【課題】 光学部品を固定するときに不所望な変形を防止して、所望の位置に検出用の光を入射させることができる光学部品の欠陥検出方法および欠陥検出装置を提供する。
【解決手段】 保持機構１４によって、光学部品１５の一表面部１５ａを端部１５ｂに沿って均一に押圧されて、光照射手段１１に対する光学部品１５の位置が固定されることによって、保持機構１４によって押圧された端部１５ｂは、不所望に変形することが防止され、光学部品１５を高精度に位置決めすることができ、検出用の光１７を所望の位置に入射させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板上にパターンを形成し対象物を製作して行く製造工程で発生する異物等の欠陥を検出する際に、パターンからの回折光を低減するために回折光が入らない方向から直線上の高効率照明を実現し、パターンによる信号のばらつきに応じてしきい値を設定することにより、検出感度およびスループットを向上する欠陥検査装置およびその方法を提供することにある。
【解決手段】本発明では、パターンからの散乱光を低減する方向から照明する高効率照明光学系により、信号のばらつきの原因であるパターンからの散乱光を低減し、さらに、チップ内の領域毎に算出した信号のばらつきをもとにしきい値を設定する手段により、検出しきい値を低減し、検出感度の向上およびスループットの向上を実現する。 （もっと読む）

【課題】 基板の外観検査を行う際に、種々の形態を有する欠陥を観察できる外観検査装置を提供する。
【解決手段】 外観検査装置は、任意の位置から被検査基板の画像を取得可能なデジタルカメラ１７と、デジタルカメラ１７の画像を処理して表示手段３２に出力する制御ユニット２０を有している。制御ユニット２０は、デジタルカメラ１７で取得した画像から被検査基板の輪郭線を抽出してこれを多数の四角形に分割することで形状補正を行う。表示手段３２に出力する際には、多数の四角形を矩形状に割り当てて、被検査基板の縦横比と一致するように縦横比を調整する。 （もっと読む）

【課題】 基板に照射するＰ偏光とＳ偏光との切り替えを、液晶偏光フィルタを用いて電気的に行うことにより、発塵の可能性を抑え、短時間で効率良く、被検査体の表面上の欠陥を検査することができる欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、被検査体であるウエハ（基板）等の欠陥を検査する装置であり、ウエハ（被検査体）２を照明する照明光学系１と、ウエハ２からの回折光または正反射光Ｌ２を受光する受光光学系４とを有する欠陥検査装置であって、照明光学系１又は受光光学系４のどちらか一方に液晶偏光フィルタ７を備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】大面積基板上に形成された複数の電子デバイスを検査するための方法及び装置が開示されている。
【解決手段】一実施例において、本装置は検査されるべき基板の大きさよりもちょっと幅広い少なくとも１つのチャンバ内で、一線形軸において前記基板上において検査を行なう。クリーンルームのスペース及びプロセスの時間は、システムのより小さいサイズ及び容量によって最小化される。 （もっと読む）

【課題】膜厚ムラを精度良く検出する。
【解決手段】ムラ検査装置１は、基板９を保持するステージ２、基板９の膜９２が形成された上面９１に向けて線状光を出射する光出射部３、基板９からの反射光を受光する受光部４、基板９と受光部４との間に配置されて光の波長帯を切り替える波長帯切替機構５、ステージ２を移動する移動機構２１、受光した光の強度分布に基づいて膜厚ムラを検査する検査部７を備える。ムラ検査装置１では、波長帯切替機構５により選択光学フィルタ５１ａが変更された場合、各光学フィルタ５１の光学特性による影響や選択波長帯の変更に伴うラインセンサ４１のＣＣＤ感度のばらつきの影響が、補正情報記憶部７６に予め記憶されている選択波長帯（選択された光学条件）に対応する補正情報に基づいて補正された後、膜厚ムラの検査が行われる。その結果、膜厚ムラをより精度良く検出することができる。 （もっと読む）

【課題】 試料を撮像した撮像画像と基準画像とを比較してそれらの画素値の差が検出閾値を超えるとき、欠陥を検出する外観検査装置及び外観検査方法において、検出閾値や基準画像を試料上の検査箇所に応じて適切に生成することを可能とし、また、この検出閾値や基準画像を生成する基となるサンプル画像に異常値が含まれていても、これらを不適切に生成することを防止することが可能とする外観検査装置及び外観検査方法を提供する。
【解決手段】 外観検査装置１を、複数の試料２３を撮像した撮像画像の画素値の統計処理によって、前記試料２３上の各箇所毎に、前記検出閾値を生成する閾値生成手段３３を備えて構成する。 （もっと読む）

【課題】 光学フィルタを光路内に挿入する前後で透過特性を略一定に保つことができる照明装置を提供する。
【解決手段】 光源１１からの照明光を光照射面（基板１０Ａの被検面）に導く光学系１２,１４〜１６と、照明光の光路内と該光路外との間で移動可能な光学フィルタ１３,１７,…と、光学フィルタの温度が光路の内外で等しくなるように、該温度を調整する調整手段２０,２１とを備える。 （もっと読む）

【課題】 欠陥検出の際に使用する撮像画像を用いて、従来の欠陥分類方法よりも高い精度で、検出された欠陥の分類を行うことが可能な外観検査装置及び外観検査方法を提供する。
【解決手段】 外観検査装置を、検査試料３の表面を撮像する撮像装置４と、その撮像画像から検査試料３の表面に存在する欠陥を検出する欠陥検出部８と、欠陥検出部により検出された欠陥を第１の系の欠陥分類に従って分類分けする欠陥分類部９と、検査試料３について、欠陥分類部９により前記第１の系の欠陥分類に従って分類分けされた各類の欠陥数に基づき、所定の近似式に従って、第２の系の欠陥分類に従う各類の欠陥数を算出する欠陥数算出部１０を備えて構成し、上記所定の近似式を、所与の基準試料において検出された既知の欠陥について、欠陥分類部９による第１の系の欠陥分類に従う分類分けの結果と、所定の観察手段による第２の系の欠陥分類に従う分類分けの結果と、から導出する。 （もっと読む）

【課題】 基板のサイズに影響されずに異物の有無を検査することができる異物検査装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 光源１とＣＣＤ型固体撮像素子（ＣＣＤ）２との相対的な位置を固定するフレーム３を備え、そのフレーム３によって上述した相対的な位置を固定しながら基板Ｗの検査面Ｗ_S上を走査して、基板Ｗ上の異物の有無を検査する。相対的な位置が固定なので、検査の対象である基板Ｗのサイズによらずに光の減衰は一定である。したがって、減衰によって検出誤差が生じることなく、基板Ｗのサイズに影響されずに異物の有無を検査することができる。 （もっと読む）

【課題】 基板のサイズの変更に容易に対応して、その基板の端縁のみを支持することが可能な基板検査装置を提供すること。
【解決手段】 基板支持部２は、マスク基板の第１の辺における端縁を支持する第１支持部２１と、第１の辺における端面と当接するローラ７２とを有する第１支持部材６１と、一対のガイドレール６３と、ガイドレール６３に対して摺動可能に構成され、マスク基板の第２の辺における端縁を支持する第２支持部２２と、第２の辺における端面と当接するローラ７４とを有する第２支持部材６２と、マスク基板の第３の辺における端面と当接する当接位置と退避位置との間を揺動可能な揺動ピン６４と、この揺動ピン６４との距離を変更可能な状態で第１支持部材６１および第２支持部材６２にその両端を支持され、マスク基板の第４の辺における端面と当接する移動バー６５とを備える。 （もっと読む）

【課題】 基板の欠陥を、簡便かつ高い精度で検知する。
【解決手段】 基板１の表面を検査する表面検査装置１００であって、暗部と明部とを交互に平行に配列させたストライプパターンを、被検査面１ａに照射するパターン照射部３と、検知しようとする欠陥の高さと比べて浅い被写体深度で、ストライプパターンが形成された被検査面１ａの画像を撮像する撮像部４と、撮像部４により撮像された画像における暗部の像の消失を検知することにより、被検査面上の欠陥を検知する欠陥検知部６とを備える。 （もっと読む）

【課題】 再学習を促す通知を出力できる外観検査装置を提供する。
【解決手段】 外観検査装置１００は、アルゴリズムの作成指令の入力を受けるステップ（Ｓ３１０）と、アルゴリズム作成処理を実行するステップ（Ｓ４００）と、ＲＯＣ評価値の閾値とＲＯＣ解析の条件の入力を受けるステップ（Ｓ３２０）と、作成したアルゴリズムを用いて検査を実施するステップ（Ｓ３３０）と、ＲＯＣ解析を行なう条件を満たす場合に（Ｓ３４０にてＹＥＳ）、ＲＯＣ解析を実行するステップ（Ｓ６００）と、ＲＯＣ評価値が予め定められた条件を満足する場合に（Ｓ３６０にてＹＥＳ）、再学習を促す情報を出力するステップ（Ｓ３７０）とを含む。 （もっと読む）

【課題】あらかじめ露光時間を測定する必要がなく、しかも、精度よい検査を行うために最適な画素の情報を生成する。
【解決手段】プリント基板３に光を照射する照明装置１２と、プリント基板３からの画像を取り込むラインセンサ１３と、このラインセンサ１３で取り込まれた画像を記憶する記憶手段２４と、この記憶手段２４に記憶された画像と基準画像とを比較することによってプリント基板３の良否を判定する判定手段２６とを備えた外観検査装置１において、第一の露光時間露光することによって検査対象物の画像を取り込む第一の画像取得手段２０と、この第一の露光時間とは異なる第二の露光時間露光することによってプリント基板３の画像を取り込む第二の画像取得手段２１と、これら第一・第二の画像取得手段２０、２１によって取り込まれた画像から、一ラインにおける各画素の情報を生成する。 （もっと読む）

【課題】 外観検査装置を大型化を防止し、かつ検査時間の長くなることを防止することである。
【解決手段】 外観検査装置１は、ベース本体３上に浮上ステージ４と、基板搬送ステージ５とが敷設されており、ガラス基板Ｗをベース本体３の長手方向に沿って一端部から他端部に至るまで搬送可能になっており、マクロ検査部１０と欠陥観察部１１とが搬送方向に沿って配設されており、これら検査部１０，１１間の距離は、ガラス基板Ｗの搬送方向の長さよりも短くなっている。 （もっと読む）

【課題】
多数の最適候補条件の下でそれぞれ検査を行うと全体の処理時間が長くなる。そこで、多数の最適候補条件のうち、検査に適するものを選んで最適条件とすることが望まれている。そのために、まず、画像を順位つけした後分類を行うことが考えられているが、適切な分類方法はいまのところ提案されていない。
【解決手段】
請求項１に係る発明は、表面検査装置の装置条件を順次変更し、被検物体の画像データを順次、取り込み、複数の画像データを記憶し、前記複数の画像データに所定の処理を施して前記画像データの順位つけをすると共に、前記複数の画像データの特徴量をそれぞれ抽出して、その特徴量に基づいて前記複数の画像データを分類し、その結果、画像データのうち順位の高いものを、各分類毎の候補画像データとして、各分類毎の候補画像データを取得した際の装置条件を最終的な装置条件に設定する。 （もっと読む）

【課題】照明ムラがあっても欠陥の形状や外形寸法を正しく且つ高速に計測できるパターン検査方法を得る。
【解決手段】半導体回路等の本パターン検査方法は、検査対象の画像を微分処理して微分画像を作成する第１ステップＳ１と、微分画像と予め良品から作成しておいたマスク画像とを比較して差分画像を作成する第２ステップＳ２と、差分画像の輝度値が所定値を超えた場合に、その所定値を超えた輝度を有する画素を含む小領域を計算する第３ステップＳ３と、検査対象の画像から小領域において画像特徴量を計算する第４ステップＳ４と、画像特徴量の値から上記小領域の良否を判定する第５ステップＳ５とを備える。本パターン検査方法に於ける画像処理はパソコンを用いてソフトウエアによって処理可能である。 （もっと読む）

【課題】垂直落射照明によるカラーフィルタの外観検査において、反射率の低い着色画素へ照射する検査光を特に強くすることなく、異物の良否の識別を反射率の高い着色画素における異物の良否の識別と同様な精度で行うことができるカラーフィルタの外観検査方法及び外観検査装置を提供すること。
【解決手段】検査カメラへ入射する反射光Ｒｅ３として、カラーフィルタ表面からの反射光Ｒｅ１と、カラーフィルタを透過してカラーフィルタ裏面側の光反射体で垂直に反射した反射光Ｒｅ１’を用いること。カラーフィルタ裏面側に、カラーフィルタ表面からカラーフィルタを透過した光源からの光を垂直に反射させる光反射体１６を設けたこと。 （もっと読む）

【課題】高い検出精度を有する周期性パターンのムラ検査装置及びムラ検査方法を提供する。
【解決手段】ＸＹステージ上の基板の周期性パターンに対して斜め透過光の照明を行う４つの光源と、照明された周期性パターンにおける回折光を撮像する撮像手段と、基板に対して光源の各々を二次元平面視野内で個別に移動させる移動手段1と、光源から斜め透過光の照明があたるように、光源の向きを変えさせる姿勢変更手段と、基板上の撮像対象エリアを少なくとも２つのエリアに分割し、ＸＹステージと光源との相対位置関係を調整するとともに光源の光量を調整することにより分割エリアの各々の輝度レベルを調整し、撮像手段により各分割エリアをそれぞれ撮像し撮像した分割画像データをそれぞれ取り込み、取り込んだ分割画像をつなぎ合わせて合成し、合成画像を用いてスジ状ムラを判定する際に擬似欠陥を欠陥として判定しない擬似欠陥除去手段40とを有する。 （もっと読む）

【課題】 エッジ欠陥を適切に自動検出できるエッジ欠陥検出方法を提供する。
【解決手段】 撮像工程ＳＴ１００では、ＣＣＤカメラにて表示画像を撮像する。撮像工程ＳＴ１００にて撮像された撮像データに基づいて撮像画素ごとの輝度値Ｌ_iを算出する（輝度値算出工程ＳＴ１１０）。輝度強調工程ＳＴ１４０では、着目撮像画素の輝度値Ｌ_iとその直上の撮像画素の輝度値Ｌ_i-1との差の絶対値を差分値Ｄ_iとして算出し、さらに、着目撮像画素に隣接する撮像画素を調べて最大の前記差分値Ｄ_maxをサーチし、サーチされた最大の差分値Ｄ_maxを着目撮像画素の差分値Ｄ_iに加算して強調差分値Ｄ´_iを算出する。各撮像画素の強調差分値Ｄ´_iを所定の輝度差閾値Ｄ´_sと比較して強調差分値Ｄ´_iが輝度差閾値Ｄ´_s以上である撮像画素を欠陥部として検出する（欠陥部検出工程ＳＴ１５０）。 （もっと読む）