【課題】評価対象パターンの画像を高速で処理するとともに、コンピュータ資源の効率を向上させる。
【解決手段】ＣＤ−ＳＥＭ３００により撮像された評価対象パターンの一連の画像Ｉｍｇ１〜Ｉｍｇｎを一枚当たりＴｉの時間で取り込む画像取込装置１０と、一連の画像Ｉｍｇ１〜Ｉｍｇｎを一枚当たりＴｐの時間で処理して評価対象パターンの評価結果を出力するクラスタノードＣＮ１〜ＣＮＭと、クラスタノードＣＮ１〜ＣＮＭが接続されてこれらを制御するメインノードＭＮを備える分散コンピューティングシステム１において、時間ＴｉおよびＴｐを測定して一連の画像Ｉｍｇ１〜Ｉｍｇｎの取得時間とその処理時間とが一致するように、クラスタノードＣＮ１〜ＣＮｍ（ｍ≦Ｍ）を推定して一連の画像処理に割り当てる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＳＡＤＰのような複数の露光工程を有する製造プロセスにて形成されたギャップの種類の特定を、高精度且つ高いスループットにて実現することを目的とする。特に、ギャップ判定が困難な試料であっても、適切にその判定を可能とするパターン測定装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、荷電粒子ビームの走査に基づいて検出される信号から、複数のパターンが配列されたパターンの一端側に関する特徴量と、当該パターンの他端側に関する複数種類の特徴量を抽出し、当該複数種類の特徴量の内、適切な種類の特徴量について、前記パターンの一端側と他端側の特徴量を比較し、当該比較に基づいて、前記複数のパターン間のスペースの種類を判定するパターン測定装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークが複数のショットに跨って形成されている場合、完成形であるアライメントマークをＣＡＤデータから作成するためにはユーザ自身の手作業が求められる。
【解決手段】１つのアライメントマークが複数のショットに跨って作成される場合に、各アライメントマークに関連する複数のショットのＣＡＤデータを相互の位置関係に応じて合成し、アライメントマークの完成形を含む合成ＣＡＤデータを自動的に作成する。 （もっと読む）

【課題】通電時のみ放射線発生可能なＸ線を用いて、リチウムイオン２次電池の負極の塗工量測定を行うことで、放射性物質の取り扱い業務、管理業務などから作業者の負担を軽減ずる。
【解決手段】Ｘ線発生装置と、該Ｘ線発生装置から出射された一次Ｘ線が照射されてコンプトン散乱線を発生する被検査物と、からなり、
前記被検査物の測定に用いるＸ線のエネルギーを概ね４０−８０ｋｅＶとして前記被検査物に照射して前記被検査物から生じた前記コンプトン散乱線を測定する。 （もっと読む）

【課題】ビームハードニングの発生を抑制しつつ、フラックスの空間的な強度分布を改善し、中央部と周辺強度のフラックスのエネルギー分布と線量を揃え、測定位置に起因する測定誤差を低減することを可能とするＸ線測定装置を実現する。
【解決手段】Ｘ線源から出射されるＸ線を試料に照射し、試料の透過線量をＸ線検出器で検出するＸ線測定装置において、
前記Ｘ線源より円錐状に出射されたＸ線を扇状に薄くスライスしたスライスビームＸ線にビーム変換するコリメータと、
このコリメータと前記試料の間に介在し、前記スライスビームＸ線のフラックスの一部を通過または遮蔽し、ビームハードニングを抑制すると共に前記フラックスの強度分布を調整するフラックス遮蔽板と、
を備える。 （もっと読む）

【課題】測定対象領域のサイズを動的に設定し、半導体パターンのエッジ部分を精度良く検出する技術を提供する。
【解決手段】本発明に係るエッジ部分検出方法では、観察画像のうち半導体パターンのエッジ部分を含む大きめの画像領域を走査することにより、検出対象のエッジ部分と直交する第２エッジ部分を検出し、最終的な走査範囲を第２エッジ部分よりも内側に設定する。 （もっと読む）

あるシステム及び方法が、再構築により、基板上のオブジェクトの概略構造を決定する。これは、例えば、リソグラフィ装置のクリティカルディメンション（ＣＤ）又はオーバレイ性能を評価するための微細構造のモデルベースのメトロロジーなどに適用できる。基板上のスタック上の格子などのオブジェクトの概略構造を決定するためにスキャトロメータが使用される。ウェーハ基板は上層と下地層とを有する。基板はスタックオブジェクト上の格子を含む第１のスキャトロメトリターゲット領域を有する。スタック上の格子は上層と下地層とからなる。上層は周期格子のパターンを備える。基板はさらに、上層がない、隣接する第２のスキャトロメトリターゲット領域を有する。第２の領域は、パターン形成されていない下地層のみを有する。 （もっと読む）

【課題】
測長ＳＥＭは高速な寸法計測が可能であるが，原理上，パターン形状に依存したシステマティックな計測バイアスを有す問題がある。測長ＳＥＭの計測値を校正するには，例えば，ＡＦＭの計測値との比較が必要であるが，従来，測長ＳＥＭとＡＦＭとで同一箇所の寸法計測を行うのは容易ではなかった。
【解決手段】
設計レイアウトデータを用い，測長ＳＥＭとＡＦＭの撮像レシピを自動作成する。また，両装置間の撮像位置ずれ，撮像倍率ずれを自動補正する。これにより，両装置の寸法計測結果の照合を，より容易かつ高精度に行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】プロファイル及びそのバリエーションをユーザが設定するのを手助けするシステムを提供する。
【解決手段】既知のオブジェクトのイメージ４２を取り込むこと、及び、このイメージ上に、手動又は自動によって推定プロファイル２０を重畳すること、を含む。推定プロファイルは数学的に定義され、かつ、上記イメージと一致するようにセグメント毎に調節される４０ことによって、調節された推定プロファイルが、上記イメージに関連する当該回折スペクトルとともに記憶される。あるいは又はこれに加えて、ユーザは、既知のイメージのプロファイルをトレース（又は自由描写）し、その後、多項式、スプライン、又はベクトル等の数学関数の形状定義物を推定プロファイル上に描くことにより、未知のオブジェクトのプロファイルをその回折パターンから再構成する際に使用し得る。 （もっと読む）

【課題】レーザ光源の光出力の時間変化を測定することにより、感光体に形成された静電潜像を評価し、レーザ光源などの性能ないしは特性を評価する画像評価装置、画像評価方法を得る。
【解決手段】感光体１３９上に形成される静電潜像を評価する。レーザ光源１３１と、レーザ光源を所定の変調信号で駆動することによりレーザ光を射出させる駆動装置と、レーザ光源１３１からのレーザ光を感光体１３９上で走査して感光体上に静電潜像を形成する走査装置と、感光体１３９上の静電潜像の測定装置と、を有し、測定装置は、静電潜像の形成開始時と形成完了時の形状の変化を測定することができ、この形状の変化からレーザ光源の光出力の時間変化特性を評価する。 （もっと読む）

【課題】凹パターンと凸パターンを有する絶縁膜における凹パターンの底面を明瞭に観察する。
【解決手段】絶縁膜に形成された、ラインパターン２とスペースパターン３を有するパターン１を観察するパターン観察方法であって、パターン１に電子ビームを照射してパターン１の仮画像を取得し、この仮画像を用いてラインパターン領域４とスペースパターン領域５を算出し、ラインパターン領域４に対して正帯電条件で電子ビームを照射し、かつ、スペースパターン領域５に対して負帯電条件で電子ビームを照射することにより、ラインパターン２の上面とスペースパターン３の底面との間に、スペースパターン３の底面から放出される二次電子をパターン１の外側に引き出すための電界を形成し、その後、パターン１に電子ビームを照射して、スペースパターン３の底面の情報を有するパターン１の画像を取得する。 （もっと読む）

【課題】検査対象パターンに関する情報を用いることなく検査対象パターンの輪郭を検出する。
【解決手段】検査対象パターンの画像からパターンの輪郭点を検出し、グルーピング処理により前記輪郭点から複数の輪郭線を生成し、前記検査対象パターンの外側エッジおよび内側エッジのいずれか一方およびいずれか他方の候補となる第１および第２の輪郭線グループの組合せでそれぞれ構成され、生成された複数の輪郭線を互いに異なる態様でそれぞれ二分する複数の輪郭線グループペアを生成し、前記輪郭線グループペア毎に第１および第２の輪郭線グループ間で形状のマッチングを行って得られたマッチングスコアのうち、最良のマッチングスコアを与える輪郭線グループペアを構成する第１および第２の輪郭線グループのいずれか一方を前記検査対象パターンの輪郭として特定する。 （もっと読む）

【課題】測定物の厚みと出力値の関係を示すＸ線検出器の校正曲線を高精度かつ安価に作成することが可能な校正曲線の作成方法を提供する。
【解決手段】測定物１０の厚みとＸ線検出器１５の出力値の関係を示す校正曲線の作成方法は、Ｘ線源１４からＸ線検出器１５に至る経路に存在する物質とＸ線との相互作用断面積値のデータから、Ｘ線源１４とＸ線検出器１５の間に測定物１０と同材質で厚みの異なる複数の仮想試験体を通過させたときのＸ線検出器１５の理論出力値を計算して、測定物１０の厚みと理論出力値との関係を示す計算校正曲線を求める第１工程と、Ｘ線源１４とＸ線検出器１５の間に標準試験体３５を通過させたときのＸ線検出器１５の実測標準出力値を求める第２工程と、理論標準出力値を算出し実測標準出力値に一致させる換算係数を求める第３工程と、換算係数に基づいて計算校正曲線から校正曲線を求める第４工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板のトポグラフィカルフィーチャの測定において有用な方法を提供する。
【解決手段】電子ビームを用いてガスが活性化される基板のコーティング方法が開示される。コーティングされた基板は次に、レジストフィーチャを断面方向で明らかにするために、イオンビームを用いてスライスされる。レジストのそれらのフィーチャは、走査電子顕微鏡を用いて測定され、基板のスライスを取って新たな断面を明らかにするために、焦点合わせされたイオンビームが用いられる。この新たな断面は次に、走査電子顕微鏡を用いて測定され、このようにしてフィーチャの３次元マップが作られ得る。 （もっと読む）

【課題】 互いに積層されてパッケージに収容された複数の単結晶基板の夫々について、パッケージを破壊することなく反りを測定する。
【解決手段】
パッケージにＸ線を照射するステップと、受光スリットの調節及びパッケージの高さ方向の位置調節を行うことにより、パッケージに収容された複数の単結晶基板により回折された複数の回折Ｘ線のなかから、所望の単結晶基板からの回折Ｘ線だけを選択的に検出するステップと、所望の単結晶基板からの回折Ｘ線のロッキング曲線を測定するステップと、パッケージを所定方向に一定距離移動させるステップとを含み、ロッキング曲線測定を行うステップとパッケージを所定方向に一定距離移動させるステップとを繰り返し行う。 （もっと読む）

【課題】複数の近似形状の画像パターン同士から欠陥パターンを抽出するパターン検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のパターン検査方法は、画像中に含まれる複数の画像パターン同士を各々すべて比較し、相関値マトリックスを生成して合計相関値を比較する。これにより、複数の近似形状の画像パターン同士から欠陥パターンを自動的に抽出することが可能となり、欠陥パターンの測定を効率良く、高精度に実施することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、単にビーム走査範囲単位での照射量のコントロールだけでは、抑制することが困難な寸法値変動要因に依らず、高精度な寸法測定を行うことを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、以下に、ビームによるコンタミネーションの付着によって生じる正の堆積と、試料除去によって生ずる負の堆積が相殺される走査範囲内の位置を測定部位として選択、或いは走査領域内において、寸法変動の影響がない、或いは少ない部分を測定部位として選択する方法、及び装置を提案する。当該方法及び装置によれば、走査領域面内で、寸法測定を行うに当たり適正な位置を選択することが可能となる。上記構成によれば、ビーム照射によって生じる寸法値変動要因に依らず、高精度な寸法測定を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】非接触で物体の厚さ、物性などの性状の値、或いはそれらの分布を同時に取得できる検査装置、検査方法を提供する。
【解決手段】物体検査装置は、物体２に電磁波を照射する照射手段９と、物体からの電磁波を検出する検出手段１０と、取得手段２６と、記憶手段２１と、演算手段２０を有する。取得手段は、検出手段による電磁波の検出時間に係る電磁波の伝搬時間と検出された電磁波の振幅とを取得する。記憶手段は、伝搬時間及び電磁波振幅と、物体の電磁波に対する性状の典型値との関係データを予め格納する。演算手段は、取得した伝搬時間及び電磁波振幅と格納した関係データとを用いて、物体２の厚さと性状の絶対値を求める。 （もっと読む）

【課題】
コンクリートを始めとする媒質中の異性物の変質部、特に異性物である金属又は鉄筋の変質部である腐蝕部の厚さの計測を可能とする。
【解決手段】
媒質の表面に対向して設けられた送信アンテナから電磁波を前記媒質に向けて発信し、信号伝播モデルに基づく予測波形と実際に得られた波形とのパターンマッチングにより、前記変質部の上面からの反射波と前記変質部の下面からの反射波の大きさ及び伝播時間の差を求めることにより前記変質部の厚さを測定する。 （もっと読む）

【課題】凹部の形状を正確に把握することができる計測方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜に形成された凹部の底面に対する側壁の角度を測定する工程（処理Ｓ１）と、凹部の底面に対する側壁の角度、幅寸法、深さ寸法を含んだパラメータ群を複数設定し、複数のパラメータ群にそれぞれ関連づけられた複数の反射光の波形を有するライブラリを作成する工程（処理Ｓ２）と、凹部に対し光を照射する工程と（処理Ｓ４）、反射光を検出する工程（処理Ｓ５）と、反射光の波形と、ライブラリから選択した波形とを照合する工程（処理Ｓ６）と、反射光の波形とライブラリから選択した波形とのずれが所定値未満である場合に、選択した波形に関連づけられた凹部の幅寸法等のパラメータを最適値とし、凹部の形状を把握する工程を含む。ライブラリの複数のパラメータ群の凹部の底面に対する側壁の角度は処理Ｓ１での測定値である。 （もっと読む）