【課題】マイクロフォーカスＸ線管の許容負荷を増加させる。
【解決手段】
Ｘ線管の陰極の電子銃は熱電子を発生するカソード48と、その電子放射面49から放射された熱電子を細いビーム状の電子線18に集束する3個のグリッド電極（G1電極、G2電極、G3電極）52、54、56と、電子線18を静電偏向する2個の偏向電極（H1電極、H2電極）59、60とから成る。H1電極59とH2電極60の間に二等辺三角波の交流電圧が印加されることにより、電子線18は矢印64で示す方向に偏向され、それに伴いターゲット20上に形成される焦点32も同じ方向に移動する。その結果、ターゲット20上の焦点32の実質的な面積が増加するため、Ｘ線管の許容負荷を増加させることができる。 （もっと読む）

【課題】微小焦点Ｘ線管の陽極の温度上昇による焦点の移動量を制御可能とする。
【解決手段】Ｘ線管10には、微小焦点32を形成するための陰極12と陽極14を加熱するためにのみ用いられるエミッション陰極13の2つの陰極と、陽極14の2つの陰極12、13と対向する位置に第1のターゲット18と第2のターゲット19の2つのターゲットが設けられている。エミッション陰極13によって第2のターゲットに形成される焦点33の大きさは微小焦点32の大きさよりも大きくなっている。大きなエミッション陰極電流が得られるエミッション陰極13と微小焦点の陰極12を共用し、このエミッション陰極電流を制御することにより、従来の微小焦点Ｘ線管よりも大きなＸ線管電流を流して、陽極温度を素早く上昇し、また陽極温度を高温に維持する。その結果焦点移動量の変動を小さくできる。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビームの軌道の調整作業を容易化して調整精度を向上させることができる軌道位置ずれ検出装置，組成分析装置及び荷電粒子ビームの軌道調整方法を提供すること。また，エネルギー分解能や散乱粒子の取得効率を容易に変更することができる組成分析装置を提供すること。
【解決手段】絞り部３１と超音波モータ３２と駆動軸３３とを備えて構成された開口状態変更装置３０により，基準ビーム軸上の所定の位置に配置され荷電粒子ビームを通過させる開口部３１ａの開口径（開口状態）を変更可能とする。
また，上記開口部３１ａを通過した或いは該開口部３１ａから外れた上記荷電粒子ビームの強度を測定し，該荷電粒子ビームの強度に基づいて上記荷電粒子ビームの軌道と上記基準ビーム軸との位置ずれの有無を検出する。 （もっと読む）

【課題】不均質な対象が検査される場合に、質を一定に維持しつつも測定時間の低減が達成され得るＣＴ方法を提供する。
【解決手段】検査対象の異なる角度位置での投影データが得られるＸ線によるノンメディカル応用分野における検査対象の投影データを読み取るためのＣＴ方法に関する。本発明によれば、各角度位置を読み取るための積分時間が検査対象のジオメトリ及び角度位置における検査対象の吸収特性によることが提供される。 （もっと読む）

【課題】X線管のX線主放射方向とターゲット傾斜面との間の角度を可変とする。
【解決手段】X線管10の外囲器16の大径部40と陽極絶縁部44との間に蛇腹状に形成された可撓筒状部50を設ける。陽極12の陽極端30に引張力を与えることにより、外囲器16の可撓筒状部50が撓み（右側50aが伸長し、左側50bが収縮する）、陽極12の中心軸27がX線主放射方向51に対して傾き、X線主放射方向51とターゲット18の傾斜面28とが作るターゲット角度５２が増加するので、その結果X線照射範囲は増加する。また、陽極12の陽極端30にかける引張力を変えることにより、ターゲット角度52及びX線照射範囲の増加を変化させることができる。 （もっと読む）

【課題】凹凸の少ない、平滑な試料のＳＥＭによる観察において、像質を確認するための対象物として適当な凹凸が少なく、焦点、非点収差を調整する際、調整が困難である。
【解決手段】平滑試料面を被観察部とする走査型電子顕微鏡用試料の作成方法であって、前記被観察部近傍に非点収差補正、焦点調整用の痕を形成することを特徴とする走査型電子顕微鏡用試料の作成方法を用いることにより、高倍率の調整、観察に適したサイズの該痕を目印として非点収差補正、焦点調整をおこなうことができ、凹凸の少ない平滑面に対して観察倍率が高倍率であっても精細な像を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】システムのコスト、システム速度の観点から、Ｘ線焦点位置と検出器の視野の中心線を、画像化対象の中心と一致させる必要のない断層合成画像化技法を提供する。
【解決手段】複数の関心領域の偏軸Ｘ線画像を補足するための装置及び方法に着眼している。本装置は、放射線ビームを生成する源（１１２）と、複数の関心領域（Ａ、Ｂ、Ｃ）のサブセットをサポートする面（１２０）と、前記複数の関心領域のサブセットを通過したビームの部分を同時に受け取るように配置されたＸ線検出器（１３０）とを含んでいる。Ｘ線検出器は、ビームの受け取った部分から、複数の関心領域のサブセット内の各関心領域に対する画像の電子的表示を作成する。放射線源、サポート面、及び検出器の組合せは何れも、関心領域をビーム内に配置するため移動可能である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に電子線を所定の間隔で複数回照射して、接合リーク不良発生箇所を特定でき、半導体製造工程途中のウエハで本検査を実行することにより接合形成プロセス条件の最適化を行うことができる検査方法及び装置、半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】工程途中のウエハに対して、接合が逆バイアスになる条件で、電子ビームを所定の間隔で複数回照射し、逆バイアスにおける帯電緩和の時間特性の差をモニタする。接合リークが発生した箇所は正常部よりも短時間に帯電が緩和するので、正常部と不良部で電位差が生じ、電位コントラスト像で明るさの差として観察される。この画像を取得し、リアルタイム画像処理を施し、不良部の位置と明るさを記憶する動作を順次繰り返すことにより、指定領域の自動検査を実施できる。不良部の画像、明るさ、分布等の情報は、検査後自動的に保存・出力される。 （もっと読む）

対象物（１）の検査領域（２）を撮像するための撮像方法は、エネルギービーム源（１０）によりエネルギー入力ビーム（３）を生成する工程と、エネルギー入力ビームの複数のエネルギー入力ビーム成分（４）を用いて複数の投射方向に沿って検査領域を照射する工程とを備え、複数のエネルギー入力ビーム成分はフレームマスク（４０）を用いて形成され、このフレームマスクは、エネルギー入力ビーム（１０）と対象物との間に配置され、複数のフレームマスク窓（４１）を有している。上記方法はさらに、フレームマスクの外側に配置された外部検出器デバイス（２１）を用いてエネルギー入力ビーム成分の第１積分減衰値を測定する工程と、フレームマスクの内面に配置されたフレームマスク検出器デバイス（２４）を用いてエネルギー入力ビーム成分の第２積分減衰値を測定する工程と、第１および第２積分減衰値に基づいて検査領域の画像を再構築する工程とを備えている。さらに、対象物の検査領域を撮像する撮像装置（１００）が開示される。
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【課題】試料へのダメージを最小化し高精度の加工位置決めを行うことができる集束イオンビーム装置を提供する。
【解決手段】集束イオンビーム装置は、検出器からの二次粒子信号によって生成された原画像を画素補間により拡大し表示する。ズーム率が大きい場合には、ビーム偏向分解能の範囲内で一度画像の再取得を実施し、それを原画像として画素補間を行い、高いズーム率の画像を得る。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査装置により予め検出された欠陥を高いスループットで再検出する。
【解決手段】解像度を変更することなく、外部の記検査装置における前記欠陥位置情報の精度分布に応じて再検出の際の画像サイズまたは画素数を変更する。 （もっと読む）

ＣＴ画像を単一の回転で取得することができ、ＣＳＣＴ画像の取得は、数回の回転を必要とする。本発明の例示的な実施の形態によれば、ＣＴ／ＣＳＣＴ装置が提供され、最初の回転の間に取得されたＣＴデータを使用して、後続する回転のために取得パラメータを最適化する。さらに、後続するＣＳＣＴスキャンのために電流の変調を決定するか又は最適な電圧を設定するため、プリスキャナで取得された投影データも使用される。
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【課題】 多数のキャピラリを平行に束ねた平行端から出射したＸ線は原理的に拡がるため、平行端端面と分光結晶との距離が離れていると、一部のＸ線が分光結晶に当たらずに無駄になる。
【解決手段】 本発明に係るマルチキャピラリＸ線レンズは、平行Ｘ線を出射するための端部において、最外周に位置する複数のキャピラリの中心線が臨界角θに相当する角度だけ中心軸Ａに向くように屈曲され、それに応じて全体が絞られた形状を有する。これにより、原理的に外方に拡がろうとするＸ線はちょうど中心軸Ａに平行に進行し、端面から出たＸ線の照射範囲は端面のサイズとほぼ同一になって、該端面からの離間距離にも依存しない。 （もっと読む）

【課題】
半導体デバイス等の基板上に回路パターンを形成するデバイス製造工程において、製造
工程中に発生する微小な異物やパターン欠陥を、高速で高精度に検査できる装置および方
法を提供すること。
【解決手段】
表面に透明膜が形成された被検査対象物に対し、高ＮＡ対物レンズを真空チャンバ内に設置し、対物レンズ内に照明光路を設けたことにより、暗視野照明を可能にし被検査対象物表面の異物または欠陥の反射散乱光を高感度に検出できるようにした。 （もっと読む）

【課題】収束電子線回折（ＣＢＥＤ）像に現れる高次ラウエゾーン（ＨＯＬＺ）線に基づいて結晶の格子定数又は格子歪み量の測定・解析を行う場合において、処理時間を短縮することができる技術を提供する。
【解決手段】情報処理装置を用いて、ＣＢＥＤ像から得られるＨＯＬＺ線に基づいて格子定数を算出する結晶構造の解析方法であって、前記格子定数をパラメータとしてパラメータ設計手法を用いてシミュレーションによりＨＯＬＺ線の交点間距離の要因効果図を作成し、その作成した要因効果図から、前記格子定数をパラメータとする方程式を作成し、その作成した方程式に、観察された実際のＨＯＬＺ線の交点間距離を代入して格子定数を算出する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線透過法を用いて走行状態の塗工シートの塗工膜の単位面積当り重量および／または厚みを精度良く簡単に測定する。
【解決手段】Ｘ線源１１とＸ線検出器１２を用いて未乾燥状態の塗工シート１０の走行状態において塗工シートの乾燥後における塗工膜を測定する際、塗工シートの透過Ｘ線量を測定したデータを演算部３０で処理して塗工シート１０の塗工膜の単位面積当り重量および／または厚みをほぼ連続的に算出する。この際、未乾燥状態における塗工膜中の溶剤の含有率が一定であれば、未乾燥状態の塗工膜の溶質と溶剤のＸ線吸収量の比率は一定になる。この関係から、未乾燥時のＸ線吸収量と乾燥時のＸ線吸収量との間に一定の関係式が生じる。この関係式を用いて、未乾燥時の単位面積当り重量の測定値から乾燥後の単位面積当り重量を求めることが可能になる。溶剤の含有率が変化した場合は、含有率の変化に応じて関係式を補正すればよい。 （もっと読む）

【課題】電子カラムに使用できる、構造が単純で使用が便利な低価の検出器と、電子カラムを用いて電子を簡単に検出する方法を提供する。
【解決手段】既存のＭＣＰ(micro-channel plate)、ＳＥ(secondary electron)検出器、または半導体検出器では、自体的な構造によって電子の数が増幅される。このような増幅のために、若干の電圧差を外部から加え或いは自体的な構造および材質によって発生させる。このような過程を経た電子の電流値は外部の増幅回路によって増幅される。本発明では、マイクロカラムによって発生した電子ビームの衝突から生ずる電子を周囲の導体配線によって検出する。検出された電子は既存の方式と同様に外部で増幅回路を用いて増幅される。 （もっと読む）

【課題】低倍率のＳＥＭ像で欠陥を検出し、高倍率のＳＥＭ画像で欠陥を観察する半導体デバイスの欠陥レビューにおいて、欠陥レビューの効率をあげて短時間に多数に欠陥をレビューできるようにする。
【解決手段】半導体デバイスの欠陥を観察する方法において、検査装置で検出した半導体デバイス上の欠陥を走査型電子顕微鏡を用いて第１の倍率で欠陥を含む画像を取得し、この取得した第１の倍率の欠陥を含む画像から参照画像を作成し、取得した第１の倍率の欠陥を含む画像とこの第１の倍率の欠陥を含む画像から作成した参照画像とを比較して欠陥を検出し、検出した欠陥を第１の倍率よりも大きい第２の倍率で撮像するようにした。 （もっと読む）

【課題】 プローブ先端の３次元的座標を迅速に把握する。
【解決手段】 第１の荷電粒子顕微鏡による顕微鏡画像３５及び第２の荷電粒子顕微鏡による顕微鏡画像３６を同時に又は切り替えて表示する画像表示手段と、第１の荷電粒子顕微鏡、第２の荷電粒子顕微鏡、ステージ制御系及びプローブ駆動機構を制御する計算処理部とを有し、計算処理部は、試料上の目標位置２３とプローブ６の先端とが入った第１の荷電粒子顕微鏡の顕微鏡画像と、試料上の目標位置とプローブの先端とが入った第２の荷電粒子顕微鏡の顕微鏡画像とから、目標位置に対するプローブの先端の３次元的な相対位置を求める。 （もっと読む）

【課題】 簡易な装置構成によって試料の周囲部側面や周囲部裏面の検査を行うことができる荷電粒子ビーム装置及び荷電粒子ビームを用いた試料情報検出方法を提供する。
【解決手段】 荷電粒子ビーム装置は、荷電粒子ビーム源１と、荷電粒子ビーム６を、試料室１５内に配置された試料８に集束して照射するための対物レンズ５と、荷電粒子ビーム源１と対物レンズ５との間に位置し、荷電粒子ビーム６を偏向させるための偏向手段３と、荷電粒子ビーム６の照射に応じて試料８から発生する情報を検出するための検出器９とを備えた荷電粒子ビーム装置であって、対物レンズ５の後段側に配置され、対物レンズ５を通過した荷電粒子ビーム６を偏向して試料８に照射するための静電電極２１と、この静電電極２１に偏向電圧を印加するための偏向電圧電源２２とを有する。 （もっと読む）