【課題】機差の発生要因を簡便に推定し、この推定結果を元に走査電子顕微鏡装置を較正することで、複数台の装置間における計測寸法差を低減させ、より高精度な配線パターンの寸法管理を可能とする機差管理装置を提供することにある。
【解決手段】走査電子顕微鏡装置において、装置間での機差や経時変化による機差を管理するシステム及びその方法であって、標準ウエハを撮像して得られる２次電子画像データを基に装置間や経時変化による機差を計測し、ほぼ同時に各種装置状態を示す指標値を計測する計測手段１０、３０１ａ、３０１ｂ；１８、３０１ａと、該計測手段によって計測された前記機差と前記各種装置状態を示す指標値との関係を分析して機差発生要因を推定する機差要因分析部３０１ｃ、３０１ｅと、該機差要因分析部で推定された機差発生要因を表示して出力する出力手段３０２とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ２つの画像のパターンマッチングの成功率および精度を向上させ、しかも、測長などの検査作業の効率を低下させない画像処理装置、画像処理方法および走査型電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】 走査型顕微鏡１０は、第１の画像と第２の画像とのパターンマッチングを行なう画像処理装置４を含んで構成される。画像処理装置４は、第１の画像に基づき塗り分け画像を生成する塗り分け画像生成部４１と、塗り分け画像を平滑処理して重心分布画像を生成する重心分布画像生成部４２と、第２の画像に基づき輪郭線線分群を生成する輪郭線線分群生成部４３と、重心分布画像と前記輪郭線線分群とに基づきマッチングスコアを算出するマッチングスコア算出部４４と、前記マッチングスコアが最大になる位置を検出する最大スコア位置検出部４５とを含む。 （もっと読む）

【課題】 栗の果実における虫食い等の有無を非破壊検査する方法において、渋皮のスジをＸ線が透過すると、透過画像情報において当該スジに対応する領域がモニタ等の画面に白又は灰色っぽく表示され、これを内部欠陥と誤認する問題を解消する。
【解決手段】 Ｘ線による撮像工程Ｓ１と、透過画像情報を複数の平滑化フィルタにて平滑化処理して、各々の平滑化画像情報から果実領域を特定する平滑化工程Ｓ２と、任意の１つの平滑化果実領域と他の平滑化果実領域との差分演算にて抽出された抽出領域を第１次欠陥候補領域として特定する差分工程Ｓ３と、透過画像情報を二値化処理して果実領域及び第２次欠陥候補領域を特定する二値化工程Ｓ４と、第２次欠陥候補領域の面積を求める面積算出工程Ｓ５と、第１次欠陥候補領域に対応する第２次孤立領域の面積が予め設定された設定面積の範囲外であれば、互いに対応する第１次及び第２次欠陥候補領域は果実の内部欠陥に当たると判断する第１判断工程Ｓ６とを備える。 （もっと読む）

【課題】 手作業による不具合解析時などにおける測長検査の時間短縮を図ることが可能な走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）およびその画像表示方法を提供する。
【解決手段】 ＳＥＭ１は、ＳＥＭ画像取得部１１のほかに、試料１０５のＣＡＤデータに基づき生成され、その表面形状を表わしたＣＡＤ画像のデータを記憶するＣＡＤ画像記憶部１７を備える。まず、試料１０５の低倍率のＳＥＭ画像またはＣＡＤ画像を表示部１５に表示する。そして、その表示された画像の中で、操作情報入力部１６から拡大表示を指示する領域指定情報が入力されたときには、指定された領域の拡大ＣＡＤ画像を表示する。その後、その拡大ＣＡＤ画像の中で、拡大ＳＥＭ画像の表示を指示する領域記指定情報が入力されたときには、指定された領域に所定の電子ビームを照射し、その領域の拡大ＳＥＭ画像を取得し、その拡大ＳＥＭ画像を表示装置１５に表示する。 （もっと読む）

【課題】検査対象の表面の電位分布を均一にし、撮像した画像のコントラストを向上させる。
【解決手段】電子銃から放出された電子ビームを対象に照射し、対象から放出された電子を検出器を用いて検出し、前記対象の画像情報の収集、対象の欠陥の検査等を行う撮像装置において、前記対象に帯電した電荷を均一化若しくは低減化する手段を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、電子線の照射によってシュリンクを起こすパターンを測定する際に、そのシュリンクの発生を抑制することで、正確なパターンの寸法測定を可能とすることにある。
【解決手段】Ｘ方向の測定倍率と当該Ｘ方向の測定倍率より低倍率であるＹ方向の倍率の組み合わせを複数記憶する記憶装置に記憶された倍率の組み合わせに基づいて、前記Ｘ方向が短辺であり前記Ｙ方向が長辺である矩形状に電子線を偏向させ、パターンのＹ方向の形状がＸ方向に対し狭まるように表示し、当該表示領域に表示されたパターン画像に基づいて、前記パターンのＸ方向の寸法を測定する。 （もっと読む）

【課題】オペレータフリーな完全自動化された高スループットを実現するパターンマッチング方法及び装置を提供する。
【解決手段】本発明は、設計データと走査型電子顕微鏡にて取得される画像との間でパターンマッチングを行うパターンマッチング方法及び装置であって、設計データをビットマップに変換して、当該ビットマップ化された設計データと、走査型電子顕微鏡によって取得された画像とのマッチングを行うことを特徴とする。ビットマップは、エッジ強調が行われた後に、マッチング処理が行われる。このエッジ強調が行われたビットマップには、さらに、平滑化処理が施された後に、マッチング処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】
ＳＥＭ装置等において、撮像レシピを自動作成するための選択ルールを教示により最適化できるようにした撮像レシピ作成装置及びその方法を提供することにある。
【解決手段】
走査型電子顕微鏡を用いて半導体パターンをＳＥＭ観察するための撮像レシピを作成する撮像レシピ作成装置であって、半導体パターンのレイアウト情報を低倍視野で入力して記憶したデータベース８０５と、該データベースに記憶した半導体パターンのレイアウト情報を基に、教示により最適化された撮像ポイントを選択する選択ルールを含む自動作成アルゴリズムに従って前記撮像レシピを自動作成する撮像レシピ作成部８０６、８０９とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、特に試料上に形成されたライン＆スペースパターンの凹凸判定に好適な判定方法、及び装置を提供することにある。
【解決手段】荷電粒子線を当該荷電粒子線の光軸に対し斜めになるように荷電粒子線を傾斜、或いは、試料ステージを傾斜して、試料上に走査し、検出信号の荷電粒子線の線走査方向への広がりを計測し、荷電粒子線を光軸に沿って走査したときの広がりと比較し、広がりの増減に基づいて前記走査個所の凹凸状態を判定する。 （もっと読む）

【課題】 全てのＴＦＴアレイ基板についての欠陥の抽出結果が求めると共に、検査時間を短時間とする。また、多数の欠陥を含むＴＦＴアレイ基板について、欠陥の抽出結果を短時間で得る。
【解決手段】 ＴＦＴアレイ基板検査装置１は、ＴＦＴアレイ基板９の各ピクセルの駆動状態を表す画像データを用いてＴＦＴアレイ基板を検査する検査装置において、画像データに基づいてピクセルが構成するパネルの欠陥判定を行うデータ処理部１０を備える。データ処理部１０は、画像データからピクセルを欠陥判定する機能と、基板上のパネルが備えるピクセルから複数のピクセルをランダムにサンプリングする機能と、ランダムサンプリングで得られたピクセルから欠陥ピクセルを抽出する機能と、欠陥ピクセルの発生頻度を評価し、この評価結果に基づいて前記欠陥判定の判定精度を選択する機能の各機能を備える。 （もっと読む）

【課題】
非破壊でエッチング後パターンの立体形状を定量的に評価する方法がなかった
。このため、エッチング条件出しに多くの時間とコストがかかっていた。また、
従来の寸法測定のみでは、立体形状の異常を検知することができず、エッチング
プロセス制御が困難であった。
【解決手段】
ＳＥＭ画像の信号量変化を利用して、エッチング加工ステップに対応したパタ
ーンの立体形状情報を算出することにより、立体形状を定量的に評価する。また
、えられた立体形状情報に基づいて、エッチングプロセス条件出しやプロセス制
御を行う。
【効果】
非破壊で、エッチング後パターンの立体形状を定量的に評価することが可能と
なる。また、エッチングプロセスの条件出しの効率化がはかれる。さらに、エッ
チングプロセスの監視あるいは制御を行うことにより、安定なエッチングプロセ
スを実現できる。
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【課題】 基板の欠陥を高感度で検出する。
【解決手段】 二次電子ビームの焦点面に、検査対象部位に応じた形状およびサイズの複数の開口絞りが設けられた可動絞り板８１を設置し、任意の検査対象部位から高い二次電子放出比で放出される二次電子ビームが可動絞り板８１を通過してＭＣＰ検出器３１の検出面で結像するように絞り８１Ｂα〜８１Ｂγ，８１Ｄα〜８１Ｄγを選択する。 （もっと読む）

【課題】 ワーク厚さに対する直線性の良好な等価厚画像濃度データが得られる濃度データ変換方法および装置を実現し、体積や質量等の測定精度が高いＸ線検査システムを提供する。
【解決手段】 ワークＷのＸ線透過量に対応するＸ線画像濃度データＰからワークＷの厚さに対応する等価厚画像濃度データＱ（Ｐ）への変換処理を施す方法であって、Ｘ線画像における背景の濃度値Ｐ_０と、Ｘ線画像における前景の代表濃度Ｐ_１と、等価厚画像の最大濃度Ｑmaxとをそれぞれ設定し、変換処理を、次式〔１〕により実行し、
Ｑ（Ｐ）＝［｛ｌｎ（Ｐ_０）−ｌｎ（Ｐ）｝／｛ｌｎ（Ｐ_０）−ｌｎ（Ｐ_１）｝］^γ・Ｑmax ・・・〔１〕
等価厚画像の濃度データＱ（Ｐ）の直線性を確保するよう式〔１〕中の補正指数値γを調整する。 （もっと読む）

【課題】
真円ではないホール形状に対しても最適な近似曲線を求めてラフネスの評価を容易に行うことのできるホールラフネス計測方法および装置を提供する。
【解決手段】
被測定物に形成されたホールにエネルギー線を照射して被測定物から発生する反射エネルギーを検出することによってホールの中心から放射状にエッジを検出し、検出したエッジについてのエッジ座標をθ−ｒ平面に変換し、θ−ｒ平面でフーリエ変換して周波数成分を求め、周波数成分に基づいてθ−ｒ平面でのホールの近似ホールの近似曲線を形成し、該近似曲線を検出したエッジ座標との差からホールラフネスを計測する。 （もっと読む）

【課題】
従来は、二次元又は三次元形状計測の際に用いた計測手法固有の形状算出式のパラメータと形状指標値とを関連づけ，前記パラメータを調整することにより，形状を補正する場合、補正による形状変形の自由度も形状の算出に用いられるモデル式に依存するため，多くの形状バリエーションをもつ補正対象には不向きであった。
【解決手段】
本発明では、任意の三次元形状計測手法によって計測された半導体パターンの三次元形状に曲線式を当てはめ，別途算出した形状指標値に基づいて前記曲線式のパラメータを調整することによって前記三次元形状を補正するようにした。前記形状指標値と前記パラメータとの関係をデータベースに蓄積し，計測時は前記関係をもとに計測形状の補正が実施されるようにした。 （もっと読む）

【課題】白色光・レーザ光、あるいは電子線を照射して形成された画像を用いて微細な回路パターンを検査する技術において、検査に必要な各種条件を設定する際にその操作性効率を向上するめの技術を提供する。
【解決手段】回路パターンが形成された基板表面に光、あるいは光および荷電粒子線を照射する手段と、該基板から発生する信号を検出する手段と、検出手段により検出された信号を画像化して一時的に記憶する手段と、上記記憶された当該領域の画像を他の同一の回路パターンが形成された領域と比較する手段と、比較結果から回路パターン上の欠陥を判別する手段からなる回路パターンの検査装置であって、検査用および検査条件設定用の操作画面に操作内容あるいは入力内容を表示する画面領域とその画面を表す項目名を表示する手段を備えており、且つ該項目名は該操作画面領域で一体化して表示する。 （もっと読む）

【課題】
電子線を照射し、その二次電子などを検出する検出系では高速で検出するには検出器の面積が重要なファクタである。現在の電子光学系、検出器の技術では一定以上の面積の検出器が必要で、面積に逆比例する周波数で制約を受け、２００Msps以上の検出は実質的に困難である。
【解決手段】
例えば必要面積４mm角、４mm角時の速度を１５０Mspsとして４００Mspsで検出するには、単体の高速な２mm角の検出器を４個並べ、それらを増幅後、加算してA/D変換する。又は、二次電子偏向器で順次８mm角の検出器に二次電子を入射させ、１００Mspsで検出、A/D変換後並べる。いずれも、４mm角の面積と４００Mspsの速度を達成可能である。
（もっと読む）

【課題】 描画装置により半導体デバイス製品のパターン形成を行う際に、下地パターンと重ね合わせ描画を行うためのアライメントマーク検出精度を向上させる。
【解決手段】 アライメントマーク検出シミュレーションによりデバイス製品・工程ごと、およびマークの検出条件ごと、さらにマークがプロセス誤差を持つ場合についてテンプレート波形を作成する。あるデバイス製品・工程において重ねあわせ描画を行う際に、取得されたアライメント検出波形に対し、上記で作成された複数のテンプレート波形によるマッチング処理をそれぞれ行い、その中から相関係数最大となったテンプレートでの検出結果をアライメントマーク検出位置とする。 （もっと読む）

【課題】高スループットでしかも高い信頼性で試料資料の検査、評価が可能な検査方法、検査装置の提供。
【解決手段】電子線装置は、荷電粒子線を発生する荷電粒子線発生手段７１と、前記一次荷電粒子線を複数本走査させて前記基板に照射する一次光学系７２と、前記荷電粒子線の照射により前記基板から放出された二次荷電粒子線が投入される二次光学系７４と、前記二次光学系に投入された二次荷電粒子線を検出して電気信号に変換する検出器を有する検出系７６と、前記電気信号に基づいて基板の評価を行う処理制御系７７と、を備え、前記パターン形成面を複数の領域に分割して、領域毎にパターンを形成することにより全体のパターン形成が行われるパターン形成面の評価において、上記分割した領域のつなぎの領域を選択して上記評価を行う。 （もっと読む）

【課題】
計測パターン形状ごとに，計測寸法差の評価，すなわち合わせ込みに必要なパラメータの算出と，該算出パラメータを用いた計測寸法差の合わせ込みを行う必要があった。
【解決手段】
走査型電子顕微鏡を用いてパターンの寸法を計測する方法において、表面にパターンが形成された試料に収束させた電子線を照射して走査し、収束させた電子線の照射により試料から発生する2次電子を検出して試料表面に形成されたパターンの画像を取得し、予め記憶手段に記憶しておいた装置間での画像プロファイルの特徴量を合わせこむためのフィルタパラメータ（関数）を読み出し、読み出したフィルタパラメータを用いて取得したパターンの画像から画像プロファイルを作成し、作成した画像プロファイルから前記パターンの寸法を計測するようにした。 （もっと読む）