発光素子アレイ駆動装置、プリントヘッド、画像形成装置および信号供給方法
【課題】転送異常が生じにくい発光素子アレイ駆動装置、プリントヘッドおよび画像形成装置を提供する。
【解決手段】点灯終了時点（期間Ｔ（Ｌ３）では時刻ｐ）を固定とし、点灯開始時点（期間Ｔ（Ｌ３）では時刻ｎ）を可変として、発光サイリスタの点灯期間ｔｃを変えることで光量補正を行う。次段の転送サイリスタＴ４をオンにするタイミングにおいて、発光サイリスタＬ３を消灯しているので、例え、発光サイリスタＬ３の消灯によって、転送サイリスタＴ３がオフとなっても、転送サイリスタＴ４のゲート端子Ｇ４の電位が直ちに変化せず、転送サイリスタＴ４をオンにするタイミングにおいて転送サイリスタＴ４がオンになるため、転送動作が正常に行われ、転送異常を生じにくい。
【解決手段】点灯終了時点（期間Ｔ（Ｌ３）では時刻ｐ）を固定とし、点灯開始時点（期間Ｔ（Ｌ３）では時刻ｎ）を可変として、発光サイリスタの点灯期間ｔｃを変えることで光量補正を行う。次段の転送サイリスタＴ４をオンにするタイミングにおいて、発光サイリスタＬ３を消灯しているので、例え、発光サイリスタＬ３の消灯によって、転送サイリスタＴ３がオフとなっても、転送サイリスタＴ４のゲート端子Ｇ４の電位が直ちに変化せず、転送サイリスタＴ４をオンにするタイミングにおいて転送サイリスタＴ４がオンになるため、転送動作が正常に行われ、転送異常を生じにくい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子アレイ駆動装置、プリントヘッド、画像形成装置および信号供給方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真方式を採用した、プリンタや複写機、ファクシミリ等の画像形成装置では、一様に帯電された感光体上に、画像情報を光記録手段により照射することにより静電潜像を得た後、この静電潜像にトナーを付加して可視化し、記録紙上に転写して定着することによって画像形成が行われる。かかる光記録手段として、レーザを用い、主走査方向にレーザ光を走査させて露光する光走査方式の他、近年では、装置の小型化の要請を受けて発光素子としての発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode)を主走査方向に多数、配列してなる、ＬＥＤプリントヘッド(ＬＰＨ：LED Print Head)を用いた記録装置が採用されている。
【０００３】
特許文献１には、自己走査型発光素子アレイ（ＳＬＥＤ：Self-scanning Light Emitting Device）において、発光素子の点灯期間の終了タイミングを変更して、濃度むら補正を行う技術が提案されている。
また、特許文献２には、ＳＬＥＤを従来に比べて低い電源電圧で駆動する技術が提案されている。ここでは、転送素子を駆動する転送信号をレベルシフト手段により、電源電圧から駆動に必要な電圧に変更している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１８２１４３号公報
【特許文献２】特開２００４−１９５７９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、ＳＬＥＤの駆動において、オン状態の転送サイリスタがオフすべきタイミング以外のタイミングでオフするという現象が発生し、正常な転送動作が失われるという“転送異常”を生じることがある。
【０００６】
本発明の目的は、転送異常が生じにくい発光素子アレイ駆動装置、プリントヘッド、画像形成装置および信号供給方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１記載の発明は、複数の発光素子と、前記複数の発光素子のそれぞれの発光素子と電気的に接続され、接続された当該発光素子を、オン状態とされた場合に点灯しやすい状態に設定し、オフ状態とされた場合に点灯しにくい状態に設定するとともに、相互に列状に電気的に接続された複数のスイッチ素子と、連続して接続された２つのスイッチ素子が共にオン状態になる期間が重なるように期間をずらして、前記複数のスイッチ素子のそれぞれのスイッチ素子を順にオフ状態からオン状態そしてオフ状態に移行させることで、当該複数のスイッチ素子のそれぞれのスイッチ素子においてオン状態を伝搬させる転送信号を供給する転送信号供給手段と、連続して接続された２つのスイッチ素子を共にオン状態にする転送信号を供給する期間の開始時点を基準として前記発光素子の点灯期間の終了時点を設定し、当該終了時点より遡って当該発光素子の当該点灯期間の開始時点を設定した点灯信号を供給する点灯信号供給手段とを備えることを特徴とする発光素子アレイ駆動装置である。
【０００８】
請求項２記載の発明は、前記点灯期間の開始時点は、前記発光素子に対応して設けられた前記スイッチ素子と、当該スイッチ素子に電気的に接続された前段のスイッチ素子とが共にオン状態である期間が終了した後であって、当該前段のスイッチ素子に対応する発光素子が点灯しやすい状態にある期間が経過した後であることを特徴とする請求項１記載の発光素子アレイ駆動装置である。
請求項３記載の発明は、前記点灯期間の終了時点は、前記連続して接続された２つのスイッチ素子を共にオン状態にする転送信号を供給する期間の開始時点から、前記連続して接続された２つのスイッチ素子において前段のスイッチ素子をオフ状態に移行させる転送信号を供給後、オフ状態の後段のスイッチ素子がオン状態に移行しうる期間を遡って設定されることを特徴とする請求項１または２記載の発光素子アレイ駆動装置である。
請求項４記載の発明は、前記点灯期間の終了時点は、前記発光素子に対応して設けられた前記スイッチ素子と、当該スイッチ素子に電気的に接続された後段のスイッチ素子とを共にオン状態にする転送信号を供給する期間の開始時点より遡って２０ｎｓ以内であることを特徴とする請求項１または２記載の発光素子アレイ駆動装置である。
請求項５記載の発明は、前記点灯期間の終了時点は、前記連続して接続された２つのスイッチ素子を共にオン状態にする転送信号を供給する期間の開始時点から、当該連続して接続された２つのスイッチ素子における後段のスイッチ素子に接続された発光素子が点灯しにくい状態で維持されている期間を経過して設定されることを特徴とする請求項１または２記載の発光素子アレイ駆動装置である。
請求項６記載の発明は、前記点灯期間の開始時点は、前記発光素子毎に設定されることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項記載の発光素子アレイ駆動装置である。
請求項７記載の発明は、前記転送信号供給手段は、レベルシフト手段を備えることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項記載の発光素子アレイ駆動装置である。
請求項８記載の発明は、前記レベルシフト手段は、一端が前記スイッチ素子に接続され、他端はコンデンサが接続された信号線と抵抗が接続された信号線とに並列に分岐していることを特徴とする請求項７記載の発光素子アレイ駆動装置である。
請求項９記載の発明は、前記発光素子および前記スイッチ素子がサイリスタで構成されることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか記載の発光素子アレイ駆動装置である。
【０００９】
請求項１０記載の発明は、複数の発光素子と、当該複数の発光素子のそれぞれの発光素子と電気的に接続され、接続された当該発光素子を、オン状態とされた場合に点灯しやすい状態に設定し、オフ状態とされた場合に点灯しにくい状態に設定するとともに、相互に列状に電気的に接続された複数のスイッチ素子とを備えた発光装置と、連続して接続された２つのスイッチ素子が共にオン状態になる期間が重なるように期間をずらして、前記複数のスイッチ素子のそれぞれのスイッチ素子を順にオフ状態からオン状態そしてオフ状態に移行させることで、当該複数のスイッチ素子のそれぞれのスイッチ素子においてオン状態を伝搬させる転送信号を供給する転送信号供給手段と、連続して接続された２つのスイッチ素子を共にオン状態にする転送信号を供給する期間の開始時点を基準として前記発光素子の点灯期間の終了時点を設定し、当該終了時点より遡って当該発光素子の当該点灯期間の開始時点を設定した点灯信号を供給する点灯信号供給手段とを備える像保持体を露光する露光手段と、前記露光手段から照射される光を前記像保持体上に結像させる光学手段とを備えたことを特徴とするプリントヘッドである。
請求項１１記載の発明は、前記発光装置を複数備えたことを特徴とする請求項１０記載のプリントヘッド。
【００１０】
請求項１２記載の発明は、像保持体を帯電する帯電手段と、複数の発光素子と、当該複数の発光素子のそれぞれの発光素子と電気的に接続され、接続された当該発光素子を、オン状態とされた場合に点灯しやすい状態に設定し、オフ状態とされた場合に点灯しにくい状態に設定するとともに、相互に列状に電気的に接続された複数のスイッチ素子とを備えた複数の発光装置と、連続して接続された２つのスイッチ素子が共にオン状態になる期間が重なるように期間をずらして、前記複数のスイッチ素子のそれぞれのスイッチ素子を順にオフ状態からオン状態そしてオフ状態に移行させることで、当該複数のスイッチ素子のそれぞれのスイッチ素子においてオン状態を伝搬させる転送信号を供給する転送信号供給手段と、連続して接続された２つのスイッチ素子を共にオン状態にする転送信号を供給する期間の開始時点を基準として前記発光素子の点灯期間の終了時点を設定し、当該終了時点より遡って当該発光素子の当該点灯期間の開始時点を設定した点灯信号を供給する点灯信号供給手段とを備え、前記像保持体を露光して静電潜像を形成する露光手段と、前記露光手段から照射される光を前記像保持体上に結像させる光学手段と、前記像保持体に形成された静電潜像を現像する現像手段と、前記像保持体に現像された画像を被転写体に転写する転写手段とを備えたことを特徴とする画像形成装置である。
請求項１３記載の発明は、複数の発光素子と、当該複数の発光素子のそれぞれと電気的に接続され、接続された当該発光素子を、オン状態とされた場合に点灯しやすい状態に設定し、オフ状態とされた場合に点灯しにくい状態に設定するとともに、相互に列状に電気的に接続された複数のスイッチ素子とを備えた発光素子アレイ駆動装置における信号供給方法であって、連続して接続された２つのスイッチ素子が共にオン状態になる期間が重なるように期間をずらして、前記複数のスイッチ素子のそれぞれのスイッチ素子を順にオフ状態からオン状態そしてオフ状態に移行させることで、当該複数のスイッチ素子のそれぞれのスイッチ素子においてオン状態を伝搬させる転送信号を供給し、連続して接続された２つのスイッチ素子を共にオン状態にする転送信号を供給する期間の開始時点を基準として前記発光素子の点灯期間の終了時点を設定し、当該終了時点より遡って当該発光素子の当該点灯期間の開始時点を設定した点灯信号を供給することを特徴とする信号供給方法である。
【発明の効果】
【００１１】
請求項１の発明によれば、本発明を適用しない場合に比べて、転送異常が生じにくい発光素子アレイ駆動装置を提供できる。
請求項２の発明によれば、本発明を適用しない場合に比べて、点灯を予定していない発光素子が点灯することを防止できる。
請求項３の発明によれば、本発明を適用しない場合に比べて、転送異常を生じにくい発光素子アレイ駆動装置をより容易に構成できる。
請求項４の発明によれば、本発明を適用しない場合に比べて、転送異常を生じにくい発光素子アレイ駆動装置をより容易に構成できる。
請求項５の発明によれば、本発明を適用しない場合に比べて、転送異常を生じにくい発光素子アレイ駆動装置をより容易に構成できる。
請求項６の発明によれば、本発明を適用しない場合に比べて、発光素子アレイ駆動装置の駆動回路の電流供給能力を小さくできる。
請求項７の発明によれば、本発明を適用しない場合に比べて、低い電源電圧の発光素子アレイ駆動装置を提供できる。
請求項８の発明によれば、本発明を適用しない場合に比べて、簡易な構成で低い電源電圧の発光素子アレイ駆動装置を提供できる。
請求項９の発明によれば、本発明を適用しない場合に比べて、より小型の発光素子アレイ駆動装置を提供できる。
請求項１０の発明によれば、本発明を適用しない場合に比べて、小型のプリントヘッドを提供できる。
請求項１１の発明によれば、本発明を適用しない場合に比べて、より小型のプリントヘッドを提供できる。
請求項１２の発明によれば、本発明を適用しない場合に比べて、より小型の画像形成装置を提供できる。
請求項１３の発明によれば、本発明を適用しない場合に比べて、転送異常が生じにくい発光素子アレイ駆動装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施の形態が適用される画像形成装置の全体構成を示した図である。
【図２】本実施の形態が適用されるプリントヘッドの構成を示した図である。
【図３】発光素子アレイ駆動装置の平面図である。
【図４】発光素子アレイ駆動装置の回路構成を説明する図である。
【図５】発光素子アレイ駆動装置の詳細な回路構成を説明する図である。
【図６】転送サイリスタと、駆動回路およびレベルシフト回路における転送信号を供給する部分とを示す図である。
【図７】ＳＬＥＤの平面レイアウト図および断面図である。
【図８】駆動回路およびレベルシフト回路から出力される駆動信号およびＳＬＥＤの内部の信号ライン等の電位を示すタイミングチャートである。
【図９】本実施の形態における実施例および比較例の実験条件を示すタイミングチャートである。
【図１０】実施例と比較例の実験結果を示した図である。
【図１１】ＳＬＥＤにおける転送異常を説明するタイミングチャートである。
【図１２】転送異常を説明するための発光サイリスタと転送サイリスタとの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は本実施の形態が適用される画像形成装置１の全体構成を示した図である。図１に示す画像形成装置１は、一般にタンデム型と呼ばれる画像形成装置である。この画像形成装置１は、各色の画像データに対応して画像形成を行なう画像形成プロセス部１０、画像形成プロセス部１０を制御する画像出力制御部３０、例えばパーソナルコンピュータ（ＰＣ）２や画像読取装置３に接続され、これらから受信された画像データに対して予め定められた画像処理を施す画像処理部４０を備えている。
【００１４】
画像形成プロセス部１０は、一定の間隔を置いて並列的に配置される複数のエンジンからなる画像形成ユニット１１を備えている。この画像形成ユニット１１は、４つの画像形成ユニット１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋから構成されている。画像形成ユニット１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋは、それぞれ、静電潜像を形成してトナー像を保持する像保持体の一例としての感光体ドラム１２、感光体ドラム１２の表面を所定電位で一様に帯電する帯電手段の一例としての帯電器１３、帯電器１３によって帯電された感光体ドラム１２を露光するプリントヘッド１４、プリントヘッド１４によって得られた静電潜像を現像する現像手段の一例としての現像器１５を備えている。ここで、各画像形成ユニット１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋは、現像器１５に収納されたトナーを除いて、略同様に構成されている。そして、画像形成ユニット１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋは、それぞれがイエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、黒（Ｋ）のトナー像を形成する。
また、画像形成プロセス部１０は、各画像形成ユニット１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋの感光体ドラム１２にて形成された各色のトナー像を記録用紙に多重転写させるために、この記録用紙を搬送する用紙搬送ベルト２１と、用紙搬送ベルト２１を駆動させるロールである駆動ロール２２と、感光体ドラム１２のトナー像を記録用紙に転写させる転写手段の一例としての転写ロール２３と、記録用紙にトナー像を定着させる定着器２４とを備えている。
【００１５】
図２は、本実施の形態が適用されるプリントヘッド１４の構成を示した図である。プリントヘッド１４は、ハウジング６１、自己走査型発光素子アレイ（ＳＬＥＤ）６３、ＳＬＥＤ６３やＳＬＥＤ６３の駆動回路１００（後述の図３参照）等を搭載する回路基板６２、ＳＬＥＤ６３からの光を感光体ドラム１２表面に結像させる光学手段の一例としてのロッドレンズアレイ６４を備えている。ここで、回路基板６２、ＳＬＥＤ６３、駆動回路１００等を露光手段の一例としての発光素子アレイ駆動装置５０と呼ぶ。
【００１６】
図３は、発光素子アレイ駆動装置５０の平面図である。
発光素子アレイ駆動装置５０は、回路基板６２、回路基板６２上に例えば５８個の発光装置の一例としてのＳＬＥＤチップ（ＣＨＩＰ１〜ＣＨＩＰ５８）からなるＳＬＥＤ６３、駆動回路１００、レベルシフト手段の一例としてレベルシフト回路１０４を備える。
ここで、ＳＬＥＤチップ（ＣＨＩＰ１〜ＣＨＩＰ５８）は、感光体ドラム１２の軸線方向（主走査方向に該当する。）と平行になるように列状に配置されている。さらに、各ＳＬＥＤチップ（ＣＨＩＰ１〜ＣＨＩＰ５８）には、各ＳＬＥＤチップ（ＣＨＩＰ１〜ＣＨＩＰ５８）の矩形の長辺に沿って、例えば１２８個の発光素子の一例としての発光サイリスタが等間隔に配列されている（図示せず。）。そして、各ＳＬＥＤチップは、ＳＬＥＤチップ同士の連結部において、発光サイリスタが主走査方向に連続的に配列されるように、交互に千鳥状に配置されている。
【００１７】
図４は、発光素子アレイ駆動装置５０の回路構成を説明する図である。回路基板６２には、各ＳＬＥＤチップ（ＣＨＩＰ１〜ＣＨＩＰ５８）に基準電位Ｖｓｕｂ（例えば０Ｖ）を与える電源ライン１０５および電源電圧Ｖｇａ（例えば−３．３Ｖ）を与える電源ライン１０６、転送信号供給手段および点灯信号供給手段の一例としての駆動回路１００から各ＳＬＥＤチップに対して点灯信号ＩＤ（ＩＤ_１〜ＩＤ_５８）を送信する信号ライン１０７（１０７_１〜１０７_５８）、１組の転送信号の一方である転送信号ＣＫ１を送信する信号ライン１０８、他の転送信号である転送信号ＣＫ２を送信する信号ライン１０９が設けられている。
【００１８】
そして、各ＳＬＥＤチップ（ＣＨＩＰ１〜ＣＨＩＰ５８）には、信号ライン１０７を介して、ＣＨＩＰ１〜ＣＨＩＰ５８に対する点灯信号ＩＤ（ＩＤ_１〜ＩＤ_５８）がそれぞれ入力される。この点灯信号ＩＤ（ＩＤ_１〜ＩＤ_５８）は、画像処理部４０から与えられた画像データおよび画像出力制御部３０から与えられた光量補正値により、発光サイリスタ毎に点灯期間を設定する。なお、光量補正値は、予め測定された光量値に基づいて、発光サイリスタ毎に設定されている。
また、駆動回路１００からの転送信号ＣＫ１Ｃと転送信号ＣＫ１Ｒとから、レベルシフト回路１０４を通して得られる転送信号ＣＫ１が、信号ライン１０８を介して、それぞれＣＨＩＰ１〜ＣＨＩＰ５８に共通に入力される。同様に、駆動回路１００からの転送信号ＣＫ２Ｃと転送信号ＣＫ２Ｒとからレベルシフト回路１０４を通して得られる転送信号ＣＫ２が、信号ライン１０９を介して、それぞれＣＨＩＰ１〜ＣＨＩＰ５８に共通に入力される。すなわち、各ＳＬＥＤチップ（ＣＨＩＰ１〜ＣＨＩＰ５８）は、１組の転送信号ＣＫ１とＣＫ２とで共通に駆動され、並行して制御されている。
【００１９】
続いて、発光素子アレイ駆動装置５０の詳細な回路構成を説明する。
図５は、発光素子アレイ駆動装置５０の詳細な回路構成を説明する図である。本実施の形態の発光素子アレイ駆動装置５０には、５８個のＳＬＥＤチップ（ＣＨＩＰ１〜ＣＨＩＰ５８）が配列されているが、図５では、１つのＳＬＥＤチップのみを示している。そして、以下の説明では、便宜上ＳＬＥＤチップをＳＬＥＤ６３と称することとする。
【００２０】
始めに、駆動回路１００とレベルシフト回路１０４とを説明する。
駆動回路１００は、転送信号ＣＫ１Ｃ、ＣＫ１Ｒ、ＣＫ２Ｃ、ＣＫ２Ｒをそれぞれ供給するバッファＢ１Ｃ、Ｂ２Ｃ、スリーステートバッファＢ１Ｒ、Ｂ２Ｒを備える。また、駆動回路１００は、点灯信号ＩＤを供給するバッファＢＩＤを備える。さらに、駆動回路１００は、転送信号ＣＫ１Ｃ、ＣＫ１Ｒ、ＣＫ２Ｃ、ＣＫ２Ｒ、点灯信号ＩＤ、電源電圧Ｖｇａ、基準電位Ｖｓｕｂを供給する電源（図示せず。）を備える。
ここで、スリーステートバッファとは、スリーステートバッファに与えられる制御信号により、出力端子をハイインピーダンス（Ｈｉｚ）の状態とすることができるバッファをいう。
【００２１】
レベルシフト回路１０４は、コンデンサＣ１、抵抗Ｒ１Ｂ、コンデンサＣ２、抵抗Ｒ２Ｂを備える。そして、コンデンサＣ１と抵抗Ｒ１Ｂとは並列に配置され、それぞれの一方の端子が互いに接続され、ＳＬＥＤ６３の入力端子に接続されている。同様に、コンデンサＣ２と抵抗Ｒ２Ｂとは並列に配置され、それぞれの一方の端子が互いに接続され、ＳＬＥＤ６３の入力端子に接続されている。
一方、抵抗Ｒ１Ｂと接続されていないコンデンサＣ１の他方の端子は、駆動回路１００の出力端子を介して、バッファＢ１Ｃの出力端子に接続されている。そして、コンデンサＣ１と接続されていない抵抗Ｒ１Ｂの他方の端子は、駆動回路１００の出力端子を介して、スリーステートバッファＢ１Ｒの出力端子に接続されている。
同様に、抵抗Ｒ２Ｂと接続されていないコンデンサＣ２の他方の端子は、駆動回路１００の出力端子を介して、バッファＢ２Ｃの出力端子に接続されている。そして、コンデンサＣ２と接続されていない抵抗Ｒ２Ｂの他方の端子は、駆動回路１００の出力端子を介して、スリーステートバッファＢ２Ｒの出力端子に接続されている。
【００２２】
駆動回路１００は、バッファＢ１Ｃの出力端子から転送信号ＣＫ１Ｃを送出し、スリーステートバッファＢ１Ｒの出力端子から転送信号ＣＫ１Ｒを送出する。これらの信号に基づいて、レベルシフト回路１０４は転送信号ＣＫ１をＳＬＥＤ６３に供給する。同様に、駆動回路１００は、バッファＢ２Ｃの出力端子から転送信号ＣＫ２Ｃを送出し、スリーステートバッファＢ２Ｒの出力端子から転送信号ＣＫ２Ｒを送出する。これらの信号に基づいて、レベルシフト回路１０４は転送信号ＣＫ２をＳＬＥＤ６３に供給する。
【００２３】
さらに、駆動回路１００は、バッファＢＩＤの出力端子から点灯信号ＩＤを送出し、抵抗ＲＩＤを介して、ＳＬＥＤ６３に供給する。
【００２４】
次に、ＳＬＥＤ６３について説明する。
図５に示すように、ＳＬＥＤ６３は、例えば、スイッチ素子の一例としての１２８個の転送サイリスタＴ１〜Ｔ１２８、発光素子の一例としての１２８個の発光サイリスタＬ１〜Ｌ１２８、１２７個のダイオードＤ１〜Ｄ１２７、１個のスタートダイオードＤｓ、１２８個の抵抗Ｒ１〜Ｒ１２８、さらには信号ラインΦ１、Φ２に過剰な電流が流れるのを防止する転送電流制限抵抗Ｒ１Ａ、Ｒ２Ａを備える。
そして、転送サイリスタＴ１〜Ｔ１２８および発光サイリスタＬ１〜Ｌ１２８はそれぞれ番号順に一列に配列されている。
【００２５】
本実施の形態のＳＬＥＤ６３では、各転送サイリスタＴ１〜Ｔ１２８および各発光サイリスタＬ１〜Ｌ１２８のアノード端子は、裏面共通電極端子８６を介して電源ライン１０５に接続されている。この電源ライン１０５には、基準電位Ｖｓｕｂ（０Ｖ）が供給される。
奇数番目の転送サイリスタＴ１、Ｔ３、…、Ｔ１２７のカソード端子は、信号ラインΦ１に接続されている。信号ラインΦ１には、転送電流制限抵抗Ｒ１Ａを介して転送信号ＣＫ１が供給される。
また、偶数番目のサイリスタＴ２、Ｔ４、…、Ｔ１２８のカソード端子は、信号ラインΦ２に接続されている。信号ラインΦ２には、転送電流制限抵抗Ｒ２Ａを介して転送信号ＣＫ２が供給される。
【００２６】
一方、各転送サイリスタＴ１〜Ｔ１２８のゲート端子Ｇ１〜Ｇ１２８は、各転送サイリスタＴ１〜Ｔ１２８に対応して設けられた抵抗Ｒ１〜Ｒ１２８を介して電源ライン１０６にそれぞれ接続されている。この電源ライン１０６には、電源電圧Ｖｇａ（−３．３Ｖ）が供給される。
また、各転送サイリスタＴ１〜Ｔ１２８のゲート端子Ｇ１〜Ｇ１２８と発光サイリスタ Ｌ１〜Ｌ１２８のゲート端子とはそれぞれ接続されている。そこで、各発光サイリスタ Ｌ１〜Ｌ１２８のゲート端子も、転送サイリスタＴ１〜Ｔ１２８のゲート端子Ｇ１〜Ｇ１２８と区別することなく、それぞれゲート端子Ｇ１〜Ｇ１２８と呼ぶ。
【００２７】
さらに、各転送サイリスタＴ１〜Ｔ１２７のそれぞれのゲート端子Ｇ１〜Ｇ１２７には、ダイオードＤ１〜Ｄ１２７のアノード端子がそれぞれ接続されている。そして、転送サイリスタＴ２〜Ｔ１２８のそれぞれのゲート端子Ｇ２〜Ｇ１２８には、ダイオードＤ１〜Ｄ１２７のカソード端子がそれぞれ接続されている。すなわち、各ダイオードＤ１〜Ｄ１２７はそれぞれゲート端子Ｇ１〜Ｇ１２８の間に直列接続されている。
【００２８】
これに加え、転送サイリスタＴ１のゲート端子Ｇ１には、スタートダイオードＤｓのカソード端子が接続されている。一方、スタートダイオードＤｓのアノード端子は、信号ラインΦ２に接続されている。よって、スタートダイオードＤｓのアノード端子には、転送電流制限抵抗Ｒ２Ａを介して、転送信号ＣＫ２が供給される。
また、発光サイリスタＬ１〜Ｌ１２８のカソード端子は、点灯信号ラインΦＩにそれぞれ接続されている。そして、点灯信号ラインΦＩは、抵抗ＲＩＤを介して点灯信号ＩＤが供給される。
【００２９】
図６は、図５における転送サイリスタＴ１と、駆動回路１００およびレベルシフト回路１０４における転送信号ＣＫ１を供給する部分とを示す図である。ここでは、転送サイリスタＴ１をｐｎｐトランジスタＴｒ１とｎｐｎトランジスタＴｒ２とで表される等価回路で示している。ｐｎｐトランジスタＴｒ１のエミッタ端子は、転送サイリスタＴ１のアノード端子Ａ１であり、Ｖｓｕｂに接続されている。また、ｐｎｐトランジスタＴｒ１のコレクタ端子は、転送サイリスタＴ１のゲート端子Ｇ１である。一方、ｎｐｎトランジスタＴｒ２のエミッタ端子は、転送サイリスタＴ１のカソード端子Ｋ１であり、信号ラインΦ１に接続されている。また、ｎｐｎトランジスタＴｒ２のベース端子は、転送サイリスタＴ１のゲート端子Ｇ１であり、ｐｎｐトランジスタＴｒ１のコレクタ端子に接続されている。さらに、ｐｎｐトランジスタＴｒ１のベース端子とｎｐｎトランジスタＴｒ２のコレクタ端子とが接続されている。
駆動回路１００およびレベルシフト回路１０４については、前述した通りであるので、説明を省略する。
【００３０】
図７（ａ）は、ＳＬＥＤ６３の平面レイアウト図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）に示したＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ線での断面図である。すなわち、図７（ｂ）は、発光サイリスタＬ３、転送サイリスタＴ３、抵抗Ｒ３の断面を表している。
図７（ａ）に示すように、ＳＬＥＤ６３は、基板８１と、発光サイリスタＬ１〜Ｌ１２８の１つと、それに対応する転送サイリスタＴ１〜Ｔ１２８の１つと、同じくそれに対応するダイオードＤ１〜Ｄ１２７の１つとを形成した第１アイランド１４１（例えば、発光サイリスタＬ３と転送サイリスタＴ３とダイオードＤ３とを形成した第１アイランド１４１）と、抵抗Ｒ１〜Ｒ１２８の１つを形成した第２アイランド１４２（例えば、抵抗Ｒ３を形成した第２アイランド１４２）と、スタートダイオードＤｓを形成した第３アイランド１４３と、転送電流制限抵抗Ｒ１Ａを形成した第４アイランド１４４と、転送電流制限抵抗Ｒ２Ａを形成した第５アイランド１４５とを備える。
【００３１】
図７（ｂ）に示すように、ＳＬＥＤ６３は、基板８１上に、ｐ型の第１半導体層８２、ｎ型の第２半導体層８３、ｐ型の第３半導体層８４およびｎ型の第４半導体層８５が順に積層されたｐｎｐｎ構造を備える。
基板８１の裏面には裏面共通電極端子８６が形成されている。
【００３２】
第１アイランド１４１には、発光サイリスタＬ３が形成されている。発光サイリスタＬ３は、裏面共通電極端子８６をアノード端子、ｎ型の第４半導体層８５の領域１１１に形成されたオーミック電極１２１をカソード端子、ｎ型の第４半導体層８５をエッチング除去してｐ型の第３半導体層８４上に形成されたオーミック電極１３１をゲート端子Ｇ３とする。
さらに、第１アイランド１４１には、転送サイリスタＴ３が形成されている。転送サイリスタＴ３は、裏面共通電極端子８６をアノード端子、ｎ型の第４半導体層８５の領域１１２に形成されたオーミック電極１２２をカソード端子、ｐ型の第３半導体層８４上に形成されたオーミック電極１３１をゲート端子Ｇ３とする。
発光サイリスタＬ３および転送サイリスタＴ３のゲート端子Ｇ３は共通で、オーミック電極１３１である。
また、図７（ｂ）には図示していないが、第１アイランド１４１には、ｐ型の第３半導体層８４をアノード端子とし、ｎ型の第４半導体層８５をカソード端子とするダイオードＤ３が形成されている。
すなわち、第１アイランド１４１には、発光サイリスタＬ３、転送サイリスタＴ３、ダイオードＤ３が形成されている。
【００３３】
第２アイランド１４２には、ｐ型の第３半導体層８４上に形成されたオーミック電極１３２とオーミック電極１３３との間に抵抗Ｒ３が形成されている。つまり、抵抗Ｒ１〜Ｒ１２８はｐ型の第３半導体層８４を利用して形成されている。
第３アイランド１４３には、スタートダイオードＤｓが形成されている。スタートダイオードＤｓは、ダイオードＤ３と同様に、ｐ型の第３半導体層８４をアノード端子とし、ｎ型の第４半導体層８５をカソード端子として形成されている。
第４アイランド１４４と第５アイランド１４５とには、転送電流制限抵抗Ｒ１Ａと転送電流制限抵抗Ｒ２Ａとがそれぞれ形成されている。これらの抵抗は、抵抗Ｒ３と同様に、ｐ型の第３半導体層８４を利用して形成されている。
【００３４】
図７（ａ）における第１アイランド１４１および第２アイランド１４２について接続関係を説明する。
転送サイリスタＴ３および発光サイリスタＬ３の共通のゲート端子Ｇ３であるオーミック電極１３１は、抵抗Ｒ３のオーミック電極１３２に接続されている。さらに、このオーミック電極１３１は、隣接する第１アイランド１４１に形成されたダイオードＤ２のカソード端子に接続されている。発光サイリスタＬ３のオーミック電極１２１は点灯信号ラインΦＩに接続されている。また、奇数番目の転送サイリスタＴ３のオーミック電極１２２は信号ラインΦ１に接続されている。信号ラインΦ１は、転送電流制限抵抗Ｒ１Ａを介してＳＬＥＤ６３の入力端子に接続されている。
なお、偶数番目の転送サイリスタＴ２、Ｔ４、…、Ｔ１２８のカソード端子は信号ラインΦ２に接続され、転送電流制限抵抗Ｒ２Ａを介してＳＬＥＤ６３の入力端子に接続されている。
さらに、第２アイランド１４２のオーミック電極１３３は電源ライン１０６に接続されている。
ここでは説明を省略するが、他の発光サイリスタ、転送サイリスタ、ダイオードについても同様である。
【００３５】
次に、駆動回路１００およびレベルシフト回路１０４から出力されるＳＬＥＤ６３を駆動する信号（駆動信号）と、ＳＬＥＤ６３の内部の信号ラインΦ１、Φ２、点灯信号ラインΦＩの電位について説明する。
図８は、駆動回路１００およびレベルシフト回路１０４から出力される駆動信号およびＳＬＥＤ６３の内部の信号ラインΦ１、Φ２、点灯信号ラインΦＩの電位を示すタイミングチャートである。ここでは、時刻ａから時刻ｕへとアルファベット順に時刻が経過するとする。
【００３６】
さて、ＳＬＥＤ６３では、番号の小さい転送サイリスタから番号の大きい転送サイリスタへとオン状態が移るとともに、オン状態の転送サイリスタに対応して設けられた発光サイリスタが点灯しやすい状態になる。そして、点灯信号ＩＤにより、点灯しやすい状態になった発光サイリスタの点灯／非点灯および点灯期間が制御される。
ここでは、ＳＬＥＤ６３の発光サイリスタＬ１〜Ｌ４を点灯制御する部分を取り出して示し、発光サイリスタＬ１〜Ｌ４のすべてが“点灯”するとした。
そして、それぞれの発光サイリスタの点灯／非点灯が制御される期間を周期Ｔとし、時刻ｂから時刻ｆまでが発光サイリスタＬ１を制御する期間Ｔ（Ｌ１）、時刻ｆから時刻ｊまでが発光サイリスタＬ２を制御する期間Ｔ（Ｌ２）、時刻ｊから時刻ｐまでが発光サイリスタＬ３を制御する期間Ｔ（Ｌ３）、そして時刻ｐから時刻ｕまでが発光サイリスタＬ４を制御する期間Ｔ（Ｌ４）とした。
【００３７】
以下では、図５を参照して、図８のタイミングチャートを説明する。
図８において、転送信号ＣＫ１Ｃ（図８の（Ａ））は、バッファＢ１Ｃの出力信号であり、レベルシフト回路１０４のコンデンサＣ１に供給される。転送信号ＣＫ１Ｒ（同（Ｂ））はスリーステートバッファＢ１Ｒの出力信号であり、レベルシフト回路１０４の抵抗Ｒ１Ｂに供給される。
転送信号ＣＫ１（同（Ｃ））はレベルシフト回路１０４のコンデンサＣ１と抵抗Ｒ１Ｂとの接続部の電位である。Φ１（同（Ｄ））は、ＳＬＥＤ６３の転送電流制限抵抗Ｒ１ＡよりＳＬＥＤ６３の内部における信号ラインΦ１の電位である。
同様に、転送信号ＣＫ２Ｃ（同（Ｅ））は、バッファＢ２Ｃの出力信号であり、レベルシフト回路１０４のコンデンサＣ２に供給される。転送信号ＣＫ２Ｒ（同（Ｆ））はスリーステートバッファＢ２Ｒの出力信号であり、レベルシフト回路１０４の抵抗Ｒ２Ｂに供給される。
転送信号ＣＫ２（同（Ｇ））はレベルシフト回路１０４のコンデンサＣ２と抵抗Ｒ２Ｂとの接続部の電位である。Φ２（同（Ｈ））は、ＳＬＥＤ６３の転送電流制限抵抗Ｒ２ＡよりＳＬＥＤ６３の内部における信号ラインΦ２の電位である。
また、点灯信号ＩＤ（同（Ｉ））は、前述したように、発光サイリスタＬ１〜Ｌ１２８の発光／非発光を設定すると共に、発光期間を設定する。ΦＩ（同（Ｊ））は、ＳＬＥＤ６３の点灯信号ラインΦＩの電位である。
【００３８】
以上説明したように、駆動回路１００から供給される信号は、転送信号ＣＫ１Ｃ、ＣＫ１Ｒ、ＣＫ２Ｃ、ＣＫ２Ｒ、および点灯信号ＩＤである。一方、転送信号ＣＫ１およびＣＫ２は、転送信号ＣＫ１Ｃ、ＣＫ１Ｒおよび転送信号ＣＫ２Ｃ、ＣＫ２Ｒからそれぞれ生成される信号である。Φ１、Φ２、ΦＩは、ＳＬＥＤ６３の内部の電位である。
【００３９】
図８の期間Ｔ（Ｌ１）は、発光サイリスタＬ１を点灯制御する期間であり、ＳＬＥＤ６３の駆動が開始される期間でもある。このため、期間Ｔ（Ｌ１）では、転送信号ＣＫ２Ｃ、ＣＫ２Ｒが印加されていないなど、これ以降の信号の波形と異なっている。そこで、それ以降の信号波形が繰り返し波形となる期間Ｔ（Ｌ３）、Ｔ（Ｌ４）の信号波形により、信号の概要を説明する。
【００４０】
転送信号ＣＫ１Ｃ、ＣＫ１Ｒ、ＣＫ２Ｃ、ＣＫ２Ｒは、期間Ｔ（Ｌ３）と期間Ｔ（Ｌ４）とを加えた期間（２×Ｔ）を周期として繰り返す信号である。そこで、期間Ｔ（Ｌ３）と期間Ｔ（Ｌ４）とを加えた期間（時刻ｊから時刻ｕまで）を単位として説明する。
転送信号ＣＫ１Ｃは、時刻ｋでハイレベル（以下、「Ｈ」と記す。）からローレベル（以下、「Ｌ」と記す。）に、時刻ｒで「Ｌ」から「Ｈ」になり、その他の期間は「Ｈ」である。
転送信号ＣＫ１Ｒは、時刻ｊで「Ｈ」から「Ｌ」に、時刻ｒで「Ｌ」から「Ｈ」になり、その他の期間は「Ｈ」である。
転送信号ＣＫ２Ｃは、時刻ｌで「Ｌ」から「Ｈ」に、時刻ｑで「Ｈ」から「Ｌ」になり、その他の期間は「Ｌ」である。
転送信号ＣＫ２Ｒは、時刻ｌで「Ｌ」から「Ｈ」に、時刻ｐで「Ｈ」から「Ｌ」になり、その他の期間は「Ｌ」である。
ここで、転送信号ＣＫ１Ｃと転送信号ＣＫ２Ｃとを比較すると、転送信号ＣＫ２Ｃは、転送信号ＣＫ１Ｃを周期Ｔに相当する期間を、時間軸上を右にシフトした信号にあたる。同様に、転送信号ＣＫ２Ｒは、転送信号ＣＫ１Ｒを周期Ｔに相当する期間を、時間軸上で右にシフトした信号にあたる。
【００４１】
一方、点灯信号ＩＤは、期間Ｔ（Ｌ３）では、時刻ｎで「Ｈ」から点灯信号ＩＤのローレベル（以下、「Ｌｅ」と記す。）に、時刻ｐで「Ｌｅ」から「Ｈ」になり、その他の期間は「Ｈ」である。なお、「Ｌｅ」は発光サイリスタを点灯させうる点灯電位で、「Ｌ」と異なる電位である。「Ｌｅ」の電位については、後述する。
点灯信号ＩＤが「Ｌｅ」であると、点灯信号ラインΦＩの電位も「Ｌｅ」になり、「Ｌｅ」にある期間の間、発光サイリスタＬ３が点灯（Ｌ３ｏｎ）する。点灯信号ＩＤが「Ｌｅ」にある期間を点灯期間ｔｃと呼ぶ。
なお、点灯期間ｔｃは、光量補正値によって、それぞれの発光サイリスタで異なる。そこで、それぞれの発光サイリスタＬ１〜Ｌ４の点灯期間ｔｃを区別するため、それぞれの点灯期間ｔｃを点灯期間ｔｃ１〜ｔｃ４と呼ぶ。図８においても、期間Ｔ（Ｌ１）〜Ｔ（Ｌ４）における点灯期間ｔｃ１〜ｔｃ４の期間が異なるように表している。
【００４２】
この点灯期間ｔｃは、点灯可能期間ｔｅ内に設定されることが必要である。ここで、転送信号ＣＫ１ＲとＣＫ２Ｒとが共に「Ｌ」である期間を期間ｔａ、転送信号ＣＫ１ＲまたはＣＫ２Ｒが「Ｈ」になってからの一定の期間を期間ｔｂとする。すると、点灯可能期間ｔｅは、期間Ｔ（Ｌ３）の期間ｔａ（時刻ｊから時刻ｌまでの期間）と期間ｔｂ（時刻ｌから時刻ｍまでの期間）とが経過した後から、期間Ｔ（Ｌ４）における期間ｔａが始まる時刻ｐまでの期間となる。なお、期間ｔａ、ｔｂ、ｔｅについては、後述する。
【００４３】
さて、本実施の形態においては、図８の（Ｉ）ＩＤに示すように、点灯期間の終了時点を、期間ｔａが始まる時刻とし、点灯期間の開始時点を期間ｔａが始まる時刻から点灯期間ｔｃ遡って設定している。例えば、期間Ｔ（Ｌ３）について見ると、発光サイリスタＬ３の点灯開始時点は、期間Ｔ（Ｌ４）において、期間ｔａが始まる時刻ｐから、点灯期間ｔｃ３遡った時刻ｎに設定されている。
したがって、発光素子アレイ駆動装置５０において、並行して駆動されているそれぞれのＳＬＥＤチップの発光サイリスタについても、それぞれの光量補正値に応じて点灯開始時点がそれぞれ異なることになると考えられる。
このため、駆動回路１００は、発光サイリスタが点灯するための電流を一斉に供給することを要せず、発光サイリスタ毎に設定された点灯開始時点に、発光サイリスタを点灯するための電流と点灯している発光サイリスタの発光を維持するための電流とを供給すればよい。このことから、駆動回路１００に設けられた電源の電流供給能力を抑え、駆動回路１００のサイズが小さくなる。そして、その駆動回路を用いることにより小型の発光素子アレイ駆動装置５０となる。
さらに、これにより、ＳＬＥＤチップの発熱や、漏れ光が増加することを抑えることになる。
なお、上記の説明では、点灯期間ｔｃの終了時点を、期間ｔａが始まる時刻とした。しかし、点灯期間ｔｃの終了時点を、期間ｔａが始まる時刻から予め定められた期間遡った時刻としてもよい。また、点灯期間ｔｃの終了時点を、期間ｔａが始まる時刻から予め定められた期間経過した時刻としてもよい。これらについては、後述する。
【００４４】
次に、ＳＬＥＤ６３の動作を説明する。説明に先立ち、転送サイリスタなどのサイリスタがオンになるための条件を、図６に示した転送サイリスタＴ１の等価回路を参照して、説明する。
転送サイリスタＴ１がターンオンするためには、転送サイリスタＴ１の等価回路を構成する２つのトランジスタ、ｐｎｐトランジスタＴｒ１とｎｐｎトランジスタＴｒ２とが共にオンになることが必要である。
なお、ここでサイリスタのターンオンとは、共にオフであったｐｎｐトランジスタＴｒ１とｎｐｎトランジスタＴｒ２とが共にオンに変化し、アノード端子とカソード端子との間が導通状態（低抵抗状態）になることをいう。一方、サイリスタのターンオフとは、共にオンであったｐｎｐトランジスタＴｒ１とｎｐｎトランジスタＴｒ２とが共にオフに変化し、アノード端子とカソード端子との間が非導通状態（高抵抗状態）になることをいう。
【００４５】
さて、転送サイリスタＴ１のゲート端子Ｇ１は、ｎｐｎトランジスタＴｒ２のベース端子にあたる。カソード端子Ｋ１は、ｎｐｎトランジスタＴｒ２のエミッタ端子にあたる。
ｎｐｎトランジスタＴｒ２がオンになるためには、ｎｐｎトランジスタＴｒ２のベース端子（Ｇ１）−エミッタ端子（Ｋ１）間が順バイアスになることが必要となる。これには、ベース端子（Ｇ１）−エミッタ端子（Ｋ１）間がｐｎ接合の順方向立上り電圧（拡散電位）Ｖｄより大きな電位差となることが必要となる。つまり、ＳＬＥＤチップ６３の特性として、Ｖｄを１．５Ｖとすると、ベース端子（Ｇ１）−エミッタ端子（Ｋ１）間の電位差が１．５Ｖより大きくなることが必要となる。
【００４６】
さて、ベース端子（Ｇ１）−エミッタ端子（Ｋ１）間の電位差が１．５Ｖを超えると、ベース端子（Ｇ１）−エミッタ端子（Ｋ１）間に電流が流れ始め、ｎｐｎトランジスタＴｒ２がオンする。すると、ｎｐｎトランジスタＴｒ２のコレクタ端子−エミッタ端子（Ｋ１）間に電流が流れ始める。これにより、ｐｎｐトランジスタＴｒ１のベース端子−エミッタ端子（Ａ１）間に電流が流れ始め、ｐｎｐトランジスタＴｒ１がオンする。このようにして、ｐｎｐトランジスタＴｒ１とｎｐｎトランジスタＴｒ２とが共にオンになり、転送サイリスタＴ１がターンオンする。
そして、転送サイリスタＴ１のカソード端子Ｋ１の電位は、−Ｖｄの−１．５Ｖとなり、ゲート端子Ｇ１の電位はほぼ０Ｖ（「Ｈ」）になる。
【００４７】
以上説明したように、転送サイリスタがターンオンする条件は、ゲート端子−カソード端子間を順バイアスにし、その電位差を１．５Ｖより大きくすることである。すなわち、一般にサイリスタをオンにする条件は、ゲート端子−カソード端子間を順バイアスにし、その電位差をＶｄより大きくすることであるといえる。
そして、転送サイリスタのカソード端子は信号ラインΦ１またはΦ２に接続されているので、転送サイリスタがターンオンする条件は、ゲート端子−信号ラインΦ１（またはΦ２）間の電位差を、サイリスタのゲート端子−カソード端子間が順バイアスになるようにし、かつその電位差を１．５Ｖより大きくすることであると言い換えることができる。
【００４８】
では、図５、６、８を参照しつつ、ＳＬＥＤ６３の動作を図８に示した時刻順（時刻ａ、ｂ、ｃ、…）に説明する。
（１）まず、初期状態（時刻ａ）においては、転送信号ＣＫ１ＣおよびＣＫ１Ｒを共に「Ｈ」（０Ｖ）とし、転送信号ＣＫ１を「Ｈ」に設定する。同様に、転送信号ＣＫ２ＣおよびＣＫ２Ｒを共に「Ｈ」とし、転送信号ＣＫ２を「Ｈ」に設定する。
ここで、転送信号ＣＫ１は転送電流制限抵抗Ｒ１Ａを介して信号ラインΦ１に接続されているので、信号ラインΦ１の電位も「Ｈ」である。同様に、転送信号ＣＫ２は転送電流制限抵抗Ｒ２Ａを介して信号ラインΦ２に接続されているので、信号ラインΦ２の電位も「Ｈ」である。
さらに、点灯信号ＩＤも「Ｈ」に設定されているので、点灯信号ラインΦＩの電位も「Ｈ」である。
【００４９】
このとき、スタートダイオードＤｓは、アノード端子が信号ラインΦ２の「Ｈ」（０Ｖ）に、カソード端子が電源電圧Ｖｇａの「Ｌ」（−３．３Ｖ）に設定されているので、順バイアスの状態になっている。このため、転送サイリスタＴ１のゲート端子Ｇ１の電位は、信号ラインΦ２の電位の「Ｈ」（０Ｖ）からスタートダイオードＤｓのｐｎ接合の順方向立上り電圧（拡散電位）Ｖｄを引いた値である−１．５Ｖとなっている。
しかし、すべての転送サイリスタＴ１〜Ｔ１２８および発光サイリスタＬ１〜Ｌ１２８は、カソード端子の電位とアノード端子の電位とが「Ｈ」（０Ｖ）で等しいので、オフになっている。
【００５０】
（２）時刻ｂにおいて、転送信号ＣＫ１Ｒを「Ｌ」（−３．３Ｖ）にすることで、ＳＬＥＤ６３の動作が開始する。
転送信号ＣＫ１Ｒを「Ｌ」にすると、転送信号ＣＫ１が「Ｈ」から「Ｌ」に向かって変化する。これにより、コンデンサＣ１の両端に電圧が発生する。また、信号ラインΦ１の電位が、「Ｈ」から「Ｌ」に向かって変化する。そして、信号ラインΦ１の電位が、ゲート端子Ｇ１の電位（−１．５Ｖ）とｐｎ接合の順方向立上り電圧（拡散電位）Ｖｄとを加えた値（−３Ｖ）より低くなると、転送サイリスタＴ１のゲート端子Ｇ１と信号ラインΦ１との電位差が１．５Ｖを超えることになる。これにより、前述したように、転送サイリスタＴ１のゲート電流が流れ始め、転送サイリスタＴ１はターンオンを開始する。
しかし、転送信号ＣＫ１が到達しうる電位は−３．３Ｖであることから、転送信号ＣＫ１と信号ラインΦ１（−３Ｖ）との電位差はわずか０．３Ｖである。このため、転送サイリスタＴ１への電流供給能力が低く、このままでは転送サイリスタＴ１がターンオンするまでの時間が長くなる。
【００５１】
（３）そこで、時刻ｃにおいて、転送信号ＣＫ１Ｃを「Ｌ」にする。
すると、転送信号ＣＫ１Ｃの電位が急激に「Ｌ」（−３．３Ｖ）となったことから、転送信号ＣＫ１の電位が、急激に−６．６Ｖに下がる。これにより、転送サイリスタＴ１のゲート電流が増加し、転送サイリスタＴ１のターンオンが加速される。
なお、転送信号ＣＫ１Ｃを「Ｌ」にしたときに、スリーステートバッファＢ１Ｒをハイインピーダンス（Ｈｉｚ）にすることで、スリーステートバッファＢ１Ｒを通してレベルシフト回路１０４に電流が流れ込むことを阻止し、転送信号ＣＫ１の電位が「Ｌ」になることを防止する。
【００５２】
その後、転送サイリスタＴ１のゲート電流の増加と共に、信号ラインΦ１の電位が上昇する。さらに、レベルシフト回路１０４のコンデンサＣ１に電流が流れ込むことで、転送信号ＣＫ１の電位も徐々に上昇する。
【００５３】
（４）予め決められた時間（転送信号ＣＫ１の電位が「Ｌ」（−３．３Ｖ）近傍になる時間）の経過後（時刻ｄ）に、スリーステートバッファＢ１Ｒをハイインピーダンス（Ｈｉｚ）から「Ｌ」にする。すると、レベルシフト回路１０４の抵抗Ｒ１Ｂに電流が流れ始める。その一方、転送信号ＣＫ１の電位が上昇するので、レベルシフト回路１０４のコンデンサＣ１に流れ込む電流は徐々に減少する。
【００５４】
転送サイリスタＴ１がターンオンして、定常状態になると、転送サイリスタＴ１のオンを保持するための電流が、転送電流制限抵抗Ｒ１Ａおよびレベルシフト回路１０４の抵抗Ｒ１Ｂを介して流れる。
また、転送サイリスタＴ１がオンすると、信号ラインΦ１の電位はほぼ−１．５Ｖになり、ゲート端子Ｇ１の電位はほぼ「Ｈ」（０Ｖ）になる。
【００５５】
（５）転送サイリスタＴ１が完全にオンし、発光サイリスタＬ１を消灯する時刻である時刻ｆから発光サイリスタＬ１に設定された点灯期間ｔｃ１遡った時刻ｅにおいて、点灯信号ＩＤを「Ｌｅ」にする。
このとき、発光サイリスタＬ１のゲート端子Ｇ１の電位は０Ｖとなっている。このため、前述したサイリスタがオンになる条件によると、発光サイリスタＬ１のカソード端子（点灯信号ラインΦＩ）に−１．５Ｖ以下の電圧を印加すると、発光サイリスタＬ１が点灯する。
【００５６】
一方、図５から、発光サイリスタＬ２は、ゲート端子Ｇ２の電位が順バイアスされたダイオードＤ１により−１．５Ｖになっている。よって、発光サイリスタＬ２のカソード端子（点灯信号ラインΦＩ）に−３．０Ｖ以下の電圧を印加すると、発光サイリスタＬ２は点灯することになる。同様に、発光サイリスタＬ３は、ゲート端子Ｇ３が−３．０Ｖであるので、カソード端子（点灯信号ラインΦＩ）に−４．５Ｖ以下の電圧を印加すると、点灯することになる。そして、発光サイリスタＬ４以降の発光サイリスタＬ５、…は、ゲート端子の電位が電源電圧Ｖｇａの−３．３Ｖであるので、カソード端子（点灯信号ラインΦＩ）に−４．８Ｖ以下の電圧を印加すると、点灯することになる。
【００５７】
したがって、点灯信号ラインΦＩの電位が−１．５Ｖより低く、−３．０Ｖより高い電位となるように、点灯信号ＩＤを設定すると、発光サイリスタＬ１のみをオンにして点灯させうる。ここでは、点灯信号ラインΦＩの−１．５Ｖより低く、−３．０Ｖより高い電位を点灯電位「Ｌｅ」と呼び、図８に示すタイミングチャートにおいてそのレベルを「Ｌｅ」と記す。
【００５８】
（６）次に、時刻ｆにおいて、点灯信号ＩＤを、「Ｈ」とすると、発光サイリスタＬ１のカソード端子の電位とアノード端子の電位とがほぼ等しくなるため、発光サイリスタＬ１はもはやオンの状態を維持できず、消灯する。しかし、転送サイリスタＴ１はオンを維持する。
【００５９】
（７）同じ時刻ｆにおいて、転送信号ＣＫ２Ｒを「Ｌ」にすると、転送信号ＣＫ２が「Ｈ」から「Ｌ」に向かって変化するとともに、レベルシフト回路１０４のコンデンサＣ２の両端に電圧が発生する。
このとき、ゲート端子Ｇ１の電位はほぼ０Ｖになっているので、ゲート端子Ｇ２の電位は−１．５Ｖとなっている。そこで、信号ラインΦ２の電位が−３Ｖより低くなると、転送サイリスタＴ２にゲート電流が流れ始め、転送サイリスタＴ２がターンオンを開始する。
【００６０】
（８）その後の時刻ｇにおいて、転送信号ＣＫ２Ｃを「Ｌ」にすると、転送信号ＣＫ２の電位が、急激に−６．６Ｖに下がる。これにより、転送サイリスタＴ２のターンオンが加速される。なお、時刻ｇでは、転送サイリスタＴ１および転送サイリスタＴ２がともにオンになっている。
【００６１】
（９）そして、次の時刻ｈにおいて、転送信号ＣＫ１Ｃ、ＣＫ１Ｒを共に「Ｈ」にすると、転送サイリスタＴ１のアノード端子の電位とカソード端子の電位とがほぼ等しくなるため、転送サイリスタＴ１はターンオフする。
ほほ０ＶになっていたゲートＧ１の電位は、転送サイリスタＴ１がターンオフしたのち、抵抗Ｒ１を通して電流が流れることによって、除々に下降し、電源電圧Ｖｇａ（−３．３Ｖ）の電位になる。
このとき、転送サイリスタＴ２はオンになっている。
（１０）その後、発光サイリスタＬ２を消灯させる時刻ｊから発光サイリスタＬ２に設定された点灯期間ｔｃ２遡った時刻ｉにおいて、点灯信号ＩＤを点灯信号ラインΦＩの電位が「Ｌｅ」になるように設定することで、発光サイリスタＬ２を点灯させる。
【００６２】
なお、転送サイリスタＴ２がオン状態になると、ゲート端子Ｇ２の電位が０Ｖになるが、この電位上昇の影響は、ダイオードＤ１が逆バイアスであるため、ゲート端子Ｇ１には伝わらず、ゲート端子Ｇ１の電位はＶｇａの−３．３Ｖが維持される。これにより、発光サイリスタＬ１を点灯するためにカソード端子に印加する電位は−４．８Ｖ以下となる。よって、時刻ｉにおいて、前述したように、点灯信号ラインΦＩの電位を「Ｌｅ」としても、発光サイリスタＬ１は点灯しえない。すなわち、時刻ｉにおいて、発光サイリスタＬ２のみを点灯させうる。
【００６３】
（１１）上記した動作（（２）から（１０））を順に繰り返すことで、さらに発光サイリスタＬ３〜Ｌ１２８を番号順に順次点灯させうる。
【００６４】
なお、図８に示した例では、発光サイリスタＬ１〜Ｌ４をすべて点灯させることとしたが、画像データに基づいて点灯信号ＩＤを「Ｌｅ」にして“点灯”に設定したり、「Ｈ」のままとして“非点灯”としたりすることで、発光サイリスタＬ１〜Ｌ１２８の点灯／非点灯を発光サイリスタ毎に制御しうる。
また、点灯を開始する時刻、すなわち点灯信号ＩＤを「Ｈ」から「Ｌｅ」にする時刻を変えることにより、発光サイリスタ毎に点灯期間ｔｃの長さを設定して、光量補正しうる。
【００６５】
上記したように、本実施の形態においては、ダイオードを間にはさんで接続された複数の転送サイリスタが、順にオンにされた場合に、転送サイリスタに対応して設けられた発光サイリスタのゲート端子の電位を高くして、発光サイリスタを点灯しやすい状態に設定する。また、転送サイリスタが、オフにされた場合に、転送サイリスタに対応して設けられた発光サイリスタを点灯しにくい状態に設定する。
そして、転送サイリスタは、ダイオードを間にはさんで接続された３つのオフ状態の転送サイリスタにおいて、中央の転送サイリスタに着目した場合、まず前段の転送サイリスタがオンになり、次に、中央の転送サイリスタがオンになって、前段の転送サイリスタと共にオンになる。次いで、前段の転送サイリスタがオフになって、中央の転送サイリスタのみがオンになる。そして、後段の転送サイリスタがオンになって、中央の転送サイリスタと後段の転送サイリスタとが共にオンになる。そして、次に、中央の転送サイリスタがオフになることで、転送サイリスタのオン状態が伝搬する（転送している）。
【００６６】
次に、点灯期間ｔｃについてより詳細に説明する。
発光サイリスタの特性ばらつきなどに起因して、形成された画像に濃度ムラが発生する。そこで、予め測定されたデータに基づいて、発光サイリスタ毎に光量補正を行うことで、画像の濃度ムラを少なくし、形成された画像の画質向上を図っている。
本実施の形態では、光量補正の方法として、点灯期間ｔｃを可変にする方法を用いている。例えば、図８の期間Ｔ（Ｌ３）では、時刻ｎから時刻ｐまでの点灯期間ｔｃ３で点灯信号ＩＤを「Ｌｅ」にして、発光サイリスタＬ３を点灯させている。そして、この点灯期間ｔｃを発光サイリスタ毎に設定している。さらに、本実施の形態では、点灯終了時点（期間Ｔ（Ｌ３）では時刻ｐ）を固定とし、点灯開始時点（期間Ｔ（Ｌ３）では時刻ｎ）を可変として、発光サイリスタの点灯期間ｔｃを変えることで光量補正を行っている。
【００６７】
ここで、期間Ｔ（Ｌ３）を例として、点灯期間ｔｃ３が設定できる点灯可能期間ｔｅについて説明する。
図８において、時刻ｊから時刻ｌまでの期間ｔａは、前述したように、転送信号ＣＫ１ＲとＣＫ２Ｒとが共に「Ｌ」の期間である。この期間ｔａは、転送サイリスタＴ３に対して前段にあたる転送サイリスタＴ２がオンの状態で、転送サイリスタＴ３がオン状態に移行する期間である。よって、この期間において、転送サイリスタＴ２のゲート端子Ｇ２の電位は０Ｖ、転送サイリスタＴ３のゲート端子Ｇ３の電位は−１．５Ｖから０Ｖに向かって変化していく。そして、発光サイリスタＬ２のしきい電圧は−１．５Ｖを維持し、発光サイリスタＬ３のしきい電圧は−３．０Ｖから−１．５Ｖへ変化して行く。したがって、この期間ｔａにおいて、点灯信号ラインΦＩに「Ｌｅ」を与えると、発光サイリスタＬ３に加えて、点灯を予定していない発光サイリスタＬ２も点灯してしまうことがありうる。
以上説明したように、時刻ｊから時刻ｌまでの期間ｔａは、転送信号ＣＫ１ＲとＣＫ２Ｒとを共に「Ｌ」にすることにより、オンの状態の転送サイリスタＴ２に加え、転送サイリスタＴ２の後段にあたる転送サイリスタＴ３をオン状態に移行させる期間である。よって、期間ｔａは、連続して接続された２つの転送サイリスタを共にオン状態にする転送信号を供給する期間といえる。
【００６８】
次に、図８において、時刻ｌにおいて、転送信号ＣＫ２Ｃ、ＣＫ２Ｒが共に「Ｈ」になると、転送サイリスタＴ３に対して前段にあたる転送サイリスタＴ２のアノード端子の電位とカソード端子の電位とがほぼ等しくなり、転送サイリスタＴ２はターンオフする。すると、ほぼ０Ｖであったゲート端子Ｇ２の電位は、抵抗Ｒ２を通して電流が流れることにより、電源電圧Ｖｇａの−３．３Ｖへと変化する。
しかし、ゲート端子Ｇ２の電位が０Ｖまたはそれに近い値にとどまっている間に、点灯信号ラインΦＩに「Ｌｅ」を与えると、やはり発光サイリスタＬ３に加えて点灯を予定しない発光サイリスタＬ２が点灯してしまう。
すなわち、期間ｔｂは、ゲート端子Ｇ２の電位が電源電圧Ｖｇａの−３．３Ｖに向かって変化し、もはや点灯信号ラインΦＩに「Ｌｅ」を与えても、発光サイリスタＬ２が点灯しない状態となるまでの期間である。
【００６９】
したがって、発光サイリスタＬ３のみを点灯することができる点灯可能期間ｔｅは、期間Ｔ（Ｌ３）の期間ｔｂが経過した後から、次の期間Ｔ（Ｌ４）の期間ｔａが開始するまでの期間に設定するのが好ましい。すると、点灯可能期間ｔｅは、ｔｅ＝Ｔ−ｔａ−ｔｂで表せる。
そして、本実施の形態では、点灯開始時点、すなわち点灯信号ＩＤを「Ｈ」から「Ｌｅ」にする時刻を、期間ｔｂが終了した後において、次の期間ｔａが始まる時刻を点灯期間ｔｃの終了時刻とし、この時刻から点灯期間ｔｃ遡った時刻に設定することとしている。
なお、点灯開始時点は、画像データおよび発光サイリスタの光量補正値により、駆動回路１００において求め、パルス発生回路により点灯開始時点を設定すればよい。
【００７０】
なお、上述では、点灯期間ｔｃの終了時刻を、連続して接続された２つの転送サイリスタを共にオン状態にする転送信号を供給する期間ｔａが始まる時点とした。しかし、点灯期間ｔｃの終了時点は、期間ｔａが始まる時刻から予め定められた期間遡った時点としてもよい。後述するように、不意に転送サイリスタがオフになって、そのゲート端子の電位が「Ｌ」に移行し始めても、後段の転送サイリスタがターンオンしうる状態にある間に、後段の転送サイリスタをターンオンするための転送信号が供給されれば転送異常を生じないからである。
【００７１】
例として、前段の転送サイリスタを転送サイリスタＴ３とし、後段の転送サイリスタを転送サイリスタＴ４として説明する。すると、期間ｔａが始まる時刻から遡ってよい期間は、後段の転送サイリスタＴ４をオン状態にすることなく、前段の転送サイリスタＴ３をオフにする転送信号（転送信号ＣＫ１ＲおよびＣＫ１Ｃの「Ｌ」から「Ｈ」への移行）を供給した時点から、後段の転送サイリスタＴ４をオン状態にする転送信号（転送信号ＣＫ２Ｒの「Ｈ」から「Ｌ」への移行）を供給する時点までの期間であって、後段の転送サイリスタがオン状態になりうる場合の期間に相当する。すなわち、前段の転送サイリスタＴ３をオフにする転送信号を供給しても、前段の転送サイリスタＴ３は直ちにはオフにならず、ゲート端子Ｇ３の電位も０Ｖから電源電圧Ｖｇａ（−３．３Ｖ）に直ちに移行しないためである。このため、前段の転送サイリスタＴ３をオフにする転送信号を供給したのち、しばらく時間が経過した時点においても、後段の転送サイリスタＴ４がオン状態に移行しうるためである。なお、遡ってよい期間は、前段の転送サイリスタＴ３をオフにする転送信号を供給したのち後段の転送サイリスタＴ４がオン状態に移行しうる最大の期間とする必要はなく、最大の期間より短い期間が用いうる。
【００７２】
一方、点灯期間ｔｃの終了時点を、期間ｔａが始まる時刻から予め定められた期間経過した時点としてもよい。前述したと同様に、前段の転送サイリスタを転送サイリスタＴ３とし、後段の転送サイリスタを転送サイリスタＴ４として説明する。すると、時刻ｐから時刻ｒの期間ｔａは後段の転送サイリスタＴ４がオン状態に移行する期間であるので、期間ｔａの始まる時刻ｐからしばらくの期間、後段の転送サイリスタＴ４はターンオンしない。そして、後段の転送サイリスタＴ４に接続された発光サイリスタＬ４は、そのしきい電圧が−３．３Ｖから上昇せず、「Ｌｅ」が与えられてもターンオンできない状態の期間が存在することになる。よって、点灯期間ｔｃ３の終了時点を、期間ｔａが始まる時刻ｐから後段の転送サイリスタＴ４に接続された発光サイリスタＬ４が「Ｌｅ」で点灯しない期間経過した時点としてよいことになる。この場合も、期間ｔａが始まる時刻から上記によって定められる経過した時点までの期間（経過する期間）は、必ずも最大の期間とする必要はなく、最大の期間より短い期間が用いうる。
【００７３】
（実施例）
図９は、本実施の形態における実施例および比較例の実験条件を示すタイミングチャートである。ここでは、図８に示した信号のうち、転送信号ＣＫ１Ｒ、ＣＫ２Ｒおよび点灯信号ＩＤを取り出して示している。発光サイリスタＬ３を点灯させる期間Ｔ（Ｌ３）を例として、実験条件を説明する。
【００７４】
図９（ａ）に示す実施例は、隣接する２つの転送サイリスタを共にオンの状態にする転送信号を供給する期間ｔａが始まる時刻（例えば時刻ｐ）から、設定された点灯期間ｔｃ（ｔｃａ）遡った時刻（例えば時刻ｎ）を点灯の開始時点とし、期間ｔａが始まる時刻（例えば時刻ｐ）を点灯の終了時点としている。そして、点灯の開始時点を変えて点灯期間ｔｃ（ｔｃａ）を変化させている。
図９（ｂ）に示す比較例は、隣接する２つの転送サイリスタを共にオンの状態にする転送信号を供給する期間ｔａ（例えば時刻ｊから時刻ｌ）と、前段の転送サイリスタに接続された発光サイリスタが点灯しえない状態となるまでの期間ｔｂ（例えば時刻ｌから時刻ｍ）とが経過した時刻（例えば時刻ｍ）を点灯の開始時点とし、設定された点灯期間ｔｃ（ｔｃｂ）が経過した時刻（例えば時刻ｏ）を点灯の終了時点としている。そして、点灯の終了時点（例えば時刻ｏ）を変えることにより点灯期間ｔｃ（ｔｃｂ）を変化させている。
なお、点灯期間ｔｃは、実施例と比較例とで区別するため、それぞれ点灯期間ｔｃａと点灯期間ｔｃｂとした。
【００７５】
そして、発光サイリスタを点灯制御する周期Ｔを４６０ｎｓ、期間ｔａを２０ｎｓ、期間ｔｂを４０ｎｓとした。さらに、電源電圧Ｖｇａ端子を０Ｖに設定し、基準電位Ｖｓｕｂ端子に正の電圧を印加した。この電圧の設定は、これまでの説明と異なるが、単にシフトさせたにすぎず、電源電圧Ｖｇａと基準電位Ｖｓｕｂとの電位の高低の関係は同じである。
この条件において、Ｖｓｕｂ端子とＶｇａ端子との間の電圧（電源電圧）と、点灯期間ｔｃ（ｔｃａ、ｔｃｂ）とを変えて、転送サイリスタの転送動作を観察した。そして、転送サイリスタの転送動作が正常に行われる最低の電源電圧を動作電圧とした。
ここでは、３つのＳＬＥＤチップについて実験を行った。
【００７６】
図１０は、実施例および比較例の実験結果を示した図である。横軸を点灯期間ｔｃａ、ｔｃｂとし、縦軸を動作電圧とした。図１０において、○、△、□で示す値は、３つの異なるＳＬＥＤチップでの実施例での実験結果である。一方、●、▲、■で示す値は、３つの異なるＳＬＥＤチップでの比較例での実験結果である。なお、○と●、△と▲、そして□と■とは同じＳＬＥＤチップでの実験結果である。
図１０に示すように、実施例では、点灯期間ｔｃａの長さに関わらず、動作電圧はほぼ２．６Ｖである。これに対し、比較例では、点灯期間ｔｃｂが２０ｎｓと短い場合および３８０ｎｓと長い場合は、動作電圧が２．８Ｖ近傍であるが、それ以外の場合は、動作電圧が３Ｖ以上と高い。すなわち、比較例での動作電圧は、実施例に比べ動作電圧が最大で０．７Ｖ高い。すなわち、本実施の形態では、点灯期間の長さに関わらず、駆動電圧を低く設定しうる。
【００７７】
実施例に比べて比較例の動作電圧が高い理由は、転送異常によると考えられる。
ＳＬＥＤチップを駆動する際、オン状態の転送サイリスタがオフすべきタイミング以外のタイミングでオフするという現象を生じることがある。このとき、転送サイリスタが一旦オフすると、例えば１番目の発光サイリスタに戻って転送動作が行われるなど、正常転送動作が失われ、もはや正しい画像を得ることができなくなる。この正常な転送が失われることを“転送異常”という。
以下では、転送異常について説明する。
図１１はＳＬＥＤ６３における転送異常を説明するタイミングチャートである。
図１１では、図８における期間Ｔ（Ｌ３）を中心として、時刻ｊから時刻ｓの期間の転送信号ＣＫ１Ｒ、ＣＫ２Ｒ、点灯信号ＩＤを取り出して示している。さらに、発光サイリスタＬ３、転送サイリスタＴ２、Ｔ３、Ｔ４のオン／オフの状態を示している。なお、ここでは、電源電圧Ｖｇａを−３．３Ｖ、基準電位Ｖｓｕｂを０Ｖとして説明する。
【００７８】
時刻ｊで、転送信号ＣＫ１Ｒが「Ｈ」（０Ｖ）から「Ｌ」（−３．３Ｖ）に移行すると、転送サイリスタＴ３のゲート端子に電流が流れ始め、転送サイリスタＴ３がターンオンを開始する。
そして、転送サイリスタＴ３がターンオンすると、信号ラインΦ１の電位はほぼ−１．５Ｖへ変化する（時刻ｌ）。
その後、時刻ｍにおいて、点灯信号ＩＤが「Ｈ」から「Ｌｅ」へと移行すると、発光サイリスタＬ３がオンになり、点灯する。
【００７９】
さて、図１１に示すように、転送サイリスタＴ３がオンである時刻ｏにおいて、点灯信号ＩＤを「Ｈ」にして、発光サイリスタＬ３をオフにすると、信号ラインΦ１の電位が、「Ｈ」に向かって上昇し、破線で示すｃａｓｅ−Ａのように、そのまま「Ｈ」になることがある。信号ラインΦ１が「Ｈ」になると、転送サイリスタＴ３はもはやオン状態を維持できず、オフになる。そして、ゲート端子Ｇ３の電位はほぼ０Ｖから電源電圧Ｖｇａの−３．３Ｖに変化する。それに伴い、ゲート端子Ｇ４の電位も電源電圧Ｖｇａの−３．３Ｖになる。
【００８０】
この結果、時刻ｐにおいて、転送信号ＣＫ２Ｒを「Ｌ」（−３．３Ｖ）にしても、転送サイリスタＴ４はオンにならず、オフのままとなる。すなわち、転送サイリスタＴ３から転送サイリスタＴ４へとオンの状態が転送されず、転送動作が中断することになる。
一方、時刻ｏにおいて、信号ラインΦ１の電位が一旦「Ｈ」（０Ｖ）に向かって上昇しても、実線で示すｃａｓｅ−Ｂのように、再び低下して元の電位を回復することがある。このとき、時刻ｐにおいて、転送サイリスタＴ３がオンであれば、転送サイリスタＴ４をオンにすることができるので、転送動作は正常に行われることになる。
【００８１】
次に、点灯信号ＩＤの変化により、信号ラインΦ１の電位が変動する理由を説明する。
図１２は、転送異常を説明するための発光サイリスタＬ３と転送サイリスタＴ３との断面図である（図７のＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ線での断面図にあたる。）。図７で示したように、発光サイリスタＬ３と転送サイリスタＴ３とは、１つのアイランド内に形成されている。
なお、図１２では、転送サイリスタＴ３のｎｐｎトランジスタＴｒ１およびｐｎｐトランジスタＴｒ２による等価回路も示している。
【００８２】
ここで、図１１における時刻ｍから時刻ｐまでの期間を考える。
時刻ｍにおいて、点灯信号ラインΦＩには、−１．７Ｖが供給されるとする。なお、−１．７Ｖは、前述した点灯信号「Ｌｅ」の範囲にあるので、発光サイリスタＬ３のみを点灯させうる。
これにより、点灯信号ラインΦＩにオーミック電極１２１（発光サイリスタＬ３のカソード端子）で接続された領域１１１のｎ型の第４半導体層８５の電位は、−１．７Ｖになっている。
【００８３】
オン状態のサイリスタでは、前述したようにカソード端子−ゲート端子間の電位差は、ほぼＶｄ（１．５Ｖ）である。このため、発光サイリスタＬ３のゲート端子Ｇ３に接続されたｐ型の第３半導体層８４の電位は−０．２Ｖになっている。
このことは、オーミック電極１２１とゲート端子Ｇ３との間に電位差１．５Ｖの蓄積容量が形成されていることに等しい。
【００８４】
時刻ｏにおいて、点灯信号ラインΦＩの電位を−１．７Ｖから０Ｖに引き上げ、発光サイリスタＬ３をオフにする。すると、ｐ型の第３半導体層８４の電位は、電位差１．５Ｖを引き継いで、−０．２Ｖから１．３Ｖへと急激にシフトする。
ここで、発光サイリスタＬ３のｐ型の第３半導体層８４は転送サイリスタＴ３とつながった同一の層で構成されているので、信号ラインΦ１の電位が「Ｈ」（０Ｖ）に向かって上昇する（図１１の時刻ｏでの信号ラインΦ１の変化に対応する。）。
このとき、駆動回路１００が、信号ラインΦ１に対して十分な電流を供給する能力を有すれば、信号ラインΦ１の電位の上昇の影響を吸収して、元の電位に戻る（ｃａｓｅ−Ｂ）。
【００８５】
しかし、本実施の形態においては、信号ラインΦ１は転送電流制限抵抗Ｒ１Ａおよび抵抗Ｒ１Ｂを介して駆動回路１００に接続されている。このため、駆動回路１００は、急激な信号ラインΦ１の電位の変化に追随できる電流を供給することができず、信号ラインΦ１の電位を−１．５Ｖに維持することが困難となることが考えられる。
この結果、転送サイリスタＴ３を構成するｐｎｐトランジスタＴｒ１のコレクタ（ｐ型の第３半導体層８４）の電位が上昇し、ｐｎｐトランジスタＴｒ１のコレクタ端子−エミッタ端子間の電位関係が逆転して、ｐｎｐトランジスタＴｒ１がオフになる。これにより、転送サイリスタＴ３がオフになり（ｃａｓｅ−Ａ）、転送動作が中断（転送異常）すると考えられる。
【００８６】
以上のことから、図１０に示した比較例では、上記のｃａｓｅ−Ｂを実現するために、駆動回路１００の電流供給能力を高めるために動作電圧を大きくすることが必要であったことを意味していると考えられる。
すなわち、転送異常は、特に低い電源電圧で駆動する場合において顕著になる。そして、転送異常は、転送サイリスタのオン状態を維持する電流（保持電流）または電圧（保持電圧）を増すことで抑制しうると考えられる。しかし、プリント基板上に多数のＳＬＥＤチップが配列されて構成された発光素子アレイ駆動装置においては、転送サイリスタの駆動のための電流を供給する駆動回路の能力を上げることとなり、駆動回路のサイズの増大を招くとともに、発光素子アレイ駆動装置が大型化してしまう。さらに、ＳＬＥＤチップの発熱や、漏れ光が増加してしまうことになる。
【００８７】
以上説明したように、転送異常は、転送サイリスタＴ３がオン状態である期間の途中に、点灯信号ＩＤを「Ｌｅ」から「Ｈ」へと移行させ、発光サイリスタＬ３を消灯するときに生じると考えられる。別の観点から言うと、転送サイリスタＴ３がオフになることにより次段の転送サイリスタＴ４がオンになることができないときに生じると考えられる。
【００８８】
したがって、実施例に示したように、次段の転送サイリスタＴ４をオンにするタイミングにおいて、発光サイリスタＬ３を消灯すれば転送異常が生じにくいと考えられる。すなわち、例え、点灯信号ＩＤを「Ｌｅ」から「Ｈ」にするタイミングにおいて、転送サイリスタＴ３がオフとなっても、ゲート端子Ｇ３の電位は０Ｖから−３．３Ｖへと直ちに引き下げられない。そして、ゲート端子Ｇ３とダイオードＤ３で接続されたゲート端子Ｇ４の電位も−１．５Ｖから−３．３Ｖへと直ちに変化しない。このため、転送信号ＣＫ２Ｒが「Ｈ」から「Ｌ」へ移行すると、転送サイリスタＴ４がオンになりえて、転送動作が正常に行われることになると考えられる。
【００８９】
なお、比較例において、点灯期間ｔｃｂが短い場合に、動作電圧が低いのは、例え期間ｔｂの後であっても、オン状態にあった転送サイリスタＴ２のゲート端子Ｇ２の電位が−３．３Ｖまで引き下げられていないため、転送サイリスタＴ３がオフになりかけても、再度オンになりやすいためと考えられる。
一方、比較例において、点灯期間ｔｃｂが長い場合に、動作電圧が低いのは、実施例と同様に、転送サイリスタＴ３が例えオフになっても、ゲート端子Ｇ３の電位が０Ｖから−３．３Ｖにまで引き下げられていないため、ゲート端子Ｇ４の電位も−１．５Ｖに近い値に止まって、転送サイリスタＴ４がオンになりうるためと考えられる。
【００９０】
なお、実施例においては、点灯終了時点を２つの転送サイリスタを共にオン状態にする転送信号を供給する期間ｔａの開始時刻（転送信号ＣＫ１ＲとＣＫ２Ｒとが共に「Ｌ」になる時刻）と一致させた。しかし、点灯終了時点を必ずしも期間ｔａの開始時刻に一致させなくともよい。
例えば、図１０に示したように、点灯期間ｔｃが３８０ｎｓの比較例の動作電圧は２．８Ｖと低い。このことから、点灯終了時点を期間ｔａの開始時刻前の長くとも２０ｎｓ以内に設定すればよい。
なお、この期間は、前述したように、前段の転送サイリスタにオフにする転送信号を供給した後、オフ状態にあった後段の転送サイリスタがオン状態になりうる期間に相当する。よって、点灯期間ｔｃの終了時点は、２つの転送サイリスタを共にオン状態にする転送信号を供給する期間ｔａの開始時刻から、上記によって決められる期間において設定しうる。
【００９１】
なお、本実施の形態では、レベルシフト回路１０４を用いて転送サイリスタのターンオンを加速したが、レベルシフト回路１０４を用いなくてもよい。
【００９２】
また、本実施の形態では、アノード端子を基準電位Ｖｓｕｂにした３端子のサイリスタを発光サイリスタおよび転送サイリスタとした場合について説明した。一方、カソード端子を基準電位Ｖｓｕｂとした３端子のサイリスタを発光サイリスタおよび転送サイリスタとした場合でも、回路の極性を変更することによって用いうる。
本実施の形態では、ＳＬＥＤ６３をＧａＡｓ系の半導体で構成していたが、これに限られるものではない。例えばＧａＰ等、イオン注入によるｐ型半導体，ｎ型半導体の製作が困難な化合物半導体を用いてもよい。
【符号の説明】
【００９３】
１…画像形成装置、１１，１１Ｙ，１１Ｍ，１１Ｃ，１１Ｋ…画像形成ユニット、１４…プリントヘッド、５０…発光素子アレイ駆動装置、６２…回路基板、６３…自己走査型発光素子アレイ（ＳＬＥＤ）、６４…ロッドレンズアレイ、１００…駆動回路、１０４…レベルシフト回路、１０５、１０６…電源ライン、１０７、１０８、１０９…信号ライン
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子アレイ駆動装置、プリントヘッド、画像形成装置および信号供給方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真方式を採用した、プリンタや複写機、ファクシミリ等の画像形成装置では、一様に帯電された感光体上に、画像情報を光記録手段により照射することにより静電潜像を得た後、この静電潜像にトナーを付加して可視化し、記録紙上に転写して定着することによって画像形成が行われる。かかる光記録手段として、レーザを用い、主走査方向にレーザ光を走査させて露光する光走査方式の他、近年では、装置の小型化の要請を受けて発光素子としての発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode)を主走査方向に多数、配列してなる、ＬＥＤプリントヘッド(ＬＰＨ：LED Print Head)を用いた記録装置が採用されている。
【０００３】
特許文献１には、自己走査型発光素子アレイ（ＳＬＥＤ：Self-scanning Light Emitting Device）において、発光素子の点灯期間の終了タイミングを変更して、濃度むら補正を行う技術が提案されている。
また、特許文献２には、ＳＬＥＤを従来に比べて低い電源電圧で駆動する技術が提案されている。ここでは、転送素子を駆動する転送信号をレベルシフト手段により、電源電圧から駆動に必要な電圧に変更している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１８２１４３号公報
【特許文献２】特開２００４−１９５７９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、ＳＬＥＤの駆動において、オン状態の転送サイリスタがオフすべきタイミング以外のタイミングでオフするという現象が発生し、正常な転送動作が失われるという“転送異常”を生じることがある。
【０００６】
本発明の目的は、転送異常が生じにくい発光素子アレイ駆動装置、プリントヘッド、画像形成装置および信号供給方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１記載の発明は、複数の発光素子と、前記複数の発光素子のそれぞれの発光素子と電気的に接続され、接続された当該発光素子を、オン状態とされた場合に点灯しやすい状態に設定し、オフ状態とされた場合に点灯しにくい状態に設定するとともに、相互に列状に電気的に接続された複数のスイッチ素子と、連続して接続された２つのスイッチ素子が共にオン状態になる期間が重なるように期間をずらして、前記複数のスイッチ素子のそれぞれのスイッチ素子を順にオフ状態からオン状態そしてオフ状態に移行させることで、当該複数のスイッチ素子のそれぞれのスイッチ素子においてオン状態を伝搬させる転送信号を供給する転送信号供給手段と、連続して接続された２つのスイッチ素子を共にオン状態にする転送信号を供給する期間の開始時点を基準として前記発光素子の点灯期間の終了時点を設定し、当該終了時点より遡って当該発光素子の当該点灯期間の開始時点を設定した点灯信号を供給する点灯信号供給手段とを備えることを特徴とする発光素子アレイ駆動装置である。
【０００８】
請求項２記載の発明は、前記点灯期間の開始時点は、前記発光素子に対応して設けられた前記スイッチ素子と、当該スイッチ素子に電気的に接続された前段のスイッチ素子とが共にオン状態である期間が終了した後であって、当該前段のスイッチ素子に対応する発光素子が点灯しやすい状態にある期間が経過した後であることを特徴とする請求項１記載の発光素子アレイ駆動装置である。
請求項３記載の発明は、前記点灯期間の終了時点は、前記連続して接続された２つのスイッチ素子を共にオン状態にする転送信号を供給する期間の開始時点から、前記連続して接続された２つのスイッチ素子において前段のスイッチ素子をオフ状態に移行させる転送信号を供給後、オフ状態の後段のスイッチ素子がオン状態に移行しうる期間を遡って設定されることを特徴とする請求項１または２記載の発光素子アレイ駆動装置である。
請求項４記載の発明は、前記点灯期間の終了時点は、前記発光素子に対応して設けられた前記スイッチ素子と、当該スイッチ素子に電気的に接続された後段のスイッチ素子とを共にオン状態にする転送信号を供給する期間の開始時点より遡って２０ｎｓ以内であることを特徴とする請求項１または２記載の発光素子アレイ駆動装置である。
請求項５記載の発明は、前記点灯期間の終了時点は、前記連続して接続された２つのスイッチ素子を共にオン状態にする転送信号を供給する期間の開始時点から、当該連続して接続された２つのスイッチ素子における後段のスイッチ素子に接続された発光素子が点灯しにくい状態で維持されている期間を経過して設定されることを特徴とする請求項１または２記載の発光素子アレイ駆動装置である。
請求項６記載の発明は、前記点灯期間の開始時点は、前記発光素子毎に設定されることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項記載の発光素子アレイ駆動装置である。
請求項７記載の発明は、前記転送信号供給手段は、レベルシフト手段を備えることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項記載の発光素子アレイ駆動装置である。
請求項８記載の発明は、前記レベルシフト手段は、一端が前記スイッチ素子に接続され、他端はコンデンサが接続された信号線と抵抗が接続された信号線とに並列に分岐していることを特徴とする請求項７記載の発光素子アレイ駆動装置である。
請求項９記載の発明は、前記発光素子および前記スイッチ素子がサイリスタで構成されることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか記載の発光素子アレイ駆動装置である。
【０００９】
請求項１０記載の発明は、複数の発光素子と、当該複数の発光素子のそれぞれの発光素子と電気的に接続され、接続された当該発光素子を、オン状態とされた場合に点灯しやすい状態に設定し、オフ状態とされた場合に点灯しにくい状態に設定するとともに、相互に列状に電気的に接続された複数のスイッチ素子とを備えた発光装置と、連続して接続された２つのスイッチ素子が共にオン状態になる期間が重なるように期間をずらして、前記複数のスイッチ素子のそれぞれのスイッチ素子を順にオフ状態からオン状態そしてオフ状態に移行させることで、当該複数のスイッチ素子のそれぞれのスイッチ素子においてオン状態を伝搬させる転送信号を供給する転送信号供給手段と、連続して接続された２つのスイッチ素子を共にオン状態にする転送信号を供給する期間の開始時点を基準として前記発光素子の点灯期間の終了時点を設定し、当該終了時点より遡って当該発光素子の当該点灯期間の開始時点を設定した点灯信号を供給する点灯信号供給手段とを備える像保持体を露光する露光手段と、前記露光手段から照射される光を前記像保持体上に結像させる光学手段とを備えたことを特徴とするプリントヘッドである。
請求項１１記載の発明は、前記発光装置を複数備えたことを特徴とする請求項１０記載のプリントヘッド。
【００１０】
請求項１２記載の発明は、像保持体を帯電する帯電手段と、複数の発光素子と、当該複数の発光素子のそれぞれの発光素子と電気的に接続され、接続された当該発光素子を、オン状態とされた場合に点灯しやすい状態に設定し、オフ状態とされた場合に点灯しにくい状態に設定するとともに、相互に列状に電気的に接続された複数のスイッチ素子とを備えた複数の発光装置と、連続して接続された２つのスイッチ素子が共にオン状態になる期間が重なるように期間をずらして、前記複数のスイッチ素子のそれぞれのスイッチ素子を順にオフ状態からオン状態そしてオフ状態に移行させることで、当該複数のスイッチ素子のそれぞれのスイッチ素子においてオン状態を伝搬させる転送信号を供給する転送信号供給手段と、連続して接続された２つのスイッチ素子を共にオン状態にする転送信号を供給する期間の開始時点を基準として前記発光素子の点灯期間の終了時点を設定し、当該終了時点より遡って当該発光素子の当該点灯期間の開始時点を設定した点灯信号を供給する点灯信号供給手段とを備え、前記像保持体を露光して静電潜像を形成する露光手段と、前記露光手段から照射される光を前記像保持体上に結像させる光学手段と、前記像保持体に形成された静電潜像を現像する現像手段と、前記像保持体に現像された画像を被転写体に転写する転写手段とを備えたことを特徴とする画像形成装置である。
請求項１３記載の発明は、複数の発光素子と、当該複数の発光素子のそれぞれと電気的に接続され、接続された当該発光素子を、オン状態とされた場合に点灯しやすい状態に設定し、オフ状態とされた場合に点灯しにくい状態に設定するとともに、相互に列状に電気的に接続された複数のスイッチ素子とを備えた発光素子アレイ駆動装置における信号供給方法であって、連続して接続された２つのスイッチ素子が共にオン状態になる期間が重なるように期間をずらして、前記複数のスイッチ素子のそれぞれのスイッチ素子を順にオフ状態からオン状態そしてオフ状態に移行させることで、当該複数のスイッチ素子のそれぞれのスイッチ素子においてオン状態を伝搬させる転送信号を供給し、連続して接続された２つのスイッチ素子を共にオン状態にする転送信号を供給する期間の開始時点を基準として前記発光素子の点灯期間の終了時点を設定し、当該終了時点より遡って当該発光素子の当該点灯期間の開始時点を設定した点灯信号を供給することを特徴とする信号供給方法である。
【発明の効果】
【００１１】
請求項１の発明によれば、本発明を適用しない場合に比べて、転送異常が生じにくい発光素子アレイ駆動装置を提供できる。
請求項２の発明によれば、本発明を適用しない場合に比べて、点灯を予定していない発光素子が点灯することを防止できる。
請求項３の発明によれば、本発明を適用しない場合に比べて、転送異常を生じにくい発光素子アレイ駆動装置をより容易に構成できる。
請求項４の発明によれば、本発明を適用しない場合に比べて、転送異常を生じにくい発光素子アレイ駆動装置をより容易に構成できる。
請求項５の発明によれば、本発明を適用しない場合に比べて、転送異常を生じにくい発光素子アレイ駆動装置をより容易に構成できる。
請求項６の発明によれば、本発明を適用しない場合に比べて、発光素子アレイ駆動装置の駆動回路の電流供給能力を小さくできる。
請求項７の発明によれば、本発明を適用しない場合に比べて、低い電源電圧の発光素子アレイ駆動装置を提供できる。
請求項８の発明によれば、本発明を適用しない場合に比べて、簡易な構成で低い電源電圧の発光素子アレイ駆動装置を提供できる。
請求項９の発明によれば、本発明を適用しない場合に比べて、より小型の発光素子アレイ駆動装置を提供できる。
請求項１０の発明によれば、本発明を適用しない場合に比べて、小型のプリントヘッドを提供できる。
請求項１１の発明によれば、本発明を適用しない場合に比べて、より小型のプリントヘッドを提供できる。
請求項１２の発明によれば、本発明を適用しない場合に比べて、より小型の画像形成装置を提供できる。
請求項１３の発明によれば、本発明を適用しない場合に比べて、転送異常が生じにくい発光素子アレイ駆動装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施の形態が適用される画像形成装置の全体構成を示した図である。
【図２】本実施の形態が適用されるプリントヘッドの構成を示した図である。
【図３】発光素子アレイ駆動装置の平面図である。
【図４】発光素子アレイ駆動装置の回路構成を説明する図である。
【図５】発光素子アレイ駆動装置の詳細な回路構成を説明する図である。
【図６】転送サイリスタと、駆動回路およびレベルシフト回路における転送信号を供給する部分とを示す図である。
【図７】ＳＬＥＤの平面レイアウト図および断面図である。
【図８】駆動回路およびレベルシフト回路から出力される駆動信号およびＳＬＥＤの内部の信号ライン等の電位を示すタイミングチャートである。
【図９】本実施の形態における実施例および比較例の実験条件を示すタイミングチャートである。
【図１０】実施例と比較例の実験結果を示した図である。
【図１１】ＳＬＥＤにおける転送異常を説明するタイミングチャートである。
【図１２】転送異常を説明するための発光サイリスタと転送サイリスタとの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は本実施の形態が適用される画像形成装置１の全体構成を示した図である。図１に示す画像形成装置１は、一般にタンデム型と呼ばれる画像形成装置である。この画像形成装置１は、各色の画像データに対応して画像形成を行なう画像形成プロセス部１０、画像形成プロセス部１０を制御する画像出力制御部３０、例えばパーソナルコンピュータ（ＰＣ）２や画像読取装置３に接続され、これらから受信された画像データに対して予め定められた画像処理を施す画像処理部４０を備えている。
【００１４】
画像形成プロセス部１０は、一定の間隔を置いて並列的に配置される複数のエンジンからなる画像形成ユニット１１を備えている。この画像形成ユニット１１は、４つの画像形成ユニット１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋから構成されている。画像形成ユニット１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋは、それぞれ、静電潜像を形成してトナー像を保持する像保持体の一例としての感光体ドラム１２、感光体ドラム１２の表面を所定電位で一様に帯電する帯電手段の一例としての帯電器１３、帯電器１３によって帯電された感光体ドラム１２を露光するプリントヘッド１４、プリントヘッド１４によって得られた静電潜像を現像する現像手段の一例としての現像器１５を備えている。ここで、各画像形成ユニット１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋは、現像器１５に収納されたトナーを除いて、略同様に構成されている。そして、画像形成ユニット１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋは、それぞれがイエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、黒（Ｋ）のトナー像を形成する。
また、画像形成プロセス部１０は、各画像形成ユニット１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋの感光体ドラム１２にて形成された各色のトナー像を記録用紙に多重転写させるために、この記録用紙を搬送する用紙搬送ベルト２１と、用紙搬送ベルト２１を駆動させるロールである駆動ロール２２と、感光体ドラム１２のトナー像を記録用紙に転写させる転写手段の一例としての転写ロール２３と、記録用紙にトナー像を定着させる定着器２４とを備えている。
【００１５】
図２は、本実施の形態が適用されるプリントヘッド１４の構成を示した図である。プリントヘッド１４は、ハウジング６１、自己走査型発光素子アレイ（ＳＬＥＤ）６３、ＳＬＥＤ６３やＳＬＥＤ６３の駆動回路１００（後述の図３参照）等を搭載する回路基板６２、ＳＬＥＤ６３からの光を感光体ドラム１２表面に結像させる光学手段の一例としてのロッドレンズアレイ６４を備えている。ここで、回路基板６２、ＳＬＥＤ６３、駆動回路１００等を露光手段の一例としての発光素子アレイ駆動装置５０と呼ぶ。
【００１６】
図３は、発光素子アレイ駆動装置５０の平面図である。
発光素子アレイ駆動装置５０は、回路基板６２、回路基板６２上に例えば５８個の発光装置の一例としてのＳＬＥＤチップ（ＣＨＩＰ１〜ＣＨＩＰ５８）からなるＳＬＥＤ６３、駆動回路１００、レベルシフト手段の一例としてレベルシフト回路１０４を備える。
ここで、ＳＬＥＤチップ（ＣＨＩＰ１〜ＣＨＩＰ５８）は、感光体ドラム１２の軸線方向（主走査方向に該当する。）と平行になるように列状に配置されている。さらに、各ＳＬＥＤチップ（ＣＨＩＰ１〜ＣＨＩＰ５８）には、各ＳＬＥＤチップ（ＣＨＩＰ１〜ＣＨＩＰ５８）の矩形の長辺に沿って、例えば１２８個の発光素子の一例としての発光サイリスタが等間隔に配列されている（図示せず。）。そして、各ＳＬＥＤチップは、ＳＬＥＤチップ同士の連結部において、発光サイリスタが主走査方向に連続的に配列されるように、交互に千鳥状に配置されている。
【００１７】
図４は、発光素子アレイ駆動装置５０の回路構成を説明する図である。回路基板６２には、各ＳＬＥＤチップ（ＣＨＩＰ１〜ＣＨＩＰ５８）に基準電位Ｖｓｕｂ（例えば０Ｖ）を与える電源ライン１０５および電源電圧Ｖｇａ（例えば−３．３Ｖ）を与える電源ライン１０６、転送信号供給手段および点灯信号供給手段の一例としての駆動回路１００から各ＳＬＥＤチップに対して点灯信号ＩＤ（ＩＤ_１〜ＩＤ_５８）を送信する信号ライン１０７（１０７_１〜１０７_５８）、１組の転送信号の一方である転送信号ＣＫ１を送信する信号ライン１０８、他の転送信号である転送信号ＣＫ２を送信する信号ライン１０９が設けられている。
【００１８】
そして、各ＳＬＥＤチップ（ＣＨＩＰ１〜ＣＨＩＰ５８）には、信号ライン１０７を介して、ＣＨＩＰ１〜ＣＨＩＰ５８に対する点灯信号ＩＤ（ＩＤ_１〜ＩＤ_５８）がそれぞれ入力される。この点灯信号ＩＤ（ＩＤ_１〜ＩＤ_５８）は、画像処理部４０から与えられた画像データおよび画像出力制御部３０から与えられた光量補正値により、発光サイリスタ毎に点灯期間を設定する。なお、光量補正値は、予め測定された光量値に基づいて、発光サイリスタ毎に設定されている。
また、駆動回路１００からの転送信号ＣＫ１Ｃと転送信号ＣＫ１Ｒとから、レベルシフト回路１０４を通して得られる転送信号ＣＫ１が、信号ライン１０８を介して、それぞれＣＨＩＰ１〜ＣＨＩＰ５８に共通に入力される。同様に、駆動回路１００からの転送信号ＣＫ２Ｃと転送信号ＣＫ２Ｒとからレベルシフト回路１０４を通して得られる転送信号ＣＫ２が、信号ライン１０９を介して、それぞれＣＨＩＰ１〜ＣＨＩＰ５８に共通に入力される。すなわち、各ＳＬＥＤチップ（ＣＨＩＰ１〜ＣＨＩＰ５８）は、１組の転送信号ＣＫ１とＣＫ２とで共通に駆動され、並行して制御されている。
【００１９】
続いて、発光素子アレイ駆動装置５０の詳細な回路構成を説明する。
図５は、発光素子アレイ駆動装置５０の詳細な回路構成を説明する図である。本実施の形態の発光素子アレイ駆動装置５０には、５８個のＳＬＥＤチップ（ＣＨＩＰ１〜ＣＨＩＰ５８）が配列されているが、図５では、１つのＳＬＥＤチップのみを示している。そして、以下の説明では、便宜上ＳＬＥＤチップをＳＬＥＤ６３と称することとする。
【００２０】
始めに、駆動回路１００とレベルシフト回路１０４とを説明する。
駆動回路１００は、転送信号ＣＫ１Ｃ、ＣＫ１Ｒ、ＣＫ２Ｃ、ＣＫ２Ｒをそれぞれ供給するバッファＢ１Ｃ、Ｂ２Ｃ、スリーステートバッファＢ１Ｒ、Ｂ２Ｒを備える。また、駆動回路１００は、点灯信号ＩＤを供給するバッファＢＩＤを備える。さらに、駆動回路１００は、転送信号ＣＫ１Ｃ、ＣＫ１Ｒ、ＣＫ２Ｃ、ＣＫ２Ｒ、点灯信号ＩＤ、電源電圧Ｖｇａ、基準電位Ｖｓｕｂを供給する電源（図示せず。）を備える。
ここで、スリーステートバッファとは、スリーステートバッファに与えられる制御信号により、出力端子をハイインピーダンス（Ｈｉｚ）の状態とすることができるバッファをいう。
【００２１】
レベルシフト回路１０４は、コンデンサＣ１、抵抗Ｒ１Ｂ、コンデンサＣ２、抵抗Ｒ２Ｂを備える。そして、コンデンサＣ１と抵抗Ｒ１Ｂとは並列に配置され、それぞれの一方の端子が互いに接続され、ＳＬＥＤ６３の入力端子に接続されている。同様に、コンデンサＣ２と抵抗Ｒ２Ｂとは並列に配置され、それぞれの一方の端子が互いに接続され、ＳＬＥＤ６３の入力端子に接続されている。
一方、抵抗Ｒ１Ｂと接続されていないコンデンサＣ１の他方の端子は、駆動回路１００の出力端子を介して、バッファＢ１Ｃの出力端子に接続されている。そして、コンデンサＣ１と接続されていない抵抗Ｒ１Ｂの他方の端子は、駆動回路１００の出力端子を介して、スリーステートバッファＢ１Ｒの出力端子に接続されている。
同様に、抵抗Ｒ２Ｂと接続されていないコンデンサＣ２の他方の端子は、駆動回路１００の出力端子を介して、バッファＢ２Ｃの出力端子に接続されている。そして、コンデンサＣ２と接続されていない抵抗Ｒ２Ｂの他方の端子は、駆動回路１００の出力端子を介して、スリーステートバッファＢ２Ｒの出力端子に接続されている。
【００２２】
駆動回路１００は、バッファＢ１Ｃの出力端子から転送信号ＣＫ１Ｃを送出し、スリーステートバッファＢ１Ｒの出力端子から転送信号ＣＫ１Ｒを送出する。これらの信号に基づいて、レベルシフト回路１０４は転送信号ＣＫ１をＳＬＥＤ６３に供給する。同様に、駆動回路１００は、バッファＢ２Ｃの出力端子から転送信号ＣＫ２Ｃを送出し、スリーステートバッファＢ２Ｒの出力端子から転送信号ＣＫ２Ｒを送出する。これらの信号に基づいて、レベルシフト回路１０４は転送信号ＣＫ２をＳＬＥＤ６３に供給する。
【００２３】
さらに、駆動回路１００は、バッファＢＩＤの出力端子から点灯信号ＩＤを送出し、抵抗ＲＩＤを介して、ＳＬＥＤ６３に供給する。
【００２４】
次に、ＳＬＥＤ６３について説明する。
図５に示すように、ＳＬＥＤ６３は、例えば、スイッチ素子の一例としての１２８個の転送サイリスタＴ１〜Ｔ１２８、発光素子の一例としての１２８個の発光サイリスタＬ１〜Ｌ１２８、１２７個のダイオードＤ１〜Ｄ１２７、１個のスタートダイオードＤｓ、１２８個の抵抗Ｒ１〜Ｒ１２８、さらには信号ラインΦ１、Φ２に過剰な電流が流れるのを防止する転送電流制限抵抗Ｒ１Ａ、Ｒ２Ａを備える。
そして、転送サイリスタＴ１〜Ｔ１２８および発光サイリスタＬ１〜Ｌ１２８はそれぞれ番号順に一列に配列されている。
【００２５】
本実施の形態のＳＬＥＤ６３では、各転送サイリスタＴ１〜Ｔ１２８および各発光サイリスタＬ１〜Ｌ１２８のアノード端子は、裏面共通電極端子８６を介して電源ライン１０５に接続されている。この電源ライン１０５には、基準電位Ｖｓｕｂ（０Ｖ）が供給される。
奇数番目の転送サイリスタＴ１、Ｔ３、…、Ｔ１２７のカソード端子は、信号ラインΦ１に接続されている。信号ラインΦ１には、転送電流制限抵抗Ｒ１Ａを介して転送信号ＣＫ１が供給される。
また、偶数番目のサイリスタＴ２、Ｔ４、…、Ｔ１２８のカソード端子は、信号ラインΦ２に接続されている。信号ラインΦ２には、転送電流制限抵抗Ｒ２Ａを介して転送信号ＣＫ２が供給される。
【００２６】
一方、各転送サイリスタＴ１〜Ｔ１２８のゲート端子Ｇ１〜Ｇ１２８は、各転送サイリスタＴ１〜Ｔ１２８に対応して設けられた抵抗Ｒ１〜Ｒ１２８を介して電源ライン１０６にそれぞれ接続されている。この電源ライン１０６には、電源電圧Ｖｇａ（−３．３Ｖ）が供給される。
また、各転送サイリスタＴ１〜Ｔ１２８のゲート端子Ｇ１〜Ｇ１２８と発光サイリスタ Ｌ１〜Ｌ１２８のゲート端子とはそれぞれ接続されている。そこで、各発光サイリスタ Ｌ１〜Ｌ１２８のゲート端子も、転送サイリスタＴ１〜Ｔ１２８のゲート端子Ｇ１〜Ｇ１２８と区別することなく、それぞれゲート端子Ｇ１〜Ｇ１２８と呼ぶ。
【００２７】
さらに、各転送サイリスタＴ１〜Ｔ１２７のそれぞれのゲート端子Ｇ１〜Ｇ１２７には、ダイオードＤ１〜Ｄ１２７のアノード端子がそれぞれ接続されている。そして、転送サイリスタＴ２〜Ｔ１２８のそれぞれのゲート端子Ｇ２〜Ｇ１２８には、ダイオードＤ１〜Ｄ１２７のカソード端子がそれぞれ接続されている。すなわち、各ダイオードＤ１〜Ｄ１２７はそれぞれゲート端子Ｇ１〜Ｇ１２８の間に直列接続されている。
【００２８】
これに加え、転送サイリスタＴ１のゲート端子Ｇ１には、スタートダイオードＤｓのカソード端子が接続されている。一方、スタートダイオードＤｓのアノード端子は、信号ラインΦ２に接続されている。よって、スタートダイオードＤｓのアノード端子には、転送電流制限抵抗Ｒ２Ａを介して、転送信号ＣＫ２が供給される。
また、発光サイリスタＬ１〜Ｌ１２８のカソード端子は、点灯信号ラインΦＩにそれぞれ接続されている。そして、点灯信号ラインΦＩは、抵抗ＲＩＤを介して点灯信号ＩＤが供給される。
【００２９】
図６は、図５における転送サイリスタＴ１と、駆動回路１００およびレベルシフト回路１０４における転送信号ＣＫ１を供給する部分とを示す図である。ここでは、転送サイリスタＴ１をｐｎｐトランジスタＴｒ１とｎｐｎトランジスタＴｒ２とで表される等価回路で示している。ｐｎｐトランジスタＴｒ１のエミッタ端子は、転送サイリスタＴ１のアノード端子Ａ１であり、Ｖｓｕｂに接続されている。また、ｐｎｐトランジスタＴｒ１のコレクタ端子は、転送サイリスタＴ１のゲート端子Ｇ１である。一方、ｎｐｎトランジスタＴｒ２のエミッタ端子は、転送サイリスタＴ１のカソード端子Ｋ１であり、信号ラインΦ１に接続されている。また、ｎｐｎトランジスタＴｒ２のベース端子は、転送サイリスタＴ１のゲート端子Ｇ１であり、ｐｎｐトランジスタＴｒ１のコレクタ端子に接続されている。さらに、ｐｎｐトランジスタＴｒ１のベース端子とｎｐｎトランジスタＴｒ２のコレクタ端子とが接続されている。
駆動回路１００およびレベルシフト回路１０４については、前述した通りであるので、説明を省略する。
【００３０】
図７（ａ）は、ＳＬＥＤ６３の平面レイアウト図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）に示したＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ線での断面図である。すなわち、図７（ｂ）は、発光サイリスタＬ３、転送サイリスタＴ３、抵抗Ｒ３の断面を表している。
図７（ａ）に示すように、ＳＬＥＤ６３は、基板８１と、発光サイリスタＬ１〜Ｌ１２８の１つと、それに対応する転送サイリスタＴ１〜Ｔ１２８の１つと、同じくそれに対応するダイオードＤ１〜Ｄ１２７の１つとを形成した第１アイランド１４１（例えば、発光サイリスタＬ３と転送サイリスタＴ３とダイオードＤ３とを形成した第１アイランド１４１）と、抵抗Ｒ１〜Ｒ１２８の１つを形成した第２アイランド１４２（例えば、抵抗Ｒ３を形成した第２アイランド１４２）と、スタートダイオードＤｓを形成した第３アイランド１４３と、転送電流制限抵抗Ｒ１Ａを形成した第４アイランド１４４と、転送電流制限抵抗Ｒ２Ａを形成した第５アイランド１４５とを備える。
【００３１】
図７（ｂ）に示すように、ＳＬＥＤ６３は、基板８１上に、ｐ型の第１半導体層８２、ｎ型の第２半導体層８３、ｐ型の第３半導体層８４およびｎ型の第４半導体層８５が順に積層されたｐｎｐｎ構造を備える。
基板８１の裏面には裏面共通電極端子８６が形成されている。
【００３２】
第１アイランド１４１には、発光サイリスタＬ３が形成されている。発光サイリスタＬ３は、裏面共通電極端子８６をアノード端子、ｎ型の第４半導体層８５の領域１１１に形成されたオーミック電極１２１をカソード端子、ｎ型の第４半導体層８５をエッチング除去してｐ型の第３半導体層８４上に形成されたオーミック電極１３１をゲート端子Ｇ３とする。
さらに、第１アイランド１４１には、転送サイリスタＴ３が形成されている。転送サイリスタＴ３は、裏面共通電極端子８６をアノード端子、ｎ型の第４半導体層８５の領域１１２に形成されたオーミック電極１２２をカソード端子、ｐ型の第３半導体層８４上に形成されたオーミック電極１３１をゲート端子Ｇ３とする。
発光サイリスタＬ３および転送サイリスタＴ３のゲート端子Ｇ３は共通で、オーミック電極１３１である。
また、図７（ｂ）には図示していないが、第１アイランド１４１には、ｐ型の第３半導体層８４をアノード端子とし、ｎ型の第４半導体層８５をカソード端子とするダイオードＤ３が形成されている。
すなわち、第１アイランド１４１には、発光サイリスタＬ３、転送サイリスタＴ３、ダイオードＤ３が形成されている。
【００３３】
第２アイランド１４２には、ｐ型の第３半導体層８４上に形成されたオーミック電極１３２とオーミック電極１３３との間に抵抗Ｒ３が形成されている。つまり、抵抗Ｒ１〜Ｒ１２８はｐ型の第３半導体層８４を利用して形成されている。
第３アイランド１４３には、スタートダイオードＤｓが形成されている。スタートダイオードＤｓは、ダイオードＤ３と同様に、ｐ型の第３半導体層８４をアノード端子とし、ｎ型の第４半導体層８５をカソード端子として形成されている。
第４アイランド１４４と第５アイランド１４５とには、転送電流制限抵抗Ｒ１Ａと転送電流制限抵抗Ｒ２Ａとがそれぞれ形成されている。これらの抵抗は、抵抗Ｒ３と同様に、ｐ型の第３半導体層８４を利用して形成されている。
【００３４】
図７（ａ）における第１アイランド１４１および第２アイランド１４２について接続関係を説明する。
転送サイリスタＴ３および発光サイリスタＬ３の共通のゲート端子Ｇ３であるオーミック電極１３１は、抵抗Ｒ３のオーミック電極１３２に接続されている。さらに、このオーミック電極１３１は、隣接する第１アイランド１４１に形成されたダイオードＤ２のカソード端子に接続されている。発光サイリスタＬ３のオーミック電極１２１は点灯信号ラインΦＩに接続されている。また、奇数番目の転送サイリスタＴ３のオーミック電極１２２は信号ラインΦ１に接続されている。信号ラインΦ１は、転送電流制限抵抗Ｒ１Ａを介してＳＬＥＤ６３の入力端子に接続されている。
なお、偶数番目の転送サイリスタＴ２、Ｔ４、…、Ｔ１２８のカソード端子は信号ラインΦ２に接続され、転送電流制限抵抗Ｒ２Ａを介してＳＬＥＤ６３の入力端子に接続されている。
さらに、第２アイランド１４２のオーミック電極１３３は電源ライン１０６に接続されている。
ここでは説明を省略するが、他の発光サイリスタ、転送サイリスタ、ダイオードについても同様である。
【００３５】
次に、駆動回路１００およびレベルシフト回路１０４から出力されるＳＬＥＤ６３を駆動する信号（駆動信号）と、ＳＬＥＤ６３の内部の信号ラインΦ１、Φ２、点灯信号ラインΦＩの電位について説明する。
図８は、駆動回路１００およびレベルシフト回路１０４から出力される駆動信号およびＳＬＥＤ６３の内部の信号ラインΦ１、Φ２、点灯信号ラインΦＩの電位を示すタイミングチャートである。ここでは、時刻ａから時刻ｕへとアルファベット順に時刻が経過するとする。
【００３６】
さて、ＳＬＥＤ６３では、番号の小さい転送サイリスタから番号の大きい転送サイリスタへとオン状態が移るとともに、オン状態の転送サイリスタに対応して設けられた発光サイリスタが点灯しやすい状態になる。そして、点灯信号ＩＤにより、点灯しやすい状態になった発光サイリスタの点灯／非点灯および点灯期間が制御される。
ここでは、ＳＬＥＤ６３の発光サイリスタＬ１〜Ｌ４を点灯制御する部分を取り出して示し、発光サイリスタＬ１〜Ｌ４のすべてが“点灯”するとした。
そして、それぞれの発光サイリスタの点灯／非点灯が制御される期間を周期Ｔとし、時刻ｂから時刻ｆまでが発光サイリスタＬ１を制御する期間Ｔ（Ｌ１）、時刻ｆから時刻ｊまでが発光サイリスタＬ２を制御する期間Ｔ（Ｌ２）、時刻ｊから時刻ｐまでが発光サイリスタＬ３を制御する期間Ｔ（Ｌ３）、そして時刻ｐから時刻ｕまでが発光サイリスタＬ４を制御する期間Ｔ（Ｌ４）とした。
【００３７】
以下では、図５を参照して、図８のタイミングチャートを説明する。
図８において、転送信号ＣＫ１Ｃ（図８の（Ａ））は、バッファＢ１Ｃの出力信号であり、レベルシフト回路１０４のコンデンサＣ１に供給される。転送信号ＣＫ１Ｒ（同（Ｂ））はスリーステートバッファＢ１Ｒの出力信号であり、レベルシフト回路１０４の抵抗Ｒ１Ｂに供給される。
転送信号ＣＫ１（同（Ｃ））はレベルシフト回路１０４のコンデンサＣ１と抵抗Ｒ１Ｂとの接続部の電位である。Φ１（同（Ｄ））は、ＳＬＥＤ６３の転送電流制限抵抗Ｒ１ＡよりＳＬＥＤ６３の内部における信号ラインΦ１の電位である。
同様に、転送信号ＣＫ２Ｃ（同（Ｅ））は、バッファＢ２Ｃの出力信号であり、レベルシフト回路１０４のコンデンサＣ２に供給される。転送信号ＣＫ２Ｒ（同（Ｆ））はスリーステートバッファＢ２Ｒの出力信号であり、レベルシフト回路１０４の抵抗Ｒ２Ｂに供給される。
転送信号ＣＫ２（同（Ｇ））はレベルシフト回路１０４のコンデンサＣ２と抵抗Ｒ２Ｂとの接続部の電位である。Φ２（同（Ｈ））は、ＳＬＥＤ６３の転送電流制限抵抗Ｒ２ＡよりＳＬＥＤ６３の内部における信号ラインΦ２の電位である。
また、点灯信号ＩＤ（同（Ｉ））は、前述したように、発光サイリスタＬ１〜Ｌ１２８の発光／非発光を設定すると共に、発光期間を設定する。ΦＩ（同（Ｊ））は、ＳＬＥＤ６３の点灯信号ラインΦＩの電位である。
【００３８】
以上説明したように、駆動回路１００から供給される信号は、転送信号ＣＫ１Ｃ、ＣＫ１Ｒ、ＣＫ２Ｃ、ＣＫ２Ｒ、および点灯信号ＩＤである。一方、転送信号ＣＫ１およびＣＫ２は、転送信号ＣＫ１Ｃ、ＣＫ１Ｒおよび転送信号ＣＫ２Ｃ、ＣＫ２Ｒからそれぞれ生成される信号である。Φ１、Φ２、ΦＩは、ＳＬＥＤ６３の内部の電位である。
【００３９】
図８の期間Ｔ（Ｌ１）は、発光サイリスタＬ１を点灯制御する期間であり、ＳＬＥＤ６３の駆動が開始される期間でもある。このため、期間Ｔ（Ｌ１）では、転送信号ＣＫ２Ｃ、ＣＫ２Ｒが印加されていないなど、これ以降の信号の波形と異なっている。そこで、それ以降の信号波形が繰り返し波形となる期間Ｔ（Ｌ３）、Ｔ（Ｌ４）の信号波形により、信号の概要を説明する。
【００４０】
転送信号ＣＫ１Ｃ、ＣＫ１Ｒ、ＣＫ２Ｃ、ＣＫ２Ｒは、期間Ｔ（Ｌ３）と期間Ｔ（Ｌ４）とを加えた期間（２×Ｔ）を周期として繰り返す信号である。そこで、期間Ｔ（Ｌ３）と期間Ｔ（Ｌ４）とを加えた期間（時刻ｊから時刻ｕまで）を単位として説明する。
転送信号ＣＫ１Ｃは、時刻ｋでハイレベル（以下、「Ｈ」と記す。）からローレベル（以下、「Ｌ」と記す。）に、時刻ｒで「Ｌ」から「Ｈ」になり、その他の期間は「Ｈ」である。
転送信号ＣＫ１Ｒは、時刻ｊで「Ｈ」から「Ｌ」に、時刻ｒで「Ｌ」から「Ｈ」になり、その他の期間は「Ｈ」である。
転送信号ＣＫ２Ｃは、時刻ｌで「Ｌ」から「Ｈ」に、時刻ｑで「Ｈ」から「Ｌ」になり、その他の期間は「Ｌ」である。
転送信号ＣＫ２Ｒは、時刻ｌで「Ｌ」から「Ｈ」に、時刻ｐで「Ｈ」から「Ｌ」になり、その他の期間は「Ｌ」である。
ここで、転送信号ＣＫ１Ｃと転送信号ＣＫ２Ｃとを比較すると、転送信号ＣＫ２Ｃは、転送信号ＣＫ１Ｃを周期Ｔに相当する期間を、時間軸上を右にシフトした信号にあたる。同様に、転送信号ＣＫ２Ｒは、転送信号ＣＫ１Ｒを周期Ｔに相当する期間を、時間軸上で右にシフトした信号にあたる。
【００４１】
一方、点灯信号ＩＤは、期間Ｔ（Ｌ３）では、時刻ｎで「Ｈ」から点灯信号ＩＤのローレベル（以下、「Ｌｅ」と記す。）に、時刻ｐで「Ｌｅ」から「Ｈ」になり、その他の期間は「Ｈ」である。なお、「Ｌｅ」は発光サイリスタを点灯させうる点灯電位で、「Ｌ」と異なる電位である。「Ｌｅ」の電位については、後述する。
点灯信号ＩＤが「Ｌｅ」であると、点灯信号ラインΦＩの電位も「Ｌｅ」になり、「Ｌｅ」にある期間の間、発光サイリスタＬ３が点灯（Ｌ３ｏｎ）する。点灯信号ＩＤが「Ｌｅ」にある期間を点灯期間ｔｃと呼ぶ。
なお、点灯期間ｔｃは、光量補正値によって、それぞれの発光サイリスタで異なる。そこで、それぞれの発光サイリスタＬ１〜Ｌ４の点灯期間ｔｃを区別するため、それぞれの点灯期間ｔｃを点灯期間ｔｃ１〜ｔｃ４と呼ぶ。図８においても、期間Ｔ（Ｌ１）〜Ｔ（Ｌ４）における点灯期間ｔｃ１〜ｔｃ４の期間が異なるように表している。
【００４２】
この点灯期間ｔｃは、点灯可能期間ｔｅ内に設定されることが必要である。ここで、転送信号ＣＫ１ＲとＣＫ２Ｒとが共に「Ｌ」である期間を期間ｔａ、転送信号ＣＫ１ＲまたはＣＫ２Ｒが「Ｈ」になってからの一定の期間を期間ｔｂとする。すると、点灯可能期間ｔｅは、期間Ｔ（Ｌ３）の期間ｔａ（時刻ｊから時刻ｌまでの期間）と期間ｔｂ（時刻ｌから時刻ｍまでの期間）とが経過した後から、期間Ｔ（Ｌ４）における期間ｔａが始まる時刻ｐまでの期間となる。なお、期間ｔａ、ｔｂ、ｔｅについては、後述する。
【００４３】
さて、本実施の形態においては、図８の（Ｉ）ＩＤに示すように、点灯期間の終了時点を、期間ｔａが始まる時刻とし、点灯期間の開始時点を期間ｔａが始まる時刻から点灯期間ｔｃ遡って設定している。例えば、期間Ｔ（Ｌ３）について見ると、発光サイリスタＬ３の点灯開始時点は、期間Ｔ（Ｌ４）において、期間ｔａが始まる時刻ｐから、点灯期間ｔｃ３遡った時刻ｎに設定されている。
したがって、発光素子アレイ駆動装置５０において、並行して駆動されているそれぞれのＳＬＥＤチップの発光サイリスタについても、それぞれの光量補正値に応じて点灯開始時点がそれぞれ異なることになると考えられる。
このため、駆動回路１００は、発光サイリスタが点灯するための電流を一斉に供給することを要せず、発光サイリスタ毎に設定された点灯開始時点に、発光サイリスタを点灯するための電流と点灯している発光サイリスタの発光を維持するための電流とを供給すればよい。このことから、駆動回路１００に設けられた電源の電流供給能力を抑え、駆動回路１００のサイズが小さくなる。そして、その駆動回路を用いることにより小型の発光素子アレイ駆動装置５０となる。
さらに、これにより、ＳＬＥＤチップの発熱や、漏れ光が増加することを抑えることになる。
なお、上記の説明では、点灯期間ｔｃの終了時点を、期間ｔａが始まる時刻とした。しかし、点灯期間ｔｃの終了時点を、期間ｔａが始まる時刻から予め定められた期間遡った時刻としてもよい。また、点灯期間ｔｃの終了時点を、期間ｔａが始まる時刻から予め定められた期間経過した時刻としてもよい。これらについては、後述する。
【００４４】
次に、ＳＬＥＤ６３の動作を説明する。説明に先立ち、転送サイリスタなどのサイリスタがオンになるための条件を、図６に示した転送サイリスタＴ１の等価回路を参照して、説明する。
転送サイリスタＴ１がターンオンするためには、転送サイリスタＴ１の等価回路を構成する２つのトランジスタ、ｐｎｐトランジスタＴｒ１とｎｐｎトランジスタＴｒ２とが共にオンになることが必要である。
なお、ここでサイリスタのターンオンとは、共にオフであったｐｎｐトランジスタＴｒ１とｎｐｎトランジスタＴｒ２とが共にオンに変化し、アノード端子とカソード端子との間が導通状態（低抵抗状態）になることをいう。一方、サイリスタのターンオフとは、共にオンであったｐｎｐトランジスタＴｒ１とｎｐｎトランジスタＴｒ２とが共にオフに変化し、アノード端子とカソード端子との間が非導通状態（高抵抗状態）になることをいう。
【００４５】
さて、転送サイリスタＴ１のゲート端子Ｇ１は、ｎｐｎトランジスタＴｒ２のベース端子にあたる。カソード端子Ｋ１は、ｎｐｎトランジスタＴｒ２のエミッタ端子にあたる。
ｎｐｎトランジスタＴｒ２がオンになるためには、ｎｐｎトランジスタＴｒ２のベース端子（Ｇ１）−エミッタ端子（Ｋ１）間が順バイアスになることが必要となる。これには、ベース端子（Ｇ１）−エミッタ端子（Ｋ１）間がｐｎ接合の順方向立上り電圧（拡散電位）Ｖｄより大きな電位差となることが必要となる。つまり、ＳＬＥＤチップ６３の特性として、Ｖｄを１．５Ｖとすると、ベース端子（Ｇ１）−エミッタ端子（Ｋ１）間の電位差が１．５Ｖより大きくなることが必要となる。
【００４６】
さて、ベース端子（Ｇ１）−エミッタ端子（Ｋ１）間の電位差が１．５Ｖを超えると、ベース端子（Ｇ１）−エミッタ端子（Ｋ１）間に電流が流れ始め、ｎｐｎトランジスタＴｒ２がオンする。すると、ｎｐｎトランジスタＴｒ２のコレクタ端子−エミッタ端子（Ｋ１）間に電流が流れ始める。これにより、ｐｎｐトランジスタＴｒ１のベース端子−エミッタ端子（Ａ１）間に電流が流れ始め、ｐｎｐトランジスタＴｒ１がオンする。このようにして、ｐｎｐトランジスタＴｒ１とｎｐｎトランジスタＴｒ２とが共にオンになり、転送サイリスタＴ１がターンオンする。
そして、転送サイリスタＴ１のカソード端子Ｋ１の電位は、−Ｖｄの−１．５Ｖとなり、ゲート端子Ｇ１の電位はほぼ０Ｖ（「Ｈ」）になる。
【００４７】
以上説明したように、転送サイリスタがターンオンする条件は、ゲート端子−カソード端子間を順バイアスにし、その電位差を１．５Ｖより大きくすることである。すなわち、一般にサイリスタをオンにする条件は、ゲート端子−カソード端子間を順バイアスにし、その電位差をＶｄより大きくすることであるといえる。
そして、転送サイリスタのカソード端子は信号ラインΦ１またはΦ２に接続されているので、転送サイリスタがターンオンする条件は、ゲート端子−信号ラインΦ１（またはΦ２）間の電位差を、サイリスタのゲート端子−カソード端子間が順バイアスになるようにし、かつその電位差を１．５Ｖより大きくすることであると言い換えることができる。
【００４８】
では、図５、６、８を参照しつつ、ＳＬＥＤ６３の動作を図８に示した時刻順（時刻ａ、ｂ、ｃ、…）に説明する。
（１）まず、初期状態（時刻ａ）においては、転送信号ＣＫ１ＣおよびＣＫ１Ｒを共に「Ｈ」（０Ｖ）とし、転送信号ＣＫ１を「Ｈ」に設定する。同様に、転送信号ＣＫ２ＣおよびＣＫ２Ｒを共に「Ｈ」とし、転送信号ＣＫ２を「Ｈ」に設定する。
ここで、転送信号ＣＫ１は転送電流制限抵抗Ｒ１Ａを介して信号ラインΦ１に接続されているので、信号ラインΦ１の電位も「Ｈ」である。同様に、転送信号ＣＫ２は転送電流制限抵抗Ｒ２Ａを介して信号ラインΦ２に接続されているので、信号ラインΦ２の電位も「Ｈ」である。
さらに、点灯信号ＩＤも「Ｈ」に設定されているので、点灯信号ラインΦＩの電位も「Ｈ」である。
【００４９】
このとき、スタートダイオードＤｓは、アノード端子が信号ラインΦ２の「Ｈ」（０Ｖ）に、カソード端子が電源電圧Ｖｇａの「Ｌ」（−３．３Ｖ）に設定されているので、順バイアスの状態になっている。このため、転送サイリスタＴ１のゲート端子Ｇ１の電位は、信号ラインΦ２の電位の「Ｈ」（０Ｖ）からスタートダイオードＤｓのｐｎ接合の順方向立上り電圧（拡散電位）Ｖｄを引いた値である−１．５Ｖとなっている。
しかし、すべての転送サイリスタＴ１〜Ｔ１２８および発光サイリスタＬ１〜Ｌ１２８は、カソード端子の電位とアノード端子の電位とが「Ｈ」（０Ｖ）で等しいので、オフになっている。
【００５０】
（２）時刻ｂにおいて、転送信号ＣＫ１Ｒを「Ｌ」（−３．３Ｖ）にすることで、ＳＬＥＤ６３の動作が開始する。
転送信号ＣＫ１Ｒを「Ｌ」にすると、転送信号ＣＫ１が「Ｈ」から「Ｌ」に向かって変化する。これにより、コンデンサＣ１の両端に電圧が発生する。また、信号ラインΦ１の電位が、「Ｈ」から「Ｌ」に向かって変化する。そして、信号ラインΦ１の電位が、ゲート端子Ｇ１の電位（−１．５Ｖ）とｐｎ接合の順方向立上り電圧（拡散電位）Ｖｄとを加えた値（−３Ｖ）より低くなると、転送サイリスタＴ１のゲート端子Ｇ１と信号ラインΦ１との電位差が１．５Ｖを超えることになる。これにより、前述したように、転送サイリスタＴ１のゲート電流が流れ始め、転送サイリスタＴ１はターンオンを開始する。
しかし、転送信号ＣＫ１が到達しうる電位は−３．３Ｖであることから、転送信号ＣＫ１と信号ラインΦ１（−３Ｖ）との電位差はわずか０．３Ｖである。このため、転送サイリスタＴ１への電流供給能力が低く、このままでは転送サイリスタＴ１がターンオンするまでの時間が長くなる。
【００５１】
（３）そこで、時刻ｃにおいて、転送信号ＣＫ１Ｃを「Ｌ」にする。
すると、転送信号ＣＫ１Ｃの電位が急激に「Ｌ」（−３．３Ｖ）となったことから、転送信号ＣＫ１の電位が、急激に−６．６Ｖに下がる。これにより、転送サイリスタＴ１のゲート電流が増加し、転送サイリスタＴ１のターンオンが加速される。
なお、転送信号ＣＫ１Ｃを「Ｌ」にしたときに、スリーステートバッファＢ１Ｒをハイインピーダンス（Ｈｉｚ）にすることで、スリーステートバッファＢ１Ｒを通してレベルシフト回路１０４に電流が流れ込むことを阻止し、転送信号ＣＫ１の電位が「Ｌ」になることを防止する。
【００５２】
その後、転送サイリスタＴ１のゲート電流の増加と共に、信号ラインΦ１の電位が上昇する。さらに、レベルシフト回路１０４のコンデンサＣ１に電流が流れ込むことで、転送信号ＣＫ１の電位も徐々に上昇する。
【００５３】
（４）予め決められた時間（転送信号ＣＫ１の電位が「Ｌ」（−３．３Ｖ）近傍になる時間）の経過後（時刻ｄ）に、スリーステートバッファＢ１Ｒをハイインピーダンス（Ｈｉｚ）から「Ｌ」にする。すると、レベルシフト回路１０４の抵抗Ｒ１Ｂに電流が流れ始める。その一方、転送信号ＣＫ１の電位が上昇するので、レベルシフト回路１０４のコンデンサＣ１に流れ込む電流は徐々に減少する。
【００５４】
転送サイリスタＴ１がターンオンして、定常状態になると、転送サイリスタＴ１のオンを保持するための電流が、転送電流制限抵抗Ｒ１Ａおよびレベルシフト回路１０４の抵抗Ｒ１Ｂを介して流れる。
また、転送サイリスタＴ１がオンすると、信号ラインΦ１の電位はほぼ−１．５Ｖになり、ゲート端子Ｇ１の電位はほぼ「Ｈ」（０Ｖ）になる。
【００５５】
（５）転送サイリスタＴ１が完全にオンし、発光サイリスタＬ１を消灯する時刻である時刻ｆから発光サイリスタＬ１に設定された点灯期間ｔｃ１遡った時刻ｅにおいて、点灯信号ＩＤを「Ｌｅ」にする。
このとき、発光サイリスタＬ１のゲート端子Ｇ１の電位は０Ｖとなっている。このため、前述したサイリスタがオンになる条件によると、発光サイリスタＬ１のカソード端子（点灯信号ラインΦＩ）に−１．５Ｖ以下の電圧を印加すると、発光サイリスタＬ１が点灯する。
【００５６】
一方、図５から、発光サイリスタＬ２は、ゲート端子Ｇ２の電位が順バイアスされたダイオードＤ１により−１．５Ｖになっている。よって、発光サイリスタＬ２のカソード端子（点灯信号ラインΦＩ）に−３．０Ｖ以下の電圧を印加すると、発光サイリスタＬ２は点灯することになる。同様に、発光サイリスタＬ３は、ゲート端子Ｇ３が−３．０Ｖであるので、カソード端子（点灯信号ラインΦＩ）に−４．５Ｖ以下の電圧を印加すると、点灯することになる。そして、発光サイリスタＬ４以降の発光サイリスタＬ５、…は、ゲート端子の電位が電源電圧Ｖｇａの−３．３Ｖであるので、カソード端子（点灯信号ラインΦＩ）に−４．８Ｖ以下の電圧を印加すると、点灯することになる。
【００５７】
したがって、点灯信号ラインΦＩの電位が−１．５Ｖより低く、−３．０Ｖより高い電位となるように、点灯信号ＩＤを設定すると、発光サイリスタＬ１のみをオンにして点灯させうる。ここでは、点灯信号ラインΦＩの−１．５Ｖより低く、−３．０Ｖより高い電位を点灯電位「Ｌｅ」と呼び、図８に示すタイミングチャートにおいてそのレベルを「Ｌｅ」と記す。
【００５８】
（６）次に、時刻ｆにおいて、点灯信号ＩＤを、「Ｈ」とすると、発光サイリスタＬ１のカソード端子の電位とアノード端子の電位とがほぼ等しくなるため、発光サイリスタＬ１はもはやオンの状態を維持できず、消灯する。しかし、転送サイリスタＴ１はオンを維持する。
【００５９】
（７）同じ時刻ｆにおいて、転送信号ＣＫ２Ｒを「Ｌ」にすると、転送信号ＣＫ２が「Ｈ」から「Ｌ」に向かって変化するとともに、レベルシフト回路１０４のコンデンサＣ２の両端に電圧が発生する。
このとき、ゲート端子Ｇ１の電位はほぼ０Ｖになっているので、ゲート端子Ｇ２の電位は−１．５Ｖとなっている。そこで、信号ラインΦ２の電位が−３Ｖより低くなると、転送サイリスタＴ２にゲート電流が流れ始め、転送サイリスタＴ２がターンオンを開始する。
【００６０】
（８）その後の時刻ｇにおいて、転送信号ＣＫ２Ｃを「Ｌ」にすると、転送信号ＣＫ２の電位が、急激に−６．６Ｖに下がる。これにより、転送サイリスタＴ２のターンオンが加速される。なお、時刻ｇでは、転送サイリスタＴ１および転送サイリスタＴ２がともにオンになっている。
【００６１】
（９）そして、次の時刻ｈにおいて、転送信号ＣＫ１Ｃ、ＣＫ１Ｒを共に「Ｈ」にすると、転送サイリスタＴ１のアノード端子の電位とカソード端子の電位とがほぼ等しくなるため、転送サイリスタＴ１はターンオフする。
ほほ０ＶになっていたゲートＧ１の電位は、転送サイリスタＴ１がターンオフしたのち、抵抗Ｒ１を通して電流が流れることによって、除々に下降し、電源電圧Ｖｇａ（−３．３Ｖ）の電位になる。
このとき、転送サイリスタＴ２はオンになっている。
（１０）その後、発光サイリスタＬ２を消灯させる時刻ｊから発光サイリスタＬ２に設定された点灯期間ｔｃ２遡った時刻ｉにおいて、点灯信号ＩＤを点灯信号ラインΦＩの電位が「Ｌｅ」になるように設定することで、発光サイリスタＬ２を点灯させる。
【００６２】
なお、転送サイリスタＴ２がオン状態になると、ゲート端子Ｇ２の電位が０Ｖになるが、この電位上昇の影響は、ダイオードＤ１が逆バイアスであるため、ゲート端子Ｇ１には伝わらず、ゲート端子Ｇ１の電位はＶｇａの−３．３Ｖが維持される。これにより、発光サイリスタＬ１を点灯するためにカソード端子に印加する電位は−４．８Ｖ以下となる。よって、時刻ｉにおいて、前述したように、点灯信号ラインΦＩの電位を「Ｌｅ」としても、発光サイリスタＬ１は点灯しえない。すなわち、時刻ｉにおいて、発光サイリスタＬ２のみを点灯させうる。
【００６３】
（１１）上記した動作（（２）から（１０））を順に繰り返すことで、さらに発光サイリスタＬ３〜Ｌ１２８を番号順に順次点灯させうる。
【００６４】
なお、図８に示した例では、発光サイリスタＬ１〜Ｌ４をすべて点灯させることとしたが、画像データに基づいて点灯信号ＩＤを「Ｌｅ」にして“点灯”に設定したり、「Ｈ」のままとして“非点灯”としたりすることで、発光サイリスタＬ１〜Ｌ１２８の点灯／非点灯を発光サイリスタ毎に制御しうる。
また、点灯を開始する時刻、すなわち点灯信号ＩＤを「Ｈ」から「Ｌｅ」にする時刻を変えることにより、発光サイリスタ毎に点灯期間ｔｃの長さを設定して、光量補正しうる。
【００６５】
上記したように、本実施の形態においては、ダイオードを間にはさんで接続された複数の転送サイリスタが、順にオンにされた場合に、転送サイリスタに対応して設けられた発光サイリスタのゲート端子の電位を高くして、発光サイリスタを点灯しやすい状態に設定する。また、転送サイリスタが、オフにされた場合に、転送サイリスタに対応して設けられた発光サイリスタを点灯しにくい状態に設定する。
そして、転送サイリスタは、ダイオードを間にはさんで接続された３つのオフ状態の転送サイリスタにおいて、中央の転送サイリスタに着目した場合、まず前段の転送サイリスタがオンになり、次に、中央の転送サイリスタがオンになって、前段の転送サイリスタと共にオンになる。次いで、前段の転送サイリスタがオフになって、中央の転送サイリスタのみがオンになる。そして、後段の転送サイリスタがオンになって、中央の転送サイリスタと後段の転送サイリスタとが共にオンになる。そして、次に、中央の転送サイリスタがオフになることで、転送サイリスタのオン状態が伝搬する（転送している）。
【００６６】
次に、点灯期間ｔｃについてより詳細に説明する。
発光サイリスタの特性ばらつきなどに起因して、形成された画像に濃度ムラが発生する。そこで、予め測定されたデータに基づいて、発光サイリスタ毎に光量補正を行うことで、画像の濃度ムラを少なくし、形成された画像の画質向上を図っている。
本実施の形態では、光量補正の方法として、点灯期間ｔｃを可変にする方法を用いている。例えば、図８の期間Ｔ（Ｌ３）では、時刻ｎから時刻ｐまでの点灯期間ｔｃ３で点灯信号ＩＤを「Ｌｅ」にして、発光サイリスタＬ３を点灯させている。そして、この点灯期間ｔｃを発光サイリスタ毎に設定している。さらに、本実施の形態では、点灯終了時点（期間Ｔ（Ｌ３）では時刻ｐ）を固定とし、点灯開始時点（期間Ｔ（Ｌ３）では時刻ｎ）を可変として、発光サイリスタの点灯期間ｔｃを変えることで光量補正を行っている。
【００６７】
ここで、期間Ｔ（Ｌ３）を例として、点灯期間ｔｃ３が設定できる点灯可能期間ｔｅについて説明する。
図８において、時刻ｊから時刻ｌまでの期間ｔａは、前述したように、転送信号ＣＫ１ＲとＣＫ２Ｒとが共に「Ｌ」の期間である。この期間ｔａは、転送サイリスタＴ３に対して前段にあたる転送サイリスタＴ２がオンの状態で、転送サイリスタＴ３がオン状態に移行する期間である。よって、この期間において、転送サイリスタＴ２のゲート端子Ｇ２の電位は０Ｖ、転送サイリスタＴ３のゲート端子Ｇ３の電位は−１．５Ｖから０Ｖに向かって変化していく。そして、発光サイリスタＬ２のしきい電圧は−１．５Ｖを維持し、発光サイリスタＬ３のしきい電圧は−３．０Ｖから−１．５Ｖへ変化して行く。したがって、この期間ｔａにおいて、点灯信号ラインΦＩに「Ｌｅ」を与えると、発光サイリスタＬ３に加えて、点灯を予定していない発光サイリスタＬ２も点灯してしまうことがありうる。
以上説明したように、時刻ｊから時刻ｌまでの期間ｔａは、転送信号ＣＫ１ＲとＣＫ２Ｒとを共に「Ｌ」にすることにより、オンの状態の転送サイリスタＴ２に加え、転送サイリスタＴ２の後段にあたる転送サイリスタＴ３をオン状態に移行させる期間である。よって、期間ｔａは、連続して接続された２つの転送サイリスタを共にオン状態にする転送信号を供給する期間といえる。
【００６８】
次に、図８において、時刻ｌにおいて、転送信号ＣＫ２Ｃ、ＣＫ２Ｒが共に「Ｈ」になると、転送サイリスタＴ３に対して前段にあたる転送サイリスタＴ２のアノード端子の電位とカソード端子の電位とがほぼ等しくなり、転送サイリスタＴ２はターンオフする。すると、ほぼ０Ｖであったゲート端子Ｇ２の電位は、抵抗Ｒ２を通して電流が流れることにより、電源電圧Ｖｇａの−３．３Ｖへと変化する。
しかし、ゲート端子Ｇ２の電位が０Ｖまたはそれに近い値にとどまっている間に、点灯信号ラインΦＩに「Ｌｅ」を与えると、やはり発光サイリスタＬ３に加えて点灯を予定しない発光サイリスタＬ２が点灯してしまう。
すなわち、期間ｔｂは、ゲート端子Ｇ２の電位が電源電圧Ｖｇａの−３．３Ｖに向かって変化し、もはや点灯信号ラインΦＩに「Ｌｅ」を与えても、発光サイリスタＬ２が点灯しない状態となるまでの期間である。
【００６９】
したがって、発光サイリスタＬ３のみを点灯することができる点灯可能期間ｔｅは、期間Ｔ（Ｌ３）の期間ｔｂが経過した後から、次の期間Ｔ（Ｌ４）の期間ｔａが開始するまでの期間に設定するのが好ましい。すると、点灯可能期間ｔｅは、ｔｅ＝Ｔ−ｔａ−ｔｂで表せる。
そして、本実施の形態では、点灯開始時点、すなわち点灯信号ＩＤを「Ｈ」から「Ｌｅ」にする時刻を、期間ｔｂが終了した後において、次の期間ｔａが始まる時刻を点灯期間ｔｃの終了時刻とし、この時刻から点灯期間ｔｃ遡った時刻に設定することとしている。
なお、点灯開始時点は、画像データおよび発光サイリスタの光量補正値により、駆動回路１００において求め、パルス発生回路により点灯開始時点を設定すればよい。
【００７０】
なお、上述では、点灯期間ｔｃの終了時刻を、連続して接続された２つの転送サイリスタを共にオン状態にする転送信号を供給する期間ｔａが始まる時点とした。しかし、点灯期間ｔｃの終了時点は、期間ｔａが始まる時刻から予め定められた期間遡った時点としてもよい。後述するように、不意に転送サイリスタがオフになって、そのゲート端子の電位が「Ｌ」に移行し始めても、後段の転送サイリスタがターンオンしうる状態にある間に、後段の転送サイリスタをターンオンするための転送信号が供給されれば転送異常を生じないからである。
【００７１】
例として、前段の転送サイリスタを転送サイリスタＴ３とし、後段の転送サイリスタを転送サイリスタＴ４として説明する。すると、期間ｔａが始まる時刻から遡ってよい期間は、後段の転送サイリスタＴ４をオン状態にすることなく、前段の転送サイリスタＴ３をオフにする転送信号（転送信号ＣＫ１ＲおよびＣＫ１Ｃの「Ｌ」から「Ｈ」への移行）を供給した時点から、後段の転送サイリスタＴ４をオン状態にする転送信号（転送信号ＣＫ２Ｒの「Ｈ」から「Ｌ」への移行）を供給する時点までの期間であって、後段の転送サイリスタがオン状態になりうる場合の期間に相当する。すなわち、前段の転送サイリスタＴ３をオフにする転送信号を供給しても、前段の転送サイリスタＴ３は直ちにはオフにならず、ゲート端子Ｇ３の電位も０Ｖから電源電圧Ｖｇａ（−３．３Ｖ）に直ちに移行しないためである。このため、前段の転送サイリスタＴ３をオフにする転送信号を供給したのち、しばらく時間が経過した時点においても、後段の転送サイリスタＴ４がオン状態に移行しうるためである。なお、遡ってよい期間は、前段の転送サイリスタＴ３をオフにする転送信号を供給したのち後段の転送サイリスタＴ４がオン状態に移行しうる最大の期間とする必要はなく、最大の期間より短い期間が用いうる。
【００７２】
一方、点灯期間ｔｃの終了時点を、期間ｔａが始まる時刻から予め定められた期間経過した時点としてもよい。前述したと同様に、前段の転送サイリスタを転送サイリスタＴ３とし、後段の転送サイリスタを転送サイリスタＴ４として説明する。すると、時刻ｐから時刻ｒの期間ｔａは後段の転送サイリスタＴ４がオン状態に移行する期間であるので、期間ｔａの始まる時刻ｐからしばらくの期間、後段の転送サイリスタＴ４はターンオンしない。そして、後段の転送サイリスタＴ４に接続された発光サイリスタＬ４は、そのしきい電圧が−３．３Ｖから上昇せず、「Ｌｅ」が与えられてもターンオンできない状態の期間が存在することになる。よって、点灯期間ｔｃ３の終了時点を、期間ｔａが始まる時刻ｐから後段の転送サイリスタＴ４に接続された発光サイリスタＬ４が「Ｌｅ」で点灯しない期間経過した時点としてよいことになる。この場合も、期間ｔａが始まる時刻から上記によって定められる経過した時点までの期間（経過する期間）は、必ずも最大の期間とする必要はなく、最大の期間より短い期間が用いうる。
【００７３】
（実施例）
図９は、本実施の形態における実施例および比較例の実験条件を示すタイミングチャートである。ここでは、図８に示した信号のうち、転送信号ＣＫ１Ｒ、ＣＫ２Ｒおよび点灯信号ＩＤを取り出して示している。発光サイリスタＬ３を点灯させる期間Ｔ（Ｌ３）を例として、実験条件を説明する。
【００７４】
図９（ａ）に示す実施例は、隣接する２つの転送サイリスタを共にオンの状態にする転送信号を供給する期間ｔａが始まる時刻（例えば時刻ｐ）から、設定された点灯期間ｔｃ（ｔｃａ）遡った時刻（例えば時刻ｎ）を点灯の開始時点とし、期間ｔａが始まる時刻（例えば時刻ｐ）を点灯の終了時点としている。そして、点灯の開始時点を変えて点灯期間ｔｃ（ｔｃａ）を変化させている。
図９（ｂ）に示す比較例は、隣接する２つの転送サイリスタを共にオンの状態にする転送信号を供給する期間ｔａ（例えば時刻ｊから時刻ｌ）と、前段の転送サイリスタに接続された発光サイリスタが点灯しえない状態となるまでの期間ｔｂ（例えば時刻ｌから時刻ｍ）とが経過した時刻（例えば時刻ｍ）を点灯の開始時点とし、設定された点灯期間ｔｃ（ｔｃｂ）が経過した時刻（例えば時刻ｏ）を点灯の終了時点としている。そして、点灯の終了時点（例えば時刻ｏ）を変えることにより点灯期間ｔｃ（ｔｃｂ）を変化させている。
なお、点灯期間ｔｃは、実施例と比較例とで区別するため、それぞれ点灯期間ｔｃａと点灯期間ｔｃｂとした。
【００７５】
そして、発光サイリスタを点灯制御する周期Ｔを４６０ｎｓ、期間ｔａを２０ｎｓ、期間ｔｂを４０ｎｓとした。さらに、電源電圧Ｖｇａ端子を０Ｖに設定し、基準電位Ｖｓｕｂ端子に正の電圧を印加した。この電圧の設定は、これまでの説明と異なるが、単にシフトさせたにすぎず、電源電圧Ｖｇａと基準電位Ｖｓｕｂとの電位の高低の関係は同じである。
この条件において、Ｖｓｕｂ端子とＶｇａ端子との間の電圧（電源電圧）と、点灯期間ｔｃ（ｔｃａ、ｔｃｂ）とを変えて、転送サイリスタの転送動作を観察した。そして、転送サイリスタの転送動作が正常に行われる最低の電源電圧を動作電圧とした。
ここでは、３つのＳＬＥＤチップについて実験を行った。
【００７６】
図１０は、実施例および比較例の実験結果を示した図である。横軸を点灯期間ｔｃａ、ｔｃｂとし、縦軸を動作電圧とした。図１０において、○、△、□で示す値は、３つの異なるＳＬＥＤチップでの実施例での実験結果である。一方、●、▲、■で示す値は、３つの異なるＳＬＥＤチップでの比較例での実験結果である。なお、○と●、△と▲、そして□と■とは同じＳＬＥＤチップでの実験結果である。
図１０に示すように、実施例では、点灯期間ｔｃａの長さに関わらず、動作電圧はほぼ２．６Ｖである。これに対し、比較例では、点灯期間ｔｃｂが２０ｎｓと短い場合および３８０ｎｓと長い場合は、動作電圧が２．８Ｖ近傍であるが、それ以外の場合は、動作電圧が３Ｖ以上と高い。すなわち、比較例での動作電圧は、実施例に比べ動作電圧が最大で０．７Ｖ高い。すなわち、本実施の形態では、点灯期間の長さに関わらず、駆動電圧を低く設定しうる。
【００７７】
実施例に比べて比較例の動作電圧が高い理由は、転送異常によると考えられる。
ＳＬＥＤチップを駆動する際、オン状態の転送サイリスタがオフすべきタイミング以外のタイミングでオフするという現象を生じることがある。このとき、転送サイリスタが一旦オフすると、例えば１番目の発光サイリスタに戻って転送動作が行われるなど、正常転送動作が失われ、もはや正しい画像を得ることができなくなる。この正常な転送が失われることを“転送異常”という。
以下では、転送異常について説明する。
図１１はＳＬＥＤ６３における転送異常を説明するタイミングチャートである。
図１１では、図８における期間Ｔ（Ｌ３）を中心として、時刻ｊから時刻ｓの期間の転送信号ＣＫ１Ｒ、ＣＫ２Ｒ、点灯信号ＩＤを取り出して示している。さらに、発光サイリスタＬ３、転送サイリスタＴ２、Ｔ３、Ｔ４のオン／オフの状態を示している。なお、ここでは、電源電圧Ｖｇａを−３．３Ｖ、基準電位Ｖｓｕｂを０Ｖとして説明する。
【００７８】
時刻ｊで、転送信号ＣＫ１Ｒが「Ｈ」（０Ｖ）から「Ｌ」（−３．３Ｖ）に移行すると、転送サイリスタＴ３のゲート端子に電流が流れ始め、転送サイリスタＴ３がターンオンを開始する。
そして、転送サイリスタＴ３がターンオンすると、信号ラインΦ１の電位はほぼ−１．５Ｖへ変化する（時刻ｌ）。
その後、時刻ｍにおいて、点灯信号ＩＤが「Ｈ」から「Ｌｅ」へと移行すると、発光サイリスタＬ３がオンになり、点灯する。
【００７９】
さて、図１１に示すように、転送サイリスタＴ３がオンである時刻ｏにおいて、点灯信号ＩＤを「Ｈ」にして、発光サイリスタＬ３をオフにすると、信号ラインΦ１の電位が、「Ｈ」に向かって上昇し、破線で示すｃａｓｅ−Ａのように、そのまま「Ｈ」になることがある。信号ラインΦ１が「Ｈ」になると、転送サイリスタＴ３はもはやオン状態を維持できず、オフになる。そして、ゲート端子Ｇ３の電位はほぼ０Ｖから電源電圧Ｖｇａの−３．３Ｖに変化する。それに伴い、ゲート端子Ｇ４の電位も電源電圧Ｖｇａの−３．３Ｖになる。
【００８０】
この結果、時刻ｐにおいて、転送信号ＣＫ２Ｒを「Ｌ」（−３．３Ｖ）にしても、転送サイリスタＴ４はオンにならず、オフのままとなる。すなわち、転送サイリスタＴ３から転送サイリスタＴ４へとオンの状態が転送されず、転送動作が中断することになる。
一方、時刻ｏにおいて、信号ラインΦ１の電位が一旦「Ｈ」（０Ｖ）に向かって上昇しても、実線で示すｃａｓｅ−Ｂのように、再び低下して元の電位を回復することがある。このとき、時刻ｐにおいて、転送サイリスタＴ３がオンであれば、転送サイリスタＴ４をオンにすることができるので、転送動作は正常に行われることになる。
【００８１】
次に、点灯信号ＩＤの変化により、信号ラインΦ１の電位が変動する理由を説明する。
図１２は、転送異常を説明するための発光サイリスタＬ３と転送サイリスタＴ３との断面図である（図７のＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ線での断面図にあたる。）。図７で示したように、発光サイリスタＬ３と転送サイリスタＴ３とは、１つのアイランド内に形成されている。
なお、図１２では、転送サイリスタＴ３のｎｐｎトランジスタＴｒ１およびｐｎｐトランジスタＴｒ２による等価回路も示している。
【００８２】
ここで、図１１における時刻ｍから時刻ｐまでの期間を考える。
時刻ｍにおいて、点灯信号ラインΦＩには、−１．７Ｖが供給されるとする。なお、−１．７Ｖは、前述した点灯信号「Ｌｅ」の範囲にあるので、発光サイリスタＬ３のみを点灯させうる。
これにより、点灯信号ラインΦＩにオーミック電極１２１（発光サイリスタＬ３のカソード端子）で接続された領域１１１のｎ型の第４半導体層８５の電位は、−１．７Ｖになっている。
【００８３】
オン状態のサイリスタでは、前述したようにカソード端子−ゲート端子間の電位差は、ほぼＶｄ（１．５Ｖ）である。このため、発光サイリスタＬ３のゲート端子Ｇ３に接続されたｐ型の第３半導体層８４の電位は−０．２Ｖになっている。
このことは、オーミック電極１２１とゲート端子Ｇ３との間に電位差１．５Ｖの蓄積容量が形成されていることに等しい。
【００８４】
時刻ｏにおいて、点灯信号ラインΦＩの電位を−１．７Ｖから０Ｖに引き上げ、発光サイリスタＬ３をオフにする。すると、ｐ型の第３半導体層８４の電位は、電位差１．５Ｖを引き継いで、−０．２Ｖから１．３Ｖへと急激にシフトする。
ここで、発光サイリスタＬ３のｐ型の第３半導体層８４は転送サイリスタＴ３とつながった同一の層で構成されているので、信号ラインΦ１の電位が「Ｈ」（０Ｖ）に向かって上昇する（図１１の時刻ｏでの信号ラインΦ１の変化に対応する。）。
このとき、駆動回路１００が、信号ラインΦ１に対して十分な電流を供給する能力を有すれば、信号ラインΦ１の電位の上昇の影響を吸収して、元の電位に戻る（ｃａｓｅ−Ｂ）。
【００８５】
しかし、本実施の形態においては、信号ラインΦ１は転送電流制限抵抗Ｒ１Ａおよび抵抗Ｒ１Ｂを介して駆動回路１００に接続されている。このため、駆動回路１００は、急激な信号ラインΦ１の電位の変化に追随できる電流を供給することができず、信号ラインΦ１の電位を−１．５Ｖに維持することが困難となることが考えられる。
この結果、転送サイリスタＴ３を構成するｐｎｐトランジスタＴｒ１のコレクタ（ｐ型の第３半導体層８４）の電位が上昇し、ｐｎｐトランジスタＴｒ１のコレクタ端子−エミッタ端子間の電位関係が逆転して、ｐｎｐトランジスタＴｒ１がオフになる。これにより、転送サイリスタＴ３がオフになり（ｃａｓｅ−Ａ）、転送動作が中断（転送異常）すると考えられる。
【００８６】
以上のことから、図１０に示した比較例では、上記のｃａｓｅ−Ｂを実現するために、駆動回路１００の電流供給能力を高めるために動作電圧を大きくすることが必要であったことを意味していると考えられる。
すなわち、転送異常は、特に低い電源電圧で駆動する場合において顕著になる。そして、転送異常は、転送サイリスタのオン状態を維持する電流（保持電流）または電圧（保持電圧）を増すことで抑制しうると考えられる。しかし、プリント基板上に多数のＳＬＥＤチップが配列されて構成された発光素子アレイ駆動装置においては、転送サイリスタの駆動のための電流を供給する駆動回路の能力を上げることとなり、駆動回路のサイズの増大を招くとともに、発光素子アレイ駆動装置が大型化してしまう。さらに、ＳＬＥＤチップの発熱や、漏れ光が増加してしまうことになる。
【００８７】
以上説明したように、転送異常は、転送サイリスタＴ３がオン状態である期間の途中に、点灯信号ＩＤを「Ｌｅ」から「Ｈ」へと移行させ、発光サイリスタＬ３を消灯するときに生じると考えられる。別の観点から言うと、転送サイリスタＴ３がオフになることにより次段の転送サイリスタＴ４がオンになることができないときに生じると考えられる。
【００８８】
したがって、実施例に示したように、次段の転送サイリスタＴ４をオンにするタイミングにおいて、発光サイリスタＬ３を消灯すれば転送異常が生じにくいと考えられる。すなわち、例え、点灯信号ＩＤを「Ｌｅ」から「Ｈ」にするタイミングにおいて、転送サイリスタＴ３がオフとなっても、ゲート端子Ｇ３の電位は０Ｖから−３．３Ｖへと直ちに引き下げられない。そして、ゲート端子Ｇ３とダイオードＤ３で接続されたゲート端子Ｇ４の電位も−１．５Ｖから−３．３Ｖへと直ちに変化しない。このため、転送信号ＣＫ２Ｒが「Ｈ」から「Ｌ」へ移行すると、転送サイリスタＴ４がオンになりえて、転送動作が正常に行われることになると考えられる。
【００８９】
なお、比較例において、点灯期間ｔｃｂが短い場合に、動作電圧が低いのは、例え期間ｔｂの後であっても、オン状態にあった転送サイリスタＴ２のゲート端子Ｇ２の電位が−３．３Ｖまで引き下げられていないため、転送サイリスタＴ３がオフになりかけても、再度オンになりやすいためと考えられる。
一方、比較例において、点灯期間ｔｃｂが長い場合に、動作電圧が低いのは、実施例と同様に、転送サイリスタＴ３が例えオフになっても、ゲート端子Ｇ３の電位が０Ｖから−３．３Ｖにまで引き下げられていないため、ゲート端子Ｇ４の電位も−１．５Ｖに近い値に止まって、転送サイリスタＴ４がオンになりうるためと考えられる。
【００９０】
なお、実施例においては、点灯終了時点を２つの転送サイリスタを共にオン状態にする転送信号を供給する期間ｔａの開始時刻（転送信号ＣＫ１ＲとＣＫ２Ｒとが共に「Ｌ」になる時刻）と一致させた。しかし、点灯終了時点を必ずしも期間ｔａの開始時刻に一致させなくともよい。
例えば、図１０に示したように、点灯期間ｔｃが３８０ｎｓの比較例の動作電圧は２．８Ｖと低い。このことから、点灯終了時点を期間ｔａの開始時刻前の長くとも２０ｎｓ以内に設定すればよい。
なお、この期間は、前述したように、前段の転送サイリスタにオフにする転送信号を供給した後、オフ状態にあった後段の転送サイリスタがオン状態になりうる期間に相当する。よって、点灯期間ｔｃの終了時点は、２つの転送サイリスタを共にオン状態にする転送信号を供給する期間ｔａの開始時刻から、上記によって決められる期間において設定しうる。
【００９１】
なお、本実施の形態では、レベルシフト回路１０４を用いて転送サイリスタのターンオンを加速したが、レベルシフト回路１０４を用いなくてもよい。
【００９２】
また、本実施の形態では、アノード端子を基準電位Ｖｓｕｂにした３端子のサイリスタを発光サイリスタおよび転送サイリスタとした場合について説明した。一方、カソード端子を基準電位Ｖｓｕｂとした３端子のサイリスタを発光サイリスタおよび転送サイリスタとした場合でも、回路の極性を変更することによって用いうる。
本実施の形態では、ＳＬＥＤ６３をＧａＡｓ系の半導体で構成していたが、これに限られるものではない。例えばＧａＰ等、イオン注入によるｐ型半導体，ｎ型半導体の製作が困難な化合物半導体を用いてもよい。
【符号の説明】
【００９３】
１…画像形成装置、１１，１１Ｙ，１１Ｍ，１１Ｃ，１１Ｋ…画像形成ユニット、１４…プリントヘッド、５０…発光素子アレイ駆動装置、６２…回路基板、６３…自己走査型発光素子アレイ（ＳＬＥＤ）、６４…ロッドレンズアレイ、１００…駆動回路、１０４…レベルシフト回路、１０５、１０６…電源ライン、１０７、１０８、１０９…信号ライン
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光素子と、
前記複数の発光素子のそれぞれの発光素子と電気的に接続され、接続された当該発光素子を、オン状態とされた場合に点灯しやすい状態に設定し、オフ状態とされた場合に点灯しにくい状態に設定するとともに、相互に列状に電気的に接続された複数のスイッチ素子と、
連続して接続された２つのスイッチ素子が共にオン状態になる期間が重なるように期間をずらして、前記複数のスイッチ素子のそれぞれのスイッチ素子を順にオフ状態からオン状態そしてオフ状態に移行させることで、当該複数のスイッチ素子のそれぞれのスイッチ素子においてオン状態を伝搬させる転送信号を供給する転送信号供給手段と、
連続して接続された２つのスイッチ素子を共にオン状態にする転送信号を供給する期間の開始時点を基準として前記発光素子の点灯期間の終了時点を設定し、当該終了時点より遡って当該発光素子の当該点灯期間の開始時点を設定した点灯信号を供給する点灯信号供給手段と
を備えることを特徴とする発光素子アレイ駆動装置。
【請求項２】
前記点灯期間の開始時点は、前記発光素子に対応して設けられた前記スイッチ素子と、当該スイッチ素子に電気的に接続された前段のスイッチ素子とが共にオン状態である期間が終了した後であって、当該前段のスイッチ素子に対応する発光素子が点灯しやすい状態にある期間が経過した後であることを特徴とする請求項１記載の発光素子アレイ駆動装置。
【請求項３】
前記点灯期間の終了時点は、前記連続して接続された２つのスイッチ素子を共にオン状態にする転送信号を供給する期間の開始時点から、前記連続して接続された２つのスイッチ素子において前段のスイッチ素子をオフ状態に移行させる転送信号を供給後、オフ状態の後段のスイッチ素子がオン状態に移行しうる期間を遡って設定されることを特徴とする請求項１または２記載の発光素子アレイ駆動装置。
【請求項４】
前記点灯期間の終了時点は、前記発光素子に対応して設けられた前記スイッチ素子と、当該スイッチ素子に電気的に接続された後段のスイッチ素子とを共にオン状態にする転送信号を供給する期間の開始時点より遡って２０ｎｓ以内であることを特徴とする請求項１または２記載の発光素子アレイ駆動装置。
【請求項５】
前記点灯期間の終了時点は、前記連続して接続された２つのスイッチ素子を共にオン状態にする転送信号を供給する期間の開始時点から、当該連続して接続された２つのスイッチ素子における後段のスイッチ素子に接続された発光素子が点灯しにくい状態で維持されている期間を経過して設定されることを特徴とする請求項１または２記載の発光素子アレイ駆動装置。
【請求項６】
前記点灯期間の開始時点は、前記発光素子毎に設定されることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項記載の発光素子アレイ駆動装置。
【請求項７】
前記転送信号供給手段は、レベルシフト手段を備えることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項記載の発光素子アレイ駆動装置。
【請求項８】
前記レベルシフト手段は、一端が前記スイッチ素子に接続され、他端はコンデンサが接続された信号線と抵抗が接続された信号線とに並列に分岐していることを特徴とする請求項７記載の発光素子アレイ駆動装置。
【請求項９】
前記発光素子および前記スイッチ素子がサイリスタで構成されることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか記載の発光素子アレイ駆動装置。
【請求項１０】
複数の発光素子と、当該複数の発光素子のそれぞれの発光素子と電気的に接続され、接続された当該発光素子を、オン状態とされた場合に点灯しやすい状態に設定し、オフ状態とされた場合に点灯しにくい状態に設定するとともに、相互に列状に電気的に接続された複数のスイッチ素子とを備えた発光装置と、
連続して接続された２つのスイッチ素子が共にオン状態になる期間が重なるように期間をずらして、前記複数のスイッチ素子のそれぞれのスイッチ素子を順にオフ状態からオン状態そしてオフ状態に移行させることで、当該複数のスイッチ素子のそれぞれのスイッチ素子においてオン状態を伝搬させる転送信号を供給する転送信号供給手段と、
連続して接続された２つのスイッチ素子を共にオン状態にする転送信号を供給する期間の開始時点を基準として前記発光素子の点灯期間の終了時点を設定し、当該終了時点より遡って当該発光素子の当該点灯期間の開始時点を設定した点灯信号を供給する点灯信号供給手段と
を備える像保持体を露光する露光手段と、
前記露光手段から照射される光を前記像保持体上に結像させる光学手段と
を備えたことを特徴とするプリントヘッド。
【請求項１１】
前記発光装置を複数備えたことを特徴とする請求項１０記載のプリントヘッド。
【請求項１２】
像保持体を帯電する帯電手段と、
複数の発光素子と、当該複数の発光素子のそれぞれの発光素子と電気的に接続され、接続された当該発光素子を、オン状態とされた場合に点灯しやすい状態に設定し、オフ状態とされた場合に点灯しにくい状態に設定するとともに、相互に列状に電気的に接続された複数のスイッチ素子とを備えた複数の発光装置と、
連続して接続された２つのスイッチ素子が共にオン状態になる期間が重なるように期間をずらして、前記複数のスイッチ素子のそれぞれのスイッチ素子を順にオフ状態からオン状態そしてオフ状態に移行させることで、当該複数のスイッチ素子のそれぞれのスイッチ素子においてオン状態を伝搬させる転送信号を供給する転送信号供給手段と、
連続して接続された２つのスイッチ素子を共にオン状態にする転送信号を供給する期間の開始時点を基準として前記発光素子の点灯期間の終了時点を設定し、当該終了時点より遡って当該発光素子の当該点灯期間の開始時点を設定した点灯信号を供給する点灯信号供給手段と
を備え、前記像保持体を露光して静電潜像を形成する露光手段と、
前記露光手段から照射される光を前記像保持体上に結像させる光学手段と、
前記像保持体に形成された静電潜像を現像する現像手段と、
前記像保持体に現像された画像を被転写体に転写する転写手段と
を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項１３】
複数の発光素子と、当該複数の発光素子のそれぞれと電気的に接続され、接続された当該発光素子を、オン状態とされた場合に点灯しやすい状態に設定し、オフ状態とされた場合に点灯しにくい状態に設定するとともに、相互に列状に電気的に接続された複数のスイッチ素子とを備えた発光素子アレイ駆動装置における信号供給方法であって、
連続して接続された２つのスイッチ素子が共にオン状態になる期間が重なるように期間をずらして、前記複数のスイッチ素子のそれぞれのスイッチ素子を順にオフ状態からオン状態そしてオフ状態に移行させることで、当該複数のスイッチ素子のそれぞれのスイッチ素子においてオン状態を伝搬させる転送信号を供給し、
連続して接続された２つのスイッチ素子を共にオン状態にする転送信号を供給する期間の開始時点を基準として前記発光素子の点灯期間の終了時点を設定し、当該終了時点より遡って当該発光素子の当該点灯期間の開始時点を設定した点灯信号を供給する
ことを特徴とする信号供給方法。
【請求項１】
複数の発光素子と、
前記複数の発光素子のそれぞれの発光素子と電気的に接続され、接続された当該発光素子を、オン状態とされた場合に点灯しやすい状態に設定し、オフ状態とされた場合に点灯しにくい状態に設定するとともに、相互に列状に電気的に接続された複数のスイッチ素子と、
連続して接続された２つのスイッチ素子が共にオン状態になる期間が重なるように期間をずらして、前記複数のスイッチ素子のそれぞれのスイッチ素子を順にオフ状態からオン状態そしてオフ状態に移行させることで、当該複数のスイッチ素子のそれぞれのスイッチ素子においてオン状態を伝搬させる転送信号を供給する転送信号供給手段と、
連続して接続された２つのスイッチ素子を共にオン状態にする転送信号を供給する期間の開始時点を基準として前記発光素子の点灯期間の終了時点を設定し、当該終了時点より遡って当該発光素子の当該点灯期間の開始時点を設定した点灯信号を供給する点灯信号供給手段と
を備えることを特徴とする発光素子アレイ駆動装置。
【請求項２】
前記点灯期間の開始時点は、前記発光素子に対応して設けられた前記スイッチ素子と、当該スイッチ素子に電気的に接続された前段のスイッチ素子とが共にオン状態である期間が終了した後であって、当該前段のスイッチ素子に対応する発光素子が点灯しやすい状態にある期間が経過した後であることを特徴とする請求項１記載の発光素子アレイ駆動装置。
【請求項３】
前記点灯期間の終了時点は、前記連続して接続された２つのスイッチ素子を共にオン状態にする転送信号を供給する期間の開始時点から、前記連続して接続された２つのスイッチ素子において前段のスイッチ素子をオフ状態に移行させる転送信号を供給後、オフ状態の後段のスイッチ素子がオン状態に移行しうる期間を遡って設定されることを特徴とする請求項１または２記載の発光素子アレイ駆動装置。
【請求項４】
前記点灯期間の終了時点は、前記発光素子に対応して設けられた前記スイッチ素子と、当該スイッチ素子に電気的に接続された後段のスイッチ素子とを共にオン状態にする転送信号を供給する期間の開始時点より遡って２０ｎｓ以内であることを特徴とする請求項１または２記載の発光素子アレイ駆動装置。
【請求項５】
前記点灯期間の終了時点は、前記連続して接続された２つのスイッチ素子を共にオン状態にする転送信号を供給する期間の開始時点から、当該連続して接続された２つのスイッチ素子における後段のスイッチ素子に接続された発光素子が点灯しにくい状態で維持されている期間を経過して設定されることを特徴とする請求項１または２記載の発光素子アレイ駆動装置。
【請求項６】
前記点灯期間の開始時点は、前記発光素子毎に設定されることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項記載の発光素子アレイ駆動装置。
【請求項７】
前記転送信号供給手段は、レベルシフト手段を備えることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項記載の発光素子アレイ駆動装置。
【請求項８】
前記レベルシフト手段は、一端が前記スイッチ素子に接続され、他端はコンデンサが接続された信号線と抵抗が接続された信号線とに並列に分岐していることを特徴とする請求項７記載の発光素子アレイ駆動装置。
【請求項９】
前記発光素子および前記スイッチ素子がサイリスタで構成されることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか記載の発光素子アレイ駆動装置。
【請求項１０】
複数の発光素子と、当該複数の発光素子のそれぞれの発光素子と電気的に接続され、接続された当該発光素子を、オン状態とされた場合に点灯しやすい状態に設定し、オフ状態とされた場合に点灯しにくい状態に設定するとともに、相互に列状に電気的に接続された複数のスイッチ素子とを備えた発光装置と、
連続して接続された２つのスイッチ素子が共にオン状態になる期間が重なるように期間をずらして、前記複数のスイッチ素子のそれぞれのスイッチ素子を順にオフ状態からオン状態そしてオフ状態に移行させることで、当該複数のスイッチ素子のそれぞれのスイッチ素子においてオン状態を伝搬させる転送信号を供給する転送信号供給手段と、
連続して接続された２つのスイッチ素子を共にオン状態にする転送信号を供給する期間の開始時点を基準として前記発光素子の点灯期間の終了時点を設定し、当該終了時点より遡って当該発光素子の当該点灯期間の開始時点を設定した点灯信号を供給する点灯信号供給手段と
を備える像保持体を露光する露光手段と、
前記露光手段から照射される光を前記像保持体上に結像させる光学手段と
を備えたことを特徴とするプリントヘッド。
【請求項１１】
前記発光装置を複数備えたことを特徴とする請求項１０記載のプリントヘッド。
【請求項１２】
像保持体を帯電する帯電手段と、
複数の発光素子と、当該複数の発光素子のそれぞれの発光素子と電気的に接続され、接続された当該発光素子を、オン状態とされた場合に点灯しやすい状態に設定し、オフ状態とされた場合に点灯しにくい状態に設定するとともに、相互に列状に電気的に接続された複数のスイッチ素子とを備えた複数の発光装置と、
連続して接続された２つのスイッチ素子が共にオン状態になる期間が重なるように期間をずらして、前記複数のスイッチ素子のそれぞれのスイッチ素子を順にオフ状態からオン状態そしてオフ状態に移行させることで、当該複数のスイッチ素子のそれぞれのスイッチ素子においてオン状態を伝搬させる転送信号を供給する転送信号供給手段と、
連続して接続された２つのスイッチ素子を共にオン状態にする転送信号を供給する期間の開始時点を基準として前記発光素子の点灯期間の終了時点を設定し、当該終了時点より遡って当該発光素子の当該点灯期間の開始時点を設定した点灯信号を供給する点灯信号供給手段と
を備え、前記像保持体を露光して静電潜像を形成する露光手段と、
前記露光手段から照射される光を前記像保持体上に結像させる光学手段と、
前記像保持体に形成された静電潜像を現像する現像手段と、
前記像保持体に現像された画像を被転写体に転写する転写手段と
を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項１３】
複数の発光素子と、当該複数の発光素子のそれぞれと電気的に接続され、接続された当該発光素子を、オン状態とされた場合に点灯しやすい状態に設定し、オフ状態とされた場合に点灯しにくい状態に設定するとともに、相互に列状に電気的に接続された複数のスイッチ素子とを備えた発光素子アレイ駆動装置における信号供給方法であって、
連続して接続された２つのスイッチ素子が共にオン状態になる期間が重なるように期間をずらして、前記複数のスイッチ素子のそれぞれのスイッチ素子を順にオフ状態からオン状態そしてオフ状態に移行させることで、当該複数のスイッチ素子のそれぞれのスイッチ素子においてオン状態を伝搬させる転送信号を供給し、
連続して接続された２つのスイッチ素子を共にオン状態にする転送信号を供給する期間の開始時点を基準として前記発光素子の点灯期間の終了時点を設定し、当該終了時点より遡って当該発光素子の当該点灯期間の開始時点を設定した点灯信号を供給する
ことを特徴とする信号供給方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１０−１６２８８９（Ｐ２０１０−１６２８８９Ａ）
【公開日】平成２２年７月２９日（２０１０．７．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２８３５４５（Ｐ２００９−２８３５４５）
【出願日】平成２１年１２月１５日（２００９．１２．１５）
【出願人】（０００００５４９６）富士ゼロックス株式会社 (21,908)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年７月２９日（２０１０．７．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１２月１５日（２００９．１２．１５）
【出願人】（０００００５４９６）富士ゼロックス株式会社 (21,908)
【Ｆターム（参考）】
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