍の厚さの銀層を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】シアノアダマンチル化合物およびポリマーおよびこれを含有するフォトレジスト
【解決手段】シアノアダマンチル化合物、このような化合物の重合単位を含有するポリマーおよびこのようなポリマーを含有するフォトレジスト組成物が提供される。本発明の好ましいポリマーは、２５０ｎｍよりも短い波長、たとえば２４８ｎｍおよび１９３ｎｍで画像形成されるフォトレジスト中に使用される。 （もっと読む）