【課題】温度補償型の圧力センサモジュールにおいて、温度測定部および温度補償部を備えた温度補償装置と、圧力検出部を備えた圧力センサ装置とが互いに別々の半導体基板に形成された場合であっても、温度測定部が圧力センサ装置の温度を正確に測定することができ、適切に温度補償された圧力値を出力することが可能な圧力センサモジュールを提供する。
【解決手段】本発明の圧力センサモジュールは、圧力を検出する圧力検出部を有する圧力センサ装置と、温度測定部を有し前記温度測定部の出力値に基づいて前記圧力センサ装置の出力値を補償する温度補償装置と、を少なくとも備えてなる圧力センサモジュールであって、前記圧力センサ装置は、前記温度補償装置の前記温度測定部と重なる領域に配置されていること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造コストを抑制することができ、かつ圧力測定精度を向上することができる半導体圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体圧力センサは、主表面１ａに凹部３およびアライメントマーク４を有する第１の基板１と、第１の基板１の主表面１ａ上に形成されており、第１の基板１の凹部３内の空間ＩＳ上を覆うように設けられたダイヤフラム５およびダイヤフラム５上に設けられたゲージ抵抗６を有する第２の基板２とを備えている。アライメントマーク４は第２の基板２から露出するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】特性が良好な圧力センサを実現する。
【解決手段】測定ダイアフラムに歪センサが形成されている圧力センサにおいて、絶縁基板の一方の面に形成され第１の測定ダイアフラムを形成する第１の凹部と、絶縁基板の一方の面に形成され第２の測定ダイアフラムを形成し第１の凹部と同一形状をなす第２の凹部と、第１の測定ダイアフラムの所定箇所に一端が固定され第２の測定ダイアフラムの第１の測定ダイアフラムの所定箇所に他端が固定された振動式半導体歪ゲージ素子と、絶縁基板の他方の面に一方の面が接続され第１の凹部と第１の測定室を構成し第２の凹部と第２の測定室を構成する支持基板と、支持基板の他方の面に一方の面が接する支持台と、支持基板と支持台とを貫通し一方端が第１の測定室に連通し他方端が外部に開口する第１の導通孔と、支持基板と支持台とを貫通し一方端が第２の測定室に連通し他方端が外部に開口する第２の導通孔とを具備したことを特徴とする圧力センサである。 （もっと読む）

【課題】メタルダイヤフラムの割れやワイヤの断線が発生することを抑制することができる圧力センサを提供する。
【解決手段】空間１５に、測定媒体が通過する断面積を縮小し、測定媒体の圧力に応じて変位可能とされているオリフィス部材２４を備える。これにより、オリフィス部材２４によって測定媒体となる流体の流入が規制され、圧力減衰効果が得られので、受圧部となるメタルダイヤフラム１７に対して直接印加される圧力が急峻に変化することを抑制することができる。したがって、メタルダイヤフラム１７に印加される圧力の不均一を抑制することができ、メタルダイヤフラム１７の割れやワイヤ９の断線の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】測定精度が高く、製作が容易で、安価に出来る振動式差圧センサを実現する。
【解決手段】ダイアフラムに設けられた振動子形歪ゲージを具備する振動式差圧センサにおいて、一方の面に振動子形歪ゲージ素子が設けられ他方の面がダイアフラムに相当する厚さに研磨されて形成されシリコンよりなるセンサ基板と、センサ基板の他方の面に一方の面が直接に接合されたシリコンよりなるベース基板と、ベース基板のセンサ基板との接合部に設けられセンサ基板に実質的にダイアフラムを形成し、異物の混入によりダイアフラムの可動範囲が制限されることなく且つ振動子形歪ゲージ素子の振動によって励起されるダイアフラムの振動に対して制動作用をなすための所定の隙間を有する凹部と、凹部に測定圧を導入する導入孔と、凹部に導入孔を介して圧力を伝搬しダイアフラムを制動するための流体とを具備したことを特徴とする振動式差圧センサである。 （もっと読む）

【課題】被検出用流体の滞留する部分が全くなく、検出素子に被検出用流体を接触させることなく、また配管ラインの圧力を計測する場合でも、配管の切断を不要にした圧力測定装置を提供する。
【解決手段】被検出用流体を流動させるチューブ１３をハウジング１０の保持用凹部１２の内側に配するようにし、この保持凹部１２の軸線方向の一端をシール部材１６によって閉塞し、他端側に上記チューブ１３の外径よりもやや小さな値のスロート部２１を形成する。そして供給ポート２７を通して保持凹部１２に対して供給圧を印加し、この保持凹部１２内の圧力を出力ポート２９を通して取出すようにする。チューブ１３内の流体の圧力が増大すると、スロート部２１を通して逃げるガスの量が減少し、出力圧が増大する。これに対してチューブ１３内の圧力が減少すると、スロート部２１を通して逃げるガスの量が増加し、出力圧が減少する。 （もっと読む）

【課題】熱膨張係数が大きく異なるセンサ素子と金属ステムとを接合部材を介して接合し得る圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】センサチップ５０と金属ステム４０に形成されるダイアフラム４３とを接合する接合層６０は、第１接合面６１の熱膨張係数がセンサチップ５０の熱膨張係数に等しく、第２接合面６２の熱膨張係数が金属ステム４０の熱膨張係数に等しく、第１接合面６１から第２接合面６２にかけて熱膨張係数が連続的に変化するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】電気的な接続不良の発生、及び、コストの増大が抑制された圧力温度複合センサ装置を提供する。
【解決手段】圧力センサ及び温度センサそれぞれがターミナルを介して外部素子と電気的に接続され、圧力センサ及びターミナルが支持部に支持され、温度センサがターミナルに支持された圧力温度複合センサ装置であって、支持部に形成された流体導入孔は、第１導入孔及び第２導入孔を有し、温度センサは、感温素子、保護部、及び、リードを有し、リードの一端が感温素子に接続され、他端がターミナルに接続され、感温素子及び保護部が、リードを介してターミナルに支持されており、保護部及び感温素子が第２導入孔に設けられ、保護部と第２導入孔の壁面との間に形成された隙間における、第２導入孔の中心軸に直交する方向の横幅は、被検出流体の圧力印加によって感温素子及び保護部が振動する振れ幅よりも短い。 （もっと読む）

【課題】液体を含む測定流体の圧力を測定する圧力センサにおいて、体格を小型化しつつ、急激な圧力変動に対してもボンディングワイヤを保護できること。
【解決手段】第１ハウジング２０の凹部底面２４ａ上に圧力検出用のセンサチップ３０が配置され、センサチップ３０が、第１ハウジング２０に保持されたターミナル４０と、ボンディングワイヤ５０を介して接続されている。センサチップ３０、ターミナル４０の端部４１、ボンディングワイヤ５０は、保護部材６０により保護されている。保護部材６０は、液状のゴムが硬化された弾性部材６１と、弾性部材６１よりヤング率の高い材料からなり、弾性部材６１に少なくとも一部が埋設されて保持された高硬度部材６２を有する。弾性部材６１により、センサチップ３０の少なくとも一部、ターミナル４０の端部４１、ボンディングワイヤ５０が被覆され、高硬度部材６２はダイアフラム３１の上方に配置されている。 （もっと読む）

【課題】最適化された感度を有するＭＥＭＳおよび／またはＮＥＭＳ圧力測定デバイスを提供する。
【解決手段】基板２上で懸架された変形可能な膜４であって、膜の面の１つが測定される圧力を受けるように意図された膜と、歪みゲージを備え、膜４の変形を検出する手段であって、基板２上に形成される検出手段６と、膜４の変形を増幅された形で検出手段６に伝達する変形不能なアーム１４とを備え、アーム１４が、膜４の面にほぼ平行な軸線Ｙの周りで回転可能に基板２にヒンジ留めされ、膜４の変形を増幅された形で検出手段６に伝達するように膜と一体である。 （もっと読む）

【課題】２つの異なる大きさの圧力を正確に測定しその小型化を図り得る圧力センサを提供する。
【解決手段】圧力センサ２０は、ケース２１と、このケース２１に収容されるシリコン基板からなる第１センサチップ３０および第２センサチップ４０とを備えている。比較的小さな圧力（第１の圧力）を検出するための第１センサチップ３０と、比較的大きな圧力（第２の圧力）を検出するためにその圧力検出範囲が第１センサチップ３０よりも広い第２のセンサチップ４０と、は重ねて配置されている。そして、信号処理回路５０は、第１センサチップ３０に集積されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることのできる圧力センサを提供する。
【解決手段】圧力検出室１９に、温度が高くなるにつれて体積が減少する、または、温度が高くなるにつれてヤング率が減少するスペーサ２０を固定する。これによれば、外部温度が高温に変化した際に、オイルが熱膨張してもスペーサ２０の体積が減少する、またはスペーサ２０のヤング率が減少するため、オイルの体積変化をスペーサ２０にて吸収することができる。したがって、圧力検出室１９内の全体の体積増加を小さくすることができ、圧力検出室１９に内圧変動が発生することを抑制することができる。また、スペーサ２０は、圧力検出室１９内に固定されているため、スペーサ２０がセンサ部４と衝突することもなく、センサ部４が正常に作動しなくなることもない。 （もっと読む）

【課題】圧力センサーの小型化を可能とする。
【解決手段】圧力センサーの製造方法は、基板の一つの面の一部の上方に、第１の膜を形成する工程（ａ）と、第１の膜の上方と基板の第１の膜を囲む領域の上方とにまたがる第２の膜を形成する工程（ｂ）と、第２の膜に貫通孔を形成することにより、第１の膜の一部を露出させる工程（ｃ）と、第１の膜をエッチングする工程（ｄ）と、第２の膜の貫通孔を封止する工程（ｅ）と、基板の第１の膜がエッチングされた領域の上方に位置する第２の膜の上方に、歪みセンサー膜を形成する工程（ｆ）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】体格及びコストの増大が抑制されたセンサ装置を提供する。
【解決手段】第１ハウジング（１０）と第２ハウジング（５０）とが組み合わされて成るセンサ装置であって、第２ハウジング（５０）は筒状を成し、その中空が、メタルダイアフラム（６０）及びリングウェルド（６１）によって収容空間と導入空間とに区切られ、第１ハウジング（１０）におけるメタルダイアフラム（６０）側の端部に溝（１３）が形成され、溝（１３）、メタルダイアフラム（６０）、及び、リングウェルド（６１）によって圧力検出室（１５）が構成され、圧力検出室（１５）に、圧力センサ（２０）とターミナル（３０）の一部が設けられ、メタルダイアフラム（６０）に作用する圧力流体の圧力を、圧力センサ（２０）に伝達する圧力伝達媒体（１６）によって満たされており、圧力検出室（１５）に、温度センサ（２３）が設けられている。 （もっと読む）

【課題】耐圧が向上された差圧・圧力測定装置を実現する。
【解決手段】半導体圧力センサ本体の一方の面に一方の面が接合されこの半導体圧力センサ本体の他の面を隙間を有して覆いモールド材よりなるモールドパッケージとを具備する半導体圧力測定装置において、凹部を有する２個の耐圧性の耐圧カバー部材と、この耐圧カバー部材の前記凹部の開口部が対向配置されこの凹部内に隙間を有して前記モールドパッケージが配置され前記凹部の前記開口部が互いに溶接接合されて形成される耐圧カバーと、前記耐圧カバーに設けられ前記隙間に連通する信号取出し孔と、この信号取出し孔に集中して配置された８個の信号端子と、前記信号取出し孔を介して前記隙間に充填され前記モールドパッケージの前記モールド材よりヤング率の大きな接着材よりなる充填体と、を具備したことを特徴とする差圧・圧力測定装置である。 （もっと読む）

【課題】温度センサの温度検出素子とそのリードを保護する保護チューブとを良好にコーティングする。
【解決手段】温度検出素子１６と、一対のリード線１７、１８と、一対の保護チューブ２０、２１と、温度検出素子１６及び保護チューブ２０、２１を絶縁コーティングするコーティング材２５とを備えたものにおいて、リード線１７、１８及び保護チューブ２０、２１の先端部を、Ｙ字状に分岐させるように構成し、温度検出素子１６、リード線１７、１８及び保護チューブ２０、２１をコーティング材２５中に浸漬させるときに、コーティング材２５の液面がリード線１７、１８及び保護チューブ２０、２１の先端部のＹ字状の分岐部よりも下方に位置するように構成した。 （もっと読む）

【課題】 耐ノイズ性と簡易構造とを兼ね備えた別体コネクタ構造を実現することを課題とする。
【解決手段】 ピエゾアクチュエータＡの正極側、負極側ピエゾリード線４およびピエゾコネクタＢの正極側、負極側ピエゾターミナル１２と、燃料圧力センサＳの第１〜第４センサリード９およびセンサコネクタＣの第１〜第４センサターミナル２２とが、互いに所定の距離分だけ隔離された位置に設置されている。これにより、ピエゾアクチュエータＡの駆動信号がノイズとしてアナログ圧力信号に重畳し難くなるので、耐ノイズ性の向上を図ることができる。また、複雑な形状の回転位置合わせコネクタを廃止することができるので、第１〜第４センサリード９の各センサ電極２１と第１〜第４センサターミナル２２との電気的な接続構造を簡素化（単純化）できる。 （もっと読む）

【課題】この発明は、段差などを設けて勘合部保護を行い、気密封止性能が得られるセンサー素子を提供するものである。
【解決手段】主面上にダイヤフラムが構成される第１の基材と、前記第１の基材の反ダイヤフラム面側に配設される第２の基材と、前記第１の基材の前記ダイヤフラム直下に設けられるキャビティと、前記キャビティを気密封止するため前記第１の基材と前記第２の基材との接合位置に設けられる勘合部と、前記勘合部に設けられ、前記第１の基材と前記第２の基材との勘合状態を保護する段差部とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】 センサデバイスに関する装置及び関連する作成方法が提供される。
【解決手段】 センサデバイスは、第１部分に形成された検出装置を有する第１部分及び第２構造を含むセンサ構造を含む。封止構造は、前記センサ構造と前記第２構造との間に挿入され、ここで、封止構造は、センサ構造の第１部分を囲む。封止構造は、第１部分の第１側に固定基準圧力を設け、第１部分の対向側は周囲圧力にさらされる。 （もっと読む）

【課題】センサチップの支持強度を高めるとともにセンサチップへのノイズの影響を抑制し得る圧力センサを提供する。
【解決手段】各歪みゲージ抵抗４５ａ〜４５ｄが形成される第１のシリコン基板４１における第１の板面５１の面方位が（１１０）面であり、当該各歪みゲージ抵抗４５ａ〜４５ｄはその長手方向が＜１１０＞結晶軸方向に沿うように配置されている。そして、第２のシリコン基板４２における第２の板面５２には、＜１１０＞結晶軸方向に沿うセンサチップ側溝５２ａが所定の間隔にて複数形成されている。 （もっと読む）