【課題】進行中の測定値に応答して検出器回路のパラメータをリアルタイムで設定し、かつ変更する蛍光Ｘ線分析方法及び装置の提供。
【解決手段】サンプルの元素組成及び／又はエネルギ分解能条件に従って、Ｘ線検出器１１４のシェーピング時間及び／又は他のパルス処理パラメータを適合させる方法及び装置。Ｘ線１０４はＸ線源１０２からサンプル１１０に向けられ、これに応答してサンプルから放出される放射線（例えば、元素組成の特徴を有する蛍光発光した放射線）１０８が、入射放射線のエネルギ及び強度を示すパルスを発生するＸ線検出器１１４により検出される。元素組成の最初の分析に基づいて、シェーピング時間及び／又は他のパルス処理パラメータが、対象とするスペクトル領域内のエネルギ分解能の拘束を受けるカウント速度を最適化すべく設定される。 （もっと読む）

【課題】多重イメージング・エネルギ源を用いるＣＴシステムを提供する。
【解決手段】ＣＴシステム（１０）は、ガントリ（１２）の開口部（４８）を通るＸ線（１６）を投射するＸ線源（１４）を含む。Ｘ線源は、ターゲット（１００）へ第１及び第２の電子ビーム（１１４、１１６）をそれぞれ放出する第１及び第２の陰極（１０２、１０４）と、第１及び第２の陰極にそれぞれ結合された第１及び第２のグリッディング電極（１０８、１１２）とを含む。本システムは、第１及び第２の陰極を第１及び第２の電圧までそれぞれ付勢する発生装置（２９）と、ガントリの開口部を通過したＸ線を受け取る検出器（１２３）と、第１及び／又は第２のグリッディング電極にグリッディング電圧を印加して第１及び／又は第２の電子ビームの放出を阻止し、また検出器からイメージング・データを取得するように構成されている制御装置（２８）とを含む。 （もっと読む）

【課題】 高拡大率で、被検体の高分解能高品位の３次元画像を得ることにある。
【解決手段】 Ｘ線ビームを照射するＸ線源３と、被検体１から透過してくるＸ線ビーム２を検出するＸ線検出器４と、Ｘ線ビーム内で、Ｘ線ビーム中心線の方向に対し９０度より小さなラミノ角で交差する回転軸ＲＡに対し、被検体１とＸ線ビームとを相対回転させる回転手段６と、Ｘ線検出器４で検出したＸ線透過像から３次元画像を作成する制御処理部１２とを備え、制御処理部１２は、被検体１とＸ線源３との間で干渉しない回転可能範囲に基づき、半回転を超え１回転を満たない角度範囲で回転され所定の回転角度毎にＸ線ビームの透過像をＸ線検出器４で撮影するスキャン制御部１２ａと、Ｘ線検出器４で検出された多数の透過像から被検体の３次元画像を作成する再構成部１２ｃとを設けた構成である。 （もっと読む）

【課題】放射線トモシンセシス撮影装置において、散乱放射線の影響の排除を行うとともに、放射線源の利用効率を向上させる。
【解決手段】被写体に向けて放射線を射出する多数の放射線源１ａを有し、各放射線源１ａから射出されて被写体を透過した放射線が被写体の投影像の一部分を形成するように多数の放射線源が分散配置された放射線照射部１を設け、各放射線源１ａが、ファンビームの放射線を射出するものであるとともに、そのファンビームの広がり角が大きい方の面が多数の放射線源１ａの配列方向と交差し、互いに平行に並ぶように配置する。 （もっと読む）

【課題】検査の高速化および解像性の向上の両方を同時に実現する。
【解決手段】所望の方向のビーム幅のみが小さくなるようにビーム整形を行ない、得られた楕円形状ビームを用いて長径方向にビームを走査することにより、短径方向の分解能を向上させる。 （もっと読む）

【課題】 電子顕微鏡の超微小焦点より発生するＸ線を用いて、Ｘ線拡大撮影を行うこと。
【解決手段】 電子顕微鏡で用いられる電子線の超微小焦点の位置に、台形の金属ターゲットを設置し、加速された電子をターゲットにあてることにより、発生する制動Ｘ線を、電子顕微鏡の加速筒（鏡筒）と直角方向に置かれたアダプター内に導き、ターゲットの近傍に設置された試料に当てる。透過したＸ線は、ターゲットから遠くに置かれたＸ線検出器によって拡大画像を得る。照射する電子線の焦点のターゲット上の位置を変えることにより、観察する試料部位と拡大率を決める。 （もっと読む）

【課題】表面を２層以上の薄膜で被覆された微小体の種類を、電子線検査における反射電子の量を計測することにより識別する。
【解決手段】微小体表面を様々な素材の薄膜で２層以上被覆する。その際、共通の素材を用いた生体分子の固定に利用する基準層と、異なる素材を用いた識別に利用する可変層により薄膜を構成する。薄膜を構成する際には抵抗加熱式蒸着装置などを用いて膜厚を厳密に制御しながら作製する。作製した微小体に電子線を照射する。入射電子が可変層に到達するよう適切な入射電子加速電圧を選択する。電子線照射により微小体から得られる反射電子像の輝度の差から、微小体可変層の素材の種類を識別する。 （もっと読む）

本発明は、複数の検出器と、制御装置と、Ｘ線源とを有し、ａ）前記制御装置は、複数の検出器の少なくとも一つから、最低Ｘ線透過レベルを検出、及び、特定し、ｂ）前記制御装置は、前記最低Ｘ線透過レベルを少なくとも一つの既定の閾透過レベルと比較し、ｃ）前記制御装置は、前記比較に基づいて、調整信号を生成し、前記Ｘ線源は、前記調整信号を受信し、前記調整信号に基づきＸ線のパルスの持続時間を調整することを特徴とするＸ線走査システムを提供する。
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【課題】円錐傾斜断層撮影装置で生じるリング状アーチファクトを低減化する。
【解決手段】Ｘ線３を照射するＸ線源４と、被検体１からのＸ線透過像を検出する検出器５と、被検体を相対的に回転軸ＲＡに対して回転させる回転手段２，６と、３次元画像を作成する制御処理部１２とを備えた装置であって、回転軸ＲＡは、Ｘ線中心線の方向に対し９０度より小さなラミノ角で交差し、制御処理部１２は、３次元サイノグラムＰ０に対し回転方向にローパスフィルタ処理してサイノグラムＰ１を得、サイノグラムＰ１に対し透過像に沿った２次元ローパスフィルタ処理してサイノグラムＰ２を得、サイノグラムＰ１からＰ２を減算してリング成分を抽出し、サイノグラムＰ０からリング成分を減算したサイノグラムＰ^＊を得るリング補正処理部１２ｃと、得られたサイノグラムＰ^＊から３次元画像を再構成する再構成部１２ｄとを有する断層撮影装置である。 （もっと読む）

【課題】マイクロリトグラフィーのための物体の検査を可能にし、短い全長を有する反射型顕微鏡を提供する。
【解決手段】物体平面内での物体を検査する反射型Ｘ線顕微鏡であって、物体は、波長＜１００ｎｍ、特に、＜３０ｎｍの光線で照明され、像平面に拡大して結像され、第１鏡と第２鏡とを含み、物体平面から像平面までの光路内に配置される第１副系とを備える。反射型Ｘ線顕微鏡が光路内で第１副系に後置されて少なくとも第３鏡を有する第２副系を含むことにより特徴付けられる。 （もっと読む）

【課題】オペレータの操作により作り出したある時点における状態に戻したり、衝突危険領域から離脱させることを、手間を要することなく確実に実現することのできるＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】ステージ３および／またはＸ線検出器２を移動させるべくオペレータが操作部２０を操作したとき、その操作履歴を記憶する記憶手段１０ａを備えるとともに、指令の付与により、記憶手段１０ａに記憶されている操作履歴を逆順で再生して移動指令としてステージ移動機構６や検出器傾動機構４等に供給することで、例えば衝突危険領域で透視している状態で指令を与えることにより、その衝突危険領域に至る前の状態に自動的にステージ３等が戻ることを可能とする。 （もっと読む）

画像化システムは、検査領域の周りを回転し、検査領域を通過する放射線を放射する放射線源（１０６，Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３）を含む。放射線源（１０６，Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３）は、画像化プロセス中に少なくとも２つの異なるエネルギースペクトルの間で選択的に交互にスイッチされる第１のエネルギースペクトルを有する放射線を放射する。システムは、検査領域を通る放射線を検出するエネルギー分解検出器アレイ（１１６，Ｄ１，Ｄ２、Ｄ３）をさらに含む。エネルギー分解検出器アレイ（１１６，Ｄ１，Ｄ２、Ｄ３）は、少なくとも２つの異なるエネルギーレンジにわたる検出した放射線を分解し、放射エネルギースペクトルとエネルギーレンジの両方の関数としてエネルギー分解した出力信号を生成する。システムは、エネルギー分解した出力信号のスペクトル再構成を行う再構成器（１２６）をさらに有する。他の一実施形態では、検出器アレイ（１１６）はフォトンカウンティング検出器アレイ（１１６）を含む。
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【課題】
タンパク質等の高分子構造におけるカイラリティ分布や、磁区構造の解析を高分解能で行うことが可能な走査電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】
レーザー201と半導体202を備えたスピン偏極電子源等を搭載した走査電子顕微鏡を用いて、スピン偏極電子線203を照射した試料208からの反射電子209の強度やスピン偏極度を反射電子検出器210などを用いて測定することにより、試料208内部の高分子のカイラリティ構造や磁化ベクトルを可視化することができる。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線システム、ＣＴシステム及び同様のシステムにおいて物質組成を算出する。特に、画像化される物質の実効原子番号を決定する又は推定することを可能にする。
【解決手段】放射線検査モダリティによって画像化された物体を形成する物質の原子番号を算出する手法を提供する。この方法は、第一のエネルギ・レベルにおいて取得された物体の第一の単色画像及び第二のエネルギ・レベルにおいて取得された該物体の第二の単色画像にアクセスするステップ（７６）を含んでいる。第一の単色画像と第二の単色画像との間の質量減弱係数の比を求めることができる（７８）。この質量減弱係数の比に基づいて物体の物質の原子番号を算出することができる（８２）。 （もっと読む）

【課題】走査対象をＣＴ撮像するスキャナを改良する。
【解決手段】走査対象１をコンピュータ断層撮像するためのスキャナが、少なくとも一のビーム２を走査対象１に照射するように配置された照射器２０と、走査対象１を透過した放射線を検出するように配置された検出器３０とを備えており、照射器２０は検出器３０に対して固定の位置を有しており、担持装置４０が照射器２０と検出器３０との間の位置に走査対象１を収容し、測定装置１０及び担持装置４０は互いに対して走査移動が可能であり、測定装置１０及び担持装置４０は、走査移動中に固定の空間配向を有する。さらに走査対象１をコンピュータ断層撮像するためのスキャン方法も記述されている。 （もっと読む）

【課題】高精細な画像が得られるとともに、検査時間も短縮できる放射線検査システム及び放射線検査の撮像方法を提供することにある。
【解決手段】検出器103は、放射線源102に対して検査対象物104を挟んで配置される。移動装置108，109は、放射線源と検出器とを検査対象物の長手方向であって、かつ同一方向に平行移動する。回転装置105は、放射線源が平行移動する軸方向に対して照射方向を回転する。中央制御装置205は、放射線源から照射される照射方向が第１の方向であるときに、移動装置を制御して、放射線源と検出器を同一方向に移動して撮像データを得、さらに、放射線源から照射される照射方向が第２の方向であるときに、移動装置を制御して、放射線源から照射される放射線を検出できる位置に検出器を移動した後、さらに、放射線源と検出器を同一方向に移動して撮像データを得る。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハのパターンの検査において、非検査領域が混在する試料でも非検査領域への電子ビームの照射を防止し、所望の検査領域を検査することができる検査装置、および検査方法を提供する。
【解決手段】電子ビームは試料の照射領域を画像化するための照射エネルギーを有し、電子ビームの走査中に電子ビームが試料へ照射するのを妨げるように電子ビームをブランキング偏向するブランキング偏向器と、電子ビームの走査中に試料を連続的に移動させるステージと、電子ビームの照射領域の選択に従って、電子ビームの非照射領域では電子ビームをブランキング偏向するブランキング偏向器へ偏向指令を送信する制御装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】ナノビーム電子回折法の格子歪測定精度を向上し、結晶試料における局所領域の応力・格子歪を高精度に測定する。
【解決手段】回折スポット１４と透過スポット１５の間隔（あるいは異なる回折スポットの間隔）１６（Ｋ）と格子面間隔ｄとの間には、Ｋ＝１／ｄの関係がある。従って、スポット間隔Ｋの変化から格子面間隔の変化、すなわち格子歪を知ることができる。コンデンサレンズ絞り２を明瞭に観察することにより、回折スポット間隔の測定精度を高くする。この結果、格子歪の測定精度が向上する。そこで、電子回折図形を観察し記録するステップにおいて、コンデンサレンズ絞り２に焦点が合うように中間レンズ１１を調整する。これにより、結晶試料４における局所領域の応力・格子歪を高精度に測定することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程途中のウエハを検査する技術として、回路パターンに電圧および温度等の電気的負荷をかけて信頼性評価を行う半導体検査方法を提供する。
【解決手段】半導体製造工程途中の回路パターンを含むウエハに対して、電子線を所定の時間照射して、回路パターンを所定の帯電電圧に帯電させる工程（ステップ９９）と、レーザー照射等により回路パターン周りの領域を所定の温度に制御する工程（ステップ１０６）とにより、回路パターンに電気的負荷を印加する。そして、電気的負荷印加の前後において、回路パターンを含む領域に電子線を照射することで二次電子画像を取得し（ステップ９０）、この電気的負荷印加の前後の二次電子画像を比較判定することで、回路パターンおよびそれを含むウエハを検査する。 （もっと読む）

Ｘ線発生装置は、Ｘ線照射の源と、源によって生成されたＸ線照射を収束する導波路束光学系と、集束されたＸ線照射を焦点に集束する集束光学系とを含む。
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