【課題】高いコントラストで、アモルファスと結晶との差異を画像化して観察可能なＳＥＭ装置を提供する。
【解決手段】試料に対して電子顕微鏡を走査しながら観察を行う構成を有し、紫外光、Ｘ線の、少なくともいずれかを照射可能な、照射系１５を具備している二次電子像観察装置１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】装置の小型化を実現し、かつ、真空容器内の圧力の増加や汚染が無く数μｍの試料片が固着されるＴＥＭホルダの導入手段を備え、迅速な観察を可能とする試料室容積が必要最小限の、占有面積の小さい、大口径ウエハ用の試料作製装置を提供すること。
【解決手段】試料を載置する試料ステージと、荷電粒子ビーム照射光学系と、荷電粒子ビームの照射によって発生する二次粒子を検出する二次粒子検出手段と、該試料から試料片を分離する試料片分離手段と、該試料を収納するカセットと、該カセットから該試料を該試料ステージに移載する試料移載手段と、該試料片を固定する試料ホルダと該試料ホルダを固定する試料載置部と該試料載置部を保持し、試料ステージ本体部と脱着可能な構成から成るカートリッジと、該カートリッジを収納するカートリッジステーションと、該カートリッジステーションから所望の該カートリッジを該試料ステージ上に、該容器の外部から移載する移載手段を備える。 （もっと読む）

【課題】 表面より十分に深い位置にまで欠陥を有する試料であっても、欠陥の有無を的確に評価できる試料内部欠陥の評価方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、モリブデンを含むモリブデン含有溶液に試料を浸漬する浸漬工程と、試料が浸漬されたモリブデン含有溶液を減圧する減圧工程と、試料を乾燥する乾燥工程と、試料中の前記モリブデンの分布を検出する検出工程とを含む試料内部欠陥の評価方法である。 （もっと読む）

【課題】 固体の高分子材料中に含まれる微量な金属、特に、クロム、カドミウム、鉛、水銀の分析において、精度良く、しかも短時間で分析する方法を得ることである。
【解決手段】 ホットプレートにセットされた試料台に固体高分子材料の試料片を接触して載置し、上記試料台の試料片の近傍に、硝酸水溶液または硝酸と塩酸との混酸水溶液からなる抽出用酸水溶液を滴下し、上記試料片の表面に接触させるとともに、上記ホットプレートにて加熱して、上記試料片から金属成分を抽出する。上記抽出後に、上記試料台から試料片を取り除き上記試料台の表面に残留した抽出成分を含有する抽出用酸水溶液を、上記ホットプレートによる加熱を継続し、液成分を蒸発させて、上記試料台の表面に抽出成分を乾固させる。最後に、上記試料台上に乾固した抽出成分を飛行時間型二次イオン質量分析装置にて分析する。 （もっと読む）

【課題】 成形品に形成された気孔に、特定のマーカー元素を分子内に有する樹脂を含有する樹脂組成物を充填した後、その形状を実質的に維持した状態で固形化して、このマーカー元素を検出することにより、成形品の表面や内部における気孔の分布を精度よく分析する方法を提供する。
【解決手段】 樹脂材料又は樹脂成形材料の成形品に形成された気孔の分布状態を分析する方法であって、
（ａ）ホウ素、窒素、フッ素、ケイ素、リン、硫黄、塩素、臭素、ヨウ素から選ばれるマーカー元素を分子内に有する樹脂を含有する樹脂組成物を、上記気孔内に充填する第１の工程と、
（ｂ）上記気孔内に充填された樹脂組成物を、その形状を実質的に維持して固形化する第２の工程と、
（ｃ）上記固形化した樹脂組成物中のマーカー元素を検出することにより、上記成形品に形成された気孔の分布状態を分析する第３の工程と、
を有することを特徴とする、成形品の気孔分布の分析方法。 （もっと読む）

【課題】 感光体等の試料の絶縁耐性をμｍオーダーの精密度で評価する。
【解決手段】 絶縁耐性を評価すべき試料０を保持手段により保持し、帯電手段により帯電させて厚さ方向に電界強度を与え、走査手段１１Ａによる荷電粒子ビームで２次元的に走査し、走査により検出信号を信号検出手段２５で得、得られた検出信号に基づき、試料０の絶縁耐性を評価する。 （もっと読む）

【課題】 フェノール樹脂成形品中に含有されているフェノール樹脂の分散状態を正確に確認することができるフェノール樹脂の分析方法を提供することにある。
【解決手段】 フェノール樹脂を含有する組成物もしくはその硬化物中におけるフェノール樹脂の分散状態を分析する方法であって、前記フェノール樹脂にホウ素、窒素、フッ素、ケイ素、リン、硫黄、塩素、臭素、ヨウ素から選ばれる元素を有する官能基を導入し、該元素の分散状態を検出することにより、フェノール樹脂の分散状態を分析することを特徴とするフェノール樹脂の分析方法。 （もっと読む）

【課題】 数十ｍｇ程度の微量の粉体試料について蛍光Ｘ線分析で軽元素の測定ができ、かつ分析後に試料を容易に回収できる前処理方法を提供する。
【解決手段】 微量の粉体試料１Ａを蛍光Ｘ線分析に供するために１枚の高分子フィルム２とともにその高分子フィルム２の厚み方向に加圧成形して前記高分子フィルム２に付着させる。 （もっと読む）

【課題】 試料表面の平滑性が求められる分析において、粉体であっても容易に測定用試料を製造することができ、測定効率の向上を可能とする粉体ホルダ、測定用試料製造方法及び試料分析方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の粉体ホルダは、基台部と、基台部上に設けられた粉体保持部と、を備え、粉体保持部が、粉体保持部の基台部と反対側に粉体を収容する粉体収容孔を少なくとも１つ有し、粉体保持部の硬度が、基台部の硬度よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブ集合体を形成する各単層カーボンナノチューブの特性を効率的且つ精度良く測定して解析する。
【解決手段】 バンドル状のカーボンナノチューブ集合体とシクロアミロース溶液とを混合し、超音波処理を行うことで、単層カーボンナノチューブが分散して含まれるカーボンナノチューブ含有溶液を生成する。カーボンナノチューブ含有溶液を濾過してから回転している基板に滴下し、乾燥させることでカーボンナノチューブ薄膜を形成する。カーボンナノチューブ薄膜に均等に分散する単層カーボンナノチューブに対してラマン顕微分光方法を用いて単層カーボンナノチューブの特性を解析する。 （もっと読む）

【課題】分析対象の元素を小液滴に濃縮して分析用試料板上で蒸発乾固し、全反射蛍光Ｘ線分析を行なう高感度化に関して、試料板由来のＳｉエネルギーピークを避けるために使用する高温でのガス処理純化を経たアモルファスカーボンウェーハ試料板の清浄度をさらに向上させ、半導体用高純度シリコンウェーハのレベルまで純化することを課題としている。
【解決手段】純化対象のアモルファスカーボンウェーハを三酸化二ホウ素ガラスの熔融液に接触させて、該ウェーハの表面並びに表面近くの浅い層にある分析を妨害する元素を液に吸出させ、冷却後加熱した超純水でリンスして純化し、分析面を疎水性化する。要すれば酸化性処理液で該純化ウェーハを洗浄して表面を一旦親水性化し、これに対して再度前記の熔融液の接触による純化を追加する。 （もっと読む）

【課題】
包埋材料に包埋する前の試料の状態を正確に分析することができる被検査物の断面分析方法を提供する。
【解決手段】
下記の（１）〜（３）の工程を含む被検査物の断面分析方法。
（１）試料表面に不活性層を形成する工程
（２）不活性層を形成した試料を包埋材料に包埋して被検査物を作製する工程
（３）被検査物を切断して断面を形成し、該断面を分析する工程 （もっと読む）

【課題】蛋白質結晶のＸ線結晶解析を行うに当たり、蛋白質結晶を崩壊させることなく、かつ該結晶を結晶母液のない状態で凍結させる。
【解決手段】一方の端部に内径５０〜１０００μｍの環状突起体を備えたキャピラリーに母液を含む結晶をすくい取り、母液を吸引除去すると同時に結晶を凍結し、環状突起を屈曲し、Ｘ線結晶回折測定を行う。 （もっと読む）

【課題】 被測定物の形状が不揃い、かつ微量でも、測定精度良くかつ測定時間を短くすることを可能とする。
【解決手段】 物質測定装置は、被測定物を高温に熱し柔らかくする溶融ステーション３と、被測定物をプレスするプレスステーション４と、被測定物に含まれる物質を蛍光Ｘ線分析方法によって測定する測定ステーション５と、被測定物を前記各装置間で移動させる回転テーブル１とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 分析領域の特定を簡便に行うと共に正確な分析を行うことが可能な、２次イオン質量分析方法を提供することにある。
【解決手段】 試料２２の分析領域３０の近傍に溝４０を作成した後、試料断面を出してその切断面５０を分析対象面とし、切断面５０に表出した溝４０を目印として分析を行い、分析領域３０を特定する。 （もっと読む）

【課題】 水に分散した状態のままの合成高分子エマルションについて、その粒子の内部構造を観察する方法を提供する。
【解決手段】
（１）合成高分子エマルションに保護コロイドを混合させゲル化によって合成高分子エマルションを固定化するステップと、
（２）固定化されたエマルション中の水のほとんどを、水と親和性がある有機溶媒で置換するステップと、
（３）水が置換された固定化エマルションを硬化樹脂で硬化させるステップと、
（４）硬化されたエマルションを薄片化するステップと、
（５）薄片化されたサンプルを透過型電子顕微鏡で観察するステップと、
を含む合成高分子エマルションの観察方法。 （もっと読む）

【課題】 対象物の種類ごとに空間分解能の高い二次元分布像を得ることができる方法及び装置、生体組織の構成物に由来する二次イオンの生成を効率よく行え、生体組織の構成物の分布状態を高い感度で測定するための方法および装置、更には、生体組織構成物の分布状態を定量性よく測定するための方法及び装置を提供すること。
【解決手段】 対象物に関する情報を飛行時間型二次イオン質量分析法を用いて取得する取得する際に、対象物のイオン化を促進するための物質を用いて対象物のイオン化を促進して対象物を飛翔させる。 （もっと読む）

【課題】 薄膜の表面状態および表面と平行な面内における状態の解析に適した試料を、容易に作製することの可能な方法を提供する。
【解決手段】 積層膜１０Ｚに対してＦＩＢ１５Ａ，１５Ｂを照射することにより、可溶膜１２に達するエッチング溝１６を、解析対象領域１０Ｒを取り囲むように形成したのち、ウェハ１１、可溶膜１２および中間膜１３Ｚのうち、可溶膜１２のみを溶解可能な酸性溶液を用いて中間膜パターン１３と接する部分である底部１２Ｂを溶解除去することにより、解析用試料１０を形成する。得られた解析用試料１０を、その側面１０Ｗを把持することにより取り出す。これにより解析対象膜パターン１４の表面を汚すことなく、ＳＥＭやＴＥＭなどを用いた表面状態および表面と平行な面内における状態の解析に好適な解析用試料１０を、高精度かつ容易に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】
コンタクトホール等の半導体製造工程中の高い段差のあるパターンを持つウエハ上の欠陥を検査し、ドライエッチングによる非開口欠陥等の欠陥の位置や欠陥の種類等の情報を高速に取得可能とする。また、得られた欠陥情報から欠陥の発生プロセスや要因の特定を行ない、歩留まりを向上やプロセスの最適化の短期化を実現する。
【解決手段】
半導体製造工程中の高い段差のあるパターンを持つウエハに１００ｅＶ以上１０００ｅＶ以下の照射エネルギ−の電子線を走査・照射し、発生した２次電子の画像から高速に欠陥検査を行う。二次電子画像取得前にウエハを移動させながら高速に電子線を照射し、ウエハ表面を所望の帯電電圧に制御する。取得した二次電子画像から欠陥の種類の判定を行ない、ウエハ面内分布を表示する。 （もっと読む）

【課題】 試料の種類および試料の表面状態によらず高い感度を得ることを可能にする。
【解決手段】 半導体基板２を酸蒸気に暴露する工程と、酸蒸気に暴露された半導体基板の表面の不純物を酸溶液で走査回収する工程と、走査回収した酸溶液６を表面が鏡面状態の基板上で濃縮乾燥させ濃縮乾燥物８に変える工程と、濃縮乾燥物を酸を用いて粒子状の濃縮物８ａに変える工程と、粒子状の濃縮物を全反射蛍光Ｘ線分析装置４０にて分析する工程とを備えている。 （もっと読む）