【課題】金属材料の破壊原因を簡易かつ精度よく推定することが可能な方法及び装置を提供することを目的とする。
【解決手段】破断した金属材料の破壊原因を電子後方散乱回折像法により推定する。破断した金属材料において破断面と垂直な面を測定面とし、この測定面上に電子線を照射して電子後方散乱回折像を取得する。この電子後方散乱回折像に基づいて各照射点における結晶方位を決定し、各照射点における方位差を決定する。そして、測定面を破断面からの深さ方向において所定間隔毎に複数の区分に分割し、各区分毎にその区分に属する複数の照射点の方位差の平均値を求め、破断面からの深さを横軸、方位差を縦軸とした座標上にプロットし、このプロットに基づいて方位差曲線を得る。得られた方位差曲線のパターンを、あらかじめ破壊原因の分かっている標準試料を用いて求めた標準方位差曲線と比較することにより、破断した金属材料の破壊原因を判定する。 （もっと読む）

【課題】皮膜付き鋼板などの試料の表面に生じたクラックをより適切に評価し得るクラック評価方法を提供する。
【解決手段】試料表面に発生したクラックを評価するクラック評価方法であって、上記試料表面に金属薄膜を成膜する工程と、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて上記金属薄膜の反射電子像（ＢＳＥ像）を取得する工程と、上記取得したＢＳＥ像に基いて上記クラックを評価する工程と、を備えるクラック評価方法。 （もっと読む）

【課題】高感度検査や高精度計測を行うことが必要な部分領域を、効率的に決定する。
【解決手段】領域決定装置は、試料を検査して得た試料上の欠陥位置あるいは試料上において欠陥が発生する可能性があると予測された欠陥位置を撮像した画像を含む欠陥データの、少なくとも複数種の欠陥属性情報に基づき欠陥の発生度合いを算出する算出部と、発生度合いが所定以上となる欠陥データを抽出し、該抽出された欠陥データから観察または検査を行う試料上の領域を決定する領域決定部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】識別するための標識物質の組み合わせが事実上無制限であり、微量の標識物質を用いるのみで識別でき、対象物の素材や製品形状、物性によらずに適用することができる放射線を用いる識別方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブを構成する物質以外の物質を標識物質として、ナノチューブの中空部分に内包した内包カーボンナノチューブ、あるいはナノサイズの細孔を有する多孔体を構成する物質以外の物質を、標識物質として細孔に内包した内包多孔体を、識別材料として識別対象物に付与し、対象物に放射線を照射し、標識物質から放射される２次放射線を検知して、識別材料が付与された対象物を識別する識別方法。 （もっと読む）

【課題】薄膜の応力・歪測定およびRHEEDによる構造解析を同時に行なえる、非固定式通電加熱ホルダーを提供すること。
【解決手段】ホルダー本体と、ホルダー本体に電気的に絶縁した状態で固定設置されている2個の試料設置台座と、試料設置台座に対応して設けられ、電極間に試料をフックした上で前記試料を通電加熱可能な2個の電極と、前記2個の電極の位置を、前記試料設置台座に対して垂直方向に摺動自在に保持する電極保持手段と、2個の試料設置台座に対応して設けられ、かつ前記ホルダー本体と電気的に接地されており、前記ホルダー本体が下向きにされた際に、前記試料の重力落下を防止し、同時に前記試料と電気的に接続される爪を備えた2個のアース板から構成される。 （もっと読む）

【課題】実際のゴム材料から精度良くシミュレーション用のゴム材料モデルを定義しうる方法を提供する。
【解決手段】充填剤を含有するゴム材料のシミュレーション方法であって、走査型透過電子顕微鏡を用いてゴム材料の電子線透過画像を取得する撮像工程Ｓ１と、撮像工程で得られた画像からトモグラフィー法により前記ゴム材料の３次元構造を構築する工程Ｓ２と、前記３次元構造からゴム材料モデルを設定するモデル設定工程Ｓ３乃至Ｓ４と、前記ゴム材料モデルに基づいて変形シミュレーションを行う工程Ｓ５とを含み、前記ゴム材料モデルは、充填剤モデルと、前記充填剤モデルを囲むとともにゴムが有限個の要素で分割されたゴムモデルとを含み、該ゴムモデルには、変形速度に応じて発生する応力が異なる変形速度依存性が定義されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
虚報を多発させることなく、システマティック欠陥を検出する半導体パターン検査装置を提供する。
【解決手段】
検査対象パターンを撮像して得た画像から抽出した特徴量と設計データから生成した設計データ画像から抽出した検査対象パターンを撮像して得た画像に対応する箇所の特徴量と検査対象パターンを撮像して得た画像と設計データ画像とを用いて作成した教示データの情報を用いて虚報と欠陥とを識別するための識別境界を算出し、検査対象パターンの検査領域を撮像して得た画像から検査対象パターンの検査領域の画像特徴量を算出し、検査対象パターンの検査領域に対応する設計データから設計データ画像を作成してこの作成した設計データ画像の特徴量を算出し、算出した検査対象パターンの検査領域の画像特徴量と設計データ画像の特徴量と識別境界とに基づいて検査対象パターンの検査領域内の欠陥を検出するようにした。 （もっと読む）

【課題】実際の実環境において部材に発生した損傷部について、正確且つ簡略に損傷の原因を検査可能な検査方法を提供すること。
【解決手段】部材（１０）に発生した損傷部（１１）を被覆するように樹脂材料（１２）を塗布する保護工程と、前記損傷部（１１）を切り出すサンプリング工程と、前記樹脂材料（１２）が形成された状態で前記損傷部（１１）の分析を行う検査工程とを設ける。また、前記保護工程は、前記サンプリング工程の前に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ゴム材料中の充填剤の分散状態を、鮮明に観察しうる観察方法を提供する。
【解決手段】充填剤を含有するゴム材料の観察方法であって、走査型透過電子顕微鏡を用いてゴム材料の電子線透過画像を取得する撮像工程と、この撮像工程で得られた画像又はこの画像を加工した二次情報を観察する観察工程とを有し、前記撮像工程は、前記走査型透過電子顕微鏡の焦点を前記ゴム材料の厚さの中央領域に合わせることを特徴とするゴム材料の観察方法である。 （もっと読む）

【課題】環境制御型透過型電子顕微鏡（ETEM）において、活性雰囲気下でサンプルを評価研究する際に、発生するサンプルのドリフトが取得画像の解像度の制限因子とならないようにする。
【解決手段】ドリフトを避けるため、または抑制するため、サンプルを所望の温度で不活性ガスに暴露し、その後不活性ガスを活性ガスに置換する。光、X線、または走査型プローブ顕微鏡に適用できる。 （もっと読む）

【課題】重い原子及び軽い原子を同時に観察可能な電子顕微鏡像を生成する画像処理の方法を提供する。
【解決手段】方法は、走査透過型電子顕微鏡により試料を撮像した暗視野像であって、走査透過型電子顕微鏡の光軸からの第１角度と、第１角度よりも大きい第２角度との間に散乱した電子を検出して得られた暗視野像を取得し、この暗視野像と共に撮像された明視野像であって、第１角度よりも小さい第３角度以内に散乱した電子を検出して得られた明視野像を取得し、暗視野像の明暗を反転して反転像を生成し、反転像の各画素の輝度と、反転像の各画素に対応する明視野像の画素の輝度との差を、各画素の輝度とする差分像を生成する。 （もっと読む）

【課題】未知の組成/幾何学形状を含む試料での用途に適し、かつ、測定データの自動デコンボリューション及び表面下の像の自動生成を可能にする荷電粒子顕微鏡による可視化法を提供する。
【解決手段】複数(N)の測定期間中に荷電粒子のプローブビームを試料の表面に照射する手順であって、各測定期間は、対応するビームパラメータ(P)の値を有し、値は、ある範囲から選ばれて、かつ異なる測定期間の間で異なる。各測定期間中に試料によって放出される誘導放射線を検出する手順、測定量(M)と各測定期間とを関連付ける手順、各測定期間での測定量(M)の値を記録することで、データ対{P_n,M_n}（1≦n≦N）からなるデータ組(S)をまとめることを可能にする手順を有する。データ組(S)を自動的に処理するのに数学的手法が用いられる。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子顕微鏡が、様々なビームエネルギーでの一連の測定を必要とすることなく、試料からの深さ分解像を取得するために用いることのできる方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子顕微鏡を用いた試料の検査方法は、試料ホルダ上に試料を載置する手順；粒子光学鏡筒を用いて試料の表面上に特別な放射線ビームを案内することで、試料から放出される放射線を生じさせる相互作用を生じさせる手順；検出装置を用いて放出される放射線の少なくとも一部を検出する手順、試料の表面に対して垂直な軸に対する放出される放射線の放出角θ_nの関数として検出装置の出力O_nを記録することによって、複数のθ_nについて測定データの組M=｛（O_n,θ_n）｝をまとめる手順、コンピュータ処理装置を用いて測定データの組Mのデコンボリューションを自動的に行って、結果の組R=｛（V_k,L_k）｝に分解する手順を有する。 （もっと読む）

【課題】複数種の構成材料を含む試料中の特定の構成材料を精度よく識別する識別する方法、および特定の構成材料の成分を分析する分析方法を提供する。
【解決手段】複数種の構成材料を含む試料から、変質する温度が既知である特定の構成材料を識別する方法であって、試料の表面を複数の小区画に区分し、各小区画に放射線を照射して、試料より発生する信号によって、特定の構成材料に含まれる元素の各小区画における濃度を測定する第一測定工程と、特定の構成材料が変質する温度で試料の表面を加熱する加熱工程と、加熱後の試料の各小区画に放射線を照射して、試料より発生する信号によって、元素の各小区画における濃度を測定する第二測定工程と、各小区画における元素について、第一測定工程で測定した濃度と、第二測定工程で測定した濃度とを比較して、濃度の変化率が所定の率である小区画を特定の構成材料であると判定する判定工程とを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】比較的大きな試料であっても、その試料全域において、金属組織レベルで金属材料の残留応力分布を、簡易的に、精度よく測定する方法を提供する。
【解決手段】金属材料の後方散乱電子回折像から結晶方位分布を取得するステップＳ１と、結晶方位分布から隣接格子点間の格子ひずみを算出するステップＳ２と、結晶方位分布における方位差で示す転位密度から塑性ひずみを算出するステップＳ３と、格子ひずみと塑性ひずみの差分から弾性ひずみを算出するステップＳ４と、金属材料に所定の荷重を負荷して塑性変形させた後、塑性変形後の金属材料について、再度ステップＳ１〜ステップＳ４を実行し、かつ、塑性変形後の金属材料表面の座標変位を測定するステップＳ５と、座標変位から塑性変形前後の座標を対応させて、塑性変形前の残留応力成分と塑性変形後の残留応力成分との差分を求めるステップＳ６とにより金属材料の残留応力を測定する。 （もっと読む）

【課題】回路設計データを用いた半導体ウェーハ上の欠陥を自動的に検出し、欠陥発生原因の推定を行う半導体欠陥検査装置ならびにその方法を提供する。
【解決手段】回路設計データ１１６０から検査対象回路パターンと比較するために，欠陥発生要因毎に定められた形状変形項目について設計データに変形を加え，複数の形状を作成する（１１９２）。作成された形状群３０２と実パターンの比較により欠陥を検出する。また、それらの欠陥の発生原因を推定し，原因別に欠陥を分類する。 （もっと読む）

【課題】 外場遮断後も試料状態が変化するため、外場遮断後に試料中のイオンの分布状態が短時間で変化する試料に適用することは困難であった。
【解決手段】 イオン化する物質を有する高分子材料の被測定部に厚みが１０ｎｍ以下の金属膜を形成することで、前記イオンの運動を抑制した状態で、表面分析装置を用いて前記被測定部を測定する。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＭウェーハを自動測長する場合、測長対象の大きさは登録時と異なっていることが多いだけでなく、測長対象のパターンも崩れていることが多い。このため、測長の可否を自動的に判断することが困難である。
【解決手段】半導体検査システムにおいて、(1) 参照画像から算出される距離画像を利用し、検査画像の輪郭線の位置を特定する処理、(2) 特定された距離画像に対する輪郭線の位置に基づいて欠陥大きさ画像を算出し、当該欠陥大きさ画像から欠陥候補を検出する処理、(3-1) 欠陥候補が検出された場合、検出された欠陥候補の大きさを算出する処理、又は(3-2) 第１及び第２の輪郭線の相違部分を欠陥候補として検出する処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、試料に関する情報をより迅速に取得する方法及び装置を供することである。
【解決手段】 様々な種類の情報を取得する複数の検出器からの情報が結合されることで、試料の1つ以上の特性が、単一の種類の検出器からの単一の種類の情報を用いるよりも効率的に決定される。一部の実施例では、情報は様々な検出器から同時に収集される。それによりデータ取得時間が顕著に減少しうる。一部の実施例では、試料上の各異なる点からの情報は、第1型の検出器からの情報に基づいてまとめられ、かつ、これらの点に関連する第2型の検出器からの情報が結合される。それにより、前記第1型の検出器によって決定された共通の組成を有する領域の1つのスペクトルが前記第2型の検出器から生成される。一部の実施例では、データ収集は適合可能である。つまりデータは、所望の特性を所望の信頼性で決定されるのに十分なデータが収集されたか否かを判断するため、収集中に解析される。 （もっと読む）

【課題】
本発明をウエハ、ディスプレイパネル、磁気ディスクなど試料上に発生した欠陥の部位に対して、走査電子顕微鏡で画像を撮像しようと試みたとき、画像に欠陥が写っていないといった失敗が生じる割合を低減する。
【解決手段】
本発明は、欠陥の座標と特徴量を有する欠陥検査データを入力し（２４１）、欠陥毎に走査電子顕微鏡での検出可否を予測し（２４２）、予測結果に基づいて走査電子顕微鏡で撮像する座標をサンプリングし（２４３）、予測結果に基づいて加速電圧を設定した電子光学系、ないしは光学系で欠陥部位の画像を撮像する（２４４）。 （もっと読む）