【課題】分析点の位置合わせを精度よく行うための浅い焦点深度及び高倍率観察と、薄片試料の分析点探しを透過光学像によって行うときの広い視野及び低倍率観察という両方の要求を満たす光学観察系を備える電子プローブマイクロアナライザの提供。
【解決手段】 分析点の位置合わせを精度よく行うための反射光学像の観察は、落射照明装置Ｓ３と観察装置Ｋ２と有孔反射対物レンズ１０とこれらを結ぶ光路に配置された光学機構を用いる。広い視野及び低倍率を要求される透過光学像を観察する場合は、観察装置Ｋ３とＯＭが備えている落射照明装置Ｓ３と有孔反射対物レンズ１０とこれらを結ぶ光路に配置された光学機構を利用する。 （もっと読む）

【課題】光学顕微鏡及び電子顕微鏡を用いて被検査体の欠陥を識別して分類するに際して、欠陥の分類を行うのに必要な欠陥情報のみを取得し、最小限の欠陥情報により極めて効率良く、極めて簡易且つ正確に欠陥の分類を行う。
【解決手段】先ず電子顕微鏡ユニット２によるレビュー結果に基づき、第１の判定部３により認定欠陥部位に欠陥が有ると認められる場合のみ、その旨の欠陥情報が欠陥情報分類部６に出力される。続いて、電子顕微鏡ユニット２で欠陥が無いと判定された認定欠陥部位のみについて、光学顕微鏡ユニット４によりレビューし、その結果に基づき、第２の判定部５により認定欠陥部位における欠陥の有無の情報が欠陥情報分類部６に出力される。 （もっと読む）

【課題】集光素子上の金属薄膜は、帯電を防ぐ大きな効果をもたらすが、逆にこの金属薄膜による軟Ｘ線の吸収が行われ、信号強度の大きな減衰を招き、結果として検出感度の大幅な劣化となる。
【解決手段】試料と集光素子の間に接地電位の金属グリッドを置くことにより集光素子上での帯電による電界を遮蔽し、照射電子線の位置変動を抑える。又、集光素子上の金属薄膜の蒸着を止めることにより、軟Ｘ線の金属薄膜による吸収を無くし、検出感度の向上を行う。 （もっと読む）

【課題】
欠陥の特徴を的確に提示することが可能な欠陥画像表示画面を提供する。
【解決手段】
欠陥のサムネイル表示画面において、検査情報や欠陥種類等から、欠陥毎にその欠陥の特徴を最も顕著に表すような画像を決定し、表示する。また、欠陥の詳細表示画面において、検査情報や欠陥種類等を基に、その欠陥の特徴を顕著に表すように表示する画像やその画像の表示順序を定め、表示する。さらに、欠陥画像撮像中または欠陥画像撮像後に、予め指定した規則に基づいて別の欠陥画像取得装置や別の撮像条件により表示用の画像を撮像するためのステップを撮像シーケンスに追加する。 （もっと読む）

【課題】 被測定物の全ての測定点の位置を容易に把握することができるＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】 被測定物Ｓを配置するステージ１４と、被測定物Ｓの所定の領域の透視Ｘ線像を撮影するＸ線検出器１２とＸ線検出器１２に向けて透視用Ｘ線を照射するＸ線源１１とを有するＸ線測定光学系１３と、ステージ１４を移動させるステージ駆動機構１６と、透視Ｘ線像に基づいて作成されたＸ線画像と被測定物Ｓの所定の領域を含むマスター画像との画像表示が行われる表示装置２３とを備えるＸ線検査装置１であって、マスター画像の特定の位置に測定点情報の画像表示を行うティーチング情報記憶制御手段３５を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの外観検査と内部検査とを単一化して検査効率を極大化させる半導体デバイス検査装置を提供する。
【解決手段】表面実装型半導体チップパッケージや半導体モジュールなどの半導体デバイスに対する外観及び内部検査において、半導体デバイスの外観映像を獲得する外観映像検出部１２１と半導体デバイスにＸ線を照射して透過映像を獲得する透過映像検出部１３１と外観映像検出部１２１の検査情報と透過映像検出部１３１から獲得された映像情報とを基準映像と比較して良好/不良を判定するコントローラー１４１とを備える。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィで使用するために、極端紫外放射などの短い波長の放射を発生させる放射ソースを提供する。
【解決手段】錫などの液体金属の個々の浴１８，２０に浸される回転電極１４，１６が設けられる。電極１４，１６間で放電を生成し、放射を発生させる。放電の近傍で低圧になるようにポンピングを改善し、ソースの変換効率を改善できるようにするために、電極１４，１６および／または電極１４，１６の周囲の金属の遮蔽用のプレートに孔を設ける。電極１４，１６の孔は、液体金属を攪拌させ、電極１４，１６と液体金属間の熱および電気接触を改善することによって、電極１４，１６の冷却を改善する。電気接触の改善は、放電回路の時定数も低下させ、これによってソースの変換効率をさらに改善する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、陽電子線源と被測定試料を隔離して陽電子寿命を測定することができ、時間分解能の半値幅が１８０ｐｓ以下となる陽電子寿命測定装置及び測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の陽電子寿命測定は、装置陽電子線源と、前記陽電子線源との間に被測定試料を挟んで配置された光検出装置と、前記被測定試料に、前記陽電子線源から入射された陽電子が該被測定試料中で消滅する際に発生するγ線を検出するγ線検出装置と、を備え、前記光検出装置は、前記陽電子線源から前記陽電子が前記被測定試料中に入射された際に発生するチェレンコフ光を検出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被検査物の寸法を測定して被検査物がある程度決まった寸法のものか否かを検査する。
【解決手段】幅算出手段１９ａは、Ｘ線検出器１０の素子間の距離に対し、Ｘ線発生器９から被検査物Ｗの表面までの距離Ｙ１とＸ線発生器９からＸ線検出器１０までの距離Ｙ２との比率を乗じた値を濃度データに対する搬送幅方向Ｙの単位寸法とし、この搬送幅方向Ｙの単位寸法を基に被検査物Ｗの搬送幅方向Ｙの各種幅寸法を算出する。長さ算出手段１９ｂは、搬送速度を繰り返し速度で除算した値を濃度データに対する搬送方向Ｘの単位寸法とし、この搬送方向Ｘの単位寸法を基に被検査物Ｗの内容物の搬送方向Ｘの各種長さ寸法を算出する。この算出による得られる被検査物Ｗの外形寸法が設定入力手段１５から設定された外形寸法の許容範囲外のときに被検査物Ｗを寸法不良と判別する。 （もっと読む）

【課題】接触センサを用いることなく、また、オペレータの入力ミスがあったとしても確実にＸ線検出器と試料との干渉を防止することのできるＸ線透視装置を提供する。
【解決手段】試料ステージ３の上面と平行に平行光を出力する光電スイッチ２０を設けるとともに、その光電スイッチ２０と試料ステージ３を相対的に上下動させる上下動機構（ステージ移動機構）４を設ける一方、試料高さｈを入力する入力手段（操作部）１１を設け、光電スイッチ２０と試料ステージ３の上下方向（ｚ軸方向）距離を入力内容ｈと略一致させた状態で、試料ステージ２０をその上面に沿って移動させ、そのときの光電スイッチ２０の検出出力があった場合には、自動的に規定量δだけ光電スイッチ２０と試料ステージ３の上面との距離を増大させ、光電スイッチ２０の検出出力がなくなったときの両者間の距離Ｈを記憶し、その距離Ｈ以下に試料ステージ３とＸ線検出器２がｚ軸方向に接近しないように移動範囲やＸ線検出器２の傾動範囲を制限する。 （もっと読む）

【課題】被測定物の応力を非破壊で測定する。
【解決手段】希土類元素を含有した被測定物にレーザーまたは電子線を照射して、発生した蛍光スペクトルのピーク波数が応力によってシフトする量を測定することによって応力を測定する。凹凸のある被測定物の蛍光スペクトルのピーク強度ができるだけ高く安定するように、被測定物を揺動させて向きを調節する。これによって被測定物の形状、種類等に影響されずに、製品あるいは製品を構成する部材、素子などの応力や歪を非破壊で測定することが可能となる。また、本発明は、希土類元素の発する蛍光を利用するので、高温で変性することがなく、セラミックスなどの、高温で形成する固体物質にも適用可能である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に電子線を所定の間隔で複数回照射して、接合リーク不良発生箇所を特定でき、半導体製造工程途中のウエハで本検査を実行することにより接合形成プロセス条件の最適化を行うことができる検査方法及び装置、半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】工程途中のウエハに対して、接合が逆バイアスになる条件で、電子ビームを所定の間隔で複数回照射し、逆バイアスにおける帯電緩和の時間特性の差をモニタする。接合リークが発生した箇所は正常部よりも短時間に帯電が緩和するので、正常部と不良部で電位差が生じ、電位コントラスト像で明るさの差として観察される。この画像を取得し、リアルタイム画像処理を施し、不良部の位置と明るさを記憶する動作を順次繰り返すことにより、指定領域の自動検査を実施できる。不良部の画像、明るさ、分布等の情報は、検査後自動的に保存・出力される。 （もっと読む）

【課題】分散染色法は、浸液とアスベストの屈折率差で分散色がつくが、結晶によっては分散色が薄くアスベストかどうか判別ができない場合がある。大気中から採取した試料から作成した標本では透明化したろ紙とアスベストとを同じ視野内で位相差観察する。アスベストによるコントラストが少ない場合、ろ紙繊維の影響を排除する必要がある。
【解決手段】アスベストに偏光特性があるので、顕微鏡光路中に偏光板が配置されていれば、偏光板の回転により見ている結晶がアスベストであれば観察する色が変化する。顕微鏡において偏光板を回転可能に設けて、観察しながら、偏光板を回転すると、偏光特性を有するアスベストは色が変化して観察されることにより、アスベストと、他のロックウールやろ紙繊維と区別することができる。 （もっと読む）

【課題】分散染色法は、浸液とアスベストの屈折率差で分散色がつくが、結晶によっては分散色が薄くアスベストかどうか判別ができない場合がある。大気中から採取した試料から作成した標本では透明化したろ紙とアスベストとを同じ視野内で位相差観察する。アスベストによるコントラストが少ない場合、ろ紙繊維の影響を排除する必要がある。
【解決手段】アスベストに偏光特性があるので、顕微鏡光路中に偏光板が配置されていれば、偏光板の回転により見ている結晶がアスベストであれば観察する色が変化する。顕微鏡において偏光板を回転可能に設けて、観察しながら、偏光板を回転すると、偏光特性を有するアスベストは色が変化して観察されることにより、アスベストと、他のロックウールやろ紙繊維と区別することができる。 （もっと読む）

【課題】 マウスを用いて移動方向と移動速度を同時に制御することができるようにしたＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】 Ｘ線源１１とＸ線検出器１２との間において被測定物を載置するステージ１４と、ステージ上の被測定物とＸ線測定光学系１３との位置関係を調整する駆動部１５と、モニタ画面２４ａと、Ｘ線検出器１２により撮影された映像信号に基づいて透視Ｘ線画像を作成するＸ線画像作成部３１と、モニタ画面に透視Ｘ線画像の画像表示を行うＸ線画像表示制御部３２と、モニタ画面の任意の位置にポインタを表示するとともにクリック操作によりポインタの位置を指定するマウス２３と、モニタ画面２４ａに表示した透視Ｘ線画像２４ｂ上でマウスのクリック操作による位置指定が行われたときに、指定位置に応じて駆動部１６に対する駆動信号を発生する駆動信号発生部３３とを備える。 （もっと読む）

本発明の１つの態様によれば、基板処理システムが提供される。このシステムは、チャバを囲むチャンバ壁と、基板を支持するようにチャンバ内に位置付けられた基板支持体と、基板上の材料から光電子を放出させる電磁放射線を基板支持体上の基板に放出させる電磁放射線源と、基板から放出された光電子を捕らえるアナライザと、チャンバ内に磁場を発生させ基板からアナライザに光電子を誘導する磁場発生器と、を含む。
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【課題】 ステージ移動の際の被測定物とＸ線測定光学系との衝突危険性を判断し、衝突防止を図る。
【解決手段】 Ｘ線源１１とＸ線検出器１２との間に被測定物が位置するように被測定物を載置するためのステージ１４と、ステージを並進および回転するステージ駆動機構１５と、ステージ上に載置された被測定物を撮影する光学カメラ１６と、ステージを回転しつつ被測定物を光学カメラで撮影したときの画像データに含まれる被測定物の軌跡データに基づいて被測定物とＸ線測定光学系との衝突危険領域を設定する衝突危険領域設定部３２と、設定した衝突危険領域に基づいてステージを移動する際の衝突危険性を判定する衝突判定部３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＥＢ欠陥検査をしなければならないマスク上の最小限の領域を自動的に検査することを可能にし、高精度の欠陥検査を最小時間で行うマスク欠陥検査方法、マスク欠陥検査装置、および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一形態のマスク欠陥検査方法は、被検査マスクに対して、光を用いた欠陥検査のための光欠陥検査感度を設定し、前記被検査マスクに対して、電子ビームを用いた欠陥検査のためのＥＢ欠陥検査感度を設定し、前記被検査マスクのパターンデータと必要欠陥検査感度に関する情報とを関連付けて欠陥検査データを作成し（Ｓ３）、前記欠陥検査データと前記光欠陥検査感度を光欠陥検査装置に入力し、前記光欠陥検査感度に関連する前記パターンデータの領域を欠陥検査し（Ｓ７）、前記欠陥検査データと前記ＥＢ欠陥検査感度をＥＢ欠陥検査装置に入力し、前記ＥＢ欠陥検査感度に関連する前記パターンデータの領域を欠陥検査する（Ｓ９）。 （もっと読む）

【課題】略同じ色相を有する複数の塩化ビニル樹脂成形体を識別する識別方法、及びこの識別方法に使用される塩化ビニル樹脂成形体を提供する。
【解決手段】半導体若しくは液晶の製造の際に使用される略同じ色相を有する塩化ビニル樹脂成形体の少なくとも１つに、塩化ビニル樹脂成形時に通常添加されない識別物質１を含有させる。この成形体にＸ線や電磁波などのエネルギーを照射し、識別物質１の励起により放射される特有の蛍光Ｘ線や励起光を検出することで、識別物質１を含まずに前記蛍光Ｘ線や励起光を放射しない成形体と識別する。識別物質１としては、酸化アルミニウムにクロムイオンを添加したものや蛍光剤などが用いられる。 （もっと読む）

【課題】
半導体デバイス等の基板上に回路パターンを形成するデバイス製造工程において、製造
工程中に発生する微小な異物やパターン欠陥を、高速で高精度に検査できる装置および方
法を提供すること。
【解決手段】
表面に透明膜が形成された被検査対象物に対し、高ＮＡ対物レンズを真空チャンバ内に設置し、対物レンズ内に照明光路を設けたことにより、暗視野照明を可能にし被検査対象物表面の異物または欠陥の反射散乱光を高感度に検出できるようにした。 （もっと読む）