【構成】
サイズ、ドナー密度、仕事関数等が大きく異なるn型金属酸化物半導体の結晶粒子を互いに接触させ、あるいはn型金属酸化物半導体の結晶粒子と金属粒子を互いに接触させ、かつその接触界面が電極間の導電に効果的に寄与するよう充填構造を制御する。接触界面で接触電位δ_ｐが発生し、これによる電子移動度の変化が随伴し、ガス濃度変化に対するセンサの抵抗変化が助長される。
【効果】
高感度な金属酸化物半導体ガスセンサが得られる。 （もっと読む）

【課題】ガス種の判定ロジックを改良し、検知性能を維持しつつ低消費電力化を実現しようとするガス検知装置を提供する。
【解決手段】通常時にあっては干渉ガスまたは検知対象ガスの有無を検知する温度となるように加熱してガス感知層の電気抵抗特性に基づいて干渉ガスまたは検知対象ガスが含まれるか否かを判定し、さらに干渉ガスまたは検知対象ガスが含まれる場合には干渉ガスを燃焼させる温度であってガス感知層が検知対象ガスのみを検知する温度となるように加熱してガス感知層の電気抵抗特性に基づいて検知対象ガスの有無または濃度を判定するガス検知装置とした。 （もっと読む）

【課題】ガス感応部の電気抵抗を小さくして、被検知ガスに対して高感度となる半導体式ガス検知素子を提供する。
【解決手段】貴金属線にガス感応部を設けた半導体式ガス検知素子であって、ガス感応部は、酸化スズに、アンチモンを０．８ｍｏｌ％以下の範囲、セリウムを０．８ｍｏｌ％以下の範囲で、固溶させてある。 （もっと読む）

【課題】燃焼プロセス排ガス等の多成分ガス系に含まれる窒素酸化物、炭化水素、一酸化炭素、酸素等を直接検知可能な化学センサーアレイ及び方法を提供する。
【解決手段】（ｉ）少なくとも２つの化学／電気活性材料のアレイを含んでなる化学センサーを多成分ガス系に暴露する工程、応答を検出する工程、各化学／電気活性材料の応答を直接測定する工程とを含んでなる。化学／電気活性材料は半導体材料である。測定される応答は、静電容量、電圧、電流、ＡＣインピーダンスまたは、ＤＣ抵抗値である。 （もっと読む）

【課題】高感度・高安定で高選択性を有し、さらに低消費電力なガスセンサを提供する。
【解決手段】雰囲気ガスを検出するガスセンサは、ヘテロ構造層２０と、２次元電子ガス層３０と、センサ部４０と、検出部５０とからなる。２次元電子ガス層３０は、ヘテロ構造層２０の界面に設けられる。センサ部４０は、ヘテロ構造層２０上に形成されるものであり、半導体ナノワイヤを有するものである。検出部５０は、２次元電子ガス層３０の抵抗値を用いて雰囲気ガスを検出するものである。 （もっと読む）

【課題】高感度、長寿命という優れた特徴を有するガス感知体を、さらには、ガス選択性を容易に付与することが可能なガス感知体を、容易に製造することができるガス感知体の製造方法及びガス感知体並びにガスセンサを提供する。
【解決手段】本発明のガス感知体の製造方法は、半導体微粒子を含む分散液から分散媒を除去することにより、未焼結状態の半導体微粒子堆積物を生成し、次いで、この半導体微粒子堆積物に絶縁性物質形成成分を含む溶液を浸透させて絶縁性物質形成成分から絶縁性物質を生成させ、半導体微粒子及び絶縁性物質を含むガス感知体を得る。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラム部に生じる歪(熱による歪・割れによって生じた歪)を検出し、故障を自己診断するようにして、検出特性の変化により発生する事故の未然防止に寄与する薄膜ガスセンサを提供する。更にこのような薄膜ガスセンサを製造する薄膜ガスセンサの製造方法も併せて提供する。
【解決手段】ダイヤフラム部の上に歪感知層８１を４個配置し、さらにホイートストンブリッジ回路を形成する。これにより、ピエゾ抵抗素子として機能する歪感知層８１によりダイヤフラム部の歪を抵抗値の変化として検出することが可能になる。また、歪感知層８１はガス感知層５３と同じ材料とし、歪感知層８１とガス感知層５３とを同時に形成するため工数低減が可能となる。 （もっと読む）

【課題】サージ電圧等の印加に対しても破壊されることがなく、安定で信頼性の高い薄膜ガスセンサを提供する。
【解決手段】図は薄膜ガスセンサの平面図であり、感知膜電極７間にバリスタ（R）等の非直線性抵抗素子を形成した例である。つまり、感知膜電極７を形成する際に、ニードル状に突起のあるパターンを図示のように対向させる。そして、上層のSnO₂層を形成する際に、図示のようにSnO₂を形成する部分に窓開けし、ここにバリスタ（R）等の非直線性抵抗素子10を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】電気化学デバイス用電極用ウィスカー形成体及びその製造方法を提供。
【解決手段】ウィスカー形成体は、基材と、該基材の表面に配設されたウィスカー母材層と、該ウィスカー母材層の表面に配設されたウィスカーで形成されたウィスカー形成層と、を有し、該ウィスカー形成層のウィスカーが、単体の融点が３００［Ｋ］以上１０００［Ｋ］以下である金属Ａの化合物から成り、該ウィスカー母材層が、該金属Ａを含み、該基材が、金属Ａの融点よりも高い融点を有する。 （もっと読む）

【課題】応答特性に優れたガス感応層を有する基板型ガス検知素子、および、当該ガス感応層の構成粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】一対の検出電極１１，１２を設けてなる絶縁基板１３上に、金属酸化物半導体を主成分とするガス感応層１４を検出電極１１，１２を覆って設けた基板型ガス検知素子１０であって、ガス感応層１４は、酸化チタニウムを主成分とするコア粒子ｐ１、および、コア粒子ｐ１の外側に酸化スズを主成分とする微粒子層ｐ２を備えた構成粒子Ｐによって形成してある。 （もっと読む）

【課題】安価かつ簡易な構成により調節作業の高精度化および機械化を実現し、性能および生産性の向上を共に図る薄膜ガスセンサを提供する。また、このような薄膜ガスセンサを搭載して性能および生産性の向上を共に図るガス漏れ警報器を提供する。さらにまた、このような薄膜ガスセンサの調節作業を行う薄膜ガスセンサ設定調節装置および薄膜ガスセンサ設定調節方法を提供する。
【解決手段】設定調節部７は、ヒータ層３、設定調節部７およびシャント抵抗８により形成される直列回路に電源を供給したときのヒータ層３およびシャント抵抗８を通じて取得された情報に基づいて、デジタルポテンショメータ７１の抵抗値を変化させて設定調節部７の合成抵抗値を増減させて、ヒータ層３が最適出力をするように設定調節された薄膜ガスセンサ１００，２００，３００とした。 （もっと読む）

【課題】燃焼ガス排出物のような混合物の２種以上の成分を同時に分析して、たとえば、混合物中のガスのいずれをも分離する必要もなくガスをセンサーに直接接触させることにより生成させたデータだけから濃度を算出する。
【解決手段】化学的センサーおよび化学的センサーアレイを用いて多成分ガス系内のＮＯ_ｘ、炭化水素、一酸化炭素、酸素などの種々のガスの濃度を分析、感知、および測定する方法および装置である。センサーおよびセンサーアレイは、化学的／電気的活性物質を用いてガスの存在を分析および検出する。 （もっと読む）

【課題】化学センサーアレイを用いる、多成分ガス系中のＮＯ_ｘ、炭化水素、一酸化炭素および酸素をはじめとする、様々なガスの濃度に関連した情報の分析、検知および測定のための方法および装置の提供。
【解決手段】該センサーアレイは、化学／電気活性材料を用いてガスの存在を分析および検出する。少なくとも２つの化学／電気活性材料のアレイを含んでなる化学センサーを多成分ガス系に暴露する工程と、応答を検出する工程と、各化学／電気活性材料の応答を直接測定する工程とを含んでなる方法を提供する。好ましくは化学／電気活性材料は半導体材料であり、多成分ガス系は燃焼プロセス排ガスである。測定される応答は、静電容量、電圧、電流、ＡＣインピーダンス、またはＤＣ抵抗の測定値であり得る。 （もっと読む）

【課題】ガス・センサを提供する。
【解決手段】ガス・センサ（１００）は、ガス検知層（１１８）と、少なくとも１つの電極（１１２）と、接着層（１１４）と、前記ガス検知層（１１８）及び前記接着層（１１４）に隣接する応答修正層（１１６）とを含む。ガス・センサ（１００）を排気システムに用いたシステムも開示する。またガス・センサ（１００）の製造方法も開示する。 （もっと読む）

本発明は、複数のガスを検出するためのガスセンサ（１）に関する。このガスセンサ（１）は、基板（２）上に形成された少なくとも１つのガス感受層を有し、基板（２）上には、ガス感受層と接触接続するために少なくとも１つの導体トラック（３）がさらに設けられ、導体トラック（３）は、ガス検出への導体トラック（３）の影響を回避するために、無触媒特性を有する添加物含有金属酸化物材料により形成される。これにより、従来技術の不都合が回避され、ガス感受層によりガスを検出するときに感受特性に影響を及ぼすことのないガス感受層の接触接続が提供される。
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【課題】酸性ガスを確実に除去するとともに十分な反応速度を確保し、長期間にわたり高い応答性を実現した可燃性ガス検出装置を提供する。
【解決手段】検出空間２１２を有するケース体２０と、検出対象ガスのうち酸性ガスを吸着する無機化合物を主体とする無機化合物フィルタ６０と、無機化合物フィルタ６０を通過した検出対象ガスのうち雑ガスおよび酸性ガスを吸着する活性炭を主体とする活性炭フィルタ３０と、所定の時間間隔でパルス通電を行ってオンとオフを繰り返す間欠駆動がなされて、検出対象ガスのうち可燃性ガスに感応して検出信号を出力する薄膜ガスセンサ１０と、を備える可燃性ガス検出装置１とした。 （もっと読む）

【課題】Ｈ₂やＣＯを通過させつつ、硫黄系ガスを除去することができるガスフィルタ、及びそのガスフィルタを用いたガスセンサを提供する。
【解決手段】通気性構造体と、Ｒｕを含む吸着剤２とを備え、吸着剤２は通気性構造体の内部において、通気性構造体によって挟持され、または接着により通気性構造体に固定してある。 （もっと読む）

【課題】不良品率を低減しつつ、低濃度から高濃度までＣＯを高分解能で検知し、感度の長期安定性を向上させ、製造コストを抑制する。
【解決手段】薄膜状の支持膜１０ｃ，２０ｃと、その外周部またはその両端部を支持するＳｉ基板１０ａ，２０ａと、支持膜１０ｃ，２０ｃの上側に形成された薄膜ヒーター１０ｅ，２０ｅと、薄膜ヒーター１０ｅ，２０ｅを覆う電気絶縁膜１０ｆ，２０ｆと、ドーパントを含むＳｎＯ_２薄膜によって電気絶縁膜１０ｆ，２０ｆ上に形成されたガス感知膜１０ｇ，２０ｇと、ガス感知膜１０ｇ，２０ｇの抵抗を測定する電極１０ｈ，２０ｈと、選択燃焼層１０ｋ，２０ｋとを有する半導体式薄膜ガスセンサチップ１０，２０が複数設けられたガス警報器において、半導体式薄膜ガスセンサチップ１０と半導体式薄膜ガスセンサチップ２０とでガス感知膜１０ｇ，２０ｇの抵抗のガス依存性を異ならせた。 （もっと読む）

ガス検知半導体素子。ガス検知半導体素子１’は、ＣＭＯＳ回路のソース領域およびドレイン領域と同時に形成されるドープされた単結晶シリコンから成る抵抗性ヒータ６が埋込まれる二酸化シリコン薄層３’を有するシリコン基板２’上に作製される。素子１’は、絶縁層４’によってヒータ６’から分離されたガス感知層９’を備えた検知領域を含む。作製の最終工程の１つとして、基板２’は、検知領域に薄膜を形成するためにバックエッチングされる。ヒータ６’は、熱拡散プレート１６’を包囲する略円形の構造を有し、弓形部分が互いに入れ子になって入り組んだ形態で相互接続されている２つの湾曲した抵抗器２０’，２１’から成る。ＣＭＯＳ回路のソース領域およびドレイン領域と同時にヒータを作製することは、ＣＭＯＳ工程後のバックエッチングおよびガス感知層の蒸着の他、ＩＣ処理工程で既に採用されている作製工程以外の工程を要することなくガス検知半導体素子が製造されるという点で、特に有利である。この円形の形状は、電力損失および加熱面積を一定として膜の大きさを最小にするには最善の解決策であることから、利点である。
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【課題】
消費電力の増加を極力抑え、ガス感知層が温度により影響される事態を排するとともに目的ガスに感応するようにして、周囲環境による影響を受けないようにした薄膜ガスセンサを提供する。
【解決手段】
ガス感知層が目的ガス検知温度となるように所定期間にわたりヒーター層を駆動して温度が安定してからガス感知層の感知層抵抗の値を算出して目的ガス濃度を算出し、また、ガス感知層が一酸化炭素ガス検知温度となるように所定期間にわたりヒーター層を駆動して温度が安定してからガス感知層の感知層抵抗の値を算出して一酸化炭素ガス濃度を算出し、温度による影響を排した薄膜ガスセンサとした。 （もっと読む）