【課題】イオン性金属触媒が導入された炭素材を用いた高感度ガスセンサー及びその製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、（１）水酸化物を蒸留水に溶解させて水酸化物溶液を製造する第１ステップと、（２）第１ステップの過程を通じて製造された水酸化物溶液に金属触媒を投入して溶解させる第２ステップと、（３）第２ステップの過程を通じて得られた溶液に炭素材を担持させ、攪拌する第３ステップと、（４）第３ステップの過程を通じて得られた混合物を熱処理する第４ステップと、（５）第４ステップの過程を通じて熱処理された炭素材を洗浄する第５ステップと、（６）第５ステップの過程を通じて洗浄された炭素材を乾燥する第６ステップと、（７）第６ステップの過程を通じて得られた炭素材を基板にローディングしてガスセンサーを製造する第７ステップと、を含む。常温でも敏感度及び応答性に優れるガスセンサーを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】燃焼プロセス排ガス等の多成分ガス系に含まれる窒素酸化物、炭化水素、一酸化炭素、酸素等を直接検知可能な化学センサーアレイ及び方法を提供する。
【解決手段】（ｉ）少なくとも２つの化学／電気活性材料のアレイを含んでなる化学センサーを多成分ガス系に暴露する工程、応答を検出する工程、各化学／電気活性材料の応答を直接測定する工程とを含んでなる。化学／電気活性材料は半導体材料である。測定される応答は、静電容量、電圧、電流、ＡＣインピーダンスまたは、ＤＣ抵抗値である。 （もっと読む）

【課題】衝撃や振動等によるダイヤフラム構造体上に設けられた層状部の剥離を抑制すると共に、生産性に優れたガスセンサを提供する。
【解決手段】ダイヤフラム構造体３９Ｄ、４９Ｄと、ダイヤフラム構造体の絶縁層上に形成されたガス検知層を含む層状部３１、４１と、ガス検知層を介して互いに接続する一対の検知電極３６Ａ，３６Ｂ、４６Ａ，４６Ｂと、電極取出し辺３Ｐ、４Ｐに沿って設置されて検知電極に接続する一対の検知パッド３３、４３とを有するガス検出素子３、４と、検知パッドに接続する基板側パッド２３が表面に形成され、複数のガス検出素子が一列に並ぶよう実装された配線基板２とを備え、ガス検出素子の下面Ｒ１と配線基板の表面との間に介装される第１接着層６１，６２と、隣接するガス検出素子の下面Ｒ２同士を跨ぐように当該下面と配線基板の表面との間に介装される第２接着層６３とを備えるガスセンサ１０である。 （もっと読む）

【課題】 内燃機関の空燃比の計測に用いられる抵抗型酸素センサ素子において、応答時間短縮を実現した酸素分圧検出部を有する抵抗型酸素センサ素子を提供する。
【解決手段】 耐熱性の絶縁基板と、該絶縁基板の一方の主面側に形成された一対の電極と、前記主面側に前記一対の電極に接するように形成された酸素分圧検出膜とを備えた、内燃機関の空燃比の計測に用いられる抵抗型酸素センサ素子であって、前記酸素分圧検出膜として、４５０℃〜９００℃において酸素イオン伝導性を有する酸化物粒子と４５０℃〜９００℃において電子伝導性を有する酸化物粒子とを含む多孔質焼結体層を用いることにより、応答時間が短縮された抵抗型酸素センサ素子が得られる。 （もっと読む）

【課題】ガス検出部がシロキサン化合物によりシロキサン被毒状態にあるか否かを判定し、所定濃度の検出対象ガスの存在の検出及び警報を正確に行うことを可能とし、シロキサン被毒によるセンサ故障を早期に認識するガス検出装置、これを備えた機器を提供する。
【解決手段】検出対象ガスに感応して電気抵抗値が変化するガス検出部を高温作動状態と低温作動状態とに切り換えるように又は高温作動状態のみに加熱部の作動を制御するとともに、高温作動状態にあるガス検出部の第１電気抵抗値に基づいて可燃性ガスを検出する制御部を備えたガス検出装置で、加熱されたガス検出部の温度が高温作動状態においてガス検出部の雰囲気中のシロキサン化合物がガス検出部を被毒することがある温度であり、制御部により検出された第１電気抵抗値の低下する低下状態が所定期間継続した場合に、ガス検出部の表面がシロキサン化合物による被毒状態であると判定する判定部を備えた。 （もっと読む）

感度、選択性および長時間安全性を向上させることができる薄膜型高活性ガスセンサーを開示する。また、その薄膜型高活性ガスセンサーの製造方法であって、製造工程の単純化、薄膜化および小型化を図ることができるものを開示する。 （もっと読む）

【課題】燃焼部の燃焼開始初期の燃料漏れをも的確に検知することができながら、燃料漏れと不完全燃焼とを的確に検知し得る燃焼装置のガス検出装置を提供する。
【解決手段】高温作動状態で可燃性ガスを検出し且つ低温作動状態で不完全燃焼ガスを検出する通常検出モードを実行する制御手段１６が設けられ、制御手段１６が、燃焼部の燃焼開始操作を受け付けた後、初期検出用設定時間の間、その初期検出用設定時間以下に設定された比較用設定時間の間における高温作動状態で可燃性ガスを検出する回数を通常検出モードよりも多くする形態で、ガス検知体１の電気的特性に基づいて高温作動状態で可燃性ガスを検出し且つ低温作動状態で不完全燃焼ガスを検出すべく、ガス検知体１を高温作動状態と低温作動状態とに切り換えるように加熱手段２の作動を制御する初期検出モードを通常検出モードに先立って実行するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】特定ガスに高感応性を有するナノサイズの金属酸化物または金属触媒粒子が塗布された酸化物半導体ナノ繊維を利用したガスセンサーを提供する。
【解決手段】本発明によるガスセンサーは、絶縁基板と、該絶縁基板の上部に形成された金属電極と、該金属電極の上部に形成された高感応性を有するナノ粒子が塗布された酸化物半導体ナノ繊維層とを含む。本発明によれば、酸化物を電気放射用溶液で製造した後、これを電気放射し、熱処理して酸化物半導体ナノ繊維を形成し、次いで、大きい比表面積を有するナノ繊維の表面に特定ガスに高感応性を有するナノサイズの金属酸化物または金属触媒粒子を部分的に塗布し、超高感度、高選択性、高応答性、長期安定性の特性を有する酸化物半導体ナノ繊維ガスセンサーを製作することができる。 （もっと読む）

【課題】低い濃度レベルでもＮＯxガスの定量的評価が可能であり、長い耐用年数を有するガスセンサー及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ガスセンサー（１００）は、ドープ酸素欠陥酸化タングステン並びにＲｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ及びこれらの組合せからなる群から選択されるドーパントを含むガス感知層（１１８）、チタン層（１１４）内に位置する１以上の電極（１１２）、並びに応答調節層（１１６）を備える。１以上の電極（１１２）はガス感知層（１１８）と連通しており、ガス感知層（１１８）はＮＯ、ＮＯ₂、ＳＯ_x、Ｏ₂、Ｈ₂Ｏ及びＮＨ₃からなる群から選択される１種以上のガスを検出することができる。 （もっと読む）

【課題】ガス・センサを提供する。
【解決手段】ガス・センサ（１００）は、ガス検知層（１１８）と、少なくとも１つの電極（１１２）と、接着層（１１４）と、前記ガス検知層（１１８）及び前記接着層（１１４）に隣接する応答修正層（１１６）とを含む。ガス・センサ（１００）を排気システムに用いたシステムも開示する。またガス・センサ（１００）の製造方法も開示する。 （もっと読む）

【課題】水素等の可燃性ガスの影響及びＮＯx等の酸化性ガスの影響を低減することができ、従来に比べて臭気ガスに対する検知精度及び検知感度の向上を図ることのできるガスセンサを提供する。
【解決手段】ガスセンサ１は、矩形状の平面形状を有し、シリコン基板２の上面に絶縁被膜層３が形成され、この絶縁被膜層３には、発熱抵抗体５が内包されるとともに、その上面には密着層７およびガス検知層４が形成された構造を有する。ガス検知層４は、金属酸化物半導体としてのＳｎＯ₂を主成分とし、さらに、少なくともＶ₂Ｏ₅と、Ｉｒとを含む。 （もっと読む）

【課題】複数の特定ガス成分のうち、ある一つの特定ガス成分を他の特定ガス成分より優先的に検出可能なガスセンサを提供する。
【解決手段】ガスセンサ１は、環境気体中の複数の特定ガス成分の濃度変化を検出する第１〜３感ガス膜１１ｂ、１２ｂ、１３ｂと、内部に第１〜３感ガス膜１１ｂ、１２ｂ、１３ｂを収容し、ガス導入口９１が形成されたケース９０と、ガス導入口９１を閉塞するフィルタ膜８０とを備える。
複数の特定ガス成分のうち他に対して検出優先度が求められる特定ガス成分を第１ガス成分とし、第１ガス成分に対応した感ガス膜を第１感ガス膜１１ｂとし、環境気体がガス導入口９１の重心Ｃ０を通過してから各第１〜３感ガス膜１１ｂ、１２ｂ、１３ｂに達するまでの距離を通気最短距離Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３としたとき、通気最短距離Ｄ１は、通気最短距離Ｄ２、Ｄ３よりも短い関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】高濃度雰囲気中で安定に動作する水素センサーを提供する。
【解決手段】基板２と、該基板２上に形成された希土類金属膜３と、該希土類金属膜３上に形成された保護膜５であって前記保護５膜はセラミックス材料１５中に水素透過性金属粒子１３を分散してなる保護膜５と、前記保護膜上に形成された一対の電極膜と前記保護膜５及び電極膜上に形成された撥水膜４とを有することを特徴とする水素センサー。
希土類金属膜３の厚さが５〜１０００ｎｍであり、保護膜５の厚さが５〜４０ｎｍであり、撥水膜４の厚さが０．０１〜１．５μｍであり、電極膜１６a、１６bの厚さが５〜１０００ｎｍであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】長期間に亘ってガス選択性を有する半導体式ガス検知素子を提供する。
【解決手段】ガス感応部２と、ガス感応部２を被覆する触媒層３とを備える半導体式ガス検知素子Ｒｓであって、触媒層３は、酸化スズ、酸化インジウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化鉄、酸化セリウムからなる群から選択される少なくとも１種の金属酸化物を含む金属酸化物半導体に、セリウム、スズ、アルミニウム、ランタン、ニオブ、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、ネオジム、ガドリニウム、バナジウム、シリコン、マグネシウムからなる群から選択される少なくとも１種の金属元素を固溶させた金属複合酸化物を含有する。 （もっと読む）

【課題】ＮＨ₃ガスが、被検出雰囲気中において、ＮＯ₂等の他のガスと共存していても、ＮＨ₃ガスに対するガス選択性を良好に維持するようにしたアンモニアガスセンサを提供する。
【解決手段】アンモニアガスセンサは、絶縁基板１０と、一対の櫛歯状電極２０、３０と、感応層４０とを備えている。一対の櫛歯状電極２０、３０は、金属酸化物でもって形成されており、これら櫛歯状電極２０、３０は、絶縁基板１０上に櫛歯状に設けられている。感応層４０は、一対の櫛歯状電極２０、３０を介し絶縁基板１０上に積層されている。 （もっと読む）

【課題】 ガス検知層が剥離することを防止するとともに、絶縁性の密着層を介したガス検知層と検知電極との電気的な接続を図り、特定ガスの濃度変化を良好に検知するガスセンサを提供すること。
【解決手段】 ガス検知層４とシリコン基板２および絶縁被膜層３，２３０から構成される基体１５との間に密着層７を形成し、両者の密着性を高め剥離を防止する。この密着層７を絶縁性金属酸化物から構成されており、ガス検知層４の特性に対し影響を与えない。そして、検知電極６のガス検知層４と対向する側の面６１は全面、ガス検知層４と当接することで、ガス検知層４と検知電極６とが電気的に接続され、特定ガスの濃度変化に応じて変化するガス検知層４の電気的特性が良好に検知される。 （もっと読む）

【課題】非水素成分による有害な影響や水素による劣化を抑制でき、更に、高感度で水素ガスを検出できる水素センサーを提供する。
【解決手段】 セラミックス基板４と、該セラミックス基板４上に順次形成される下層セラミックス保護膜６及び上層セラミックス保護膜８と、前記上層セラミックス保護膜８及び下層セラミックス保護膜６の間に埋設される水素検知膜１０と、前記上層セラミックス保護膜８の表面であって前記水素検知膜８の両縁部近傍に形成される一対の電極２０ａ、２０bとからなる水素センサー２であって、少なくとも前記上層セラミックス保護膜８がセラミックス材料１６、１８中に水素透過性金属粒子１２、１４を分散させてなる複合材料保護膜で形成されてなる水素センサーとする。 （もっと読む）

【課題】熱ストレスによる割れが生じにくく、電極と検知膜との間で金属が相互拡散しない耐久性が高い水素センサを提供する。
【解決手段】基板と、該基板上に形成された希土類金属からなる検知膜と、該検知膜上に形成された保護膜であって前記保護膜はセラミックス材料中に水素透過性金属粒子を分散してなる保護膜と、該保護膜上に離間して形成され該保護膜を介して検知膜と電気的に接続される一対の電極と、を有する水素センサ。前記水素透過性金属粒子は、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａであり、その好ましい含有量は２０〜７０質量％である。保護膜の電極間方向の抵抗値は１０〜１０００００Ω、検知膜の電極間方向の抵抗値は保護膜の電極間方向の抵抗値より小さい値であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】簡易で高精度に水素ガスの検知位置を検出でき、ガスの漏洩箇所を発見することのできるガス検知装置を提供する。
【解決手段】ガスを検知すると抵抗変化するガス検知センサであって、略帯状に形成された検知膜５と、検知膜５の長手方向の面に接合して積層される抵抗層４と、検知膜５の長手方向の面に接合し、且つ抵抗層４と接合しない側に形成し所定のバイアス電圧を印加するための第１の電極１と、検知膜５と接合しない側の抵抗層４上の長手方向の両端に形成する第２と第３の電極と、を備え、検知膜５のガス検知位置を、抵抗層４を介して第１の電極１と第２及び第３の電極間の導電特性を測定して算出する。 （もっと読む）

【課題】簡易で高精度に複数からの水素ガスの漏洩箇所を発見することのできるガス検知装置を提供する。
【解決手段】水素ガスを検知すると電気抵抗が変化する水素ガス検知センサであって、帯状の絶縁性の基材面端部の長手方向の長辺部に形成される共通電極と、共通電極２と一端が接続され所定の間隔で直線状に配置される所定の小領域の検知膜からなるセンサセル３と、共通電極２と対をなしてセンサセル他端部に形成される検出電極４とを有し、共通電極２にバイアス電圧を印加し、共通電極２とセンサセル３の検出電極４との間の抵抗値変化を検知して該抵抗値変化が検出されるセンサセル３の位置に基づいて水素ガス検知位置を算出する。 （もっと読む）