【課題】 光プリンタヘッドを用いて印画する際の印画ムラを抑制する。
【解決手段】
基板表面に主走査方向に沿って配列された複数の発光部と、複数の前記発光部からの発光を、各発光部毎に分離された結像位置に結像させるための結像光学系と、を備えた光プリンタヘッドであって、前記結像光学系は、一方の端面が前記基板表面と対向する複数のロッドレンズが、前記主走査方向に並んで配置され、前記発光部は、前記基板表面の、前記ロッドレンズの前記端面と対向する各領域に複数個ずつ配置され、前記発光部それぞれに、前記基板表面に形成された複数の発光素子が配置されており、隣り合う前記発光素子の前記主走査方向に沿った間隔が、隣り合う前記発光部の前記主走査方向に沿った間隔に比べ、より狭いことを特徴とする光プリンタヘッドを、提供する。 （もっと読む）

【課題】発光素子の素子寿命を長寿命化することを課題とする。
【解決手段】発光層７２の中心部に非発光領域Ｈを形成する。非発光領域Ｈとは、発光層７２が発光しない平面視における領域をいい、その領域において、少なくとも、発光層７２、陽極７１、陰極７３のいずれか１つが形成されておらず、発光層７２が発光しない領域をいう。 （もっと読む）

【課題】発光素子の素子寿命を長寿命化することを課題とする。
【解決手段】陽極７１は、発光層７２よりも熱伝導率が高い熱伝導率部材の一例としての高熱伝導部７１Ａと、高熱伝導部７１Ａよりも熱伝導率が低い低熱伝導部７１Ｂとを有する。高熱伝導部７１Ａは、平面視において、発光層７２の発光領域Rの中心部に重なる位置に形成され、低熱伝導部７１Ｂは、高熱伝導部７１Ａの周縁部に形成されている。 （もっと読む）

【課題】転送異常が生じにくい発光素子アレイ駆動装置、プリントヘッドおよび画像形成装置を提供する。
【解決手段】点灯終了時点（期間Ｔ（Ｌ３）では時刻ｐ）を固定とし、点灯開始時点（期間Ｔ（Ｌ３）では時刻ｎ）を可変として、発光サイリスタの点灯期間ｔｃを変えることで光量補正を行う。次段の転送サイリスタＴ４をオンにするタイミングにおいて、発光サイリスタＬ３を消灯しているので、例え、発光サイリスタＬ３の消灯によって、転送サイリスタＴ３がオフとなっても、転送サイリスタＴ４のゲート端子Ｇ４の電位が直ちに変化せず、転送サイリスタＴ４をオンにするタイミングにおいて転送サイリスタＴ４がオンになるため、転送動作が正常に行われ、転送異常を生じにくい。 （もっと読む）

【課題】 ａ−Ｓｉ感光体ドラムを露光する露光装置において、ａ−Ｓｉ感光体ドラムへの露光量を確保しつつ、省エネルギー化を可能にする。
【解決手段】 本発明に係る露光装置７は、シリコンを主体とする非晶質材料からなる光導電層を有している感光体ドラム３の表面に帯電した電荷を露光して静電潜像を形成する。露光装置７は、基板の上に形成されたＡｌＧａＩｎＰからなる発光体を有する発光素子アレイを備えている。 （もっと読む）

【課題】発光素子ヘッドにおいて、許可信号端子を設けることにより、電流駆動能力が大きな電流バッファ回路の数を削減するとともに、許可信号を少ない電流で供給しうる発光素子チップを提供する。
【解決手段】発光素子チップ５１は、基板１０５と、発光サイリスタアレイ１０２と、転送サイリスタアレイ１０３と、発光制御サイリスタアレイ１０４と、発光許可サイリスタＴｄとを備える。発光許可サイリスタＴｄが、そのゲート電極Ｇｔに供給される発光許可信号Ｅｎによってオン状態になることにより、第２クロック信号線７３を発光許可サイリスタＴｄのカソード電極の電位に固定する。これにより、発光制御サイリスタＣi（iは１以上の整数）はオン状態に移行できず、対応する発光サイリスタＬiの点灯が阻止される。 （もっと読む）

【課題】比較的結晶欠陥の少ない窒化ガリウム系化合物半導体層を比較的低コストで得ることができる技術を提供する。
【解決手段】サファイア基板１０上に、ＳｉＯ_２層１３を形成し、層１３を部分的に除去してサファイア基板の露出部を形成し、露出部を持つサファイア基板上に、非晶質窒化ガリウム系化合物半導体を堆積し、層１３上の非晶質窒化ガリウム系化合物半導体を蒸発させ、サファイア基板の露出部上に非晶質窒化ガリウム系化合物半導体の核を形成し、核のサイズ増大、合体、結晶成長、層１３上への横方向結晶成長、平坦表面形成などを経て、サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体層２０を形成し、サファイア基板１０の露出部上の窒化ガリウム系化合物半導体層を除去して分離溝２５を形成する。サファイア基板上の窒化ガリウム系化合物半導体層２０は他の基板に移設される。 （もっと読む）

【課題】異なる結像光学系の露光領域が重複する構成において、良好な潜像の形成を実現可能とする技術の提供を目的とする。
【解決手段】潜像担持体と、第１方向ＭＤに配された複数の発光素子、および、複数の発光素子からの光を結像して潜像担持体に集光部ＳＰ_1、ＳＰ_2を形成する結像光学系を有する露光ヘッドとを備え、第１の結像光学系が形成する集光部ＳＧ_1と第２の結像光学系が形成する集光部ＳＧ_2とは、第１方向ＭＤに隣り合うとともに第１方向ＭＤに直交もしくは略直交する第２方向ＳＤから見て重なっており、当該重複する領域ＥＸ_olでは、第１の結像光学系は第１方向ＭＤに第１ビームスポット中心間距離Ｄsp_1でビームスポットＳＰを形成し、第２の結像光学系は第１方向ＭＤに第１ビームスポット中心間距離Ｄsp_1と異なる第２ビームスポット中心間距離Ｄsp_2でビームスポットＳＰを形成する。 （もっと読む）

【課題】高解像度を実現しつつも各発光素子を比較的広いスペースに形成することを可能とし、しかも、各発光素子の光量ばらつきを抑えて良好な露光を実現する。
【解決手段】被露光面の移動方向および当該移動方向に直交もしくは略直交する第１方向のいずれの方向とも異なる方向にＮ個（Ｎは４以上の整数）の発光素子を配設した発光素子列および当該発光素子列を囲むバンクを第１方向に複数配設した基板と、発光素子からの光を結像して、被露光面を露光する結像光学系とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光素子アレイの構造を利用して信号線の引き回しの複雑化を軽減した発光素子チップを提供する。
【解決手段】発光素子チップ５１ａは、ＧａＡｓ系の半導体で構成され、基板２００上に形成されたｐｎｐｎ構造からなる、発光部１２０の発光サイリスタ４０１と、設定部１３０の転送サイリスタ４０２と、制御部１４０の論理演算素子４０３とを備え、基板２００上にｐ型の第１半導体層２０１とｎ型の第２半導体層２０２と、ｐ型の第３半導体層２０３と、ｎ型の第４半導体層２０４とを積層し、その後、予め定められた箇所をエッチングして形成される。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ用の半導体装置において、発光効率を向上する。
【解決手段】ＬＥＤ用の半導体装置は、基板１０上に形成されたオーミック電極１１と、このオーミック電極１１上に接合され、電気を光に変換して出射するＬＥＤ用の半導体薄膜２０と、オーミック電極膜１１の開口部内に形成され、半導体薄膜２０の裏面側から漏れる光を反射する反射部１２とを有している。反射部１２は、高反射金属膜により形成され、半導体薄膜２０の裏面側から漏れる光をその半導体薄膜２０の方向へ反射する機能を有している。そのため、反射部１２の光反射により、光出力を向上できる。 （もっと読む）

【課題】素子群の両側に配置された駆動回路の特性がばらつくことを抑制する。
【解決手段】Ｘ方向に沿って配列する複数の発光素子１４からなる素子群Ｇと、素子群Ｇから見てＸ方向の負側に配置されて素子群Ｇに属する２以上の第１発光素子１４ａの各々を駆動する複数の第１駆動回路２０ａと、素子群Ｇから見てＸ方向の正側に配置されて素子群Ｇに属する２以上の第２発光素子１４ｂの各々を駆動する複数の第２駆動回路２０ｂと、を備え、各第１駆動回路２０ａに含まれるトランジスタの半導体層のＸ方向における位置は、各第２駆動回路２０ｂに含まれるトランジスタの半導体層のＸ方向における位置と同じである。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハをダイシングする際に、半導体チップ内にクラックが伝搬することを防止する。
【解決手段】 ダイシング位置のデバイス形成領域１０側近傍において、半導体基板３上に形成された複数の配線層２同士を接合する接合部８を設ける。この接合部８により、ダイシングの際の外力による配線層２の剥離を防止する。 （もっと読む）

【課題】小型化及び材料コストの低減を図ることができる半導体複合装置を提供する。
【解決手段】半導体複合装置は、基板と、内部に一つだけ半導体素子を有する半導体薄膜であって、基板上に設けられた１０μｍ以下の厚さでシート状のＬＥＤエピタキシャルフィルム１０３と、集積回路及び第１の端子領域を有し、基板上に設けられた１０μｍ以下の厚さでシート状の集積回路薄膜１０４と、ＬＥＤエピタキシャルフィルム１０３の半導体素子上から基板の表面を経由して集積回路薄膜１０４の第１の端子領域上に至る領域に設けられ、ＬＥＤエピタキシャルフィルム１０３の半導体素子と集積回路薄膜１０４の第１の端子領域とを電気的に接続する薄膜の個別配線層１０５と、個別配線層１０５下の個別配線層のコンタクト領域以外の部分に設けられた層間絶縁膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】小型化及び材料コストの低減を図ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、端子領域を備えた基板１０１と、内部に一つだけ半導体素子を有する半導体薄膜であって、基板１０１上に複数枚設けられた１０μｍ以下の厚さのシート状のエピフィルム１９１と、エピフィルム１９１の半導体素子上から基板１０１の端子領域上に至る領域に設けられ、半導体素子と基板１０１上の端子領域とを電気的に接続する薄膜の個別配線層１０７ａと、個別配線層１０７ａ下の個別配線層のコンタクト領域以外の部分に設けられた層間絶縁膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】低価格且つ低電力で光書き込みの高速化が実現される光源ヘッド、及びそれを利用した画像形成装置を提供すること。
【解決手段】基板と基板上にアレイ状に配設された面発光型半導体レーザと基板上に配設され、前記面発光型半導体レーザの発光を選択的にオン・オフさせるスイッチ素子としてのサイリスタとを備える自己走査型の光源ヘッド、及びそれを利用した画像形成装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜を基板に貼り付けて製造する半導体複合装置の製造方法において、素子分離された個別半導体素子を上記基板上に高い位置精度でかつ容易に形成できるようにする。
【解決手段】半導体複合装置の製造方法は、薄膜の半導体薄膜１２０を、該半導体薄膜１２０の貼り付け面と基板３０１上に設けた導通層３０２の表面との間の分子間力により、該基板３０１に貼り付ける工程と、上記半導体薄膜１２０を上記基板３０１上で一括して個別の半導体素子（発光素子）５０１に素子分離する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 発光部２を有する半導体装置１を所定の基板上の貼付け領域に貼付けるときに、貼付ける前に形成された上記発光部２のＰＮ接合領域と上記他の基板上に設けられている機能領域とを電気的に接続させるための正確な位置合わせを容易にすること。
【解決手段】 半導体装置１の両端に設けられた位置決め手段３ａは、貫通穴であり、上記所定の基板の貼付け領域に設けられた所定のパターンと照合し、上記半導体装置１の貼付け位置を位置決めする。 （もっと読む）

【課題】一の結像光学系に対して複数の発光素子が配された構成においても、良好な潜像形成を実行可能とする技術を提供する。
【解決手段】複数の発光素子を有する基板と、複数の発光素子に対して配されて発光素子からの光を結像する結像光学系とを備え、複数の発光素子は、２個以上の発光素子を第１方向の互いに異なる位置に配した発光素子行を構成するようにして設けられており、発光素子行では、少なくとも２個の発光素子が第１方向に直交もしくは略直交する第２方向において互いに異なる位置に配されている。 （もっと読む）

【課題】成形時の樹脂のはみ出しを防止すると共に成形型の離型を簡単に行うことができ、簡単な構成で効率よく生産を行うことができる発光素子アレイチップの製造方法等を提供する。
【解決手段】基板上にてＬＥＤ１０２が形成される発光素子部および基板上にて発光素子部に隣接する隣接部に光硬化性樹脂３０２を被覆する被覆工程と、マイクロレンズ成形型２００を光硬化性樹脂３０２に押圧し、光硬化性樹脂３０２をマイクロレンズ形状に成形する成形工程と、を含み、発光素子部および隣接部にマイクロレンズ１０３を形成することを特徴とする発光素子アレイチップ１００の製造方法。 （もっと読む）