【課題】介在物を起点とする金属の破壊現象を解明するための介在物及び亀裂の３次元構造観察方法において、効率的で高精度な観察方法を提供する。
【解決手段】転動疲労を受けた部材の転動軌道直下において、転動体転がり方向Ｆに略平行な角度をなし、かつ転動面Ｐに略直角な角度をなす１次観察断面Ｐ１を切断・研磨して形成した後、この１次観察断面Ｐ１を観察して介在物３と亀裂４の位置を特定する１次観察工程と、更に収束イオンビームを用いて、前記転動体転がり方向Ｆに対して略直角な角度をなす２次観察断面Ｐ２を所定間隔で連続的に形成して、連続的な断層写真６を取得する２次観察工程と、前記断層写真６を３次元に再構築して３次元的な内部の介在物と亀裂の構造を評価する画像処理工程とを含む、介在物３及び亀裂４の３次元構造観察方法であって、前記２次観察断面Ｐ２を連続的に形成する所定間隔が０．０５〜０．５μｍ、前記収束イオンビームの加速電圧が２０〜３５ｋＶ、ビーム電流が０．５〜１０ｎＡの範囲であること。 （もっと読む）

【課題】正確な検査を短時間で行うことができる欠陥検出装置、欠陥検出方法、及び欠陥検出プログラムを提供する。
【解決手段】配線を有する試料３０に対して電荷を与えることで、与えられた電荷に応じて輝度が変化する画像を、試料３０の配線の方向における異なる箇所で取得する画像取得装置１０と、試料の画像から、欠陥箇所に対応する輝度の不連続点の位置を求める不連続点特定部２３と、複数枚の試料の画像中における輝度の不連続点の位置を比較して、複数枚の画像を取得した箇所の間に、欠陥が存在するか否かを判定する判定部２４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】サンプリング不良により生じる欠陥の誤検出を解消する。
【解決手段】ピクセルに対して異なる電圧の検査信号を二次元で互いに交互に印加する際に得られるピクセルの信号強度パターンの特徴を利用し、検査対象のピクセルに対してｙ方向で隣接するピクセルの信号強度と比較対照することによって、サンプリング不良によるｘ方向のサンプリング点の行が欠如した場合であっても、サンプリング行に含まれるピクセルについて欠陥検出を行う。検査対象のピクセルに対してｙ方向に隣接するピクセルの信号強度との比較対照において、検査対象のピクセルのサンプリング点の信号強度がｙ方向にずれたピクセルのサンプリング点の信号強度と異なる信号強度レベルであるときには正常なピクセルと判定し、検査対象のピクセルのサンプリング点の信号強度がｙ方向にずれたピクセルのサンプリング点の信号強度と同じ信号強度レベルであるときには正常なピクセルと判定する。 （もっと読む）

【課題】結晶性ドメインを自動的に分析すること。
【解決手段】電子顕微鏡像の複数の領域それぞれについてフーリエ変換を行なうことによりフーリエ像を生成し（Ｓ１６）、前記フーリエ像の角度に対する強度を演算し（Ｓ１８）、前記強度に基づいて、前記電子顕微鏡像内の結晶性ドメインを分析する（Ｓ２６）結晶粒方位の分析方法。 （もっと読む）

【課題】走査型電子顕微鏡により高分子材料の相分離構造、ラメラ構造および結晶の配向状態を解析することが可能な高分子材料の微細構造の観察方法を提供する。
【解決手段】本発明の高分子材料の微細構造の観察方法は、高分子材料を所定の大きさに成形して、観察用の試料とする工程Ａと、前記試料を液状の透明樹脂で包埋する工程Ｂと、前記透明樹脂が硬化した後、クロスセクションポリッシャーにより、前記透明樹脂および前記試料を研磨し、前記試料の観察面の面出しを行う工程Ｃと、前記面出しされた観察面に、導電膜を形成する工程Ｄと、前記導電膜が形成された観察面を、走査型電子顕微鏡により観察する工程Ｅと、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐食性に優れるマグネシウム合金およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】マグネシウム合金の表面を、ショット角３０°以下でショットブラスト処理することで、マグネシウム合金の表面から可固溶元素が除去され、耐食性が向上する。この方法で製造したマグネシウム合金の表面には、Ｍｇ結晶粒を含む改質部と、改質部以外の部分であり改質部を構成するＭｇ結晶粒よりも粒径の大きなＭｇを主成分とするＭｇ相と少なくとも１種の可固溶元素を含む共晶相とを有する非改質部と、が形成され、改質部における可固溶元素／Ｍｇの値は、非改質部における可固溶元素／Ｍｇの値を１としたときに０．５以下となる。 （もっと読む）

【課題】蛍光マーカーを付着させた標的タンパク質の位置の特定を、同時に多数行う事のできる顕微鏡システムを実現する。
【解決手段】試料３０６中の標的タンパク質に付与した蛍光マーカーを光３２４により励起し、蛍光マーカーからの光３２８を放物面鏡３１４により集光して光検出器３６０で検出すると共に、荷電粒子ビーム３０４を走査する事により蛍光マーカーを不活性にすることによって励起位置を特定する。同時に、放出される二次電子３３２を放物面鏡３１４の表面に印加された電界により二次電子検出器３２０へ向けて偏向させる事により検出して試料像を形成する。 （もっと読む）

【課題】多孔質材料の構造を容易かつ詳細に解析することを目的とする。
【解決手段】本発明の多孔質材料の構造解析方法は、小角電子線散乱により多孔質材料の電子線回折像の中央部に現れる小角電子線散乱部分を結像させることで小角電子線散乱像１５を形成することを特徴とする。特に、小角電子線散乱像１５の画像データに構造解析処理を施すことができる。また、小角電子線散乱部分の構造解析処理を併用することができる。さらに、透過像を併用することもできる。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームを利用する微細加工により、微細粒子の凝集体からなる膜の断面を、透過電子顕微鏡観察する目的の薄片化試料を作製する際、微細加工端面に露呈する微細粒子の剥落を防止でき、また、薄片化された部位の大気暴露を防止可能な、薄片化試料の作製方法を提供する。
【解決手段】微細粒子の凝集体からなる膜から抽出した試料片に対し、その二つの断面に集束イオンビームを利用する微細加工を施し、薄片化を行う工程中、各断面に微細加工を施した後、微細加工端面を被覆する、均質な材料からなる薄膜をそれぞれ形成する。形成される均質な材料からなる薄膜は、微細加工端面に露呈する微細粒子の剥落を防止し、また、微細加工端面の大気暴露を防止する、被覆膜として利用される。 （もっと読む）

【課題】 非導電性の物体の微細形状を、物体の形態を変化させることなく観察可能とすること
【解決手段】 観察する物体の表面に液晶を被覆した観察試料を電子顕微鏡内に配置し、前記観察試料を加熱することにより前記液晶の膜厚を変更するとともに、前記走査型電子顕微鏡により前記観察試料を観察する。これにより最適な液晶の膜厚における観察が可能となる。 （もっと読む）

【課題】３元系の酸化物の組成比を容易に測定することができる方法を提供する。
【解決手段】第１元素および第２元素の双方または何れか一方と酸素元素とからなる２元系または３元系の酸化物であって各々の組成比が既知であり互いに異なる複数の標準試料それぞれに対してＥＰＭＡ測定を行って特性Ｘ線スペクトルを求め、これら複数の標準試料それぞれの特性Ｘ線スペクトルにおけるエネルギー範囲５１９〜５２２ｅＶ内のピーク位置に基づいて、このピーク位置と組成比との間の関係式を作成する。この関係式を用いることで、第１元素，第２元素および酸素元素からなる３元系の酸化物である対象物の特性Ｘ線スペクトルにおけるエネルギー範囲５１９〜５２２ｅＶ内のピーク位置から、該対象物の組成比を求める。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数層を含むパターン画像のように、異種の特徴を持つ複数の領域が含まれる画像に対するパターンマッチングを高精度に行うパターンマッチング装置等の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために本発明では、設計データ、或いは撮像画像に基づいて形成されたテンプレートを用いて、対象画像上でパターンマッチングを実行するパターンマッチング装置であって、異なる複数の対象パターンを含む第１のテンプレートを用いて、第１の対象画像に対するパターンマッチングを実行し、第１の対象画像から、特定パターンを含む領域の情報を除外して第２の対象画像を作成し、当該第２の対象画像と、前記特定パターン以外のパターン情報を含む第２のテンプレートとの間の類似度判定を行うパターンマッチング装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】ｎｍオーダーの表面傷の観察が可能な技術を提供することである。
【解決手段】基体の表面特性を観察する方法であって、基体の表面に、該基体表面を構成する材料の仕事関数と異なる仕事関数を有する材料で構成される膜を設ける成膜工程と、前記成膜工程において設けられた前記基体表面に存する凹部を埋めた該膜の構成材料が残存するように該基体表面に設けられた膜を除去する膜除去工程と、前記膜除去工程後の基体の表面を電子顕微鏡で観察する観察工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】等価膜校正時に測定セルの上下ブロック間に校正用具を手作業で配置するときに、校正用具が濾紙に接触することがなく、濾紙の位置が変化して等価膜校正の再現性が悪くなることを防止することができるダスト計を提供する。
【解決手段】開閉可能な上ブロック１０２、下ブロック１０４を有するとともに、内部にガス流路１０６及びβ線照射路が形成され、ガス流路を流れる気相中のダストを上下ブロックで挟持した濾紙１０８上に吸引捕集する測定セル１００を備えたダスト計において、上記測定セル１００の下ブロックの上面の濾紙が配置される部分を含む領域に、深さが濾紙の厚さより大きい凹部１１８を形成し、濾紙が上記凹部１１８の底面に接触するようにする。 （もっと読む）

【課題】
本発明は集積回路、磁気ヘッド、磁気ディスク、太陽電池、光モジュール、発光ダイオード、液晶表示パネルなど基板上に発生した欠陥や異物の画像を撮像し、欠陥や異物を種類ごとに分類する欠陥分類装置において、撮像した画像に写っている欠陥の重要度を定量的に計算し、重要度の高い欠陥が写っている画像だけをデータベースに保存することで、ネットワーク負荷やデータベース負荷を低減する。
【解決手段】
本発明は、欠陥座標データを入力し、画像撮像プログラム５０１にて画像を撮像し、特徴量抽出プログラム５０２にて撮像した画像から欠陥の特徴量を抽出し、欠陥分類プログラム５０３にて欠陥を種類別に分類し、重要度予測プログラム５０４にて欠陥毎に重要度を計算し、画像選別プログラム５０６にて重要度に基づいて画像をデータベースに伝送するか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】 ＴＦＴアレイ基板の欠陥検出において、ゲート方向の線欠陥でも明確に検出することができる線欠陥検出方法及び線欠陥検出装置を提供する。
【解決手段】 電子ビームをＴＦＴアレイ基板上に照射して、表面電位の走査画像を形成し、前記走査画像からＴＦＴアレイの線欠陥を検出する線欠陥検出方法であって、ＴＦＴアレイ基板に電子ビームを照射することにより得られるＴＦＴアレイ基板の表面電位の走査画像を形成する工程と、前記走査画像からＴＦＴアレイが接続された一方向の各画素の画素値を積算する投影処理工程と、前記投影処理されたデータについて、差分処理を行いデータを取得する差分処理工程と、前記差分処理されたデータについて、第１の閾値を設定し、前記第１の閾値を超えた部分の特性値を算出する特性算出工程と、前記特性値について、第２の閾値を設定し、前記第２の閾値に基づいて線欠陥を検出する線欠陥検出工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 観察対象部位が試料内部にある場合でも、集束イオンビーム加工装置を用いた断面加工を行って走査型電子顕微鏡や透過型電子顕微鏡を用いて精度の高い観察ができる電子顕微鏡用試料の作製方法を提供する。
【解決手段】 透明性を有する試料の内部に存在する観察対象部位とその試料の表面に存在する所定の目標物とが同一画像上に現れるように光学顕微鏡で試料を撮像し、撮像された顕微鏡像に基づいて、観察対象部位の位置情報を算出し、算出された観察対象部位の位置情報に基づいて、集束イオンビーム加工装置を用いて試料から観察対象部位を包含する微小片試料を摘出し、摘出した微小片試料を、集束イオンビームを照射することによって断面加工し、微小片試料の表面に観察対象部位を位置させる。 （もっと読む）

【課題】検査データと組み合わせて設計データを使用するためのさまざまな方法及びシステムが実現される。
【解決手段】設計データ空間における検査データの位置を決定するための一コンピュータ実施方法は、ウェハ上のアライメント部位に対する検査システムにより取り込まれたデータを所定のアライメント部位に対するデータにアラインさせることを含む。この方法は、さらに、設計データ空間における所定のアライメント部位の位置に基づいて設計データ空間におけるウェハ上のアライメント部位の位置を決定することを含む。それに加えて、この方法は、設計データ空間におけるウェハ上のアライメント部位の位置に基づいて設計データ空間における検査システムによりそのウェハについて取り込まれた検査データの位置を決定することを含む。一実施形態では、検査データの位置は、サブピクセル精度で決定される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置や液晶などの回路パターンが形成された基板上の欠陥を検出する目的で検査を行う走査電子顕微鏡を搭載した検査装置において、困難となっている微細欠陥と擬似の識別を容易に実施できる検査装置及びその検査方法を提供する。
【解決手段】同一箇所を複数回スキャンして得られる画像あるいは画像信号を加算し、加算回数の異なる画像あるいは画像信号を比較することにより、擬似欠陥あるいは真の欠陥の欠陥位置を検出する。擬似欠陥あるいは真の欠陥のいずれを検出するかは、加算回数の異なる複数の画像の比較演算の組み合わせによって定める。 （もっと読む）

【課題】短時間で容易に試料の薄片部を形成することができる加工方法を提供する。
【解決手段】本実施形態の加工方法は、平坦化工程（ステップＳ１）および薄片部形成工程（ステップＳ２）を順に行うことで、試料１Ｂの薄片部１３を形成することができる。薄片部形成工程（ステップＳ２）では、試料の平坦面１１の下部に対して、集束イオンビーム装置から出力された集束イオンビームが平坦面１１に平行な方向に照射される。集束イオンビームの照射により試料がスパッタエッチングされて、平坦面１１に対向する対向面１２が形成される。これにより、平坦面１１と対向面１２とに挟まれた薄片部１３を有する試料１Ｂが作成される。 （もっと読む）