【課題】自らの内圧を求め、過大な圧力損失を表示できるピストン・シリンダユニットを提供する。
【解決手段】中心長手方向軸（Ａ）、第１の端部（３）、流体で満たされたシリンダ（２）、シリンダ（２）の中に摺動自在に配置されていて、シリンダ（２）を第１の端部（３）から遠い第１の動作室（１１）と前記第１の端部（３）に近い第２の動作室（１２）とに区分するピストン（１３）、ピストン（１３）に配置されていて、第１の動作室（１１）を突き抜け、中心長手方向軸（Ａ）に対して同心で第１の端部（３）と向き合った第２の端部（６）においてガイド／シール装置（７）により封止された形でシリンダ（２）から外へ通じているピストンロッド（８）を備えたピストン・シリンダユニット（１）に、特に、ピストン・シリンダユニット（１）の内圧を直接的又は間接的に検出するセンサ装置（１４）を備え付ける。 （もっと読む）

【課題】リフロー等の高温処理による圧力検出値のドリフトが生じるのを低減する物理量検出器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧力センサー１のダイアフラム層２０の支持枠部２０６と固定部とは第１接合材４０を用いて接合され、感圧素子層１０の一対の基部１６ｂと一対の支持部２１０とは、第１接合材４０の融点よりも高い融点を有する第２接合材５０を用いて接合されている。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を積層して積層体を形成する場合において、ウェーハ上にマーカーを設けることなく基板同士を位置合せして重ね合わせることが可能な積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】圧力センサーの製造方法は、感圧素子層１０、ベース層の接合面に傾斜部２０８、３０６を形成する外形形成工程と、傾斜部２０８、３０６を用いて位置合せを行いながら、感圧素子層１０、ダイアフラム層２０、ベース層を重ね合わせて接合面を接合剤４０で接合する接合工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ダイアフラム型の圧力センサーにおける支持部と、感圧素子としての振動片基部とを接合して成る物理量検出素子において、接合面に所望する接合面積を確保することを可能とする物理量検出素子を提供する。
【解決手段】主面に一対の支持部３４を備えたダイアフラム３２と、振動部２２と振動部２２の両端に一対の基部２４とを備えた振動片２０と、を有し、一対の基部２４を一対の支持部３４に接合した物理量検出素子であって、基部２４における一対の基部２４の配列方向に沿った方向の寸法を第１の長さ寸法とし、前記第１の長さ寸法に直交する方向の寸法を第１の幅寸法とし、支持部３４に対して一対の支持部３４の配列方向に沿った方向の寸法を第２の長さ寸法とし、前記第２の長さ寸法に直交する方向の寸法を第２の幅寸法とし、前記第２の長さ寸法よりも前記第１の長さ寸法を大きくし、前記第２の幅寸法よりも前記第１の幅寸法を小さくし、支持部３４と基部２４との間の領域に接合部材４０を配置したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダイアフラム型の圧力センサーにおける支持部と、感圧素子としての振動片基部とを接合して成る物理量検出素子において、接合面に所望する接合面積を確保することを可能とする。
【解決手段】主面に一対の支持部３４を備えたダイアフラム３２と、枠部３６とを備える第２基板３０と、振動部２２とその両端に一対の基部２４とを備えた振動片２０と、振動片の外周側に配置された枠部２６と、振動片と枠部２６とを接続する接続部２８と、を備える振動基板１８とを有し、基部２４を支持部に接合すると共に枠部３６と枠部２６とを接合した物理量検出素子であって、基部における一対の基部の配置方向に沿った第１の長さ寸法、それに直交する方向の寸法を第１の幅寸法、支持部に対して一対の支持部３４の配置方向沿った第２の長さ寸法、それに直交する方向の寸法を第２の幅寸法を、第２の長さ寸法＜第１の長さ寸法、第２の幅寸法＞第１の幅寸法、とした。 （もっと読む）

【課題】短絡、および断線を防止して生産の歩留を高め、かつ低背化を実現した物理量検出モジュールを提供する。
【解決手段】物理量を検出する感圧部３４Ａ、３４Ｂと、前記感圧部を支持する枠部２８と、を有する圧電振動基板２６と、力を前記感圧部に伝達するダイアフラム５６と、前記圧電振動基板を覆う基板４８、１４とを備え、前記圧電振動基板には、スリット３０により一対の接続部３２Ａ、３２Ｂが分離して配置され、一部が前記何れかの基板よりも外側へ露出しており、前記圧電振動基板は、前記一対の接続部の一方の主面側にそれぞれ設けられた互いに信号の異なるパッド電極４２Ａ、４２Ｂと、何れか一方の接続部の前記スリット３０側の側面に配置され、他方の主面に設けられた引出電極４４Ｂと信号が同じ前記パッド電極４２Ｂとを電気的に接続する導電膜４４Ｂａとを有し、前記パッド電極を前記実装基板に配置された接続電極９４に電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】ダイアフラム型の物理量検出素子における支持部と、センサー素子としての振動片基部とを接合する接合形態において、接合面に所望する接合面積を確保することを可能とした物理量検出素子を提供する。
【解決手段】主面に一対の支持部３４を備えたダイアフラム３２と、振動部２２と振動部２２の両端に一対の基部２４とを備え、一対の基部２４が一対の支持部３４に接合された振動片２０と、を有する物理量検出素子であって、一対の基部２４の並ぶ方向を第１の長さ寸法とし、前記長さに直交する方向を第１の幅寸法とし、一対の支持部３４の並ぶ方向を第２の長さ寸法とし、前記長さに直交する方向を第２の幅寸法としたとき、第１の長さ寸法と、第１の幅寸法のいずれもが、それぞれ第２の長さ寸法と、第２の幅寸法よりも大きく、又は、小さくなるように定めたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】最適化された感度を有するＭＥＭＳおよび／またはＮＥＭＳ圧力測定デバイスを提供する。
【解決手段】基板２上で懸架された変形可能な膜４であって、膜の面の１つが測定される圧力を受けるように意図された膜と、歪みゲージを備え、膜４の変形を検出する手段であって、基板２上に形成される検出手段６と、膜４の変形を増幅された形で検出手段６に伝達する変形不能なアーム１４とを備え、アーム１４が、膜４の面にほぼ平行な軸線Ｙの周りで回転可能に基板２にヒンジ留めされ、膜４の変形を増幅された形で検出手段６に伝達するように膜と一体である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタ及びそれを利用した圧力センサーに関する。
ものである。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、半導体層と、ゲート電極と、絶縁層と、を含む。前記ソース電極は、前記ドレイン電極と間隔をあけて設置される。前記半導体層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極にそれぞれ電気的に接続される。前記半導体層は一つのチャネルを有し、該チャネルは前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に位置する。前記ゲート電極は、前記絶縁層により、前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記半導体層と絶縁状態で設置される。前記絶縁層は、弾性率が０．１ＭＰａ〜１０ＭＰａである高分子材料からなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタ及びそれを利用した圧力センサーに関する。
ものである。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、半導体層と、ゲート電極と、絶縁層と、を含む。前記ソース電極は、前記ドレイン電極と間隔をあけて設置される。前記半導体層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極にそれぞれ電気的に接続される。前記半導体層は、弾性率が０．１ＭＰａ〜１０ＭＰａである高分子複合材料層である。前記高分子複合材料層は、高分子基材及び該高分子基材に分散された複数のカーボンナノチューブからなる。前記ゲート電極は、前記絶縁層により、前記半導体層、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と絶縁状態で設置される。 （もっと読む）

【課題】圧電板に加わる外力を簡易な構造で高精度に検出することができる外力検出装置を提供すること。
【解決手段】水晶板２を容器１内に片持ちで支持する。水晶板２の例えば中央部にて上面及び下面に夫々励振電極３１、４１を形成する。水晶板２の下面側の先端部に、下面側の励振電極４１に引き出し電極４２を介して接続される可動電極５を形成し、この可動電極５に対向して容器１の底部に固定電極６を設ける。上面側の励振電極３１と固定電極６とを発振回路１４に接続する。水晶板２に外力が加わって撓むと、可動電極５と固定電極６との間の容量が変わり、この容量変化を水晶板の発振周波数の変化として捉える。また水晶板２の先端部の破損を抑えるために、水晶板２が過度に撓んだ際に水晶板２の先端部が容器１の内壁に衝突する前に水晶板２の胴体部にて接触するように突起部７を設ける。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を重ね合わせて接合してなる積層構造において、接合材の接合面からのはみ出しを防止す積層体、これを備えた電子デバイス、圧電デバイス、これを備えた圧電モジュール、電子機器及び積層体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】圧力センサー１は、積層して接合材４０で接合される感圧素子層１０、ダイアフラム層２０、ベース層３０を備え、感圧素子層１０の枠部１０８には溝部１０２ａ，１０２ｂが形成され、ダイアフラム層２０の他方の主面側の枠部２０６には溝部２０８が形成され、ベース層３０の一方の主面側の枠部３０４には溝部３０６が形成されている。溝部２０８は溝部１０２ａと互いに対向しないように位置をずらして配置され、溝部３０６は溝部１０２ｂと互いに対向しないように位置をずらして配置されている。 （もっと読む）

【課題】姿勢が変化しても、オフセット値を自動補正することで、姿勢に影響しない圧力測定装置を実現する。
【解決手段】中央部にセンターダイヤフラムが形成された本体と、該本体の両側面にすり鉢状の凹部が形成され該凹部を覆うと共に周縁が固定された接液ダイヤフラムと、前記本体内または本体の近傍に形成された圧力検出部と、前記凹部と圧力検出部を連結して形成された導圧路と、前記凹部および導圧路に封入された封入液からなる圧力測定装置において、前記本体内または本体の近傍に該本体の傾きを検出する傾斜検出手段を設け、前記圧力検出部と傾斜検出手段の出力に基づいて前記圧力検出部の出力を補正する補正演算手段を設けた。 （もっと読む）

【課題】振動式圧力トランスデューサにおいて、圧力計測範囲を拡大する。
【解決手段】振動子１０１と、振動子を覆うシェル１０２とを備えたシリコン基板１００と、シリコンよりもヤング率の大きい部材で形成され、シリコン基板１０１に接合された補助基板２００とを備えた振動式圧力トランスデューサ。補助基板は、ヤング率の大きい材料の結晶方位が最大となる方向が、前振動子の長さ方向と平行となるように接合し、シリコン基板よりも厚い。 （もっと読む）

【課題】同一面に極性等の信号の異なるパッド電極を配置した場合であっても、パッド電極間の短絡を防止することを可能とする圧電デバイス、圧電モジュール、電子機器、電子システム及び圧電デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】圧力センサー１の感圧素子層１００は、一辺を二分するように切り欠くスリット１２６が設けられ、スリット１２６により一対の接続部が分離して配置され、前記一対の接続部は、少なくとも一部がダイアフラム層２００よりも外側へ露出しており、感圧素子層１００は、一対の接続部の一方の主面側に夫々設けられた互いに極性の異なる第１パッド電極３４、第２パッド電極３６と、一対の接続部のうちの何れか一方の接続部の側面に設けられ、他方の主面に設けられた第１引出し電極１０９と、該引出し電極１０９と極性が同じ第１パッド電極３４とを電気的に接続する側面電極１３４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】運転状態でも真空度低下検出が可能であるとともに、リアルタイムに真空度低下検出および警報出力が可能なタンク形真空遮断器を提供する。
【解決手段】大地電位とされた外部タンク１０内に真空インタラプタ２０が収納されたかつ真空インタラプタ２０の固定電極２２ａ側の端を覆う固定側シールド３０ａを備えたタンク形真空遮断器１であって、真空インタラプタ２０のセラミック筺体２１の固定電極２２ａ側の端を密封する固定側金属栓２３ａの外面に取り付けられたかつセラミック筺体２１内の真空度が低下すると固定側シールド３０ａから先端が突出して外部タンク１０との間に放電を発生させる針状電極４１を備えた真空度低下検出装置４０と、真空遮断器１に取り付けられたかつ外部タンク１０と針状電極４１との間に発生した放電を検出するための放電検出アンテナ５１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】真空環境において環境を乱さずに圧力値を正確に計測する。
【解決手段】真空装置内の必要な箇所に配置される熱伝導型方式の圧力センサ部２と真空装置外壁に配置される制御部３からなるマイクロ圧力センサである。圧力センサ部２は、底面と円筒状または四角状の枠で形成され空洞部を有する高分子フィルム支持体と、高分子フィルム支持体の枠の上面に、高分子フィルム２１が接着剤で貼られ、高分子フィルム２１の中央部に一つの圧力センサ２２と、圧力センサ２２の周辺に、一つ又は複数の温度センサ２３を備え、各圧力センサ２２と、温度センサ２３はそれぞれ、電極を介して制御部３に接続される。制御部３は圧力センサ２２に、加熱電力を与え一定温度に加熱制御し、温度センサ２３で圧力センサ２２の周りの温度を抵抗変化で計測し、抵抗変化で加熱電力に対応する真空装置内の圧力値を補正することで正確な真空装置内の圧力値を測定する。 （もっと読む）

【課題】高精度にかつ安価に製造することができる振動式トランスデューサを実現する。
【解決手段】真空室３３内に設けられ基板３１に対して引張の応力が付与され基板面に平行方向より垂直方向の断面厚さが長い断面形状を有し基板に平行に且つ互いに平行に設けられた第１，第２のシリコン単結晶の振動梁３２ａ、３２ｂと、基板面に平行に設けられ第１，第２の振動梁の一端に接続される板状の第１の電極板３４ａと、基板面に平行に設けられ第１，第２の振動梁の間に設けられた第２の電極板３４ｂと、第１，第２の振動梁の両側に第１，第２の振動梁を挟んで且つ第１，第２の振動梁と第１，第２の電極板と共に基板面に平行な一平面状をなす板状の第３，第４の電極板３４ｃ、３４ｄと、振動梁と第２、第３，第４の電極板との対向する側壁部面に設けられ相互の付着を防止する凸凹部３７とを具備した。 （もっと読む）

【課題】高精度にかつ安価に製造することができる振動式トランスデューサを実現する。
【解決手段】シリコン単結晶の基板に設けられた振動梁と、振動梁の周辺に隙間が維持されるように振動梁を囲み基板と共に真空室を構成するシリコン材よりなるシェルと、振動梁を励振する励振手段と、振動梁の振動を検出する振動検出手段とを具備する振動式トランスデューサにおいて、真空室内に設けられ基板に対して引張の応力が付与され基板面に平行方向より垂直方向の断面厚さが長い断面形状を有するシリコン単結晶の振動梁と、基板面に平行に設けられ振動梁に一端が接続される板状の第１の電極板と、基板面に平行に振動梁に対向して設けられ振動梁と第１の電極板と共に基板面に平行な一平面状をなす板状の第２電極板と、振動梁と第２の電極板との対向する側壁部面に設けられ相互の付着を防止する凸凹部と、を具備したことを特徴とする振動式トランスデューサ。 （もっと読む）