【課題】金属材料の分析用試料を調製するのに適した電解研磨方法を提供する。
【解決手段】研磨対象物Ｐの表面を電解研磨するにあたり、電解槽１３に一対の電極１４，１５を設けるとともに、電解槽内に電解液を入れ、回転子２５の回転によって電解液を攪拌し、一対の電極の一方を籠状電極１５とし、この籠状電極に研磨対象物を搭載し、籠状電極を電解液中で上下動させながら、一対の電極間に通電して電解研磨を行う。電解槽の周囲を冷却水によって冷却するのがよい。また、一対の電極に対する通電の方向を所定の時間間隔で切り換えるのがよい。 （もっと読む）

【課題】 リムとタイヤの組付け状態を、タイヤの一周に渡り短時間で連続的に測定できる、リム組付けタイヤの組付け状態測定方法を提供する。
【解決手段】 タイヤ内部構造測定装置１０に、リム３０にタイヤ５６を組み付けたリム組付けタイヤ１２を回転可能に支持し、リム組付けタイヤ１２を、押圧負荷のない無負荷状態で回転させ、Ｘ線照射装置２０からＸ線をリム３０の接線方向に照射し、Ｘ線検知装置２２により、リム３０とタイヤ５６との組付部のＸ線透過情報を所定のタイミングで取り込み、取り込んだＸ線透過情報に基づいて、画像形成処理部２８で接線方向透過画像を形成し、得られた接線方向透過画像を用いて、リム３０とタイヤ５６の特定部位の位置情報を得る。 （もっと読む）

【課題】導体ウェハ収納容器内の付着物を十分に回収することができ、かつ気泡の影響を受けずに高精度に半導体ウェハ収納パーティクルの測定を行うことのできる半導体ウェハ収納容器の清浄度評価方法の提供。
【解決手段】半導体ウェハ収納容器の清浄度評価方法は、半導体ウェハ収納容器内に液体を注入して前記半導体ウェハ収納容器を撹拌し、容器内付着物を液体中に回収する手順Ｓ３と、付着物が回収された回収液体中に最終洗浄を行った半導体ウェハを浸漬する手順Ｓ４と、浸漬された半導体ウェハの表面を上向きにして一定時間静置し、前記回収液体中の付着物を前記半導体ウェハ表面に転写させる手順Ｓ５と、前記付着物が転写された半導体ウェハを乾燥させる手順Ｓ６と、乾燥した半導体ウェハ表面の前記付着物を、ウェハ用パーティクル測定装置にて測定する手順Ｓ７とを実施する。 （もっと読む）

【課題】 被検体中から異物を探し出すことを容易にするＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】
被検体（２）にＸ線を照射して透過Ｘ線画像を取得する画像取得手段（１、５）と、得られた透過Ｘ線画像から異物の有無と位置を特定する検出手段（４）とを備え、さらに被検体の異物存在位置に直接マークを付加するマーク記録手段（７）を備える。
検査者は、異物有りと判定された被検体上のマークが付加された特定の位置のみを探すだけで、極めて容易に異物を探し出すことができる。 （もっと読む）

【課題】微小化構造を有する物体を検査及び加工するための電子顕微鏡、微小化構造を有する物体の製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、反応ガスを供給すると同時に、加工すべき箇所に電子ビームを当てて、材料を堆積するか、あるいは、材料を切除することにより、物体を加工する工程と、物体の表面を電子ビームによって走査し、生成された後方散乱電子及び二次電子をエネルギー選択器７に導入し、二次電子をエネルギー選択器７によって反射させ、エネルギー選択器７を通過する後方散乱電子を検出し、検出された後方散乱電子に応じて走査領域の電子顕微鏡像を形成して、物体を検査する工程と、形成された電子顕微鏡像を調べて、材料のさらなる堆積又は切除を実施すべきか否かを決定する工程とを含む。並びに、この方法を実施するように構成された電子顕微鏡及び加工システム。 （もっと読む）

【課題】化学反応により生成した結晶を、容易にかつ効率良く採取することができるキット及び方法の提供。
【解決手段】反応容器に挿脱自在の非磁性有底筒状体と、当該非磁性有底筒状体に挿脱自在な、かつ磁石又は磁性体を備えた挿入体と、反応液中に投入される磁石とから成る結晶採取キット；反応液中に磁石を投入するステップと、当該磁石を取り出すことなく結晶化せしめるステップと、結晶が付着形成された磁石を反応容器から取り出すステップとを有する結晶採取方法。 （もっと読む）

【課題】化学反応により生成した結晶を、容易にかつ効率良く採取することができるキット及び方法の提供。
【解決手段】反応容器に挿脱自在な、かつ上部に磁石を備えた棒状磁性体と、当該棒状磁性体が挿通自在の貫通穴を備えた非磁性板状体と、当該貫通穴の径より大きな径を有し、かつ反応液中に投入される磁石とから成る結晶採取キット；反応液中に磁石を投入するステップと、当該磁石を取り出すことなく結晶化せしめるステップと、結晶が付着形成された磁石を反応容器から取り出すステップとを有する結晶採取方法。 （もっと読む）

【課題】微量の液体試料を所定の部位に精度よく試料点滴基板上に点滴乾燥させている全反射蛍光Ｘ線分析用試料点滴基板および全反射蛍光Ｘ線分析装置ならびに全反射蛍光Ｘ線分析方法を提供し、液体試料の全反射蛍光Ｘ線分析の感度と精度を向上させることを目的とする。
【解決手段】液体試料を点滴乾燥させるための試料点滴基板であって、表面が疎水性であり、鏡面研磨の平面度を有する平面基板１５Ｋと、平面基板１５Ｋの表面の所定の部位に、合成樹脂を溶剤にて所定の濃度に溶解された合成樹脂溶液４０の所定量を点滴乾燥された合成樹脂点滴乾燥痕４１とを有する全反射蛍光Ｘ線分析用試料点滴基板１５。この全反射蛍光Ｘ線分析用試料点滴基板１５の合成樹脂点滴乾燥痕４１に試料溶液７０を点滴乾燥させて全反射蛍光Ｘ線分析を行う全反射蛍光Ｘ線分析装置およびその方法。 （もっと読む）

【課題】 ボンディング界面に形成された金属間化合物を直接Ｘ線回折により同定するための試料の調整方法を提供する。
【解決手段】 ボンディング済みの金属細線と下地パッド金属との間において、ボンディングされた金属細線を物理的な力で剥離して露出した剥離面に、表面から内部に向かって断続的にＡｒイオンビームを照射してイオンエッチングし、順次新しい観察面を露出させてＸ線回折試料とする。金属細線と下地パッド金属とを物理的な力で剥離するに際し、ボンディングパッド上にボンディング済みのボンディングワイヤを含むように中空の容器を立て、該中空の容器内に熱硬化性樹脂を流し込み、熱硬化性樹脂を硬化させて金属細線を樹脂で保護した後に、物理的な力で剥離することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】二次電子放出量を正確に測定できる表面分析装置を提供する。
【解決手段】赤外線ランプ３０によって裏面から加熱した試料２１に、グラウンド電極に電流が流れないように径を絞ったイオンビーム５を照射する。グラウンド電極１５とコレクタ電極１８の間に配置した制御電極に負電圧を印加し、試料２１から放出した二次電子だけをコレクタ電極１８で捕集するようにする。試料２１がチャージアップした場合、サプレッサ電極１２の電圧を調節し、試料２１に電子を照射し、正電荷を中和する。二次電子放出比を正確に求めることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】印下電圧を連続的に変化させて各層間に生じるポテンシャル差を調査することができる装置を提供する。
【解決手段】電子分光測定装置は、真空チャンバー内に配置した多層構造を有する試料の上層に電気的に接続する第一端子と、前記試料の下層に電気的に接続する第二端子と、前記チャンバー外に配置した変圧式電圧印下器と、前記両端子と変圧印可器の出力端子とを前記チャンバーの隔壁を貫通して接続する配線とにより構成された電圧印可装置を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】三次元に織られた織り糸または繊維から作られたブランクまたはプリフォームを含む他の種類のブレードの非破壊断層写真検査に関する。
【解決手段】類似ブレードを検証する断層写真設備を較正するための、欠陥を含む試験ブレードの作製。三次元ブランク（１２）が合成材料の繊維を織ることによって作られ、樹脂でそれを被覆する前に、固体状態の樹脂要素（１４）が上記ブランクの所定位置に挿入される。 （もっと読む）

【課題】三次元に織られた織り糸または繊維から作られたブランクまたはプリフォームを含む他の種類のブレードの非破壊断層写真検査に関する。
【解決手段】類似ブレードを検証する断層写真設備を較正するための欠陥を含む試験ブレードの作製。三次元ブランク（１２）が合成材料繊維を織ることによって作られ、それを樹脂でコーティングする前に空洞（１５）がブランク中の所定位置に形成される。 （もっと読む）

Ｓ／ＴＥＭサンプルの調製および分析用の改良された方法および装置である。本発明の好ましい実施形態により、ＴＥＭサンプル作成用、特に小さい形状（厚さ１００ｎｍ未満）のＴＥＭラメラ用の改良された方法が提供される。本発明の好ましい実施形態は、ＴＥＭサンプルの作成および分析のプロセスの労力を低減し、ＴＥＭ分析のスループットおよび再現性を高めるために、ＴＥＭサンプル作成を一部または全部自動化する方法を提供することにより半導体ウェハ上に製造される集積回路または他の構造などの対象に対するＳ／ＴＥＭベースの計測用のインライン・プロセスも提供する。 （もっと読む）

【課題】含有量が微量で、励起光の透過性が高い生体試料と同様の特性を有する分析標準を作製する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】微小ビーム蛍光Ｘ線分析に用いる分析標準の作製方法であって、ベース材料に元素を添加し、攪拌によってベース材料に元素を混和させて混和溶液を生成する混和工程Ａと、混和溶液を脱気する脱気工程Ｂと、混和溶液を穏やかに凍結させる凍結工程Ｄと、凍結した混和溶液から薄切切片を切り出す切出工程Ｆとを含む方法を提供する。混和溶液中の気泡をより確実に除去するために、脱気工程Ｂが、混和溶液を室温で静置する静置工程を含んでもよいし、静置工程が、静置している混和溶液中の気体を吸引装置によって除去する工程を含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】装置の小型化を実現し、かつ、真空容器内の圧力の増加や汚染が無く数μｍの試
料片が固着されるＴＥＭホルダの導入手段を備え、迅速な観察を可能とする試料室容積が
必要最小限の、占有面積の小さい、大口径ウエハ用の試料作製装置を提供すること。
【解決手段】試料を載置する試料ステージと、荷電粒子ビーム照射光学系と、荷電粒子ビ
ームの照射によって発生する二次粒子を検出する二次粒子検出手段と、該試料から試料片
を分離する試料片分離手段と、該試料を収納するカセットと、該カセットから該試料を該
試料ステージに移載する試料移載手段と、該試料片を固定する試料ホルダと該試料ホルダ
を固定する試料載置部と該試料載置部を保持し、試料ステージ本体部と脱着可能な構成か
ら成るカートリッジと、該カートリッジを収納するカートリッジステーションと、該カー
トリッジステーションから所望の該カートリッジを該試料ステージ上に、該容器の外部か
ら移載する移載手段を備える。 （もっと読む）

【課題】
絶縁性の高い試料を帯電することなく、また、汚染無く測定できる前処理法を提供する。
【解決手段】
絶縁性の高い分析対象試料に電離放射線やイオンビーム等のエネルギーを照射し、前記試料から放出される二次電子や二次イオン等のエネルギーを導いて前記試料表面を分析する表面分析方法において、前記絶縁性の高い分析対象試料上に導電性薄膜をメッシュ状に形成し、前記導電性薄膜が形成されていない前記試料上に前記電離放射線やイオンビーム等のエネルギーを照射することを特徴とする表面分析方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線回折の測定結果に悪影響を及ぼすことなく、ヒータの小型化が図れながら試料を加熱する均熱領域を広くできるＸ線回折装置を提供し、複数の試料に対して同時にＸ線回折測定が良好に行えるようにする。
【解決手段】試料が配置されるケーシング1と、ケーシング1内に配置された試料にＸ線を照射するＸ線照射器2と、試料を透過した回折Ｘ線を検出するＸ線検出器3と、ケーシング1内に配置され、このケーシング1内に配置された試料を加熱するヒータ4とを備える。ヒータ4は、試料に入射するＸ線（入射Ｘ線）の光軸の周りに、試料を囲むように配置する。ヒータ4は、試料を囲む筒状に形成したときは、筒部の中心軸が入射Ｘ線の光軸と平行となるように配置する。 （もっと読む）

【課題】絶縁物の分析対象となる領域における帯電を補正することにより、正確かつ再現性良く質量分析を行うことが可能な絶縁物の二次イオン質量分析方法を提供する。
【解決手段】本発明の絶縁物の二次イオン質量分析方法は、絶縁物である試料の表面に導電性の連続膜であるＰｔ−Ｐｄ合金薄膜を成膜し、このＰｔ−Ｐｄ合金薄膜付き試料に一次イオンビーム及び電子ビームを照射し、この試料から発生する二次イオンを引き出し、質量分析する。 （もっと読む）

【課題】分析用の薄膜試料切断器を提供し、薄膜試料の切り取りの作業性を向上させるとともに、薄膜試料の分析精度を向上させることを目的とする。
【解決手段】分析用の薄膜試料Ｓを円形に切断するための薄膜試料切断器であって、円筒状で、薄膜試料Ｓに押圧される輪状の下端面２２を有する押圧部２と、押圧部２と同心の円柱状または円筒状で軸心回りに回転自在に押圧部２に収納され、下方に突出する複数の刃３４を周方向に均等に有している回転部３と、押圧部の上部２１を貫通して突出する回転部の上部３３に固定される把持部４１とを備え、薄膜試料Ｓを円形に切断する。 （もっと読む）