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Fターム[2G001AA03]の内容

Fターム[2G001AA03]に分類される特許

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【課題】厚みが大きく、表面の凹凸の大きい薄膜の堆積量を、β線を用いて真空中で測定可能な装置を提供する。
【解決手段】チャンバーと、前記チャンバーを排気するための真空ポンプと、基板上に堆積した薄膜にβ線を照射するβ線源と、照射したβ線の後方散乱を検出する放射線検出器と、前記チャンバー内に配置され、前記検出器の出力信号を増幅する回路と、前記チャンバー内に配置され、前記回路を収容し、前記回路周囲を大気圧に保持する容器と、前記容器内に前記チャンバーの外から冷却ガスを供給する配管とを備える薄膜堆積量計測装置とする。 (もっと読む)


【課題】電子回折断層撮影の方法を提供する。
【解決手段】当該発明は、透過電子顕微鏡における電子回折断層撮影のための方法を記載する。知られた方法は、走査透過電子顕微鏡を使用することを伴うと共に、STEMの回折の走査されたビームを使用する。当該発明は、結晶と比べてわずかにより大きい直径を備えた静止のビーム(200)で回折パターンを形成することを提案するが、それの結果としてSTEMユニット無しのTEMは、使用されることができる。結晶を見出すことは、TEMのモードにおいてなされる。当該発明に従った方法の利点は、走査するユニット無しのTEMが、使用されることができると共に、全体の結晶が、回折パターンを得る一方で、照明される際に、回折のボリュームが、結晶の配向に依存するものではないというものである。 (もっと読む)


【課題】
既製のInfiniBand(R)制御を用いる画像分配制御部は、単一CPU上のOSでバッファメモリ制御と分配処理を行うため、競合が発生し分配レイテンシが変動してしまい、半導体外観検査装置には適用不可であった。
【解決手段】
検査部と、検出部と、前記検出部で検出された反射光に基づく画像を処理して該被検査対象の表面を検査する処理部とを備えた半導体検査装置であって、前記処理部は、該画像を分配する画像分配制御部と前記画像分配制御部により分配された画像を処理する画像処理部とを備え、前記画像分配制御部は、該画像の入力画像量をカウントする画像バッファカウンタと、該画像に関する情報を格納する分配制御テーブルと、入力画像量と前記分配制御テーブルからの該画像に関する情報に基づき該画像の分配開始タイミングを決定する分配タイミング制御回路と、を有することを特徴とする半導体検査装置である。 (もっと読む)


【課題】核燃料棒上のクラッドの分析を遂行する方法の提供。
【解決手段】核燃料棒上のクラッドフレークの断面の分析方法であって、該フレークの結晶のモルホロジーを決定し、該フレークの結晶のサイズを決定し、該フレークの様々な場所における該フレークの元素分布を相関させ、しかもこれらの分布はエネルギー分散型分光器が取り付けられた走査電子顕微鏡でもって得られ、該元素分布により該結晶中の化学元素を決定し、そして鉄濃縮の減損並びに亜鉛及びケイ素の濃縮を該結晶のサイズ及びモルホロジーと相関させることを含む方法。 (もっと読む)


【課題】微細なパターンのサイズエラーの検出を可能とするパターン検査装置を提供する。
【解決手段】設計データに基づきパターンが形成された試料を撮像する画像取得部10と、設計データから展開画像を生成する展開画像生成部22と、展開画像を参照画像生成モデルに入力して参照画像を生成する参照画像生成部24であって、モデルパラメータを被検査画像と参照画像との間で画素の階調値の差が最小化されるよう最適化する参照画像生成部と、参照画像の基準パターンの測定値と、被検査画像の基準パターンの測定値から求められた基準パターンの変換差を用いて、参照画像と被検査画像のいずれか一方の被検査パターンの測定値を補正し、補正された参照画像の被検査パターンの測定値と、被検査画像の被検査パターンの測定値とを比較し欠陥の有無を検出する。 (もっと読む)


【課題】本発明はオージェ像収集方法及び装置に関し、S/N比のよいオージェ像を得ることを目的としている。
【解決手段】試料3に電子ビームを照射し、該試料3の表面から放出される二次的電子を分光器4によりエネルギー分光し、該分光した各エネルギーの二次的電子を検出器4bによりカウントするようにしたオージェ電子分光装置であって、前記検出器4bを複数用意し、前記異なるエネルギーの電子を同時にカウントするようにしたオージェ電子分光装置において、前記複数の検出器4bによりカウントされたデータに基づいて、エネルギー値毎に各検出器(チャネル)のカウント数のテーブルを作成し、該テーブルを用いてピークのチャネルとバックグラウンドのチャネルの組み合わせと、各組み合わせのS/N比を求め、最もS/N比が高い組み合わせを選択してピーク強度を算出するように構成する。 (もっと読む)


【課題】金属材料の高精度な損傷評価、ひいては余寿命評価を可能にする。
【解決手段】本発明に係る金属材料の損傷評価方法は、金属材料の試料における複数の測定点の結晶方位をEBSP法により測定する測定ステップ(S2)と、複数の測定点のうちの基準の測定点に対する各測定点の結晶方位差で定義される方位差関数値を解析して試料の損傷パラメータを得る解析ステップ(S3)と、上記試料と同種の金属材料から形成され損傷率が既知の他の試料を用いて予め取得しておいた損傷率および損傷パラメータの相関関係を参照することによって、上記解析ステップにおける解析の結果得られた試料の損傷パラメータから、当該試料の損傷率を評価する評価ステップ(S4、S5)と、を有する。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、試料を透過した電子を用いて観察するTEMやSTEM、或いはSEMにおいて、画像のサブミクロンから数10μmの微小寸法を高い精度で測定可能にする荷電粒子線用標準試料及びそれを用いる荷電粒子線装置を提供することにある。
【解決手段】本発明では、上記目的を達成するために、倍率、或いは寸法校正のための異なる2つの試料が含まれている荷電粒子線用標準試料及びそれを用いる荷電粒子線装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】 主成分の数を間違って設定して多変量カーブ分解を行うと、評価対象物の情報を反映した妥当な解析データを得ることができない。
【解決手段】 複数の標本の原初スペクトルデータを主成分分析することにより、複数の暫定主成分スペクトルを求める。暫定主成分数を変えて、暫定主成分スペクトルの中から、寄与率の大きなものから順番に暫定主成分数の暫定主成分スペクトルを抽出する。抽出された暫定主成分スペクトルに基づいて計算された標本のスペクトルデータと、原初スペクトルデータとの差分スペクトルを、暫定主成分数ごとに求める。差分スペクトルに関連する情報エントロピーと、暫定主成分数との関係に基づいて、原初スペクトルデータの主成分数を決定する。 (もっと読む)


【課題】放射線のイメージングのための装置において、個々のタイルを相互に、そしてマスタの支持平面に対して正確に装着しやすくするための方法を提供する。
【手段】放射線のイメージングのための装置であって、放射線検出器セルのアレイを有しているイメージング・デバイスをそれぞれが含み、組み合わされてイメージングアレイを形成する複数のタイルと、複数の前記タイルをそれぞれ支持している二つまたはそれ以上のモジュールと、前記二つまたはそれ以上のモジュールを支持しているモジュール支持構造とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】透過型電子顕微鏡を用いて角層細胞間の微細構造の全体の詳細を簡便かつ明瞭に観察することができる角層細胞間の微細構造の観察方法を提供する。
【解決手段】透過型電子顕微鏡を用いた角層細胞間の微細構造の観察方法であって、皮膚面に対して垂直方向に切断面を有するように切り出した皮膚試料4に対して、角層細胞間脂質の層構造14の面内方向に電子線10が照射されるように、透過型電子顕微鏡用試料ホルダー上の、該皮膚試料を載せたグリッド1の向きを調整し皮膚試料の向きを調整する、角層細胞間の微細構造の観察方法。 (もっと読む)


【課題】前段のデジタルフィルタの時定数とその入力信号とのフィッティングのずれに起因してフィルタ出力であるバイポーラ波形に歪みが生じた場合でも、ピークの誤検出を防止する。
【解決手段】第1ピーク認識部10において比較部18は、負の最小値を検出した後に検出された正の最大値が、上記負の最小値に所定の係数αを乗じた値以上である場合に出力を「1」とし、AND回路19はピーク検出信号を出す。これにより、大きい信号波形の後のノイズ信号をピークとして検出すること回避する。一方、第2ピーク認識部20において比較部24は正の最大値の位置からセンター値に戻る迄の時間が時間閾値β未満である場合出力を「1」とし、AND回路25はピーク検出信号を出す。これにより、第1ピーク認識部10で検出できない小さな正規のピークを検出することができる。 (もっと読む)


【課題】欠陥を高精度に検出すること。
【解決手段】半導体基板から第1の仰角で放出される第1の二次電子の量と前記第1の仰角と異なる第2の仰角で放出される第2の二次電子の量とを個別に検出する。そして、前記検出した第1および第2の二次電子の量から夫々電位コントラスト画像を作成する。そして、前記作成した夫々の電位コントラスト画像の合成比率を決定し、前記第1および第2の二次電子の量から夫々作成した電位コントラスト画像を前記決定した合成比率で合成する。そして、前記合成された電位コントラスト画像を参照画像と比較することによって欠陥を抽出する。合成比率を決定する際、配線間の底部の輝度を求め前記求めた輝度が所定の基準値を越えるか否かを判定する。前記求めた輝度が所定の基準値を越えなかった場合、合成比率を変更する。 (もっと読む)


【課題】周期性のある領域を簡易に且つ精密に設定することが困難であり、検査時に領域に対する位置ずれで誤検出が発生する場合がある。
【解決手段】ストライプ状に電子線画像を連続して取得し、画像の明るさ変化より領域情報を設定あるいは補正することで精密に帯電等の影響も含めた領域情報を設定することができるようになる。
【効果】簡易,短時間に精密に領域を設定でき、領域情報と画像との位置ずれによる誤検出を低減でき、検査結果の信頼性,安定性が向上するため、高感度検査が実現できる。 (もっと読む)


【課題】 製造ラインに新たな製品種別が追加された場合であっても、比較的容易にしきい値を決定することができる欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】 ウエハの表面にレーザビームを入射させて、該表面からの散乱光の強度分布に基づいて欠陥を検出し、検出された欠陥に起因する散乱光の強度と判定しきい値とを比較して、比較結果に基づいて欠陥が計数される。まず、(a)第1の工程の処理が終了した第1の製品種別のウエハの欠陥検査要求があると、該第1の製品種別の該第1の工程に関連付けられた判定しきい値が既に登録されているか否かを判定する。(b)工程aで、判定しきい値が既に登録されていると判定された場合には、既に登録されている判定しきい値に基づいて欠陥を計数し、まだ登録されていないと判定された場合には、新に判定しきい値を決定して欠陥を計数するとともに、新に決定された判定しきい値を、第1の製品種別の第1の工程に関連付けて登録する。 (もっと読む)


【課題】効率的な試料表面検査システムを提供する。
【解決手段】試料の表面を平坦化する表面平坦化機構と、試料上に抵抗膜を形成する抵抗膜コーティング機構と、試料表面の評価を行う表面検査機構を備えている。表面検査機構は、紫外線発生源30と、電磁波を試料表面に斜め方向から導く光学系と、試料表面から放出された電子を試料表面に直交する方向に導く写像光学系40と、検出器50と、画像形成/信号処理回路60とを備えている。写像光学系は、3つのレンズ系41〜43と、アパーチャ44とを備えている。紫外線源の代わりにX線源を用いてもよい。また、電子線源から生成された電子線を試料の表面上に導く装置を設け、電磁波照射装置及び電子線照射装置の一方又は両方を駆動して、電磁波又は電子線の一方又は両方を試料の表面に照射するようにしてもよい。 (もっと読む)


【課題】試料台とその上に被せられる蓋体を有する試料導入用ホルダーであって、分析の際に、分析装置の外部からの操作を要せずに、蓋を取外して試料を開放することができる試料導入用ホルダーを提供する。
【解決手段】分析用試料を保持する試料台及びこの試料台に被せられる蓋体を有し、前記試料台と蓋体により試料及びガスを包含する空間を形成し、前記空間内と蓋体外部との圧力差が所定値以下では、前記空間内と蓋体外部間が雰囲気遮断状態となるように、試料台と蓋体がかん合しており、かつ前記かん合における試料台と蓋体間の接着力が、前記圧力差が前記所定値を超えたとき前記圧力差により蓋体が試料台上から除去される大きさであることを特徴とする試料導入用ホルダー。 (もっと読む)


【課題】
従来のパターン検査では、検査画像と参照画像とを比較し差分値に対して欠陥判定しきい値を用いて欠陥を検出する。欠陥は特定の回路パターン部にのみ発生するが、従来方法では位置によらない検査のため虚報が発生し、高感度検査が困難であった。
【解決手段】
予めGP画像を取得し、GP画像に対して検査箇所及び閾値マップをGUI上で指定し、欠陥の識別基準を設定し、次に検査画像を取得し、検査画像に識別基準を適用し欠陥を識別することでパターン検査を行い高感度検査を可能にした。 (もっと読む)


【課題】疲労亀裂に作用した応力を高精度に推定することができるオーストナイト系スレンレス鋼の応力状態推定方法を提案する。
【解決手段】オーストナイト系スレンレス鋼からなる試験片に対して亀裂進展試験を行う第一工程と、試験済み試験片の亀裂破面に発生したマルテンサイトの厚みをEBSP法を用いて測定する第二工程と、亀裂における応力拡大係数とマルテンサイトの厚みとの関係曲線を求める第三工程と、疲労亀裂を有する評価対象物に発生したマルテンサイトの厚みをEBSP法を用いて測定する第四工程と、関係曲線に基づいて評価対象物におけるマルテンサイトの厚みから疲労亀裂における応力拡大係数を求める第五工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】試料の高さ方向のばらつきを検査する。
【解決手段】試料29を保持するホルダ211と、ホルダ211に保持された試料29帯電処理する帯電制御部23と、ホルダ211に保持された試料29に電圧を印加するリターディング電源24と、リターディング電源24により電圧が印加された試料29に向けて電子線を照射して、試料29の表面近傍で引き戻されたミラー電子を結像させる電子光学系20と、ミラー電子を結像させることで得られたミラー画像を画像処理する画像処理部27と、を有する。画像処理部27は、ミラー電子を結像させることで得られたミラー画像と、予め用意された標準品のミラー画像との差に応じた情報を、試料29の高さ方向のばらつきとして出力する。 (もっと読む)


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