【課題】鉄鋼材料に含まれる主成分元素以外の高濃度元素と低濃度元素との分布状態を測定すること。
【解決手段】電子線源２が、鉄鋼材料Ｓに電子線Ｅを照射する。ＷＤＸ３が、電子線Ｅの照射に伴い発生するＸ線を検出することによって、鉄鋼材料Ｓに含まれる主成分元素以外の低濃度元素の分布状態を測定する。ＥＤＸ４が、Ｃｒ箔からなるフィルター７を透過したＸ線を検出することによって、主成分元素以外の高濃度元素の分布状態を測定する。これにより、鉄鋼材料Ｓに含まれる主成分元素以外の高濃度元素と低濃度元素との分布状態を同時、且つ、高精度に測定することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、透過型電子顕微鏡グリッドの製造方法に関する。
【解決手段】本発明の透過型電子顕微鏡グリッドの製造方法は、少なくとも一つの第一スルーホールを有するキャリヤー、カーボンナノチューブ構造体及び少なくとも一つの第二スルーホールを有する固定体を提供する第一ステップと、前記キャリヤーと前記固定体とを積層して、前記カーボンナノチューブ構造体を前記キャリヤーと前記固定体との間に設置する第二ステップと、前記キャリヤーと前記固定体とを溶接して固定する第三ステップと、を含む。また、本発明は、複数の透過型電子顕微鏡グリッドの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体や絶縁物の残渣物質による欠陥の検出を容易とする。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板を検査するためにアレイに印加する検査信号と同期させて、ＴＦＴアレイ基板の表面に光を照射することによって電極の電圧変化を強調させることで、半導体や絶縁物の残渣物質による欠陥の検出を容易とする。ＴＦＴアレイ基板のパネルに所定電圧の検査信号を印加してアレイを駆動し、このパネル上に電子線を照射して走査し、電子線走査で検出される検出信号に基づいてＴＦＴアレイ基板のアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置において、パネル上に電子線を照射する電子線源と、電子線走査による二次電子を検出して検出信号を出力する二次電子検出器と、二次電子検出器の検出信号を用いて欠陥を検出する欠陥検出部と、パネルに検査信号を印加する検査信号駆動部と、ＴＦＴアレイ基板の表面に光を照射すると光照射部と、検査信号駆動部と光照射部とを同期制御する制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】
半導体製造プロセスにおいて，パターン微細化に伴い，致命となる欠陥サイズも微小化しており，微細な欠陥を検出するために欠陥検査装置の感度を上げると，本来は欠陥ではない製造公差などを検出してしまい，欠陥の発生傾向を捕らえることが困難となる。
【解決手段】
被検査対象を検査する方法において，被検査対象の指定箇所について画像撮像手段を用いて撮像し，撮像した画像から欠陥を検出し，撮像した画像から回路パターンを認識し，検出した欠陥から画像濃淡および形状に関する特徴量を算出し，認識した回路パターンから画像濃淡および形状に関する特徴量を算出し，検出した欠陥と認識した回路パターンの中から特定の欠陥又は回路パターンをフィルタリングして抽出し、フィルタリングして抽出された特定の欠陥又は回路パターンの特徴量の中からマッピングする特徴量を決定し、決定した特徴量の分布状況を画面上にマップ形式で表示するようにした。 （もっと読む）

【課題】多段のパターンで形成されている測定対象に対して、ＳＥＭ像から測定対象領域の凹凸を的確に特定し、その構造を正確に判定することのできるマスク検査装置及びマスク検査方法を提供すること。
【解決手段】マスク検査装置は、電子ビームを試料上に照射する照射手段と、電子ビームの照射によって、パターンが形成された試料上から発生する電子の電子量を検出する電子検出手段と、電子量を基にパターンの画像データを生成する画像処理手段と、電子検出手段で検出された電子の電子量を基に試料上に形成されたパターンのラインプロファイル及び微分プロファイルを作成する制御手段と、を有する。制御手段は、微分プロファイルを基に検出したパターンの立上がりエッジ及び立下りエッジを検出し、当該エッジのデータ及び画像処理手段で作成された画像データを基に多段構造のマスクデータを生成する。 （もっと読む）

【課題】、マスク上の欠陥とそれがウェハに及ぼす影響、修正による改善の程度まで推定可能な欠陥推定装置と欠陥推定方法を提供する。欠陥判定処理を容易にし、マスク上の欠陥とウェハ像への波及を推定可能な検査装置と検査方法を提供する。
【解決手段】マスク検査結果２０５のうち、欠陥箇所のマスク採取データは、模擬修正回路３００に送られて模擬修正が行われる。模擬修正されたマスク採取データは、マスク検査結果２０５に戻された後、対応する箇所の参照画像とともにウェハ転写シミュレータ４００に送られる。ウェハ転写シミュレータ４００で推定されたウェハ転写像は比較回路３０１に送られ、比較回路３０１で欠陥と判定されると、その座標と、欠陥判定の根拠となったウェハ転写像とが、転写像検査結果２０６として保存される。マスク検査結果２０５と転写像検査結果２０６はレビュー装置５００に送られる。 （もっと読む）

【課題】焼結鍛造体の粒界空孔部と粒界酸化部とからなる未焼結部の全体に対する比率、すなわち未焼結部面積率を正確に演算・測定すること。
【解決手段】測定ワーク（Ｓ１）の焼結鍛造体から走査型電子顕微鏡で撮像・取得される（Ｓ２）焼結鍛造面の画像を、二次電子像及び反射電子組成像によって表示する。そして、二次電子像及び反射電子組成像のそれぞれから、粒界空孔部と粒界酸化部とを判別する。これらは未焼結部である。このようにして判別された未焼結部を黒色に、その他の部分、即ち焼結部を白色にする（Ｓ３）。さらに、画像処理（Ｓ４）によって、黒色部分の面積が取得画像の面積を占める割合を演算する（Ｓ５）。この演算結果が、当該焼結鍛造体の未焼結部の面積率を指す。 （もっと読む）

【課題】欠陥の検出精度を下げることなく、欠陥検出に用いる信号を取得されるまでの時間を短縮する。
【解決手段】一ピクセル当たりに照射する荷電ビームの点数を減少させることによってサンプリングに要する時間を短縮すると共にサンプリング点を補間し、サンプリング点と補間点から検出強度を算出する。荷電ビーム照射によりパネル上のサンプリング点の信号強度を検出する検出工程と、検出したサンプリング点の信号強度を用いて、サンプリング点の近傍の補間点の信号強度を補間する補間工程と、パネルのピクセルに対してサンプリング点および補間点を対応付け、各ピクセルに対応付けられたサンプリング点および補間点の中から欠陥検出に用いる信号点を抽出する抽出工程と、抽出工程で抽出したサンプリング点の信号強度および補間点の信号強度を用いて各ピクセルについて一つの信号強度を算出する信号強度算出工程を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明はＸ線顕微鏡及びＸ線を用いた顕微方法に関し、Ｘ線画像の分解能を向上させることができるＸ線顕微鏡及びＸ線を用いた顕微方法を提供することを目的としている。
【解決手段】電子ビームＥＢを集束して照射する電子ビーム照射手段と、該電子ビーム照射手段からの集束電子ビームの照射に応じてＸ線発生源となる薄膜１１と、該薄膜１１の第１の面に照射された集束電子ビームによって該薄膜１１から発生するＸ線１３を検出するＸ線検出手段８とを有し、前記薄膜１１の第２の面に接して配置された試料７を透過したＸ線１３を前記Ｘ線検出手段８により検出するように構成する。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ画像を利用したパターン計測において、計測対象のパターンに比較的大きな欠陥が含まれている場合でも、基準パターンとのマッチングを高精度に実施することができるパターン評価方法及びパターン評価装置。
【解決手段】基準パターン画像及び計測対象パターン画像から、各パターンの輪郭線を抽出し、抽出した各パターンの輪郭線からパターンのコーナー部分や欠陥部分などに相当するノイズ領域を除去してパターンマッチング用輪郭線を生成する。続いて、基準パターンのパターンマッチング用輪郭線と、計測対象パターンのパターンマッチング用輪郭線とのマッチングを行い、マッチングした位置で元の輪郭線同士を重ね合わせ表示する。そして、その重ね合わせ画像から、基準パターンと計測対象パターンとの差分を計測する。 （もっと読む）

【課題】複層膜厚の測定のために2つの線源を用いなくても、1つの線源と異なるシンチレータの組み合わせにより高精度にエネルギー弁別が行える安価でコンパクトな装置を用いて複層膜厚の同時独立算出を可能にした放射線測定方法を提供する。
【解決手段】同一線源から照射された放射線を複数の材質からなる被測定物に照射して透過させ、透過した透過線量から被測定物の物理量を測定する放射線測定方法において、透過した放射線を少なくとも２種類の検出器により検出し、それぞれの検出器からの出力を検量線を用いて弁別演算を行う工程と、弁別演算した値を用いて各層の坪量を演算する工程を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェファのようなオブジェクト内の欠陥を分析する方法とデバイスとシステムを提供する。
【解決手段】半導体ウェファは検査されて欠陥を探し出される。そして、探し出された欠陥に対応する位置が欠陥ファイルに格納される。複式荷電粒子ビームシステムが、欠陥ファイルからの情報を用いて、自動的にその欠陥位置の近傍にナビゲートされる。その欠陥が自動的に特定され、欠陥の荷電粒子ビーム画像が得られる。そして、その荷電粒子ビーム画像は分析され、欠陥をキャラクタライズする。次いで、欠陥の更なる分析のためにレシピが決められる。このレシピが自動的に実行されて、荷電粒子ビームを用いて欠陥部分をカットする。そのカット位置は荷電粒子ビーム画像の分析に基づく。最後に、荷電粒子ビームカットによって露呈された表面が画像化されて、欠陥についての追加の情報を得る。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームで形成した観察面に荷電粒子ビームを照射し、観察像を取得し、観察面を保持したまま、さらに透過可能になるように薄片化加工を行うことで、同一観察位置のＴＥＭ観察と二次粒子像観察を図ること。
【解決手段】集束イオンビーム３を試料５に照射し観察面を形成し、電子ビーム４を観察面に照射し、観察像を形成し、試料５の観察面と反対側の面を除去し、観察面を含む薄片部５ｔを形成し、薄片部５ｔの透過電子像を取得する試料加工観察方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体の微細化、プロセスの複雑化に伴いプロセスのマージンは減り、プロセスの条件出しが難しくなっているため半導体の開発初期においてはウェーハ全面において良品チップが存在しない場合があり、定点検査を実行する場合において、比較検査のための適切な基準画像を撮像することができないという課題を解決する技術を提供する。
【解決手段】複数チップの定点検査画像を用いて平均化画像を生成し、定点位置に対応する回路デザインに関する情報を用いて平均化画像を評価し、平均化画像を基準画像とするか否かを決定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、簡便な操作により高い精度で、セメントモルタルの圧縮強さを推定する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、試料作成工程と、水和率算出工程と、圧縮強さ推定工程からなるセメントモルタルの圧縮強さの推定方法であり、前記の水和率算出工程が、セメントペースト硬化体の反射電子像から求めた未水和の水硬性粒子の面積率を下記式に代入して、水硬性粒子の水和率を算出するセメントモルタルの圧縮強さの推定方法をも含む。
Ｒ_ｔ＝{１−（Ｓ_ｉ−Ｓ_ｔ）／Ｓ_ｉ}×１００
但し、Ｒ_ｔ；材齢ｔ日の水硬性粒子の水和率（％）
Ｓ_ｉ；水和率ゼロの未水和の水硬性粒子の面積率（％）
Ｓ_ｔ；材齢ｔ日の未水和の水硬性粒子の面積率（％）
また、前記のセメントが高炉セメントであるセメントモルタルの圧縮強さの推定方法をも含む。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の線幅管理用に、ＣＤ−ＳＥＭが用いられているが、ＣＤ−ＳＥＭの自動測定機能は１次元対応で、２次元形状は、ＣＤ−ＳＥＭや他の顕微鏡から取得された画像を使って操作者が手動で検査しているので、この検査工程を自動化する技術を提供する。
【解決手段】「検査対象パターン画像」と検査対象パターンを製造するために使用する「設計データ」を用いるパターン検査装置であって、データから線分もしくは曲線で表現された基準パターン生成部１１と、検査対象パターン画像を生成する画像生成装置７と、検査対象パターン画像のエッジを検出し、検査対象パターン画像のエッジと線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、検査対象パターンの測定値を得る検査部１２と、測定値の分布から、パターンの製造に関するフィードバック情報を取得する出力部１３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】累積損傷を受けた部材の損傷評価を適切に行うことができる方法を提供する。
【解決手段】本発明の損傷評価方法は、累積損傷を受けた部材の損傷評価方法であって、評価対象部材に対して電子後方散乱回折像法による結晶方位角度差を測定する工程と、測定された前記結晶方位角度差と、予め前記評価対象部材と同一成分系の部材に対して電子後方散乱回折像法による結晶方位角度差の測定と累積損傷試験とを行うことにより作成された前記結晶方位角度差と前記累積損傷との検量曲線とを用いて、前記評価対象部材の累積損傷を評価する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造工程における位置誤差を解消して、位置精度を高め、検査精度を高め、基板上の検査対象領域の正確な位置を取得する。
【解決手段】基板検査装置１は、荷電粒子ビームを基板上で二次元的に走査させて得られる走査画像に基づいて基板検査を行う基板検査装置において、走査画像から基板上の検査対象領域の特定部位の座標データを取得する座標データ取得手段７を備える。基板検査において、座標データ取得手段で取得した座標データに基づいて走査画像上の検査位置を特定することで、誤差によるずれに影響されることなく基板検査を行う。 （もっと読む）

【課題】試料の欠陥を検査する装置において、装置が小型化できて省スペース，コストダウン，振動抑止と高速化，検査の信頼性が得られ、特に大口径化したウエハの場合に効果が大きい荷電ビーム検査装置を得る。
【解決手段】試料を搭載する回転ステージと、該回転ステージを一軸方向へ移動させる一軸移動ステージと、該一軸移動ステージを内蔵する真空室と、前記試料へ光または荷電粒子ビームを照射して前記試料上の欠陥を検出する第一のカラムと、該第一のカラムで検出された前記欠陥の座標に基づいて前記試料に荷電粒子ビームを照射し該欠陥を再検出する第二のカラムとを備え、前記欠陥を検出する検出器の検出面の方向は、それぞれのカラムの中心へ向いていることを特徴とする荷電粒子ビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】微細パターン中の微小なオープン欠陥やショート欠陥を検出する手法を提供する。
【解決手段】パターンが形成された基板に電子線を照射し、基板から発生する低エネルギーの二次電子および高エネルギーの反射電子を検出してそれぞれの電子から第１および第２のＳＥＭ像を生成する。第２のＳＥＭ像から輪郭を抽出してパターンの輪郭データを取得し、該輪郭データを第１のＳＥＭ像に適用して検査領域を決定し、該検査領域に対して二値化処理を行うことにより、パターンまたは基板の欠陥を検出する。 （もっと読む）