【課題】軽元素から成る微小な試料に対しても充分な高分解能、高コントラストを得ることができ、in-situの状態で試料を観察することができるＸ線顕微装置を提供する。
【解決手段】電子銃の電子源からの電子線をＸ線ターゲットに当ててＸ線を発生させるＸ線発生手段と、試料に照射されたＸ線の透過Ｘ線を撮像素子で撮像する撮像手段とを具備したＸ線顕微装置において、Ｘ線発生手段は波長０．１〜１．２ｎｍの長波長の特性Ｘ線を発生し、Ｘ線ターゲットを真空封止するＸ線透過窓基材はベリリウムで成り、Ｘ線透過窓基材の厚さが１０〜６０μｍであると共に、撮像手段の試料室が密封構成であり、試料室にガスを充填して試料の透過画像を撮像手段で得る。 （もっと読む）

【課題】被検査物の表面と裏面との温度差を無くしリフロー特性に応じた加熱が可能なＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線源と観察エリアとの間の微小間隙部側方から観察エリア上の被検査物上部に熱風を噴出して被検査物を上面側から加熱する第１加熱手段と、観察エリアとＸ線検出器との間に加熱源が配設され、各加熱源から観察エリアに向けて熱を放射して被検査物を下面側から加熱する第２加熱手段と、被検査物の上面側の温度及び下面側の温度を検出する温度検出手段と、温度プロファイルのデータを記憶する記憶手段と、被検査物の上面側と下面側との検出温度差が無くなるように第１及び第２加熱手段による各加熱量を協調制御しながら温度プロファイルに従って被検査物を昇温させる温度制御手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】オペレータに負担をかけることなく、また、複雑な処理を必要とすることなく、被検査物とＸ線発生装置等の装置側の構造物との衝突を確実に防止することのできるＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線発生装置１とＸ線検出器２の間に配置されて被検査物Ｗを搭載する回転テーブル３ａには、取り付け用治具５０を介して被検査物Ｗを搭載するように構成するとともに、その取り付け用治具５０は被検査物Ｗの大きさに応じて複数種が用意され、回転テーブル３ａには、その取り付け用治具５０の種類を検知するためのセンサ６０ａ〜６０ｃを設け、その検知結果に基づき、テーブル３ａとＸ線発生装置１およびＸ線検出器２の対との相対位置を変化させる移動ステージ３ｂの動作の範囲に制限を加えることで、被検査物Ｗの装置側の構造物に対する衝突を防止する。 （もっと読む）

【課題】微細に加工された半導体デバイス内の所望の箇所の３次元的構造を観察するための電子顕微鏡用試料作製装置、電子顕微鏡及びその方法を提供する。
【解決手段】試料片１０の加工にダイサーを用い、試料片上の観察対象となる部分を突起状に削り出す加工に集束イオンビーム加工を用い、試料片１０を１軸全方向傾斜試料ホルダに、突起１１の中心軸と試料傾斜軸Ｚを一致させて固定し、高角に散乱された電子で結像したＴＥＭ像を投影像として用い、再構成を行う。 （もっと読む）

【課題】被検査物に対してＸ線を斜めに照射して高い検出精度を達成できるＸ線異物検出装置の具体的な構造を提案する。
【解決手段】 Ｘ線異物検出装置１は、Ｘ線発生器１１と搬送手段６とＸ線検出器１２を備えており、搬送手段６の搬送方向の両側には底面Ｓ１と側面Ｓ２に接して被検査物Ｗの移動を案内し、Ｘ線検出位置において被検査物Ｗを所定の傾斜状態に設定する傾斜ガイド１３及びサイドガイド１４を有する。搬送手段の搬送ベルト９は底面と側面が接する稜線Ｒに接触して被検査物Ｗを搬送する。 （もっと読む）

【課題】簡単な操作によって被検査物に対するＸ線の照射角度を変更して容易にその照射角度を最適化し、さらに、装置サイズをコンパクトに維持する。
【解決手段】搬送面上の被検査物Ｗを所定の搬送方向Ｙに搬送する搬送手段５と、搬送面上を搬送される被検査物Ｗに向けてＸ線を照射するＸ線発生器１８と、搬送面を挟んでＸ線発生器１８と対向配置され、被検査物Ｗを透過してくるＸ線をＸ線検出面に受けるＸ線検出器１９と、を備えるＸ線異物検出装置１において、搬送手段５が、搬送面を形成する搬送コンベア６を備えるとともに搬送面のＸ線検出面に対する角度が変更自在となるように傾斜可能に設けられ、且つ傾斜時に被検査物Ｗの側面を支持しながら被検査物Ｗの搬送をガイドするガイドコンベア１２を備える。 （もっと読む）

【課題】 冷却部材を透過するＸ線の透過距離の差により生じる，Ｘ線画像の明暗のコントラストを小さくし，ボイドの有無を識別できるようにしたボイド検査方法を提供すること。
【解決手段】 冷却部材５０に半導体素子６０を半田接合した検査対象物を検査するときに，検査対象物の板面に垂直な方向１２とＸ線１０の照射方向１１とが撮像角θをなすように傾斜させて，検査対象物にＸ線１０を入射する。これにより，冷却部材５０のリブ部におけるＸ線１０の透過距離が短くなる。このため，半田接合部７０におけるボイド８０の有無が判別できる。 （もっと読む）

【課題】二次イオン質量分析法において、二次イオン強度の変化を簡便に抑制できる技術を提供する。
【解決手段】一次イオンの試料表面への照射中に、試料電流値の変化に応じて、一次イオンの入射方向に対する試料ステージの角度を変更することにより、一次イオンの試料表面への入射角度を補正する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、検査対象となる回路パターンの画像をモニタ画面を通して検査する際に、その画面の正確な情報により迅速に処理できると共に、製品全体に及ぶ欠陥又は特定領域における欠陥を迅速に検知することができる回路パターンの検査装置を提供することにある。
【解決手段】本発明は、ウェーハの回路パターンが形成された基板表面に電磁波又は荷電粒子線を照射し、該照射によって前記基板から発生する信号に基づいて得られる検査画像から前記回路パターン上の欠陥を検出する回路パターンの検査装置において、前記検査画像を取得する前後において、前記検査画像の対応部分に電子線を照射し前記ウェーハの帯電状態を変化させる手順が設定される検査条件設定部を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、蛍光透視ユニットのテストキャリッジを動作し及び固定するためのシステムに関し、テストキャリッジは、回転軸８から半径方向に始まる直線方向Ｒにおいて動き、かつ、テストキャリッジが固定される、回転軸８について回転可能なガイドエレメント７とともに、テストオブジェクトを固定する固定手段を有する。
加えて、本発明は、焦点スポット２を有し、検出器４と、Ｘ線源１と検出器４との間に配置されるテストキャリッジを動作し及び固定するための上記のシステムとを伴う蛍光透視ユニットに関する。 （もっと読む）

【課題】装置の小型化を実現し、かつ、真空容器内の圧力の増加や汚染が無く数μｍの試
料片が固着されるＴＥＭホルダの導入手段を備え、迅速な観察を可能とする試料室容積が
必要最小限の、占有面積の小さい、大口径ウエハ用の試料作製装置を提供すること。
【解決手段】試料を載置する試料ステージと、荷電粒子ビーム照射光学系と、荷電粒子ビ
ームの照射によって発生する二次粒子を検出する二次粒子検出手段と、該試料から試料片
を分離する試料片分離手段と、該試料を収納するカセットと、該カセットから該試料を該
試料ステージに移載する試料移載手段と、該試料片を固定する試料ホルダと該試料ホルダ
を固定する試料載置部と該試料載置部を保持し、試料ステージ本体部と脱着可能な構成か
ら成るカートリッジと、該カートリッジを収納するカートリッジステーションと、該カー
トリッジステーションから所望の該カートリッジを該試料ステージ上に、該容器の外部か
ら移載する移載手段を備える。 （もっと読む）

【課題】ＬＭＩＳ汚染を発生させることなく、膜中の異物を正確に検出し電子顕微鏡による観察を迅速に行うことができる荷電粒子線装置、試料加工方法及び半導体検査装置を提供する。
【解決手段】他の光学式検査装置によって検出された、膜６６中に存在する欠陥の原因となる異物６５を他の光学式検査装置で取得された位置情報を基に光学式顕微鏡４３で検出し、電子顕微鏡画像やイオン顕微鏡画像による異物６５の観察やＥＤＸによる異物６５の元素分析ができるように非金属のイオンビーム２２で試料３１を加工する。 （もっと読む）

【課題】 自動焦点合わせ可能な範囲を超える程度の反りが発生した場合でも、半導体ウエハ表面のすべての欠陥に焦点を合わせて欠陥画像を取得することができる欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】 表面上の欠陥の位置情報が知られている半導体ウエハを、撮像装置のステージに載置する。半導体ウエハの表面上の複数箇所の、高さ方向の位置を測定する。測定された高さ方向の位置に基づいて、表面内を複数の部分領域に区分する。部分領域から、欠陥画像の取得が終了していない部分領域を１つ選択する。選択された部分領域内が、撮像装置の自動フォーカス範囲内に位置するように、ステージの高さを調整する。選択された部分領域内の欠陥を撮像装置で撮像し、欠陥画像を取得する。すべての部分領域内の欠陥の欠陥画像が取得されるまで、部分領域の選択からｅから撮像までの工程を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】特性Ｘ線の取出角度と測定深さとの相関を求めることを可能とする斜出射電子線プローブマイクロＸ線分析方法を提供すること。
【解決手段】斜出射電子線プローブマイクロＸ線分析方法は、試料内部から発せられる特性Ｘ線が試料表面での全反射現象により検出されない角度以下に特性Ｘ線の取出角度を設定することにより試料の表層から発せられる特性Ｘ線のみを選択的に検出する斜出射電子線プローブマイクロＸ線分析方法において、試料を試料内部としての下地と試料表層としての所定厚の上地で構成し、下地から発せられる特性Ｘ線の取出角度を所定角度から徐々に小さくして前記特性Ｘ線の消失角度を見出し、見出された消失角度を所定厚の上地の構成元素のみを選択的に分析できる取出角度として定義する。 （もっと読む）

【課題】 既存技術よりはるかに安価に、かつ簡便に平面観察を行ってから観察後に断面を加工することができる試料作製方法を提供する。
【解決手段】 集束イオンビーム装置のチャンバ内で試料１をブロック状に切り出し、その試料ブロック（バルク）４を真空外に取り出して、マニピュレータの先端にセットしたガラスプローブ５に接触させて支持する。次に、バルク４を試料台である円筒状のピン６の先端にエポキシ樹脂で固定する。次に、平面観察用の薄膜試料をＦＩＢ加工により作製する。次に、内部の欠陥位置を２次元的にＴＥＭ／ＳＴＥＭで観察し同定する。その後、ピン６を手動で９０°回転させてから、欠陥部位を含む位置を断面加工する。 （もっと読む）

【課題】製造されたデバイスの内部構造をテストするために薄いサンプルを準備して像形成する。
【解決手段】物体のサンプルを形成し、物体からサンプルを抽出し、真空チャンバーにおいて表面分析及び電子透過度分析を含むマイクロ分析をこのサンプルに受けさせるための方法及び装置が開示される。ある実施形態では、抽出されたサンプルの物体断面表面を像形成するための方法が提供される。任意であるが、サンプルは、真空チャンバー内で繰り返し薄くされて像形成される。ある実施形態では、サンプルは、任意のアパーチャーを含むサンプル支持体に位置される。任意であるが、サンプルは、物体断面表面がサンプル支持体の表面に実質的に平行となるようにサンプル支持体の表面に位置される。サンプル支持体に装着されると、サンプルは、真空チャンバー内でマイクロ分析を受けるか、又はロードステーションにロードされる。 （もっと読む）

【課題】試料の状態および撮影条件に依存せず、安定して良好な画像情報を取得することができる荷電粒子ビーム装置を実現する。
【解決手段】試料１と概ね同電位の基準静電電極４およびこの基準静電電極４を挟む一対の円筒形フィルター電極５および５′を、電子銃３０および加速場電極１４の間に設け、円筒形フィルター電極５および５′に正の電位を印加し、さらに制御部９によりこの電位を調整することにより、試料１で発生された２次電子の発生の際のエネルギーの大きさにより、２次電子５１を分離検出することとしているので、低エネルギー帯の２次電子を除去することができ、ひいてはＳＥＭ画像に含まれる、像全体を明るくする成分を除去し、安定して良好な画像情報の取得を行うことを実現させる。 （もっと読む）

荷物セキュリティ検査システムであって、システムを通過するように移動する検査対象物を検査するためのシステムにおいて、システムが、検査対象物を支持し且つ搬送し、システム内に検査対象物の移動経路を画定するための機械的搬送ユニットと、検査対象物を透過する放射線ビームを発生させるための放射線発生ユニットと、検査対象物を既に透過した放射線についての透過データを収集し且つ透過データを処理するためのデータ収集ユニットとを備え、検査対象物の移動経路が、互いに対して所定の角度で配置される少なくとも二つの直線状補助経路を備え、データ収集ユニットが、放射線ビームを検知するための少なくとも二つの検知器アレイを備え、各検知器アレイは、一つの直線状補助経路に対応し、各々の前記検知器アレイの検知面が、対応する前記直線状補助経路に平行に配置され、使用時において、放射線発生ユニットとデータ収集ユニットとが静止しているとともに、検査対象物が移動経路に沿って進み、且つ検査対象物が、少なくとも二つの直線補助経路上を回転することなく平行移動のみする。
（もっと読む）

【課題】筋引きの少ない良好な観察用断面を作製することができるとともに、スループットを向上させることが可能な集束イオンビーム装置、及び、良好な観察用断面を作製して、正確な観察像を得ることができる試料の断面加工・観察方法を提供する。
【解決手段】集束イオンビーム装置１は、試料Ｓを載置する試料台２と、試料台２を水平面上の二軸及び鉛直軸の三方向に移動させることが可能な三軸ステージ３と、試料Ｓに対して集束イオンビームＩ１、Ｉ２を照射する第一の集束イオンビーム鏡筒１１及び第二の集束イオンビーム鏡筒１２とを備え、第一の集束イオンビーム鏡筒１１及び第二の集束イオンビーム鏡筒１２は、互いの集束イオンビームＩ１、Ｉ２の照射方向が、平面視略対向するとともに、側方視鉛直軸に対して略線対称に傾斜するように配置されている （もっと読む）

【課題】 従来の電子顕微鏡用試料作製技術では、試料の断面薄膜化試料を作製するのみで、薄膜の状態のデバイス試料に電圧を印加し、デバイスを動作させることができなかった。
【解決手段】 収束イオンビーム装置内に複数のプローブを設け、プローブ間には自由に電圧を印加できる構成とする。また、プローブ間の電流を測定し、電流の有無を判定できる検知器を設ける。プローブは半導体デバイスのコンタクトプラグに接触させ、デポジションガスを装置内に導入し、プローブの接触位置に収束イオンビームを照射することで、プローブをコンタクトプラグに接着し、電流導入端子とする。電子顕微鏡の試料ホルダには、この電流導入端子に接触し、電子顕微鏡外部から電圧を印加できる電流導入機構を設ける。 （もっと読む）