【課題】塑性ひずみ量推定装置において、鋳造材の塑性ひずみ量をより精度よく推定することである。
【解決手段】鋳造材の塑性ひずみ量を推定する塑性ひずみ量推定装置１０は、塑性変形した被測定物の金属組織を構成する結晶粒のうち、同一結晶粒内の結晶粒界から１０μｍ以内の領域を同一面積の複数の区画に分割して、各区画ごとに結晶方位を測定する結晶方位測定手段１２と、複数の区画の１つを基準区画としたときの、基準区画と、基準区画を囲む複数の区画との間の結晶方位差を各々求めた後に平均して、ＫＡＭ値を算出するＫＡＭ値算出手段１４と、被測定物のＫＡＭ値と、予め求めておいた被測定物と同一組成で既知の塑性変形を受けた鋳造材のＫＡＭ値とを比較して、被測定物の塑性ひずみ量を推定する塑性ひずみ量評価手段１６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光学条件の調整を容易に行うことを目的とする半導体検査装置等の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、荷電粒子線装置を備えた半導体検査装置、或いは荷電粒子線装置の画像，光学条件選択装置であって、異なる複数の光学条件にて得られた画像データと、設計データに基づいて形成される画像データとの間でマッチングを行い、当該マッチングに基づいて、前記光学条件、或いは画像の選択を行う半導体検査装置、或いは荷電粒子線装置の画像，光学条件選択装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】
検査装置の感度設定にかかる処理時間とユーザ負担を低減すると共に、ＬＳＩテスタによる電気的特性検査にかかるコストの増加、及び、電気特性検査が困難な領域の発生に対処する。
【解決手段】
パターンが形成された試料に光源から発射された光を照射し、この光が照射された試料からの反射光を検出器で検出して画像を取得し、この取得した画像を処理して該画像の特徴量を抽出し、この抽出した画像の特徴量を予め設定した基準値と比較して試料上の欠陥を検出する欠陥検査方法において、予め設定した基準値をパターンが形成された試料を別の検査装置で検査して得た試料の検査結果を用いて作成するようにした。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの照射を受けて遮蔽板が高温度となって遮蔽板の支持部材に熱膨張が発生して遮蔽板が移動しても、良好な断面試料を作製する試料作製装置を提供する。
【解決手段】遮蔽板を試料の一部が露出しその他が遮蔽されるように配置し、遮蔽板と試料６の露出部分に跨るようにイオンビームを試料６に照射することにより、試料６の露出部分をエッチングして試料断面を作製する試料作製装置であって、遮蔽板ステージ９と、前記遮蔽板ステージ９により基端部を支持され、先端側が自由端となされた支持部材と、前記支持部材の先端側に支持された遮蔽板とを備え、前記支持部材は、前記遮蔽板の前記支持部材の基端側に向かう一側縁が前記イオンビームの照射位置となるように該遮蔽板を保持し、この遮蔽板により前記イオンビームが遮蔽される位置に設置された前記試料の該遮蔽板の一側縁から露出した箇所への前記イオンビームによる加工を行わせるようにした。 （もっと読む）

【課題】故障解析システムの結果をもとに、故障位置の原因の特定に至るために、レビュー装置などの画像の撮像に必要なレシピを効率的に作成する。
【解決手段】パターン観察装置、または前記パターン観察装置に接続されたレシピ作成装置は、前記パターン観察装置にネットワークを介して接続された故障解析システムから入力された故障位置を含む配線情報に基づいて、前記故障位置を含む配線に沿って画像が撮像されるように前記画像の撮像条件を設定するレシピ作成部を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上の単層もしくは多層構造体における１以上の層の厚さを決定するために、光電子分光法を使用する。
【解決手段】この厚さは、光子が衝突したときに当該構造体により放出される二つの光電子種、または他の原子特異的な特徴的電子種の強度を測定することによって決定されてよい。層の厚さに依存する予測強度関数が、各光電子種について決定される。二つの予測強度関数の比が定式化され、構造体の層の厚さを決定するために、この比が反復される。一実施形態に従えば、当該層の厚さを決定するために、一つの層からの二つの光電子種が測定されてよい。もう一つの実施形態に従えば、層の厚さを決定するために、異なる層または基板からの二つの光電子種が測定されてよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は水中の重金属イオンを検出する方法及び装置について開示したものである。
【解決手段】当該方法は、以下のステップを含むものである。（ａ）検出用材料を提供するステップ、上記検出用材料は親水層を備え、上記親水層の少なくとも一部は疎水層によって覆われ、上記疎水層は長鎖チオール、長鎖脂肪酸及びそれらの組み合わせから選択される長鎖化合物によって形成され、上記疎水層によって覆われた領域を検出区域とし、上記検出区域の表面と水との初期接触角は約１２０°以上であり、（ｂ）上記検出用材料の検出区域と検出対象水溶液とを接触させるステップ、（ｃ）検出対象水溶液と接触した後の上記検出用材料の検出区域の表面に疎水性―親水性変化が起きているかを判断するステップ、及び（ｄ）上記判断に基づき検出対象水溶液中において重金属イオンが存在するかを判断するステップ。 （もっと読む）

【課題】本発明はＥＰＭＡ(電子プローブマイクロアナライザ)におけるＸ線像データ処理方法及び装置に関し、異なるシーケンスで取得し位置ずれが存在しているＸ線像データ同士であっても、相関演算処理を正確に行なうことができるようにすることを目的としている。
【解決手段】 ＥＰＭＡを用いて試料の同一領域について異なるタイミングでそれぞれＸ線像のデータを取得して記憶する場合において、各タイミングで前記領域について２次電子又は反射電子検出に基づく電子像データを併せて取得して記憶し、異なるタイミングで取得した電子像データを比較して位置ずれ量を算出し、算出した位置ずれ量に基づき、前記異なるタイミングで得た各Ｘ線像データに対して、各Ｘ線像データに共通して存在する領域を切り出す処理を施すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ上の欠陥を撮像した画像を，ユーザが定義したクラスごとに自動で分類する装置において，異なる複数の観察装置で撮像した画像が混在して入力された場合，観察装置の違いによる画像の性質の差により，欠陥画像の分類正解率が低下することを防止する。
【解決手段】複数の観察装置で撮像した欠陥画像が入力となる画像自動分類装置において，レシピを作成する際に観察装置ごとに画像処理パラメータの調整と分類識別面の作成を行い，画像の分類時には，欠陥画像を撮像した観察装置を画像の付帯情報などをもとに特定し，画像を撮像した観察装置に応じた画像処理パラメータと分類識別面を用いて，画像処理と分類処理を行うようにした。また，観察装置ごとの画像処理パラメータ調整を効率的に行うために，教示された欠陥領域をもとに適切な画像処理パラメータを自動調整するようにした。 （もっと読む）

【課題】厚さ２００ｎｍ以上のゴム材料でも充填剤の分散状態を詳細に観察できるゴム材料の観察方法を提供する。
【解決手段】充填剤を含有するゴム材料の観察方法であって、走査透過電子顕微鏡を用いて取得した該ゴム材料の各回転角度における画像からトモグラフィー法により３次元構造を再構築し、ゴム材料中の充填剤の分散状態を観察することを特徴とするゴム材料の観察方法に関する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、X線等による回折測定時の含水結晶の乾燥を防ぎ、適切な試料凍結を行う方法及びそのための装置の提供を目的とする。
【解決手段】
結晶を水溶性ポリマーで包み込む工程を含む含水結晶のＸ線回折測定方法。 （もっと読む）

【課題】対象の外郭を示す形状情報だけでなく内部構造に関する情報をも含む立体画像を再構成する。
【解決手段】対象の立体画像を再構成する立体画像再構成装置であって、濃淡で示された複数の透過型画像を撮像する撮像部と、透過型画像において複数の特徴領域を選択する特徴領域選択部と、複数の特徴領域のそれぞれの、透過型画像上の位置に基づいて、複数の特徴領域の空間的な分布を算出する特徴領域分布算出部と、複数の透過型画像を重ね合わせて対象の立体構造を示す立体画像を再構成する場合に、複数の特徴領域の空間的な分布に基づいて、複数の透過型画像により示される濃淡を、複数の特徴領域のそれぞれの位置に割り付けて、複数の特徴領域のそれぞれにおける立体構造を示す立体画像を再構成することにより、対象全体に濃淡を割り付けた立体画像を再構成する立体画像再構成部とを備える立体画像再構成装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】減厚による歪緩和の影響を補正して、バルクの結晶中の歪を測定する。
【手段】結晶基材を含む被測定試料に集束イオンビームを照射して減厚し、被測定試料薄片とする減厚工程と、減厚工程途中の複数時点で、被測定試料薄片に集束電子線を照射して高角度散乱電子の電子線強度Ｉ１〜Ｉ３を測定する工程と、前記複数時点で、結晶基材の格子定数を電子線回折法により測定し、被測定試料薄片の歪Ｅ１〜Ｅ３を算出する工程と、散乱電子の電子線強度Ｉ１〜Ｉ３及び歪Ｅ１〜Ｅ３に基づき、散乱電子の電子線強度Ｉを変数とする歪の近似式Ｅ＝Ｅ（Ｉ）を作成する工程と、減厚に伴い歪緩和が始まる臨界厚さに等しい厚さの結晶基材に、集束電子線を照射したとき測定される高角度散乱電子の臨界電子線強度Ｉｏを予測する工程と、臨界電子線強度Ｉｏを近似式Ｅ＝Ｅ（Ｉ）に代入して、被測定試料の歪Ｅｏを算出する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ウェハで検出された欠陥の座標を適正に変換する。
【解決手段】ウェハ端部の表面画像を取得し（ステップＳ１）、取得された表面画像を用いて、ウェハ端部の欠陥を、そのウェハに設定されている第１原点からの座標によって検出する（ステップＳ２）。更に、取得された表面画像を用いて、ウェハ上にある複数のスクライブラインのうち、一のスクライブラインを検出する（ステップＳ３）。そして、検出されたその一のスクライブラインに基づき、ウェハ端部の欠陥の、第１原点からの座標を、ウェハ上の複数のスクライブラインに設定されている第２原点からの座標に変換する（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】回折格子の形状特徴物などの小寸法の形状特徴物のプロフィールを見出すためのシステムを提供する。
【解決手段】シード・プロフィールのギャラリが作られ、半導体装置についての製造プロセス情報を用いて該プロフィールに関連する初期パラメータ値が選択される。回折構造および関連するフィルムを測定するとき、反射率Ｒ_s，Ｒ_pなどのいろいろな放射パラメータおよび楕円偏光パラメータを使用することができる。放射パラメータのうちのあるものは、該プロフィールまたは該フィルムのパラメータ値の変化に対してより敏感な１つ以上の放射パラメータを選択してより精密な測定に到達することができる。プロフィール・パラメータのエラーを補正するために上述した手法をトラック／ステッパおよびエッチャに供給してリソグラフィおよびエッチングのプロセスを制御することができる。 （もっと読む）

【課題】所定の光軸にマルチキャピラリＸ線レンズを設置する際、保護ケースの中心軸に合わせて設置することが可能なマルチキャピラリＸ線レンズ用の保護ケースを提供する。
【解決手段】本発明に係るマルチキャピラリＸ線レンズ用保護ケースは、マルチキャピラリＸ線レンズの周囲を覆う保護管１０と、保護管１０の外周に設けた外管１２と、該外管１２の内側の保護管１０の傾きを調整する調整手段としての調整ねじ１３と、有することを特徴とする。本発明の保護ケースは、調整ねじ１３を用いて外管１２の内側の保護管１０の傾きを調整することで、保護管１０の内部のマルチキャピラリＸ線レンズ７の実効軸Ａ₁と外管１２の中心軸Ａ₄の相対的傾きを調整することができる。そのため、調整ねじ１３を用いて予めこれらの軸を調整しておけば、最も外側に位置する外管１２の中心軸Ａ₄を、光軸を合わせる際の基準にすることができる。 （もっと読む）

【課題】複数種類のパネルレイアウトについて、メンテナンス後において、各パネルの特定部位の座標情報の取得に要する時間を短縮し、オペラータの操作を軽減する。
【解決手段】ＴＦＴアレイが形成された基板上に荷電ビームを照射して走査し、当該荷電ビーム走査で得られる走査画像に基づいてＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査において、複数種類のパネルレイアウトのＴＦＴアレイを検査対象とし、これら複数種類のパネルレイアウトの各パネルの位置を特定する座標情報について、複数種類のパネルレイアウトの内の一種類のパネルレイアウトについては走査画像から取得して登録し、他の残りのパネルレイアウトについては走査画像を取得することなく、登録した座標情報を用いて旧座標情報を更新する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスのようなパターンの検査において、特定のパターン上の欠陥を選択的に検出することが欠陥発生原因を推定するのに有用である。そこで、本願発明は、試料上のパターン形状に応じて検査対象とする領域を設定することができる荷電粒子線装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願発明は、試料の画像に基づいて得られるテンプレート画像を用いて試料上のパターンの輪郭を抽出し、前記パターンの輪郭に基づいて検査対象領域を設定し、被検査画像を比較画像と比較して欠陥候補を検出し、前記検査対象領域と当該検査対象領域に含まれる前記欠陥候補との位置関係を用いて、試料を検査することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢによる切り出しの際の欠陥箇所の特定をより容易に行うことができる欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１１に荷電粒子線６を照射して走査し、荷電粒子線６の照射により半導体ウエハ１１から得られる二次荷電粒子９を検出して、走査情報と二次荷電粒子９の検出信号に基づいて得られた検査エリアの検出画像と参照エリアの検出画像とを比較し、両者の差分を閾値と比較して欠陥候補を検出する。欠陥候補の位置情報を含む欠陥情報は、半導体ウエハ１１上に形成された繰り返しパターンのそれぞれに設定された座標領域の原点に対する、繰り返しパターン内に予め定められた特徴点の相対位置と、特徴点に対する欠陥候補の相対位置とを含むように生成する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線を試料表面に対して、所望の領域に広範囲の角度で照射可能な荷電粒子線装置を実現する。
【解決手段】イオンビームカラム２０１ａの中心軸の延長線に沿う方向の位置、直交する方向の位置）や傾斜角度（イオンビームカラム２０１ａの中心軸の延長線と直交する面に対する傾斜角度）を調整可能な電極を有する電極部２０４を、試料室２０３内に配置し、電極等により、曲げられたイオンビーム２０１ｂを試料２０２の表面に照射するように構成する。イオンビーム２０１ｂを試料２０２の表面の所望の領域に、試料表面に対して広範囲の角度で照射可能となる。 （もっと読む）