【課題】 結晶構造に関するより多くの情報を効率的に取得することのできる結晶評価装置および結晶評価方法を提供する。
【解決手段】 本発明にかかる結晶評価装置１００は、試料を載置するための試料台１０と、前記試料台１０に載置された試料３２にＸ線を照射するためのＸ線源１２と、前記試料３２に照射されることにより生じた回折Ｘ線を検出するＸ線検出部１４と、前記試料３２にレーザ光を照射するためのレーザ光源１６と、前記試料３２に照射されることにより散乱したラマン散乱光を分光する分光器１８と、前記分光器１８が分光したスペクトルの強度を検出する光検出部２０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 表面分析方法及び表面分析装置に関し、補正用の荷電粒子に起因する熱的ダメージを緩和させて本来の試料の素性を反映する分析結果を得る。
【解決手段】 絶縁性或いは半導電性の試料１に一次エネルギー粒子２を照射するとともに、一次エネルギー粒子２の照射或いは二次荷電粒子３の発生に伴う試料１の帯電を、帯電の極性と反対の極性の荷電粒子を照射して補正する際に、試料１が所定温度以下になるように補正用の荷電粒子４の量、エネルギー、或いは、収束度の少なくとも一つを制御する。 （もっと読む）

【課題】未知の被検体に対しても、管電圧と管電流を容易に設定できるＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線管１１と、このＸ線管１１の管電圧と管電流とを制御するＸ線制御部１５と、被検体２１を透過したＸ線２２を検出するＸ線検出器１２とを有するＸ線検査装置１において、Ｘ線検出器１２で検出した被検体の透過画像からこの透過画像のコントラストとノイズとの比であるコントラスト対ノイズ比を算出し、このコントラスト対ノイズ比に基づいてＸ線管１１の管電圧及び管電流の最適な値を求めてＸ線制御部１５に出力する自動管電圧管電流設定部１３ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】 走査のため放射線源と検出器との間に物品を移動させるクレーンシステムに隣接して配置された放射線源および検出器を具備してなる放射線走査システムを提供する。
【解決手段】 放射線源および／又は検出器はクレーンシステムにより支持させても、あるいはその近傍に配置させてもよい。好ましくは、放射線源および検出器はクレーンシステムにより支持させるか、又はクレーンシステムにより画成される輪郭内に配置させる。この放射線走査システムは船舶運搬貨物などの運搬貨物を、船舶に対する積み下ろしの際に走査するのに特に適している。物品を検査する方法も同じく開示されている。
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【課題】帯電が蓄積しやすい試料に対して電子線を照射し続けると、帯電電位が経時変化することにより電子線画像の位置や焦点がドリフトするため、高感度・高安定での検査が困難である。
【解決手段】ウエハ上部の帯電制御電極用電源の電極電位を低くしていくと、画像の明るさが低下してくる。画像の明るさが一定の領域は正帯電の状態であり、暗くなる領域は負帯電の状態である。従って、正帯電の状態と負帯電の状態との境目、すなわち明るさの変化点が正帯電と負帯電とが切り替わる点であり、帯電が弱い状態である。この変化点を検査条件として設定することにより帯電量を抑制し、安定したウエハの検査を行うことができる。印加電圧V1が変化点であると推定され、大まかには、印加電圧V1の近傍の破線で囲まれた領域の電圧範囲内に含まれる。この電圧範囲内であれば、検査条件における帯電の影響を低減できる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの測定、検査、欠陥レビュー用などの走査電子顕微鏡において、画像を撮像する時間の短縮と高画質撮像の両立を実現する。
【解決手段】大ビーム電流を用いて低倍画像を撮像し、小ビーム電流を用いて高倍画像を撮像し、ビーム電流の変化によって発生する撮像画像の輝度変化、焦点ずれ、アライメントずれ、視野ずれを補正する制御量を予め全体制御系１１８内のメモリに保存しておき、ビーム電流を切り替える都度これを補正することにより、電流を切り替えた後の調整作業なしで画像を撮像することを可能にする。また、電子ビームの照射経路中に絞り８０１を設けることにより、電流切り替え時間を短縮する。 （もっと読む）

【課題】短い作用距離、コンパクトなデザインで、試料の高速かつ高品質な撮像を可能にすると同時に、画像コントラストの増強をもたらす分析システム及び荷電粒子ビーム装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームの荷電粒子を偏向及びエネルギー選択する荷電粒子ユニットに関する。荷電粒子ビームを偏向及び焦点合わせするための二重焦点セクターユニット４２５，４４５及び電位を形成するためのエネルギーフィルタ４６０が設けられ、これにより荷電粒子ビームの荷電粒子は、荷電粒子のエネルギーに応じて電位鞍点において方向を転換される。 （もっと読む）

【課題】小型で測定精度の高い非破壊検査装置を提供。
【解決手段】電子加速器16にてパルス状の電子線22をターゲット18に入射させて制動放射Ｘ線を発生させ、これを検査対象物10に照射する。検査対象物10を透過したＸ線28をシンチレータ30で受け、発生した光を光検出器32で対応する電気信号34に変換する。パルス状電子線が発生している期間Ｔあるいは検出器の信号遅れも考慮した期間Ｔ’、電気信号34を積算する。さらに、この積算を複数のパルスにおいてくり返す。このようにして、積算値から検査対象物10におけるＸ線の透過量を計測し、検査対象物10の形状特性を検査することができる。 （もっと読む）

【課題】白色光・レーザ光、あるいは電子線を照射して形成された画像を用いて微細な回路パターンを検査する技術において、検査に必要な各種条件を設定する際にその操作性効率を向上するめの技術を提供する。
【解決手段】回路パターンが形成された基板表面に光、あるいは光および荷電粒子線を照射する手段と、該基板から発生する信号を検出する手段と、検出手段により検出された信号を画像化して一時的に記憶する手段と、上記記憶された当該領域の画像を他の同一の回路パターンが形成された領域と比較する手段と、比較結果から回路パターン上の欠陥を判別する手段からなる回路パターンの検査装置であって、検査用および検査条件設定用の操作画面に操作内容あるいは入力内容を表示する画面領域とその画面を表す項目名を表示する手段を備えており、且つ該項目名は該操作画面領域で一体化して表示する。 （もっと読む）

【課題】レシピ作成及び欠陥確認の使い勝手がよく、かつ迅速に行うことのできるパターンの検査装置を提供する。
【解決手段】欠陥確認画面は、ウェハマップを表示する「マップ表示部」６１、欠陥画像を一覧表示する「画像表示部」６２、欠陥の詳細情報を表示及び設定する「リスト表示部」６３、選択された欠陥項目についてグラフ表示する「グラフ表示部」６４を有する。それぞれの表示部は連動して動作し、選択されたマップ情報に対応して欠陥画像、欠陥情報リスト、欠陥グラフが変化する。これら情報を利用して入力された分類コード及びクラスタリング条件及び表示フィルタはレシピに登録される。 （もっと読む）

照射量変調照射システムは電子ビームを方向付けるためのグリッド電極（１１０、１１２）を有する静電グリッドを有するＸ線管（２０）を有する。グリッドバイアスは、電子ビーム（９４）の第１時間変化強度変調を生成するグリッド電極（１１０、１１２）に時間変化電気バイアスを加えるために備えられている。フィラメントの電流（８０）は、電子ビーム（９４）の第２時間変化強度変調を生成するように変調される。制御器（５２）は、結合された時間変化強度変調を生成するように第１及び第２時間変化強度変調の強調的な結合を制御する。
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【課題】加速電圧、WD、ラスターローテーションなどの、任意の観察・分析条件下において、高精度な画像ドリフト補正を行う。
【解決手段】ドリフト検出用の基準画像を取得するときに、イメージシフト量の異なる画像も同時に取得して、イメージシフト感度を随時計測する。この基準画像とイメージシフト感度を自動的に登録し、ドリフト補正時にこれら登録条件に従って、ドリフト量検出とイメージシフト制御（ドリフト補正）を行う。 （もっと読む）

【課題】
電子線を照射し、その二次電子などを検出する検出系では高速で検出するには検出器の面積が重要なファクタである。現在の電子光学系、検出器の技術では一定以上の面積の検出器が必要で、面積に逆比例する周波数で制約を受け、２００Msps以上の検出は実質的に困難である。
【解決手段】
例えば必要面積４mm角、４mm角時の速度を１５０Mspsとして４００Mspsで検出するには、単体の高速な２mm角の検出器を４個並べ、それらを増幅後、加算してA/D変換する。又は、二次電子偏向器で順次８mm角の検出器に二次電子を入射させ、１００Mspsで検出、A/D変換後並べる。いずれも、４mm角の面積と４００Mspsの速度を達成可能である。
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【課題】電子顕微鏡で観察される回折像を用いた各種結晶試料のナノメータ分解能を有する歪み、応力を測定し、２次元分布のための装置、手法方法を実現することを目的とする。
【解決手段】電子線を試料に微小かつ平行に照射し、これにより得られる結晶構造を反映した回折像のスポット間距離を画素検出器もしくは位置検出器で測定し、測定位置情報と合わせて電子顕微鏡拡大像上に応力の２次元分布を重ねて表示する。
【効果】高速かつ高分解能で微小な結晶中の歪み、応力を試料の構造情報に合せて表示できる。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＡ検出器と低速アルゴンイオン銃とを備えたオージェ電子分光装置を用いた元素分析方法において、従来より定量誤差が少ない元素分析方法を提供する。
【解決手段】電子銃と同軸に配置されたＣＭＡ検出器と低速アルゴンイオン銃とを備えたオージェ電子分光装置において、低速アルゴンイオン銃を用いてイオンエッチングを行った後、電子を照射してＣＭＡ検出器を用いて単結晶含有試料のオージェ電子を検出するにあたり、電子銃の軸の延長線と試料設置面との交点を通る試料設置面の法線と前記電子銃の軸の延長線とのなす交角および／または試料設置面の法線回りの試料設置面の回転角を変化させたときのシグナルの強度の変化が少なくなるように、前記交角および／または前記回転角を調整し、検出したオージェ電子から該試料に含有される元素の定量を行う元素分析方法。 （もっと読む）

【課題】 任意の試料（生細胞など生の生物試料を含む）に対して、前処理を全く必要とせず、大気圧の状態で観察を行うことができる電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】 真空筐体１００に電子透過膜（例えば、コロジオン膜）１３２付きの微小なオリフィス１３０を設けて差動排気を行う。また、電子線Ｂを走査する代わりに、可動ステージ２０２（特にスキャナ２０４）を用いて試料Ｓを走査する。さらに、試料Ｓを電子透過膜（コロジオン膜）１３２に近づけて、電子線Ｂの照射による試料Ｓからの反射電子Ｒ（および二次電子）を、高真空側の上部反射電子検出器３０４と大気圧側の下部反射電子検出器３０６（ならびに高真空側の二次電子検出器３０２）を用いて検出する。
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【課題】コンタクトホールの底や内部配線を観察できるようにする。
【解決手段】コンタクトホール１０２の観察では、絶縁物１０１の表面に正の帯電１０６を作り、この電界で二次電子１０４をホール内から吸引する。絶縁物に埋没した配線では、電子ビームを試料内に進入させ、配線の有無を表面の帯電量の変化として映し出し、これを観察する。具体的には、観察前に観察時の加速電圧と異なり、積極的に正または負の帯電を起こす加速電圧で試料表面を一定時間照射し、そののち観察に適した加速電圧に戻して観察する。 （もっと読む）

【課題】走査型電子顕微鏡の撮像画像の画質を向上させる。
【解決手段】１次電子ビーム１０８を試料ウェハ１０６に照射する電子源１０１、加速電極１０２、集束レンズ１０３、偏向器１０４、対物レンズ１０５等と、試料ウェハ１０６から発生する放出電子信号１０９をサンプリングしてデジタル画像を取得する検出器１１０、デジタル化手段１１１等と、取得した前記デジタル画像の記憶、表示もしくは処理を行う画像メモリ１１６、入出力部１１８、画像生成部１１５、画像処理部１１４等とを備えた走査型電子顕微鏡に、前記記憶、表示もしくは処理されるデジタル画像の画素サイズよりも細かい間隔で放出電子信号１０９をサンプリングするサンプリング手段と、サンプリングされた放出電子信号１０９を元に画素サイズを大きくしてデジタル画像を生成する画像生成処理手段とを設ける。 （もっと読む）

【課題】 電子ビームの照射により生じる基板電流を検出する技術をさらに改善し、コンタクトホールの詳細な形状や半導体デバイスの内部状態を非破壊で検査する。
【解決手段】 平行電子ビーム２を試料５に照射して試料５に流れる電流を電流計９により測定する。電子ビーム２の加速電圧を変えて測定を繰り返し、データ処理装置１０において、加速電圧の違いによる試料５への電子ビーム２の透過率の違いに基づく電流値の違いから、試料５の深さ方向の構造に関する情報を求める。 （もっと読む）

【課題】 従来の有機物顕在化方法では、被検査物表面の異物を識別するためには、薄膜を堆積させる時間を多く必要とし、異物を識別させるための作業等が煩雑であった。また、被検査物表面の異物を識別する際には、被検査物を不活性ガスが封入された特別な環境下に置く必要があるため、異物の存在を容易に確認することができなかった。
【解決手段】 被検査物である基板１の表面に１次電子源７２からの電子線、およびイオン源７３からの不揮発性ガスイオンを照射し、電子線および不揮発性ガスイオンが照射された基板１から発生する２次電子を２次電子検出器７４により検出して、基板２表面に存在する有機物１４を識別する。また、基板１の表面に金属薄膜１９を成膜し、金属薄膜１９が成膜された基板１表面に光を照射して、光の干渉により生じる、有機物１４が存在している部分と存在していない部分とのコントラスト差を識別する。 （もっと読む）