【課題】 走査電子顕微鏡本体側と外部分析装置側に同等の回路を備えることなく、簡単な構成により、試料の特定領域の元素分析や元素マッピングを正しい分析位置（電子ビーム一致）で正確に行うことができる分析機能を有した分析走査電子顕微鏡を実現する。
【解決手段】 図８は電子ビームが試料の分析位置に移動中の非直線応答期間には走査ウェイト信号に基づき電子ビームの試料への照射を停止する際の各信号波形を示している。（ｊ）は走査ウェイト信号を示している。この図８から明らかなように、電子ビームが移動する際に生じる非直線応答の時間を適切に設定することで、電子ビームの正しい位置における分析データを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 未知の被検体に対しても、管電圧と管電流を容易に設定できるＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】 Ｘ線管と、このＸ線管の管電圧と管電流とを制御するＸ線制御部と、被検体を透過したＸ線を検出するＸ線検出器とを有し、このＸ線検出器で得られた被検体の透過データから透過画像を作成するＸ線検査装置において、Ｘ線管の管電圧と管電流を設定する管電圧管電流設定部と、管電圧または管電流の設定を変えたときに表示部にリアルタイムで動画表示される透過画像の階調をリアルタイムで略一定に保ち表示させるようにする階調保持手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は探針による試料電位分布像の取得方法及び装置に関し、試料の微小電圧変動を捉えることが可能な探針による試料電位分布像の取得方法及び装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 試料１４のパターン面に接触させる第１の探針と第２の探針とからなる２本の探針１１，１２と、試料１４上を電子ビーム又はイオンビームで走査する走査手段と、試料１４上の任意の位置の電位を前記２本の探針を用いて検出する電位検出手段１８と、該電位検出手段１８の出力と電子ビーム又はイオンビームとを同期させて試料電位分布像を取得する取得手段２１とを有して構成される。 （もっと読む）

【課題】 素早いレスポンスのもとにオペレータが透過放射線量の適否を直感的に把握することのできるコーンビームＣＴ装置を提供する。
【解決手段】 放射線エリアセンサ２の出力に基づく被写体Ｗの放射線透過像を表示するとともに、その放射線透過像上のスライス面に直交する方向で、あらかじめ設定されたラインＬＶ１，ＬＶ２、あるいは同方向で任意に設定できるラインＬＶ３に沿ったラインプロファイルＰ１〜Ｐ３を算出して表示する。各ライン、ＬＶ１〜ＬＶ３を放射線透過像上での回転軸Ｒに沿った位置や端部など、放射線の透過しにくい位置や透過しやすい位置などの特異位置としておけば、多数の断層像を再構成する場合にも直感的に放射線量の適否を判断することができる。 （もっと読む）

【課題】 感光体等の試料の絶縁耐性をμｍオーダーの精密度で評価する。
【解決手段】 絶縁耐性を評価すべき試料０を保持手段により保持し、帯電手段により帯電させて厚さ方向に電界強度を与え、走査手段１１Ａによる荷電粒子ビームで２次元的に走査し、走査により検出信号を信号検出手段２５で得、得られた検出信号に基づき、試料０の絶縁耐性を評価する。 （もっと読む）

【課題】 走査電子顕微鏡による試料観察に引き続いてＸ線分析を実行する場合に、試料の位置がＸ線を効率良く取り込める位置から外れていることでＸ線分析が失敗してしまうことを回避する。
【解決手段】 ＳＥＭの試料観察が終了して（Ｓ１）Ｘ線分析が開始されると（Ｓ２、Ｓ３）、合焦状態となっている対物レンズの励磁電流に基づいて試料観察終了時の試料位置を検知し、その位置がＸ線分析に適切な位置であるか否かを判定する（Ｓ４）。適切でない場合にはＸ線分析を中断し、警告メッセージを表示する（Ｓ６、Ｓ７）。この警告に対してオペレータが自動調整を選択すると（Ｓ８）、現在の試料位置と目標位置との差に基づいて試料ステージを自動的に移動させ（Ｓ９、Ｓ１０）、Ｘ線分析を再開する。したがって、試料位置が適切でない状態でＸ線分析が行われてしまうことを防止できる。 （もっと読む）

【課題】軸方向に分離している線源素子アレイを使用する３次元コンピュータ断層撮影システムにおける軸方向のサンプリングギャップを解決する。
【解決手段】個別のＸ線素子及び検出器を患者又は対象物に対してｚ軸方向に平行移動させる。線源は１回転すると同時に、ｚ軸方向に配置された線源素子同士の間隔に相当する距離だけ軸方向に平行移動する。小さい平行移動動作は、個別の線源の横列位置を通る軸平面が、個別の線源の横列位置と交わる軸平面と区別されることのないように設計される。このことにより、システムのｚ依存と、それに関係するサンプリングの問題を減少させる。 （もっと読む）

【課題】 分析中や分析後でも、分析結果の信頼性を損なう試料の帯電が生じていることを簡単に知ることができる電子プローブＸ線分析装置を提供する。
【解決手段】 試料に帯電が生ずると、照射電流値Ipに対する試料吸収電流値Iaの割合が急激に低下する現象を利用して帯電の有無を判定する。図の照射電流検出器１８によって分析開始前に照射電流値Ipが検出され、分析中は試料１１から取り出される試料吸収電流Iaを電流測定回路１９で測定する。制御／演算装置１４は照射電流値Ipに対する試料吸収電流値Iaの割合Ia/Ipを求め、データベース１５の予め定めておいた帯電の判定条件データと比較して帯電の有無を監視する。帯電が生じていると判定した場合、分析経過中に表示装置１６に表示し再測定を促したり、分析終了後に分析結果とともに帯電の有無の判定結果を表示したりすることにより、信頼性の高い分析結果を得ることができる。 （もっと読む）

パターンを走査する為の装置および方法。方法は、（ｉ）第１走査路に沿ってパターンと相互作用する等の為に荷電粒子ビームを導くステップと、（ｉｉ）第２走査路に沿ってパターンと相互作用する等の為に荷電粒子ビームを導くステップと、を含む。ビームとの相互作用の結果、パターンは、その特性の一つを変える。第１走査路と第２走査路間の距離は、荷電粒子径より大きくてもよい。第１走査路と第２走査路の各々は、複数の連続したサンプルを含み、第１走査路と第２走査路との間の距離は、隣接したサンプル間の距離より大きくてもよい。走査路の位置は、測定間、特に、測定セッション間で変更してもよい。荷電粒子ビームの横断面は、楕円面でもよい。
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【課題】 試料上での電子線照射位置に関係なくＥＥＬＳプロファイルを得ることができる電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】 スペクトラム位置補正信号供給回路２３は、スペクトラム（Ｓｐ_１，Ｓｐ_２，…Ｓｐ_ｎ）をＣＣＤカメラ１３の中央に投影させるためのスペクトラム位置補正信号Ｈを駆動アンプ１８に供給する。このスペクトラム位置補正信号Ｈは、スキャンジェネレータ１９から駆動アンプ１５に供給される電子線偏向信号Ａ’、中間レンズ励磁信号供給回路２１から駆動アンプ１６に供給される励磁信号Ｂ’、および投影レンズ励磁信号供給回路２２から駆動アンプ１７に供給される励磁信号Ｃ’に対応した信号である。投影レンズ１１を通過した電子線はスペクトラム位置移動用偏向コイル１２により偏向され、スペクトラム（Ｓｐ_１，Ｓｐ_２，…Ｓｐ_ｎ）は常にＣＣＤカメラ１３の中央に投影される。 （もっと読む）

【課題】線幅０．２μｍ以下のパターンの評価を、高いスループット、かつ、高い信頼性を確保しておこなう。
【解決手段】電子銃２から放出された電子線を矩形に成形し、試料Ｓ上の視野を走査し、その走査領域から放出された電子を写像投影光学系で拡大し、その拡大像をシンチレータ５１に結像させ、リレー光学系でＣＣＤに導き、二次元像を得る構成の電子線装置において、前記ＣＣＤには前記二次元像を映像できる面を少なくとも二つ設け、一方の面が拡大像を受像中に他の面から画像データを取り出すことを特徴とする電子線装置。 （もっと読む）

【課題】
被分析試料の表面から深さ方向の元素分布分析をすることができる電子線プローブマイクロＸ線分析方法を提供すること
【解決手段】
本発明の電子線プローブマイクロＸ線分析方法は、被分析試料５表面に電子線２を照射し、この電子線２により被分析試料５表面から誘導放出される特性Ｘ線の強度を測定する電子線プローブマイクロＸ線分析において、測定する特性Ｘ線の被分析試料５表面に対する角度を所定の範囲内で変化させて、複数の角度で特性Ｘ線の強度を測定し、各角度で測定した特性Ｘ線の強度に基づいて被分析試料５の元素分析をする。 （もっと読む）

【課題】 全ての欠陥種を検出できる最適の欠陥検査レシピを作成者の熟練度に依存することなく作成する方法を提供する。
【解決手段】 模擬正常パターンに対して高さ方向での変化と平面形状での変化とを有する模擬欠陥パターンＤＦ１〜ＤＦ３を備える模擬欠陥ウェーハ１を用いて暫定検査レシピを作成し、模擬欠陥ウェーハ１について欠陥検査を行ない、検出された欠陥データと、予め得られた模擬欠陥ウェーハ１の模擬欠陥データとを照合して欠陥検出感度を定量化し、所望の欠陥検出率が得られるまでレシピパラメータを変更して暫定検査レシピを作成する。 （もっと読む）

【課題】原子番号の低い結晶材料或いはワークに用いられる短波長Ｘ線回折測定装置及びその方法を提供する。
【解決手段】その装置はＸ線管１と、入射絞り２と、テーブル４と、サンプルまたはワーク３の位置制限部分に用いられる位置制限受光スリット５、測角器７と、検出器６と、エネルギー分析器９とを備えており、Ｘ線管１と検出器６はサンプルまたはワーク３が置かれるテーブル４の両側に位置し、検出器６は回折透過Ｘ線の受光に用いられる。本発明の短波長Ｘ線回折透過方法によれば、サンプルまたはワーク３を破壊せずに、より厚い結晶材料サンプルまたはワーク３の異なる深さと異なる箇所のＸ線回折スペクトルを測定し、コンピュータ１０でデータ処理を行い、サンプル又はワーク３における各点の位相、残留応力等のパラメーター及びその分布を得ることができる。本発明は、操作が簡単で、測定時間が短いという利点を有し、正確で、かつ信頼できるＸ線回折スペクトルを得ることができる。 （もっと読む）

本発明により、ヒール効果によって引き起こされるコーンビーム角度に依存するＸ線スペクトルの変化を考慮して、３Ｄルックアップテーブル及び３Ｄルックアップテーブルを生成する方法が提供される。３Ｄルックアップテーブルは、コーンビーム角度に依存して、各Ｘ線スペクトルごとに、すべての対応する多色減衰値について単色減衰値を含む。有利には、より少ない画像アーチファクト、例えばより少ないカッピングアーチファクトが、再構成された画像において達成される。
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【課題】低真空における電子の散乱を考慮しより高画質、高分解能と良好な像質を兼ね備えた低真空二次電子観察を可能にすることを目的とする。
【解決手段】本発明の基となっている基本原理を考慮し、対物レンズ下面に円盤状の電極を設置する事で高分解能な低真空二次電子観察を可能とする。またこの電極構造を用いて低真空用差動排気オリフィスの長さを延長した固定絞りを装備し、低真空状態における電子ビームの散乱を抑え像質の向上を可能とする。低真空SEMにおける試料周辺の残留ガス分子による二次電子増幅法と吸収電流を利用して画像を形成する方式に於いて、比較的少ない部品数で電極が作用する電界や１次電子ビームの散乱を考慮した設計によって、低真空における高分解能・良好な像質での観察を可能とする。 （もっと読む）