【課題】欠陥検出に用いる信号強度を算出するデータ点数をサンプリング点の点数よりも増やす。
【解決手段】ＴＦＴ基板のピクセルに対して所定電圧の検査信号を印加してアレイを駆動し、ピクセル上に荷電ビームを照射して走査して検出される検出信号に基づいて行うＴＦＴ基板のアレイの検査において、一ピクセルから取得した複数のサンプリング点の信号強度を用いて当該ピクセルを代表する代表信号強度を求め、この代表信号強度に基づいて当該ピクセルに対応するアレイの欠陥検出を行うものであり、各ピクセルのサンプリング点の分布において、分布の偏りと反対方向の解像度が低いサンプリング点側の領域に補間データ点を定め、補間データ点を設定し信号強度を算出することによって、欠陥検出に用いる信号強度を算出するデータ点数をサンプリング点の点数よりも増やし、解像度の低下および欠陥検出の検出精度の低下を抑制する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線装置に新たに別の装置を設けることなく、真空状態において試料の加工，観察，追加工を行う装置及び方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子線装置の真空室内にイオン液体を充填した液体浴と超音波振動手段を配置し、イオン液体と試料の加工対象領域が接触した状態において、イオン液体中に超音波振動を伝搬させて試料を加工する。
【効果】荷電粒子線装置に新たに別の装置を設けることなく、真空状態において試料の加工，観察，追加工ができるため、スループットを向上させるとともに、大気の影響を防止する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎやＡｌ等の第三元素を含むＭｇ−Ｌｉ合金の強化機構を解明可能であり、Ｍｇ−Ｌｉ系合金を適切に評価することが可能な方法を提供する。
【解決手段】少なくともＭｇとＬｉと第三元素とを含んでなるＭｇ−Ｌｉ系合金の評価方法であって、高角度円環状検出器暗視野走査型透過電子顕微鏡法（ＨＡＡＤＦ−ＳＴＥＭ法）によって、Ｍｇ−Ｌｉ系合金のＨＡＡＤＦ−ＳＴＥＭ像を取得し、当該Ｍｇ−Ｌｉ系合金の構造、及び／又は、当該Ｍｇ−Ｌｉ系合金における重・軽元素（ＺｎやＬｉ）の偏在状態を確認することを特徴とする、Ｍｇ−Ｌｉ系合金の評価方法とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い放射線検出装置を提供する。
【解決手段】放射線検出装置１００は、半導体検出素子１０と、冷却素子２０と、第１温度監視部３０と、第２温度監視部４０と、制御部５０と、を含み、制御部５０は、設定温度を第１温度に設定し、検出素子温度情報Ｉ_１０に基づいて半導体検出素子１０が第１温度に維持されるように冷却素子２０を制御する第１温度維持処理と、冷却素子温度情報Ｉ_２０に基づいて、冷却素子２０の温度が第１閾値よりも高いか否かを判定する第１閾値判定処理と、第１温度維持処理の実行中に、第１閾値判定処理において冷却素子２０の温度を第１閾値よりも高いと判定した場合、設定温度を第１温度から第１温度よりも高い第２温度に変更し、検出素子温度情報Ｉ_１０に基づいて半導体検出素子１０が第２温度に維持されるように冷却素子２０を制御する第２温度維持処理と、を行う。 （もっと読む）

【課題】鉄鋼材料の粒界偏析や粒界析出物をオージェ分析するための粒界破面露出技術に関して、真空中で高温引張破断する際に、破断後のSの表面偏析を抑制して正確な粒界偏析解析を可能とする技術を提供することを目的とする。
【解決手段】オージェ分析法による鉄鋼材料の粒界偏析、及び、粒界析出物を分析する際の粒界破断試料の作製方法であって、前記鉄鋼材料を真空中で 500〜1000℃ に加熱して引張破断し、破断後の試料を冷却速度１００〜５００℃/sで冷却することを特徴とする粒界破断試料の作製方法。 （もっと読む）

【課題】走査透過型電子顕微鏡を用いて簡易に歪の分布解析を行う結晶材料の格子歪評価方法、評価システムを提供する。
【解決手段】結晶材料の格子歪評価方法は、結晶構造を有する試料に対して晶帯軸方向に電子線を照射し、試料により回折される複数の回折波の内、特定方向に回折される特定の回折波を選択して検出する工程と、上記電子線を照射し特定の回折波を選択して検出する工程を、試料上を走査しつつ繰り返し、試料について各点での回折強度から特定の回折波に対応する方向の歪分布像を得る工程と、を含む。格子歪が生じると励起誤差が変化し回折強度は変化するので歪分布像が得られる。 （もっと読む）

【課題】検査精度を向上させ、５〜３０ｎｍのデザインルールにも適用できる検査方法及び検査装置を提供すること。
【解決手段】本発明の検査装置は、荷電粒子又は電磁波の何れか一つをビームとして発生させるビーム発生手段と、ワーキングチャンバ内に保持した検査対象に前記ビームを導き照射する１次光学系と、可動式のニューメリカルアパーチャ、および前記検査対象から発生して当該ニューメリカルアパーチャを通過した二次荷電粒子を検出する第１検出器を有する２次光学系と、前記第１検出器によって検出された二次荷電粒子に基づいて画像を形成する画像処理系と、前記可動式のニューメリカルアパーチャと前記第１検出器の間に設けられ、前記検査対象から発生する二次荷電粒子のクロスオーバ位置における位置及び形状を検出する第２検出器とを備える。 （もっと読む）

【課題】検査装置における伝送プロトコルは画像データの送信側と受信側が使用する伝送プロトコルに応じて最適化されている。このため、使用する伝送プロトコルが変更されると、データの分配を実行する部分の再開発が必要とされる。
【解決手段】画像データに付加情報を付して出力する撮像部と画像データを処理する画像処理部との間に画像分配部を配置する。さらに、画像分配部を、第１の伝送プロトコルにより撮像部から入力される画像データを所定のデータ形式に変換する画像入力部と、所定のデータ形式に変換されたデータの分配を制御する分配制御部と、所定のデータ形式のデータを第２の伝送プロトコルの画像データに変換して画像処理部に出力する画像出力部とで構成する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子顕微鏡を用いて試料を検査する方法を提供する。
【解決手段】試料を試料ホルダ上に載置する手順、粒子光学鏡筒を用いて、少なくとも1つの粒子放射線ビームを試料へ案内することによって、試料から放出される放射線を発生させる相互作用を生じさせる手順、第1検出器構成C₁を用いて、放出される放射線の第1部分を検出して、第1部分に基づいて第1画像I₁を生成する手順を有する。第1検出器構成C₁とは異なる第2検出器構成C₂を用いて、放出される放射線の第2部分を検出して、第2部分に基づいて第2画像I₂を生成することで、検出器構成の組S_D={C₁,C₂}と、対応する画像の組S_I={I₁,I₂}をまとめる手順、コンピュータ処理装置を用いて、S_Iの各異なる画像を自動的に比較して、S_Dのうちの少なくとも1つに対する視線が閉塞された試料上の少なくとも1つの閉塞領域を数学的に特定する手順を有する。 （もっと読む）

【課題】ウエハとマスクのように同等の回路パターンが形成されているが形状が異なる試料を一つの装置で検査することができる検査装置または検査方法を提供する。
【解決手段】検査装置が、形状が異なる複数の試料に対応した複数の搬送ホルダを備えることにより、同一試料室で異なる試料の検査を可能とする。更に、双方の試料に対する検査結果を照合する機能を備えることにより、欠陥と欠陥が生じる原因との関係を容易に解析できるようにする。 （もっと読む）

【課題】迅速に、かつ正確な方法で使用する石炭灰のアルカリシリカ反応の抑制効果を評価することのできる方法、およびそれを用いたセメントおよびコンクリートの製造方法を提供する。
【解決手段】電子顕微鏡を用いた粒子解析により、使用する石炭灰中に含まれる特定の種類の粒子の比表面積を算出し、予め収集した産地の異なる石炭灰を混合したモルタルによるアルカリシリカ反応性試験の膨張率のデータとを比較し、使用する石炭灰のアルカリシリカ反応の抑制効果を評価する。さらに、使用する石炭灰中に含まれる特定の種類の粒子の比表面積と石炭灰のセメント置換率を乗じた積の値をアルカリシリカ反応抑制の指標として用い、使用する石炭灰のセメントおよびコンクリートへの必要な配合量を算出する。 （もっと読む）

【課題】検査装置の検査情報とレビュー装置で取得した観察情報とを用い、欠陥の高さ、屈折率、材質の情報を取得して欠陥材質・屈折率分析や、微細なパターン形状の三次元解析を行う方法、並びにこれを搭載した欠陥観察装置を提供する。
【解決手段】試料上の欠陥を観察する方法において、光が照射された試料からの反射・散乱光を受光した検出器からの検出信号を処理して検出した検査結果の情報を用いて観察対象の欠陥が存在する位置を走査電子顕微鏡で撮像して画像を取得し、この取得した観察対象の欠陥の像を用いて欠陥のモデルを作成し、作成された欠陥のモデルに対して光を照射したときに欠陥モデルから発生する反射・散乱光を検出器で受光した場合のこの検出器の検出値を算出し、この算出した検出値と実際に試料からの反射・散乱光を受光した検出器の検出値とを比較して観察対象の欠陥の高さ又は材質又は屈折率に関する情報を求めるようにした。 （もっと読む）

【課題】表示パターンのフレームサンプリングから得られた撮像画像（シグナルイメージ）の収縮、膨張等のフレーム間の幅に不均等な部分が生じた場合であっても、各ラインの座標位置を正確に算出し、液晶パネルのピクセル位置を正確に算出する。
【解決手段】表示パターンを撮像して得られる撮像画像（シグナルイメージ）において、実検出ラインの座標位置を検出した後、次に座標位置を検出する実検出ラインを求める際に、前の実検出ラインの信号強度パターンと比較することによってラインの良・不良の検出、および、不良ラインの収縮又は膨張の判定を行い、次の実検出ラインを求める。ラインの良・不良を検出し、不良ラインの収縮・膨張の判定することによって、ライン幅にばらつきが生じた場合であっても、各ラインの座標位置を正確に算出する。 （もっと読む）

【課題】ｎＡレベルのきわめて小さいエミッション電流値の電子線を利用して反射電子像回析パターンを生成することができる反射高速電子回析方法を提供する。
【解決手段】反射高速電子回析方法は、蛍光スクリーン１８の直前に配置されて反射電子を電流増幅するマイクロチャンネルプレート１７ａ，１７ｂを含み、ｎＡのレベルのエミッション電流値の電子線２８を電子銃１５から薄膜表面に向かって発射し、マイクロチャンネルプレート１７ａ，１７ｂによって電流増幅された反射電子を蛍光スクリーン１８に入射させ、反射電子から生成される反射電子像回析パターンを蛍光スクリーン１８に映し出す。 （もっと読む）

【課題】
ディスクブレーキやドラムブレーキに使用される摩擦材において、摩擦材内部の気孔の状態や亀裂による空隙の有無を迅速、正確、且つ容易に観察することができる摩擦材の分析方法を提供すること。
【解決手段】
摩擦材の成分に含まれず、且つＸ線に対する感度の高い元素である塩素を含む物質を含浸させ、Ｘ線分析装置を用いて摩擦材内部に侵入した塩素を検出し、検出した塩素の分布状態を分析する。
前記塩素を含む物質は、４,４’-メチレンビス（２-クロロアニリン）が好ましい。
摩擦材の内部構造を分析することにより、要求される摩擦特性や振動特性を得るための好適な製造条件を求めることができ、所望の特性の摩擦材を容易に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】ｎＡレベルのきわめて小さい電流値の電子線を利用して反射電子像回析パターンを生成することができる反射高速電子回析装置を提供する。
【解決手段】反射高速電子回析装置１０は、真空チャンバーの内部に着脱可能に設置された蒸着源１４ａ〜１４ｃと、試料１１に形成された薄膜に向かって電子線２８を発射する電子銃１５と、薄膜の表面において反射した反射電子から生成される反射電子像回析パターンを映し出す蛍光スクリーン１８と、反射電子を電流増幅するマイクロチャンネルプレート１７ａ，１７ｂとを有する。反射高速電子回析装置１０では、ｎＡのレベルのエミッション電流値の電子線２８を電子銃１５から薄膜に向かって発射する。 （もっと読む）

【課題】自動欠陥分類機能では、装置毎に適切な処理パラメータが異なるが同一の工程において複数の装置が運用される場合でも、それぞれの分類レシピにおける分類クラスに差が発生しないようにする。
【解決手段】同一の工程で異なる画像撮像装置から得られた画像から同種の欠陥画像を特定する対応欠陥特定部２０９、同一の工程で異なる画像撮像装置から得られた画像を変換し、比較可能な類似した画像に変換する画像変換部２１２、同一の工程の分類レシピについて、同一の分類クラスを定義し、特定された同種の欠陥画像をそれぞれの対応する分類レシピ内の分類クラスに登録するレシピ更新部２１１を備えた。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線のエネルギーに依らず、微小領域における高効率・高感度分析が可能な荷電粒子線分析装置を提供する。
【解決手段】 真空容器（５、６）内で荷電粒子線１７を試料１４に照射し、試料１４から発生するＸ線３をＸ線検出器２８で検出して試料１４を分析する荷電粒子線分析装置４において、構成の異なるＸ線レンズ１（１ａ、１ｂ）を真空容器（５、６）内に２個以上備える。Ｘ線レンズ交換に伴う真空容器の大気開放や真空引きが不要になり、高効率・高感度分析が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 反射電子像と光学像とを同時に取得することができる電子線分析装置の提供。
【解決手段】 試料表面上の分析位置に所定方向から電子線を照射する電子線源２０と、試料表面上の分析位置で反射した反射電子による信号を検出する反射電子検出器４０と、試料表面上の分析位置を含む領域に前記所定方向から可視光を照射する落射光用光源部６０と、試料表面上の分析位置を含む領域から前記所定方向と逆方向に反射した可視光が入射して、試料表面上の分析位置を含む領域の光学像を取得する画像取得部５１ｂ、７１と、試料表面上の一次元又は二次元範囲内で分析位置を走査させることにより、反射電子検出器４０で信号を収集し、信号の強度に基づいて試料表面上の一次元又は二次元範囲の反射電子像を取得する制御部５１とを備える電子線分析装置１であって、落射光用光源部６０は、赤色領域の光を出射しないものとする。 （もっと読む）

【課題】 正確で明るい偏光像を取得できる電子線分析装置の提供。
【解決手段】 電子線源２０と、落射光用光源部６０と、透過光用光源部８０と、可視光又は偏光光が検出面に入射して、試料表面上の分析位置を含む領域の光学像又は偏光像を取得する画像取得部５１ｂ、７１と、落射光用光源部６０からの可視光を所定方向に反射するとともに、所定方向と逆方向からの光を透過して画像取得部７１の検出面に導くハーフミラー９２とを備える電子線分析装置１であって、ハーフミラー９２は、落射光用光源部６０から可視光が出射された際には、落射光用光源部６０からの可視光を所定方向に反射するとともに、所定方向と逆方向からの光を透過して画像取得部７１の検出面に導く第一位置に配置され、一方、透過光用光源部８０から偏光光が出射された際には、所定方向と逆方向からの光が通過しない第二位置に配置されるように移動可能とする。 （もっと読む）