【課題】 ポインティングデバイスを用いた簡単な操作で所望の測定位置に視野調整することができるＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】被測定物を載置するステージと、Ｘ線測定光学系に対する位置が関係付けられ被測定物全体の外観画像を撮影する光学カメラと、ステージ上の被測定物とＸ線測定光学系との位置関係を調整する駆動部と、モニタ画面と、透視Ｘ線像の画像表示を行うＸ線画像表示制御部と、光学カメラで撮影された外観画像を表示する外観画像表示制御部と、入力操作に基づいて指定した測定位置をＸ線測定光学系の測定視野に移動させるための駆動部制御信号を発生するＸ線検査装置であって、外観画像上でポインタにより指定した測定位置を予め操作ボタンに登録し、登録後に操作ボタンを指定する入力によりその操作ボタンに登録された測定位置を外観画像上で指定する入力操作を代行する制御を行う操作ボタン登録制御部を備える。 （もっと読む）

【課題】１つの窓部と窓部を挟んで両側に連設された２つのＸ線遮蔽部とを一組とするＸ線シャッタ板を往復動させることにより、Ｘ線源の照射口を開閉してＸ線の照射の有無や照射時間を簡便に制御することができ、可動部が小型、軽量で省スペース性に優れるＸ線撮影用シャッタ機構の提供。
【解決手段】（ａ）窓部と、窓部を挟んで両側に連設された二つのＸ線遮蔽部と、を有するＸ線シャッタ板と、（ｂ）Ｘ線シャッタ板に連設されＸ線シャッタ板を往復動させＸ線源の照射口を開閉するシャッタ開閉機構と、を有し、照射口を開放する速度と照射口を閉塞する速度が等しい構成を備えている。 （もっと読む）

【課題】 同一形状の被測定物を次々測定する際に、ティーチングを行う必要なく簡単な入力操作で各測定点を入力することがＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】 同一形状の被測定物群を一定間隔ごとに規則的に配列する搭載治具１５を用いてステージ１４上に複数の被測定物群Ｓを載置し、初回測定点位置、測定点間距離、測定繰り返し回数を含む測定位置情報の入力を促す測定位置情報入力制御部３３と、入力された測定位置情報に基づいて各測定点位置を算出する測定点位置算出部３４と、算出された各測定点位置を順次Ｘ線測定光学系の測定視野内に移動するステージ駆動機構制御部３５とを備える。 （もっと読む）

本発明の１つの態様によれば、基板処理システムが提供される。このシステムは、チャバを囲むチャンバ壁と、基板を支持するようにチャンバ内に位置付けられた基板支持体と、基板上の材料から光電子を放出させる電磁放射線を基板支持体上の基板に放出させる電磁放射線源と、基板から放出された光電子を捕らえるアナライザと、チャンバ内に磁場を発生させ基板からアナライザに光電子を誘導する磁場発生器と、を含む。
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【課題】 試料室内の水分を低ランニングコストで効率よく吸着・再生すると同時に、外部の磁気の影響を受けにくし、総じて検出性能を高めた試料分析装置を提供する。
【解決手段】
試料分析装置１において、コールドトラップ装置１０の低温パネル８０として、特に透磁率が大きいパーマロイと、熱伝導率が大きい無酸素銅と、によるクラッド材を用いて内外で二層構造となるように形成した。低温パネル８０のパーマロイは外部からの磁気を吸収させる機能を有し、また、無酸素銅により熱の昇降速度を向上させる機能を有するため、検出性・操作性を向上させた試料分析装置１とした。 （もっと読む）

Ｘ線レンズを位置調整するための位置決め手段を提供する。
Ｘ線レンズの位置決め装置１６は、レンズ取付部４４と位置決め部４２とを備える。位置決め部４２は、Ｘ線源１２のＸ線放射部（ホットスポット）３６と概ね一致する回転中心を有する少なくとも一つの角度計ステージ６４，６６を備える。上記一つ以上の角度計ステージ６４，６６に加え、必要に応じて一つ以上の平行移動ステージ６０，６２をさらに設けることで、Ｘ線レンズ２８の調節が容易となり、より直観的に調節することができる。
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【課題】
半導体デバイスの検査装置で、欠陥検出のための画像処理のようなある領域データに対する繰り返し演算を実行する場合、繰り返し演算数分の命令・データロード、演算、データストアを繰り返す必要があり、高速化にも限界がある。また、微細画像を扱う大容量画像処理で並列コンピューティング処理を行う場合、非常に多くのプロセッサが必要となり、装置コスト引き上げる要因となっている。
【解決手段】
前記課題を解決するために、本発明は次のような構成をとる。
まず、同時にリード・ライト可能なアクセス手段を持つデータメモリと、複数の数値演算手段と、該データメモリと数値演算手段とを接続する手段と、前記複数の数値演算手段の処理内容を一括制御する制御手段と、該数値演算手段と前記一括制御手段とを接続する手段と、数値演算手段同士のデータ移動制御手段とを設ける。 （もっと読む）

【課題】マイクロカラムを用いた検査装置を開示する。
【解決手段】本発明に係るマイクロカラムを用いた検査装置は、従来の光学検査装備で解決できなかった小型回路の駆動方式を検査することができる。また、本発明は、大面積ディスプレイなどの検査を短時間内に行うことができる高速検査が可能であるうえ、精密検査および修理も可能である。本発明に係る検査装置は、複数のマイクロカラム、試料との移動方向に直角に前記マイクロカラムが結合する軸、および前記マイクロカラムからの電子ビームが試料に照射されたことを検出して試料の回路異常有無および形状を検査することが可能なデテクターを含む。

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【課題】電子写真感光体を破壊、加工することなく、連続して検査することのできるＥＰＭＡ法による検査装置および検査方法を提供することである。
【解決手段】試料に電子線を照射する電子線光学手段が接続され、所定の真空度に保持された試料室と、真空排気手段および給気手段とが接続され、前記試料室との間で試料の出し入れを行う第１開口部および外部との間で試料の出し入れを行う第２開口部を有する予備排気室と、前記第１開口部を開閉するための第１仕切り弁と、前記第２開口部を開閉するための第2仕切り弁と、試料を保持して外部と予備排気室と試料室との間を移動する試料台と、この試料台の移動に対応して、前記第１仕切り弁および第２仕切り弁の開閉、予備排気室の給・排気を行う制御手段とを備えたことを特徴とするＥＰＭＡ法による検査装置である。 （もっと読む）

【課題】ミラー電子結像を使った電子線式検査装置において、従来のグリッド電極を用いた帯電制御電極と二次電子を発生させる照射ビームとの組み合わせでは、ミラー電子結像にコントラスト異常を生じさせるような帯電電位の不均一が生じてしまい、正しい欠陥検査が行えなかった。
【解決手段】帯電制御電極の構造をグリッドからスリットに変更し、ウェハのビーム照射において影を作らない構成にした。また、帯電制御スリットの前段にビーム成形スリットを配し、予備帯電のための電子ビームが帯電制御スリットに照射され帯電制御を擾乱する2次電子の発生を抑制した。スリット形状を電子ビーム照射領域の長手方向の両端に向かって、電子線強度が緩やかに減少するような形状とした。また、予め不本意に形成されてしまった帯電電位分布を、除去あるいは減じる予備除帯電装置を設けた。 （もっと読む）

【課題】コンピュータ断層撮影装置について、装置停止時間に応じた条件による適切なエージング運転を自動的に行えるようにする。
【解決手段】コンピュータ断層撮影装置は、装置立上げ時に徐々に所望の設定電圧まで昇圧させるエージング運転を自動的に行わせる自動エージング部９を備えており、その自動エージング部は、入力された次回の撮像予定に基づいて装置停止時間を算出する停止期間算出部１７、および停止期間算出部で求めた装置停止時間に応じたエージング条件を設定するエージング条件設定部１８を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】歪が無くコントラストに優れた検出画像を取得する。
【解決手段】電子ビームを生成して基板Ｓに一次ビームＢｐとして照射させる一次光学系１０と、一次ビームＢｐの照射を受けて基板Ｓから発生する二次電子等を検出し、基板Ｓの表面の一次元または二次元像となる信号を出力する電子検出部３０と、基板Ｓから発生する二次電子等を二次ビーム１８ｓとして電子検出部３０に像結像させる二次光学系２０とを備える基板検査システム１において、レーザ光Ｌを生成し、基板Ｓの表面の二次ビーム１８ｓが発生する箇所に照射させるレーザ光照射装置７０をさらに設ける。 （もっと読む）

【課題】
Ｘ線異物検査装置において、被検査物品が転倒しないようなＸ線漏洩防護のれんと、被検査物の形状が変わると記憶されたデータに基づき、自動的にのれんの角度と高さを変えることができるＸ線漏洩防護のれん装置提供すること。
【解決手段】
Ｘ線漏洩防護のれんは、被検査物を搬送するコンベアの中心線において左右対称に屈曲可能な支持板によりのれん装置連結用支持枠から懸垂支持されており、Ｘ線漏洩防護のれんのＶ字形角度を変更することができる駆動装置と、前記Ｘ線漏洩防護のれんを上下に移動させることができる駆動装置とを備え、被検査物品が変更になったとき予め記憶されているデータにより変更になった被検査物に最適なＸ線漏洩防護のれんの角度や高さを変更する。 （もっと読む）

【課題】 磁場の発生領域（平行磁場領域）内に設置された試料に対してイオンビームを照射する際に，前記試料の測定部に対して前記イオンビームを十分に収束させた上で照射することにより，前記照射半径を小さくすることが可能な散乱イオン測定装置，散乱イオン測定方法を提供すること。
【解決手段】 イオンビーム２の進行方向に沿って複数の収束電磁石７を配列し，前記平行磁場領域の境界面状において前記イオンビーム２を収束させる。これにより，前記平行磁場領域には前記イオンビーム２の再収束点が形成されるので，試料１をその測定部が前記再収束点と一致するように配置する。 （もっと読む）

不活性ガス雰囲気にある試料を分析する蛍光Ｘ線分析装置において、分光室は不活性ガスで置換しないですむとともに試料室と連通せず、かつ十分な強度の２次Ｘ線を得ることができ、さらに隔壁が長寿命である装置を提供する。試料４が収納される試料室１と、試料４に１次Ｘ線６を照射するＸ線源７が収納され、前記試料室１と連通する照射室２と、試料４から発生する２次Ｘ線８を分光して検出する検出手段９が収納される分光室３と、前記照射室２と分光室３とを仕切るように配置されて前記２次Ｘ線８を通過させる隔壁１０とを備え、前記試料室１および照射室２が不活性ガスで置換されるとともに、前記分光室３が真空排気される。
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【課題】 各種のトポグラフィとロッキングカーブ測定法が一台の装置で可能なＸ線単結晶評価装置を提供する。
【解決手段】 単結晶試料ＳＭを保持してＸ線発生装置３０から出射されるＸ線を照射して回折Ｘ線を生じるＸ線回折部２０と、Ｘ線回折部において試料で回折したＸ線を受光するＸ線検出部１００とを備えたＸ線単結晶評価装置は、Ｘ線発生装置から出射して単結晶試料に照射される光路部４０の一部に、結晶コリメータ４７が選択的に挿入可能なコリメータ４５を備え、かつ、Ｘ線検出部は、Ｘ線ＴＶ１１０とシンチレーションカウンタ（ＳＣ）１２０とを備えており、このＳＣは移動可能で、その移動位置によってアナライザ結晶１２１が挿入可能である。 （もっと読む）

【課題】 マルチ鏡筒でダイピッチと光軸ピッチとが異なったときに生じる問題を低減する欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】 ウェーハＷ上に複数の光軸２００〜２１４を有する電子光学系２４がダイ２１６のＹ方向の並びと略４５°の角度方向に並んで配置される。光軸２００〜２１４はＸ軸方向へ投影した間隔がダイ２１６の配列ピッチの整数倍になっていると好都合であるが、必ずしも配列ピッチは光軸２００〜２１４の整数倍になっているとは限らない。光軸の位置がストライプの中央に一致させて検査を行う方法として、ピッチ差である（Ｌｘ−Ｄｓｉｎθ）をストライプの幅で割り算した値ｍが整数となるように角度θの値を決めることである。他の方法として、ストライプの境界を各列で同じ場所とせず、列毎に可変にすることであり、（Ｌｘ−Ｄｓｉｎθ）／（ストライプ幅）の値が整数と余りがあり、この余りの寸法のストライプを最初のストライプとすれば休みを最小にして検査が行える。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線検査装置で行う検査の精度・分解能を高く保ちながら検査時間を短縮する。
【解決手段】被検査物５の３次元画像データをモニタ画面３２ａに被検査物５の仮想３次元画像を表示するデータ読込みステップを有する。モニタ画面３２ａに指示用ポインタを表示するポインタ表示ステップを有する。仮想３次元画像上の検査位置に基づいて目標検査位置データを生成する位置データ生成ステップを有する。前記検査位置に対して指定した検査方向に基づいて目標検査方向データを生成する検査方向データ生成ステップを有する。前記検査位置に対して指定した検査時の分解能から分解能データを生成する分解能データ生成ステップを有する。前記位置データ生成ステップで指定可能な検査範囲を被検査物５の内部を含む全体とした。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を処理する方法及び装置、特に、半導体基板の処理に用いるための計測ツールを提供する。
【解決手段】本発明の１つの態様により、半導体基板を処理するための半導体基板処理装置及び方法が提供される。本方法は、表面と各形態が第１の座標系の第１のそれぞれの点でこの表面上に位置決めされたこの表面上の複数の形態とを有する半導体基板を準備する段階と、第２の座標系の第２のそれぞれの点で各形態の位置をプロットする段階と、第１及び第２の座標系の間の変換を発生させる段階とを含むことができる。変換を発生させる段階は、第１及び第２の座標系の間のオフセットを計算する段階する段階を含むことができる。オフセットを計算する段階は、第１の座標系の基準点と第２の座標系の基準点の間のオフセット距離を計算する段階、及び第１の座標系の軸線と第２の座標系の軸線の間のオフセット角度を計算する段階を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】 マッピング測定を行う全反射蛍光Ｘ線分析装置において、十分正確な測定強度の分布を短時間で求められるものを提供する。
【解決手段】 以下のように動作する制御手段２４Ａを備える。基準試料９について、測定点３２ごとに適切なステージ角度を補正ステージ角度φ_ｍとして記憶しておき、分析対象試料１については、各測定点３２で、その測定点３２に対応させて記憶した補正ステージ角度φ_ｍに調整し、その状態での基準Ｘ線５ａの強度を基準点３１での基準強度と比較して、補正ステージ角度φ_ｍに調整することが適切でないと判断される場合にのみ、改めて適切なステージ角度に調整して、蛍光Ｘ線５ｂの強度を測定し、測定強度の分布を求める。 （もっと読む）