【課題】クロック駆動回路の出力端子数の削減により、回路規模を削減する。
【解決手段】発光サイリスタ２１０のカソードがＬレベルにされると、アノード・カソード間には電圧が印加される。一方、抵抗１２０を介して供給されるクロックによりシフト動作を開始する走査回路部１００における各サイリスタ１１１のゲートと、発光サイリスタ２１０の各ゲートとがそれぞれ接続されているため、サイリスタ１１１のゲート・カソード間にも電圧が印加される。この時、走査回路部１００により発光指令されている発光サイリスタ２１０のゲートのみを選択的にＨレベルとすることで、発光指令されている発光サイリスタ２１０がターンオンする。特に、クロック駆動回路７０の出力クロックパルスをＲＬ微分回路９０で微分して、アンダシュート波形あるいはオーバシュート波形を生成しているので、クロック駆動回路７０の出力端子ＣＫ１Ｒ，ＣＫ２Ｒ数を削減できる。 （もっと読む）

【課題】クロック駆動回路の出力端子数の削減により、回路規模の削減と低コスト化を図る。
【解決手段】発光サイリスタ２１０のカソードがＬレベルにされると、アノード・カソード間には電圧が印加される。一方、スタート信号ＳＴによりシフト動作を行う走査回路部１００における各サイリスタ１１１のゲートと、発光サイリスタ２１０の各ゲートとがそれぞれ接続されているため、サイリスタ１１１のゲート・カソード間にも電圧が印加される。この時、走査回路部１００により発光指令されている発光サイリスタ２１０のゲートのみを選択的にＨレベルとすることで、発光指令されている発光サイリスタ２１０がターンオンする。特に、クロック駆動回路７０の出力信号をＲＬ微分回路９０で微分して、アンダシュート波形あるいはオーバシュート波形を生成しているので、クロック駆動回路７０の出力端子ＣＫ１Ｒ，ＣＫ２Ｒ数を削減できる。 （もっと読む）

【課題】マイクロレンズアレイを用いて出力パワーを向上させるとともに、パワー変動を抑制するレンズ付発光素子アレイ及びプリントヘッドを提供する。
【解決手段】基板１０上に複数のＬＥＤ１２が１次元上（主走査方向）に形成され、ＬＥＤ１２上にＳｉＯ_２やＳｉＮ等の保護層１４が形成される。保護層１４上には、反射抑制層３０が形成される。反射抑制層３０上に、ベース部１６と曲面部１８からなるレンズ部１５が形成される。反射抑制層３０の屈折率をベース部１６の屈折率より小さくし、かつ、保護層１４の屈折率より大きくする。 （もっと読む）

【課題】点灯信号配線等の配線の数を抑制できる発光チップ等を提供する。
【解決手段】発光チップＣａ１（Ｃ）は、基板８０上に列状に配列された発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、…、転送サイリスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、…、ダイオードスイッチＤｓ１、Ｄｓ２、Ｄｓ３、…を備えている。なお、ダイオードスイッチＤｓ１、Ｄｓ２、Ｄｓ３、…は、それぞれが書込ダイオードＤｗ１、Ｄｗ２、Ｄｗ３、…と、書込抵抗Ｒｗ１、Ｒｗ２、Ｒｗ３、…の同じ番号のペアで構成されている。ダイオードスイッチＤｓは、端子Ｏが「Ｈ」（０Ｖ）である場合において、φＷ（Ｐ）が「Ｌｓ」（−２Ｖ）であると、書込ダイオードＤｗが順バイアスになって、書込抵抗Ｒｗの抵抗値が低い状態になり、φＷ（Ｐ）が「Ｈ」（０Ｖ）であると、書込ダイオードＤｗは順バイアスにならす、書込抵抗Ｒｗは抵抗値が高い状態になる。 （もっと読む）

【課題】複数の発光点を並行して点灯させうる発光チップ等を提供する。
【解決手段】発光チップＣ１（Ｃ）は、基板８０上に列状に配列された発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、…から構成される発光サイリスタ列、転送サイリスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、…から構成される転送サイリスタ列、許可ダイオードＤｅ１、Ｄｅ２、Ｄｅ３、…から構成される許可ダイオード列、ダイオードスイッチＤｓ１、Ｄｓ２、Ｄｓ３、…から構成されるダイオードスイッチ列を備える。さらに、第１許可信号φＥ１に対して、反転した第２許可信号φＥ２を設定する許可信号設定部１７０、および転送サイリスタ列を駆動する第１転送信号φ１または第２転送信号φ２に応じて、第１点灯信号φＩ１または第２点灯信号φの電位を設定する点灯信号設定部１６０を備える。 （もっと読む）

【課題】発光素子アレイチップを駆動させるための信号に外乱が混入した場合でも、損傷が生じにくい発光素子アレイチップ等を提供する。
【解決手段】主走査方向に列状に配される発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、…と、発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、…を駆動する信号を入出力するためのボンディングパッド８２と、発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、…とボンディングパッド８２とを接続する配線部と、配線部に接続し、配線部に入力する外乱から配線部および発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、…を保護するための保護素子１１３と、を備えることを特徴とする発光素子アレイチップＣ１。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜発光素子上から基板上まで、又は、半導体薄膜発光素子上から基板上の駆動用素子上までの配線を、容易かつ選択的にエッチングできる半導体発光素子装置、この半導体発光素子装置を備えた画像露光装置、この画像露光装置を備えた電子写真式の画像形成装置、及び前記半導体発光素子装置を備えた画像表示装置を提供する。
【解決手段】半導体発光素子装置は、電極配線１１２，１１３を備えた集積基板１０１と、集積基板１０１上に備えられた半導体薄膜発光素子１０２と、半導体薄膜発光素子１０２上に備えられ、半導体薄膜発光素子１０２に電気的に接続された電極パッド１０８，１０９と、電極パッド１０８，１０９と電極配線１１２，１１３とを電気的に接続するリムーバブル接続配線１１１ａ，１１１ｂとを有し、リムーバブル接続配線１１１ａ，１１１ｂは、ケミカルエッチングによって選択的にエッチング可能な材料で構成されている。 （もっと読む）

【課題】光寿命が向上した露光ヘッドを提供する。
【解決手段】有機電界発光素子６０Ｂで構成された発光部６０Ａと、発光部６０Ａからの発光を光入射面から入射すると共に光出射面から出射して予め定められた位置に結像させる結像部と、を備え、有機電界発光素子６０Ｂとして、陽極層６２と、陰極層６４と、陽極層６２及び陰極層６４の間に配された発光層６３と、陰極層６４の側面及び発光層６３側とは反対側の面を覆って配された金属層６５であって、一部又は全部が露出して配された金属層６５と、の積層体で構成させる。そして、陰極層６４は、アルカリ金属及びアルカリ土類金属に属する元素の少なくとも１種を含んで構成されている。 （もっと読む）

【課題】発光基板を実装したとき発光部からの光量の変動が抑制された結像ユニットを提供すること。
【解決手段】発光部６０Ａを有する発光素子アレイ６０の発光部６０Ａからの発光を光入射面７１Ａから入射すると共に光出射面７１Ｂから出射して予め定められた位置に結像させる結像部７１と、発光素子アレイ６０と接触し、発光素子アレイ６０と結像部７１との間に設けられる遮光板であって、発光部６０Ａからの発光を通過させて結像部７１の光入射面７１Ａに到達させるスリット７３Ａを有すると共に、発光部６０Ａと結像部７１の光入射面７１Ａとの光学距離が結像部７１の作動距離となる距離で結像部７１と離間して保持された遮光板７３と、を備える結像ユニット７０である。そして、結像ユニット７０に発光素子アレイ６０を実装した露光ヘッド３４である。 （もっと読む）

【課題】外部発光効率に優れた発光素子アレイ及びこれを備えるプリントヘッドを提供する。
【解決手段】発光素子アレイは、半絶縁性基板上に、順次、Ｐ型の第１半導体層、Ｎ型の第２半導体層、Ｐ型の第３半導体層、Ｎ型の第４半導体層が形成され、第１半導体層上にアノード電極が形成され、第４半導体層２８上にカソード電極３０が形成されて構成される。アノード電極は、１本の共通のアノード配線１１５としてパターニングされて形成される。アノード配線１１５は、カソード電極が形成されるメサ領域を囲むように形成される。 （もっと読む）

【課題】電源電圧として一般的な例えば３．３Ｖの駆動用のＣＭＯＳバッファで動作可能とし、更に、クロック駆動回路の出力端子数の削減により、回路規模を削減する。
【解決手段】前段の４端子走査サイリスタ１１０（例えば、１１０−１）における第２ゲートＧＰ２は、抵抗１２０を介して後段の４端子走査サイリスタ１１０（例えば、１１０−２）における第１ゲートＧＰ１にそれぞれ接続されているので、クロック駆動回路７０から供給される２相の第１及び第２クロックの基でも、走査回路部１００の走査方向を定めることができる。データ駆動回路６０により、３端子発光サイリスタ２１０のカソードがＬレベルにされると、アノード・カソード間には電圧が印加される。走査回路部１００により発光指令されている発光サイリスタ２１０のゲートのみを選択的にＨレベルとすることで、発光指令されている発光サイリスタ２１０がターンオンする。 （もっと読む）

【課題】配線の数を抑制できる発光装置等を提供する。
【解決手段】発光装置６５は、それぞれが、複数の発光素子を有する複数の発光素子アレイＳ−Ａ１〜Ｓ−Ａ２０および発光素子アレイＳ−Ｂ１〜Ｓ−Ｂ２０と、複数の発光素子アレイＳ−Ａ１〜Ｓ−Ａ２０および発光素子アレイＳ−Ｂ１〜Ｓ−Ｂ２０に共通に第１転送信号φ１と第２転送信号φ２とを送信する転送信号発生部１２０と、発光素子アレイＳ−Ａ１〜Ｓ−Ａ２０に対して点灯信号φＩａを共通に送信する点灯信号発生部１４０ａと、発光素子アレイＳ−Ｂ１〜Ｓ−Ｂ２０に対して点灯信号φＩｂを共通に送信する点灯信号発生部１４０ｂと、発光素子アレイＳ−Ａ１〜Ｓ−Ａ２０および発光素子アレイＳ−Ｂ１〜Ｓ−Ｂ２０に対して、複数の選択信号φＷ１〜φＷ２０を送信する選択信号発生部１５０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】感光体に対して効率良く露光することができ、したがって長寿命化を可能にしたプリンターヘッドと、これを用いた露光装置を提供する。
【解決手段】第１の有機ＥＬパネル１０と第２の有機ＥＬパネル２０とを備え、これらパネルからそれぞれ射出された光を、ダイクロイックミラー１２を備えたプリズム１４を通して合成し、出射するプリンターヘッド１である。第１有機ＥＬ素子と第２有機ＥＬ素子とは、同じ材料からなる膜が同じ積層順で設けられて共振構造を有している。第１有機ＥＬ素子の構成膜と第２有機ＥＬ素子の構成膜とが、一部の対応する膜間で膜厚が異なることで共振距離が異なることにより、発光のピーク波長が異なっている。ダイクロイックミラー１２は、第１、第２有機ＥＬ素子の発光のピーク波長のうちの一方を透過し、他方を反射するようにこれらピーク波長の間にしきい値を有している。 （もっと読む）

【課題】薄層化した半導体薄膜を基板に貼り付けて配線を行う搬送体装置が考案されているが、薄層化した半導体薄膜の接着強度は、半導体薄膜を貼り付ける領域の平坦化性に依存していた。
【解決手段】Ｓｉ基板１１０と、Ｓｉ基板１１０上に設けられ、屈折率の異なる材料が積層された多重積層反射膜層１７２と、多重積層反射膜層１７２に設けられ、導電材料からなり、Ｓｉ基板１１０の対向面と反対側の面が平坦化処理された第１の平坦化導電膜層１５３と、発光素子を含み、第１の平坦化導電膜層１５３上に貼り付けられた半導体素子１５３とを有し、第１の平坦化導電膜層１５３の、前記Ｓｉ基板１１０の反対面の面の平坦性は５ｎｍ以下であり、多重積層反射膜層１７２は誘電体膜を含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】配線の数を抑制できる発光装置等を提供する。
【解決手段】発光装置６５は、それぞれが複数の発光素子を有する複数の発光素子アレイと、複数の発光素子アレイが分けられて構成された発光素子アレイ群のそれぞれの発光素子を１つずつ点灯または非点灯の制御の対象として順に設定する転送信号を送信する第１の配線と、発光素子アレイ群毎に、制御の対象に設定された発光素子を点灯の対象として選択する許可信号を送信する第２の配線と、発光素子アレイ群のそれぞれに属する発光素子アレイから発光素子アレイ群をまたいで構成された発光素子アレイ組毎に、制御の対象に設定された発光素子を点灯の対象として選択する書込信号を送信する第３の配線と、Ｍ個の発光素子アレイ群毎に、許可信号および書込信号により選択される発光素子に、点灯のための電力を供給する点灯信号を送信する第４の配線とを備えている。
【選択図】図２１
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【課題】 光ヘッドの駆動回路が発光基板に固定されていると、発光基板とともに駆動回路も廃棄されてしまうことがある。
【解決手段】 光ヘッドは、光を照射する発光基板と、前記発光基板から照射された光を集光するレンズと、前記発光基板および前記レンズを保持するホルダと、前記レンズおよび前記ホルダの少なくとも一方に固定された電気素子を含み、前記発光基板を駆動する駆動回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 小型化が可能な発光素子およびその製造方法、ならびに、これを備える光プリントヘッドを提供する。
【解決手段】 本発明の実施形態の一例である発光素子アレイ１１は、［１１０］方向および［１−１０］方向に沿って切断されて、矩形状に形成された化合物半導体からなる素子基板２０と、素子基板２０の上に連続してエピタキシャル成長された化合物半導体層からなる発光素子４０と、［１１０］方向および［１−１０］方向の端部に、他方方向に沿って延び、素子基板２０の上に連続してエピタキシャル成長された化合物半導体からなる化合物層５０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光量の減少を防止しつつ金属配線の断線を防止することができる面発光素子および面発光素子アレイを提供する。
【解決手段】発光素子アレイは、ｐ型の半導体基板と、第１のｐ型の半導体層１４と、第２のｎ型の半導体層１６と、第３のｐ型の半導体層１８と、第４のｎ型の半導体層２０とを有する、サイリスタ構造の面発光素子である。第４の半導体層２０は、ゲート電極２４のためにメサ状にエッチングされ、第３の半導体層１８との間に段差部Ｓを生じさせる端部（エッチング面）ＥＤを有する。端部ＥＤには、順方向のメサとなる第１の側部と、第１の側部に対向し順方向のメサとなる第２の側部と、逆方向のメサとなる第３の側部とからなる迫出し部４０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】クロック駆動回路の出力端子数の削減により、回路規模の削減と低コスト化を図る。
【解決手段】発光サイリスタ２１０のカソードがＬレベルにされると、アノード・カソード間には電圧が印加される。一方、自己走査回路１００における各サイリスタ１１１のゲートと、発光サイリスタ２１０の各ゲートとがそれぞれ接続されているため、サイリスタ１１１のゲート・カソード間にも電圧が印加される。この時、自己走査回路１００により発光指令されている発光サイリスタ２１０のゲートのみを選択的にＨレベルとすることで、発光指令されている発光サイリスタ２１０がターンオンする。特に、クロック駆動回路８０の出力信号をＲＬ微分回路９０−１，９０−２で微分して、アンダシュート波形あるいはオーバシュート波形を生成しているので、クロック駆動回路８０の出力端子ＣＫ１Ｒ，ＣＫ２Ｒ数を削減できる。 （もっと読む）

【課題】第１の発光部の劣化により光量が低下しても露光量を維持することができる露光装置及び画像形成装置を得る。
【解決手段】露光ヘッド３４は、主走査方向Ｘに沿って配置された複数の主露光光源用有機ＥＬ素子７０と、複数の主露光光源用有機ＥＬ素子７０と並列に配置された長尺状の副露光光源用有機ＥＬ素子７２と、を備えている。主露光光源用有機ＥＬ素子７０の光量はセンサ６８で検出され、主露光光源用有機ＥＬ素子７０の光量が低下しているときは副露光光源用有機ＥＬ素子７２を発光させることにより露光ヘッド３４の露光量が補正される。 （もっと読む）