【課題】高精度に試料の不純物濃度分布を測定する方法を提供する。
【解決手段】本発明の試料の不純物濃度分布を測定する方法は、走査工程、フィルタ工程、二次電子の強度を測定する強度測定工程、ハイパスフィルタ１７のカットオフエネルギー値Ｅｃを段階的にＮ−１回上昇させる工程、及び、二次電子の強度のエネルギー分布曲線ＲＬ、ＲＨを評価する工程とを備える。カットオフエネルギー値Ｅｃの各段階において、走査工程、フィルタ工程、及び、強度測定工程が行われる。ｍを１以上Ｎ以下の任意の整数、ｐを１以上Ｎ−１以下の任意の整数、ｍ段階目のカットオフエネルギー値ＥｃをＥ_ｍ、カットオフエネルギー値ＥｃがＥ_ｍである際に測定された二次電子の強度をＩ_ｍとしたとき、Ｉ_ｐ＋１−Ｉ_ｐの値を、Ｅ_ｐ以上Ｅ_ｐ＋１以下のエネルギーを有する二次電子の強度とみなす。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線の吸収効果を考慮した被検知物の位相変化に関する像を得ることのできるＸ線撮像装置および撮像方法を提供する。
【解決手段】 Ｘ線を空間的に分割する分割素子と、遮蔽素子を複数有する遮蔽手段を有する。また、第１の検出画素と第２の検出画素を含む画素群を複数有する検出手段を有する。第１の検出画素で検出されるＸ線は前記遮蔽素子によりＸ線の一部が遮蔽されるように構成されている。第１の検出画素と隣り合う第２の検出画素で検出されるＸ線は遮蔽素子によりＸ線が遮蔽されないように構成されている。 （もっと読む）

【課題】前段のデジタルフィルタの時定数とその入力信号とのフィッティングのずれに起因してフィルタ出力であるバイポーラ波形に歪みが生じた場合でも、ピークの誤検出を防止する。
【解決手段】第１ピーク認識部１０において比較部１８は、負の最小値を検出した後に検出された正の最大値が、上記負の最小値に所定の係数αを乗じた値以上である場合に出力を「１」とし、ＡＮＤ回路１９はピーク検出信号を出す。これにより、大きい信号波形の後のノイズ信号をピークとして検出すること回避する。一方、第２ピーク認識部２０において比較部２４は正の最大値の位置からセンター値に戻る迄の時間が時間閾値β未満である場合出力を「１」とし、ＡＮＤ回路２５はピーク検出信号を出す。これにより、第１ピーク認識部１０で検出できない小さな正規のピークを検出することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体や絶縁物の残渣物質による欠陥の検出を容易とする。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板を検査するためにアレイに印加する検査信号と同期させて、ＴＦＴアレイ基板の表面に光を照射することによって電極の電圧変化を強調させることで、半導体や絶縁物の残渣物質による欠陥の検出を容易とする。ＴＦＴアレイ基板のパネルに所定電圧の検査信号を印加してアレイを駆動し、このパネル上に電子線を照射して走査し、電子線走査で検出される検出信号に基づいてＴＦＴアレイ基板のアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置において、パネル上に電子線を照射する電子線源と、電子線走査による二次電子を検出して検出信号を出力する二次電子検出器と、二次電子検出器の検出信号を用いて欠陥を検出する欠陥検出部と、パネルに検査信号を印加する検査信号駆動部と、ＴＦＴアレイ基板の表面に光を照射すると光照射部と、検査信号駆動部と光照射部とを同期制御する制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】量産品で安価なＸ線管を用いて、高いＸ線管電圧にて高出力線量の白色Ｘ線を発生させると共に、白色Ｘ線からローパスフィルタ手段により低エネルギー域の軟Ｘ線を高線量で抽出して試料に照射可能なＸ線測定装置を実現する。
【解決手段】Ｘ線源から出射される軟Ｘ線を含むＸ線を試料に照射し、試料の透過線量をＸ線検出器で検出するＸ線測定装置において、
前記Ｘ線源より円錐状に出射されたＸ線ビームを、スライスした扇状ビームＸ線に生成するコリメータと、
前記扇状ビームＸ線を所定の角度で入射し、反射した前記軟Ｘ線を前記試料に照射する反射ミラーと、
を備える。 （もっと読む）

【課題】 電子線を使う半導体検査装置のスループットを向上する。
【解決手段】
電子線を試料に向けて照射する電子源１４・６と、該試料を保持する試料ステージ１４・２２と、該電子ビームの試料へ向けた照射によって該試料の表面の情報を得た電子を検出する検出器１４・４と、該検出器１４・４に検出された電子に基づいて試料表面の画像を生成する画像処理ユニット１４・５と、電子源１４・６から試料ステージ１４・２２への１次電子光学系と試料ステージ１４・２２から検出器１４・４への２次電子光学系を分離するウィーンフィルタ１４・３と、を備え、電子銃１４・６から放出された電子線はウィーンフィルタ１４・３においてクロスオーバを形成すると共に、試料表面から放出された放出電子はウィーンフィルタ１４・３においてクロスオーバを形成し、１次電子光学系と２次電子光学系のクロスオーバの位置は、ウィーンフィルタ１４・３上で異なっている。 （もっと読む）

【課題】ＳＩＭＳ装置にＦＩＢ装置を設置させること無く、試料表面の大気汚染と帯電を低減し、かつ残存元素のスパッタを抑制する。
【解決手段】分析対象物１０の表面における所定領域１４から発生する二次イオン２５に基づいて所定領域１４における深さ方向の分析を行う質量分析法において、所定領域１４の周囲に、質量分析を行う深さよりも深く、一次イオンビームの照射範囲２３よりも広い凹部１５を形成する凹部形成工程と、所定領域１４および凹部１５を含む分析対象物１０の表面に導電膜１３を形成する導電膜形成工程により質量分析用の試料１６を作製する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、セル検査を用いて、基板表面に存在する欠陥を容易かつ高精度に検出することができる基板表面の検査方法及び検査装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 表面に複数の材料を含む基板１０上の欠陥３２を検査する基板表面の検査方法であって、
前記複数の材料のうち少なくとも２種類の材料のコントラストが所定範囲内となるようにランディングエネルギーが設定された電子ビームを、前記基板の表面に照射する電子ビーム照射工程と、
前記基板から発生した電子を検出し、前記２種類の材料からなるパターンが消去された又は薄くなった状態で前記基板の表面画像を取得する工程と、
取得された該表面画像において、背景画像と区別できるコントラストを有する対象物の像を、前記欠陥３２として検出する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
タンパク質等の高分子構造におけるカイラリティ分布や、磁区構造の解析を高分解能で行うことが可能な走査電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】
レーザー201と半導体202を備えたスピン偏極電子源等を搭載した走査電子顕微鏡を用いて、スピン偏極電子線203を照射した試料208からの反射電子209の強度やスピン偏極度を反射電子検出器210などを用いて測定することにより、試料208内部の高分子のカイラリティ構造や磁化ベクトルを可視化することができる。 （もっと読む）

本発明はイオンビーム顕微鏡を用いた試料検査に関するものである。幾つかの実施形態では、本発明は、各検出器は試料についての異なる情報を提供する複数の検出器を用いるものである。
（もっと読む）

【課題】
電子線を応用した検査装置では、電子像を取得して欠陥の有無を判定していたため、画像の取得時間や画像データの転送速度、画像処理の速さなどで検査速度の向上に限界が生じていた。
【解決手段】
電子レンズ１１１の後焦点面に形成される回折スポットのうち、試料１０４から垂直に反射される電子が形成する部分を遮蔽物１１７で遮蔽し、その他の反射電子線を検出器１１２で検出し、その積分強度を入出力装置１１５でモニタすることにより異物や欠陥の判定を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハのパターンの検査において、非検査領域が混在する試料でも非検査領域への電子ビームの照射を防止し、所望の検査領域を検査することができる検査装置、および検査方法を提供する。
【解決手段】電子ビームは試料の照射領域を画像化するための照射エネルギーを有し、電子ビームの走査中に電子ビームが試料へ照射するのを妨げるように電子ビームをブランキング偏向するブランキング偏向器と、電子ビームの走査中に試料を連続的に移動させるステージと、電子ビームの照射領域の選択に従って、電子ビームの非照射領域では電子ビームをブランキング偏向するブランキング偏向器へ偏向指令を送信する制御装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程途中のウエハを検査する技術として、回路パターンに電圧および温度等の電気的負荷をかけて信頼性評価を行う半導体検査方法を提供する。
【解決手段】半導体製造工程途中の回路パターンを含むウエハに対して、電子線を所定の時間照射して、回路パターンを所定の帯電電圧に帯電させる工程（ステップ９９）と、レーザー照射等により回路パターン周りの領域を所定の温度に制御する工程（ステップ１０６）とにより、回路パターンに電気的負荷を印加する。そして、電気的負荷印加の前後において、回路パターンを含む領域に電子線を照射することで二次電子画像を取得し（ステップ９０）、この電気的負荷印加の前後の二次電子画像を比較判定することで、回路パターンおよびそれを含むウエハを検査する。 （もっと読む）

【課題】被検査試料の特質により欠陥部位のコントラストが十分に得られない場合であっても、スループット低下をきたすことなく、高感度な欠陥検出性能を実現する優れた検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】被検査試料に電子線ビームを繰り返し往復ライン走査させ、試料から発生する２次電子または反射電子に基づき生成された画像から欠陥部を求めるＳＥＭ式外観検査装置において、電子線ビームの振り戻しを、画像取得、プリチャージ又はディスチャージに用いる機能を備える。 （もっと読む）

【課題】
荷電粒子ビームを用いた計測装置ないし検査装置において、検査の高感度と高安定性とを両立する。
【解決手段】
帯電制御電極A４２０の被計測試料ないし検査試料側に帯電制御電極B４２１を設置し，試料の帯電状態に応じて、帯電制御電極Bの帯電制御電極制御部４２３から一定の電圧を与えることにより、検査前に形成した試料表面の帯電状態と電位障壁の変動を抑制する。帯電制御電極制御部６６によりリターディング電位が印加され、試料と同電位に調整される帯電制御電極A４２０の更に下部に帯電制御電極B４２１が設けられることにより、一次電子ビーム19が照射されるウェハ９などの試料から放出された二次電子４０９の試料への戻り量を調整することが可能になり，高感度な検査条件を検査中安定的に維持することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】
設計データを制約条件として用い単調なパターンでも精度の良い連結画像を生成することを目的とする。設計データと画像データとのマッチングで大まかに基準位置を求めて、設計データとのズレ量を検索範囲として、隣接画像間でのマッチングを行い高速で精度の良い連結画像を生成する。
【解決手段】
本発明の画像生成方法は、走査型電子顕微鏡を用いて電子デバイスパターンを検査する画像生成方法であって、電子デバイスパターンのレイアウト情報が記述された設計データを入力して記憶した設計データファイルと、撮像位置を変えて前記電子デバイスパターンを撮像して得た複数枚の分割画像データと、前記複数枚の分割画像データと前記設計データファイルの設計データとを用いて前記複数枚の分割画像データを１枚の画像に連結する画像連結手段とで構成される。 （もっと読む）

【課題】微細に加工された半導体デバイス内の所望の箇所の３次元的構造を観察するための電子顕微鏡用試料作製装置、電子顕微鏡及びその方法を提供する。
【解決手段】試料片１０の加工にダイサーを用い、試料片上の観察対象となる部分を突起状に削り出す加工に集束イオンビーム加工を用い、試料片１０を１軸全方向傾斜試料ホルダに、突起１１の中心軸と試料傾斜軸Ｚを一致させて固定し、高角に散乱された電子で結像したＴＥＭ像を投影像として用い、再構成を行う。 （もっと読む）

【課題】
半導体装置等をはじめとする回路パターンを有する基板面に白色光、レーザ光、電子線を照射して検査し、検出された表面の凹凸や形状不良、異物、さらに電気的餡欠陥等を短時間に高精度に同一の装置で観察・検査し、区別する検査装置および検査方法を提供する。また、被観察位置への移動、画像取得、分類を自動的にできるようにする。
【解決手段】
他の検査装置で検査され、検出された欠陥の位置情報をもとに、試料上の被観察位置を特定し、電子線を照射し画像を形成する際に、観察すべき欠陥の種類に応じて電子ビーム照射条件および検出器、検出条件等を指定することにより、電位コントラストで観察可能な電気的欠陥が可能になる。取得した画像は、画像処理部で自動的に分類され、結果を欠陥ファイルに追加して出力される。 （もっと読む）

【課題】一次電子ビームと二次電子ビームとの重複領域で二次電子ビームの空間電荷効果による収差増大を抑制する。
【解決手段】電子ビームを生成して試料である基板Ｓに一次電子ビームＢｐとして照射する電子銃１１と、一次電子ビームＢｐの照射を受けて基板Ｓから放出される二次電子、反射電子および後方散乱電子の少なくともいずれかを検出して基板Ｓの状態を表わす信号を出力する電子検出部３０と、上記二次電子、上記反射電子および上記後方散乱電子の少なくともいずれかを導いて二次電子ビームＢｓとして拡大投影し、電子検出部３０のＭＣＰ検出器３１の検出面に結像させる二次光学系２０と、を備える基板検査装置１に、一次電子ビームＢｐの軌道と二次電子ビームＢｓの軌道との重複領域が縮小するように一次電子ビームＢｐを偏向する偏向器６８をさらに設ける。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、検査対象となる回路パターンの画像をモニタ画面を通して検査する際に、その画面の正確な情報により迅速に処理できると共に、製品全体に及ぶ欠陥又は特定領域における欠陥を迅速に検知することができる回路パターンの検査装置を提供することにある。
【解決手段】本発明は、ウェーハの回路パターンが形成された基板表面に電磁波又は荷電粒子線を照射し、該照射によって前記基板から発生する信号に基づいて得られる検査画像から前記回路パターン上の欠陥を検出する回路パターンの検査装置において、前記検査画像を取得する前後において、前記検査画像の対応部分に電子線を照射し前記ウェーハの帯電状態を変化させる手順が設定される検査条件設定部を備えることを特徴とする。 （もっと読む）