【課題】連続試料を扱う生産ラインの全面測定装置において、フットプリントをなるべく増大させずに、校正動作を行えるようにして厚さ測定の精度安定性を向上させた放射線検査装置を提供する。
【解決手段】放射線源から放射され、シート状の試料を透過してくる放射線を前記試料の流れ方向に対して直角に配置されたライン状放射線検出器により検出し、坪量の測定を行う放射線検査装置において、前記放射線源またはライン状放射線検出器または試料の少なくとも一つを一時的に移動させ、前記放射線源とライン状放射線検出器の間から前記試料を除去した後、前記放射線源とライン状放射線検出器の少なくとも一つを移動させた場合は元の位置に移動させ、放射線源とライン状放射線検出器間の空気層を測定するように構成した。 （もっと読む）

【課題】ラインセンサを用いた全幅測定において、中央部及び周端部のリアルタイム補正ならびに中長期の補正を可能とする放射線測定装置を実現する。
【解決手段】放射線源から所定の幅を有する被測定物に放射線を照射し、前記被測定物を透過した放射線の強度をラインセンサにより前記幅方向に測定し、前記被測定物と同一材質で厚さが既知の複数の参照物体の測定で予め求められた透過放射線強度特性を参照して前記被測定物の厚さ若しくは坪量を測定する放射線測定装置において、
前記放射線源と前記被測定物間に介在させた坪量若しくは厚さが予め別の測定により既知の校正サンプルを、前記ラインセンサの検出部に沿って移動させる校正サンプル移動手段と、
前記校正サンプルの移動位置における前記ラインセンサによる透過放射線強度信号に基づいて補正値を演算し、前記透過放射線強度特性を補正する校正処理手段と、
を備える。 （もっと読む）

【課題】フットプリント（空きスペース）の削減を図った放射線検査装置を提供する。
【解決手段】放射線源から放射され、シート状の試料を透過してくる放射線を前記試料の流れ方向に対して直角に配置されたライン状放射線検出器により検出し、坪量の測定を行う放射線検査装置において、前記放射線源と放射線センサの位置関係を測定状態に維持したまま試料の幅に対して直角方向に空気層を測定できる程度に僅かに退避させ、退避させた状態で放射線源と放射線センサの間の空気層を測定して校正用データを作成し、記憶手段に保存するように構成した。 （もっと読む）

【課題】反射・散乱部材で反射された放射線を入射するモニタ用センサを配置することで、モニタ用センサに入射する放射線源からの放射線強度を抑えて長寿命化を実現する。
【解決手段】放射状の照射角を持つ放射線源と測定用センサを有する放射線検査装置において、前記放射線源と前記測定用センサの間で且つ、前記測定用センサに向かう放射線を妨げない位置に反射・散乱部材を配置すると共に、該反射・散乱部材で反射された放射線を入射するモニタ用センサを配置した。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、非破壊法かつ簡便にポリシリコン膜の厚さを評価することができるポリシリコン膜の膜厚評価方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 シリコンウエーハ上のポリシリコン膜の膜厚を評価する方法であって、
ポリシリコン膜を有する試験用シリコンウエーハを２枚以上準備し、それぞれの前記試験用シリコンウエーハのポリシリコン膜に対して、膜厚測定とＸ線回折測定法により回折面からの回折強度測定とを行い、所定の換算係数を用いて前記測定された回折強度を前記測定された膜厚に換算する換算式を求める換算式算出工程と、
その後、前記シリコンウエーハ上の膜厚が未知のポリシリコン膜に対してＸ線回折測定法により回折面からの回折強度測定を行い、該測定された回折強度に基づいて前記換算式により前記シリコンウエーハ上のポリシリコン膜の膜厚を算出する膜厚算出工程とを有することを特徴とするポリシリコン膜の膜厚評価方法。 （もっと読む）

【課題】低段差試料や帯電試料の観察、測定等において、反射荷電粒子信号に基づく画像を形成する際にも、倍率変動や測長誤差によらずに正確な画像を取得する装置、及びコンピュータプログラムを提供する。
【解決手段】二次荷電粒子信号を検出する第１の検出条件と、反射荷電粒子信号を検出する第２の検出条件との間で、荷電粒子線の走査偏向量を補正するように偏向器を制御する装置、及びコンピュータプログラムを提供する。このような構成によれば、検出する荷電粒子信号の変更による倍率変動や測長誤差を補正することが可能となるため、反射荷電粒子信号に基づく画像を正確に取得することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波エレメントへの物体の近接を検出するために使用されるセンサアセンブリを提供する。
【解決手段】少なくとも１つのマイクロ波信号を発生するように構成された信号発生器１０４と、信号発生器１０４に接続された結合器１０６と、結合器１０６に結合されたマイクロ波エレメント１０８と、結合器１０６に接続された処理モジュール１１２が含まれている。マイクロ波エレメント１０８は、少なくとも１つのマイクロ波信号の関数として電磁界を発生するように構成されている。マイクロ波エレメント１０８は、物体１０２が電磁界と相互作用すると、装荷信号を結合器１０６へ反射するように構造化されている。処理モジュール１１２は、基準信号を使用して装荷信号を処理し、マイクロ波エレメント１０８への物体の近接を表すデータ信号を生成するように構成されている。データ信号はサブ−マイクロ波周波数を画定する。 （もっと読む）

【課題】バックリング検査装置に対して適切な校正を行うべく、信頼性の高い性能評価を行うことができるバックリング検査装置の評価装置及びバックリング検査装置の評価方法を提供する。
【解決手段】架台２２を回転させることで、アンテナ１１及び１２を検査時の相対位置関係を保ったままプロセスライン外に移動する。このとき、移動後のアンテナ１１及び１２と校正板４０との相対位置関係を、検査時におけるアンテナ１１及び１２と金属鋼板１との相対位置関係と同じにする。また、校正板４０には、検査対象のバックリング２を模した校正用突起物４０ａを形成しておく。この状態で、校正装置３０は、校正板４０に対して検査時と同様の処理を行って、校正用突起物４０ａを適切に検査できているか否かを確認することで、バックリング検査装置１０の検査性能を評価する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線放射に対して僅かなコントラストしか生じない対象の測定を、十分な精度で迅速に行う、コンパクトな装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線源１０及びＸ線を検出する少なくとも１個のＸ線センサ７からなる第１の感知装置としてのＸ線感知装置及び測定物に対して座標測定装置のｘ、ｙ及びｚ方向に位置決めすることができる第２の感知装置、例えば触覚式及び／又は光学式感知装置８、１１、９を有する、測定物３の測定のための座標測定装置に関する。大きなサイズの測定物も問題なく測定できるように、Ｘ線感知装置７、１０が第２の感知装置８，１１、９に対応して座標測定装置１０に位置決めされることを提案する。 （もっと読む）

【課題】イメージシフトの際、両立が困難であった、広い偏向領域と高い寸法計測再現性とを両立できる荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子源１０１、偏向手段（１０３、１０４、１０５等）、焦点位置変更手段（１０６、１０８）を制御すると共に検出器１１９により検出された電気信号により画像用データを作成する制御演算部１２１と、撮像条件ごとに登録された補正係数を保存する記録部１２０を有する荷電粒子線装置において、制御演算部は、焦点位置を変えながら複数の画像を取得し、画像内のマークの位置ずれ量と、記録部に登録された補正係数にもとづいて、計測用画像を取得する際に、荷電粒子線のランディング角が垂直となるように光学条件を制御する。 （もっと読む）

【課題】コークス炉や精錬炉などにおける高温のレンガの厚みを簡便で精度よく測定することができるレンガ厚み測定方法を提供する。
【解決手段】レンガ１３にアンテナ１２から電磁波を放射して、屈折率の異なる材質１４の境界面での電磁波の反射をアンテナ１２で受信して、電磁波がレンガ１３の背面で反射して受信アンテナ１２に戻ってくるまでの時間ｔとレンガ１３の電磁波伝播速度ｖから熱間でレンガ厚みを測定する方法において、アンテナ１２とレンガ１３の間に４〜３００ｍｍの厚さの断熱層１６を充填させることを特徴とするレンガ厚み測定方法。 （もっと読む）

【課題】 電子顕微鏡で用いられる倍率校正を自動で安定かつ高精度で行う標準部材を提供する。
【解決手段】 夫々異なる材料を交互に積層させた多層膜断面と、第一のシリコン層を挟み、前記多層膜断面と平行に配置される、複数の第一のマークパターンと、前記多層膜断面に対して、前記第一のマークパターンとは反対側に前記第一のシリコン層よりも厚さの厚い第二のシリコン層を挟んで、前記多層膜断面と平行に少なくとも一対の第二のマークパターンと、前記多層膜断面に対して第一のマークパターンおよび前記第二のマークパターンの外側にシリコン層とを同一面に有する。 （もっと読む）

【課題】画素毎に、検出素子の個体差を考慮した校正を施す。
【解決手段】格子状に等間隔に配列された複数の検出素子６１を有し、各検出素子６１が検出した被写体としてのプリント基板Ｗの画像を画素毎に分解して出力する撮像ユニット２０、４０を備えている装置に適用される。個々の画素の個体差を表す個体差ファクタα、βを記憶し、記憶された個体差ファクタα、βに基づいて、当該検出素子６１毎に線形な校正値を出力し、前記検出値校正処理部２２５が演算した校正値Ｉχｃに基づいて、画素毎に目標物理量としての輝度値Ｂや材料厚さχを演算する。 （もっと読む）

【課題】複数の信号を用いた高精度な寸法測定を実現することを可能にする。
【解決手段】本実施形態は、走査顕微鏡を用いて対象物の寸法測定を行う寸法測定方法であって、前記対象物の測定に関する始点および終点となる測長点を定義する工程と、前記対象物にビームを入射して走査することにより、同時刻における前記対象物からの複数の信号を検出する工程と、前記対象物の測長点の定義に基づいて、前記複数の信号から測長点を決定する工程と、前記対象物において決定された測長点の間の距離を算出する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】容器中の二相流状態における液膜厚さの分布情報を求めるために、ＣＴ画像により計測領域を２次元又は３次元の連続的情報として得る。ＣＴ装置での時間平均画像において液膜厚さを評価しようとした場合に、液膜分布を計測するために液膜の真値との相関関係を把握することが必要となる。
【解決手段】被検体を透過するエネルギーを持つＸ線源と、透過Ｘ線を検出する検出器と、被検体の全周方向からの透過データが取得可能な機構とからなるＸ線ＣＴ装置と、該被検体内の容器表面の液膜厚さを計測可能な厚さ計測器を少なくとも１つ有し、Ｘ線ＣＴ装置が取得するＣＴ画像において厚さ計測器の計測位置と対応する箇所の液膜厚さを、厚さ計測器の計測値によりキャリブレーションを実施し、ＣＴ画像から液膜厚さを算出する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、試料を透過した電子を用いて観察するＴＥＭやＳＴＥＭ、或いはＳＥＭにおいて、画像のサブミクロンから数１０μｍの微小寸法を高い精度で測定可能にする荷電粒子線用標準試料及びそれを用いる荷電粒子線装置を提供することにある。
【解決手段】本発明では、上記目的を達成するために、倍率、或いは寸法校正のための異なる２つの試料が含まれている荷電粒子線用標準試料及びそれを用いる荷電粒子線装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】マルチチャンネル方式の板厚計を採用しつつ、校正処理の高速化と板厚測定精度向上を両立させることができる鋼板の板厚測定装置およびその校正方法を提供する。
【解決手段】通板中の鋼板Ｓを通板方向と直交する方向に検出器４を走査して鋼板Ｓの厚さを幅方向に沿って測定するシングルチャンネル板厚計１と、通板中の鋼板Ｓの幅方向に沿う厚さを鋼板Ｓの幅方向に沿って配列された複数の検出器６により同時に測定するとともに、通板中の鋼板Ｓの長手方向に沿う厚さを所定間隔で測定することにより鋼板全体の厚さ分布を測定するマルチチャンネル板厚計２とを併設し、シングルチャンネル板厚計１の検出器４の検量線を、通板前に予め測定された校正用基準板の厚さで校正し、鋼板Ｓの通板中に得られるシングルチャンネル板厚計１による鋼板の幅方向の鋼板の板厚測定値で、マルチチャンネル板厚計２の各検出器６の検量線を校正する。 （もっと読む）

【課題】 高精度測長校正を実現する校正用標準部材を提供する。
【解決手段】 光学的回折角測定が可能な回折格子パターンに座標位置を表すマークパターンを混在させ、かつ回折格子配列周囲に十字マークパターンを含んだダミーパターンを配置させることで本標準部材の作製および実現が可能となる。
【効果】 回折格子座標位置を示すマークを回折格子近傍に配置させることにより、校正に用いる回折格子位置の確認が容易になる。また、回折格子配列周囲に十字マークパターンを含んだダミーパターンを配置させることにより回折格子配列内の近接効果の差異の無い均一な回折格子パターンが実現できる。更に、十字マークを回折格子配列に隣接して配置できるので高精度な回折格子位置決めが実現できる標準部材を用いることにより高精度かつ容易な回折格子位置決め校正が可能となり次世代半導体加工に対応した高精度測長校正が実現できる。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の線幅管理用に、ＣＤ−ＳＥＭが用いられているが、ＣＤ−ＳＥＭの自動測定機能は１次元対応で、２次元形状は、ＣＤ−ＳＥＭや他の顕微鏡から取得された画像を使って操作者が手動で検査しているので、この検査工程を自動化する技術を提供する。
【解決手段】「検査対象パターン画像」と検査対象パターンを製造するために使用する「設計データ」を用いるパターン検査装置であって、データから線分もしくは曲線で表現された基準パターン生成部１１と、検査対象パターン画像を生成する画像生成装置７と、検査対象パターン画像のエッジを検出し、検査対象パターン画像のエッジと線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、検査対象パターンの測定値を得る検査部１２と、測定値の分布から、パターンの製造に関するフィードバック情報を取得する出力部１３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プロセス変動に依らず、高精度な測定，検査条件の設定を可能とする測定，検査条件設定方法、及びコンピュータプログラムの提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、異なる製造条件にて形成された複数のパターンについて、荷電粒子線装置を用いた測定を行い、当該複数のパターンの基準寸法と、当該測定結果との差異、或いはばらつきが相対的に小さくなる測定条件を選択する測定条件設定方法、及びコンピュータプログラムを提案する。複数パターンの基準寸法は、原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope：ＡＦＭ）によって、上記複数のパターンを測定することによって得るようにしても良いし、半導体パターンの設計データにシミュレーションを施すことによって得られるパターンの断面形状等に基づいて求めるようにしても良い。 （もっと読む）