【課題】 結晶子の方位や結晶の配向の程度等を極点図を用いて視覚的に明確、簡単且つ迅速に把握できるようにする。
【解決手段】 極点図のためのデータを得るＸ線測定装置と、そのＸ線測定装置によって得られた測定データを記憶するメモリと、画像を表示する表示装置と、メモリに記憶されたデータに基づいて表示装置に表示するための画像データを生成する画像データ生成回路とを有するＸ線回折装置である。画像データ生成回路は、メモリに記憶された極点図のためのデータに基づいて、極点図に対応した球面表示データであって球の中心が方位の原点である球面表示データを生成する。表示装置はその球面表示データに基づいて極点図を３次元球面図３４によって球体表示する。極点図を本来の姿である球面分布で表示するので見易くて正確な判定ができる。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも高精度に物品の滞留発生を検出することが可能なＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】 Ｘ線検査装置１０では、制御コンピュータ２０が、搬入口１１ａ、搬出口１１ｂに配置されたセンサ１７ａ１７ｂ、センサ１８ａ，１８ｂおよびＸ線ラインセンサ１４における商品Ｇの検出タイミングに基づいて、シールドボックス１１内において搬送される商品Ｇの滞留発生の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】 被測定物の形状が不揃い、かつ微量でも、測定精度良くかつ測定時間を短くすることを可能とする。
【解決手段】 物質測定装置は、被測定物を高温に熱し柔らかくする溶融ステーション３と、被測定物をプレスするプレスステーション４と、被測定物に含まれる物質を蛍光Ｘ線分析方法によって測定する測定ステーション５と、被測定物を前記各装置間で移動させる回転テーブル１とを備えている。 （もっと読む）

Ｘ線蛍光発光を使用して化学物質をスクリーニングするためのフロー装置及び方法である。本発明は、少なくとも一つの対象バインダに結合するための潜在的な薬剤化学物質の混合物をスクリーニングするための方法及び装置を含む。前記方法によれば、少なくとも一つの対象バインダを伴う潜在的な薬剤化学物質の溶液を準備した後、前記溶液は少なくとも二つの分離された成分にフロー分離される。各成分はＸ線励起ビームに被曝される。検出可能なＸ線蛍光信号を放射するいずれの成分も隔離される。
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【課題】 試料のガスとの反応量に対する試料の結晶構造等の回折結果を同時に測定可能なＸ線回折装置及び試料の測定方法を提供する。
【解決手段】
Ｘ線発生手段１とチャンバー部2-1とＸ線検出器３とを備え、チャンバー部2-1内の試料にＸ線を照射し、当該試料からの回折Ｘ線を測定するＸ線回折装置において、チャンバー部2-1を真空とする真空排気手段（符号１１，１２等）と、チャンバー部2-1に各種ガスを導入するガス導入手段（符号１３等）と、チャンバー部2-1内のガス変化量を測定するガス量測定手段（符号５，６，７等）とを有し、Ｘ線検出器３は、同時に複数の回折Ｘ線を検出できるように複数のＸ線検出素子を配列してなり、少なくともガス量測定手段とＸ線検出器とを制御すると共に、これらからデータを取得する制御手段（符号１０等）を備えたＸ線回折装置とする。 （もっと読む）

【課題】原子番号の低い結晶材料或いはワークに用いられる短波長Ｘ線回折測定装置及びその方法を提供する。
【解決手段】その装置はＸ線管１と、入射絞り２と、テーブル４と、サンプルまたはワーク３の位置制限部分に用いられる位置制限受光スリット５、測角器７と、検出器６と、エネルギー分析器９とを備えており、Ｘ線管１と検出器６はサンプルまたはワーク３が置かれるテーブル４の両側に位置し、検出器６は回折透過Ｘ線の受光に用いられる。本発明の短波長Ｘ線回折透過方法によれば、サンプルまたはワーク３を破壊せずに、より厚い結晶材料サンプルまたはワーク３の異なる深さと異なる箇所のＸ線回折スペクトルを測定し、コンピュータ１０でデータ処理を行い、サンプル又はワーク３における各点の位相、残留応力等のパラメーター及びその分布を得ることができる。本発明は、操作が簡単で、測定時間が短いという利点を有し、正確で、かつ信頼できるＸ線回折スペクトルを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 核種を同定できると共に含有量を定量化できるようにする。
【解決手段】 分析対象試料１８に、外部中性子源からパルス中性子を照射し、透過する中性子のエネルギー分布を中性子検出器２２で検出し、飛行時間測定法によって核種毎に依存する中性子共鳴ピークの凹みを観測することにより、前記試料中に含まれる核種の同定と含有量の定量を行う。分析対象試料を１次元あるいは２次元の試料駆動台１６に載せて、試料を移動してコリメートされたパルス中性子を照射し、遮蔽体によりバックグラウンドを除去した状態で透過中性子を中性子検出器によって測定すると、試料中に含まれる核種の種類と含有量の位置依存性も求めることができる。 （もっと読む）

【課題】
コンタクトホール等の半導体製造工程中の高い段差のあるパターンを持つウエハ上の欠陥を検査し、ドライエッチングによる非開口欠陥等の欠陥の位置や欠陥の種類等の情報を高速に取得可能とする。また、得られた欠陥情報から欠陥の発生プロセスや要因の特定を行ない、歩留まりを向上やプロセスの最適化の短期化を実現する。
【解決手段】
半導体製造工程中の高い段差のあるパターンを持つウエハに１００ｅＶ以上１０００ｅＶ以下の照射エネルギ−の電子線を走査・照射し、発生した２次電子の画像から高速に欠陥検査を行う。二次電子画像取得前にウエハを移動させながら高速に電子線を照射し、ウエハ表面を所望の帯電電圧に制御する。取得した二次電子画像から欠陥の種類の判定を行ない、ウエハ面内分布を表示する。 （もっと読む）

目標物体の領域の高分解能画像を構成するために使用することができる画像データを提供する方法及び装置が開示される。本方法は、放射源からの入射放射を目標物体に供給するステップと、少なくとも１つの検出器により、目標物体により散乱された放射の強度を検出するステップと、入射放射又は目標物体後方の開口を目標物体に対して高分解能で位置合わせすることなく、検出された強度に応じて画像データを提供するステップとを含む。
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