【課題】試料ステージを傾斜することなく、半導体ウェーハやデバイスなどの電子部品等の試料から所望の特定領域を含む微小試料を、分離または分離準備して、微小領域分析や観察、計測用の試料作製方法およびその試料作製装置を提供すること。
【解決手段】集束イオンビームを試料表面に対して大きくとも９０度未満の照射角度で試料に照射し、目的とする微小試料周辺を取り除き、次に試料ステージを、試料表面に対する垂直線分を回転軸として回転させ、試料表面に対する集束イオンビームの照射角度は固定して試料に照射し、微小試料を分離または分離準備することを特徴とする試料作製方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスの所望領域から集束イオンビーム装置で切り出した薄片の断面の、走査キャパシタンス顕微鏡ドーパントプロファイル測定もしくは電子線ホログラフィードーパントプロファイル測定を可能にする。
【解決手段】 アルゴンなどのガスクラスターイオンビーム1のスパッタで、集束イオンビーム装置で切り出した薄片6の表面の残留ガリウム層3の除去を行う。電子線ホログラフィーを用いてドーパントプロファイル測定を行う場合は、残留ガリウム層3除去後の薄片2を100〜200kVの電子線が透過する厚さまでガスクラスターイオンビーム1のスパッタで薄くする。走査キャパシタンス顕微鏡を用いてドーパントプロファイル測定を行う場合は、残留ガリウム層除去後の薄片2の表面を酸素ガスクラスターイオンビームで表面酸化を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハやデバイスチップから所望の特定領域を含む試料片のみをサンプリング（摘出）して、分析／計測装置の試料ステ−ジに、経験や熟練や時間のかかる手作業の試料作り工程を経ることなく、マウント（搭載）する試料作製方法およびその装置を提供すること。
【解決手段】FIB加工と、摘出試料の移送、さらには摘出試料の試料ホルダへの固定技術
を用いる。
【効果】分析や計測用の試料作製に経験や熟練技能工程を排除し、サンプリング箇所の決定から各種装置への装填までの時間が短縮でき、総合的に分析や計測の効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】
試料の微細化に伴い、特に電子線照射に弱い材料に対して高い位置精度で薄膜加工し、観察する手法の確立が望まれている。これには、ＦＩＢ加工の加工終点をどのように判断し、観察部位が薄膜の中心に残るよう制御するかが技術的な課題となっている。
【解決手段】
試料断面の傾き部分に短冊状の加工領域を設定し、その加工モニタを短辺方向に拡大表示することで、断面構造の表示を可能とする。断面の構造が電子線の併用無しに確認できる。加工断面の確認を電子線を用いずに実施できるため、加工断面に電子線による損傷や変形が発生しない。また、薄膜化後に高加速電子線により観察することで、試料損傷を抑えた観察が可能で、電子線による試料像を観察しながら更に薄い薄膜にＦＩＢで加工することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】試料ステージを傾斜することなく、半導体ウェーハやデバイスなどの電子部品等の試料から所望の特定領域を含む微小試料を、分離または分離準備して、微小領域分析や観察、計測用の試料作製方法およびその試料作製装置を提供すること。
【解決手段】集束イオンビームを試料表面に対して大きくとも９０度未満の照射角度で試料に照射し、目的とする微小試料周辺を取り除き、次に試料ステージを、試料表面に対する垂直線分を回転軸として回転させ、試料表面に対する集束イオンビームの照射角度は固定して試料に照射し、微小試料を分離または分離準備することを特徴とする試料作製方法。 （もっと読む）

【課題】蛍光ＸＡＦＳ法を利用して、単結晶の試料に含まれる微量元素の構造解析を行うのに際し、試料から特定角度に強い回折Ｘ線が生じることに伴い、蛍光Ｘ線信号の測定が阻害されることを抑制できる微量元素の構造解析方法を提供する。
【解決手段】Ｘ線エネルギーを変えながら試料にＸ線を照射し、試料から放出される蛍光Ｘ線を検出して、前記Ｘ線エネルギーと蛍光Ｘ線との関係から試料中の微量元素の原子構造に関する情報を解析する微量元素の構造解析方法である。この方法において、Ｘ線の照射を粉砕された単結晶の試料（粉砕試料S）に対して行う。 （もっと読む）

【課題】試料ステージを傾斜することなく、半導体ウェーハやデバイスなどの電子部品等の試料から所望の特定領域を含む微小試料を、分離または分離準備して、微小領域分析や観察、計測用の試料作製方法およびその試料作製装置を提供すること。
【解決手段】集束イオンビームを試料表面に対して大きくとも９０度未満の照射角度で試料に照射し、目的とする微小試料周辺を取り除き、次に試料ステージを、試料表面に対する垂直線分を回転軸として回転させ、試料表面に対する集束イオンビームの照射角度は固定して試料に照射し、微小試料を分離または分離準備することを特徴とする試料作製方法。 （もっと読む）

【課題】ドリフトの影響を受けずに、連続的に取得した複数枚の断面像を重ね合わせて、正確で鮮明な試料の三次元画像を構築すること。
【解決手段】試料２の表面にデポジション膜ＤＰを形成する工程と、一方向に向かってライン状に延びる補正用マークＭをデポジション膜に形成する工程と、補正用マークを横切るようにエッチング加工して、デポジション膜及び試料の断面を露出させる工程と、露出したデポジション膜及び試料の断面像を取得する工程と、これら各工程を繰り返し行って、断面像を連続的に複数枚取得する工程と、補正用マークを基準にして複数枚の断面像を取得した順番に重ね合わせて基礎三次元画像を構築する工程と、を行う三次元画像構築方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】従来周知の技術では、ＦＩＢ加工技術を併用した微細構造化の手法で作製した微細構造に損傷を生じさせざるを得ないものであり、本発明は、このような損傷を生じさせないようにすることを目的とした。
【解決手段】微細構造観察用試料の作製方法は、エネルギー硬化性樹脂にて前記微細構造を包埋し、前記微細構造を有する面に対向してダミー基材を配置して真空脱泡し、前記観察用試料と樹脂及びダミー基材間の間隙をなくし、次に前記樹脂に硬化エネルギーを付与させた後に、前記観察用試料の基材裏面（微細構造を設けていない面）から低角度でウェッジ型に鏡面研磨し、その後、研磨した面に対し集束イオンビームを照射して微細構造を加工する。 （もっと読む）

【課題】試料ステージを傾斜することなく、半導体ウェーハやデバイスなどの電子部品等の試料から所望の特定領域を含む微小試料を、分離または分離準備して、微小領域分析や観察、計測用の試料作製方法およびその試料作製装置を提供すること。
【解決手段】集束イオンビームを試料表面に対して大きくとも９０度未満の照射角度で試料に照射し、目的とする微小試料周辺を取り除き、次に試料ステージを、試料表面に対する垂直線分を回転軸として回転させ、試料表面に対する集束イオンビームの照射角度は固定して試料に照射し、微小試料を分離または分離準備することを特徴とする試料作製方法。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム装置における倍率校正を精度良く行うために校正位置の特定が容易な校正用標準部材及びそれを用いた電子ビーム装置を提供する。
【解決手段】装置校正用標準部材の超格子パターン近傍に、校正位置を特定するためのマークもしくは標識を形成することで、校正位置の特定が可能な高精度測長校正が実現できる。異なる材料４、５が交互に積層された積層構造の超格子パターンの断面を有する基板１に、電子ビーム装置から放出される一次電子ビーム１１を照射して検出される二次荷電粒子の信号をもとに前記電子ビーム装置の倍率校正を行う校正用標準部材において、前記基板は、前記積層に並行した基板面上にあって前記超格子パターン断面に対して交差する方向に一定の間隔で配列された線状パターン３を有し、該線状パターン３の断面は前記超格子断面と略同一の平面内にあるよう構成して、前記線状パターンにより前記超格子パターンの位置を特定する。 （もっと読む）

【課題】試料ステージを傾斜することなく、半導体ウェーハやデバイスなどの電子部品等の試料から所望の特定領域を含む微小試料を、分離または分離準備して、微小領域分析や観察、計測用の試料作製方法およびその試料作製装置を提供すること。
【解決手段】集束イオンビームを試料表面に対して大きくとも９０度未満の照射角度で試料に照射し、目的とする微小試料周辺を取り除き、次に試料ステージを、試料表面に対する垂直線分を回転軸として回転させ、試料表面に対する集束イオンビームの照射角度は固定して試料に照射し、微小試料を分離または分離準備することを特徴とする試料作製方法。 （もっと読む）

【課題】試料の研磨面における研磨痕や応力ムラの発生を抑え、試料表面の極めて広い範囲において十分な平坦度が得られて分析評価の可能な領域の大幅な拡大化を実現し、信頼性の高い薄膜化された試料を得る。
【解決手段】試料保持部２は、試料１０が固定される試料台１１と、試料台１１を研磨表面１ａに対して移動自在とし、試料台１１を研磨表面１ａ内の任意の位置で固定する試料台設置機構と、試料台１１に固定された試料１０の研磨表面１ａ内における研磨方向に対する設置角度を調節する角度調節機構１３と、試料台１１を研磨表面１ａに対して水平となるように調節する水平調節機構１４とを備えて構成されている。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置表面に付着している微小異物を採取し、精度の良い観察、分析を行うことができる試料作製装置および試料作製方法を提供する。
【解決手段】 埋包試料３０は、無機固体物１２中に微小異物１０を埋め込ませて採取したものである。無機固体物１２が試料ホルダ１４ａ、１４ｂの左右方向に退けられ、微小異物１０が上下の試料ホルダ１４ａと１４ｂの対向面にそれぞれ直接接触するに至るまで埋包試料３０を圧縮する。微小異物と上下の試料ホルダとの接触部分を結ぶ経路は、微小異物１０以外の第３物質である無機固体物１０によって阻害されることがない測定経路となる。 （もっと読む）

【課題】二次イオン質量分析を行なう際に、試料面における分析領域の周辺部位への一次イオンの付着を防止し、試料面の近接する複数箇所における高精度の分析を行なう。
【解決手段】試料１の試料面１ａにおける一次イオンが照射される分析領域の少なくとも一部を囲む部位、ここでは試料面１ａで並列する複数のストライプ状に、元素としてＳｉ⁺をイオン注入する。このイオン注入により、注入部位に体積膨張が生じ、ストライプ状の複数の障壁１１が形成される。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、接触精度やプローブ操作性を向上させることに関する。
【解決手段】
本発明は、試料ステージ移動制御とプローブ移動制御を、観察画像上において同一の座標系を用いて制御することにより、試料ステージの停止誤差をプローブ制御移動量として位置決め可能とする。また、観察画像を利用してプローブの先端位置を把握し、画像上の基準位置におけるプローブ座標を記憶する。本発明により、マイクロメートルオーダの試
料位置への正確なプローブ接触操作が容易となる。 （もっと読む）

【課題】
試料となるウェーハを割ることなしにウェーハ断面を水平から垂直迄の方向からの断面
観察や分析を高分解能，高精度かつ高スループットで行える微小試料加工観察装置および
微小試料加工観察方法を実現することを目的とする。
【解決手段】
上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と
電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し
、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 （もっと読む）

【課題】試料ステージを傾斜することなく、半導体ウエーハやデバイスなどの電子部品等の試料から所望の特定領域を含む微小試料を、分離または分離準備して、微小領域分析や観察、計測用の試料作製方法およびその試料作製装置を提供すること。
【解決手段】集束イオンビームを試料表面に対して大きくとも９０度未満の照射角度で試料に照射し、目的とする微小試料周辺を取り除き、次に試料ステージを、試料表面に対する垂直線分を回転軸として回転させ、試料表面に対する集束イオンビームの照射角度は固定して試料に照射し、微小試料を分離または分離準備することを特徴とする試料作製方法。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハやデバイスチップから所望の特定領域を含む試料片のみをサンプリング（摘出）して、分析／計測装置の試料ステ−ジに、経験や熟練や時間のかかる手作業の試料作り工程を経ることなく、マウント（搭載）する試料作製方法およびその装置を提供すること。
【解決手段】FIB加工と、摘出試料の移送、さらには摘出試料の試料ホルダへの固定技術
を用いる。
【効果】分析や計測用の試料作製に経験や熟練技能工程を排除し、サンプリング箇所の決定から各種装置への装填までの時間が短縮でき、総合的に分析や計測の効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】レチクルのような検査対象物の洗浄後にその検査面に残留する汚染を分析する際に、検査の信頼度を向上させることができる汚染分析装置及びその方法を提供する。
【解決手段】検査対象物の検査面に残留する汚染を分析する装置であって、前記検査対象物の検査面と液とを接触させて、サンプリング液を抽出するサンプリングモジュールと、前記サンプリング液から前記検査対象物の検査面に残留する汚染物質を分析する分析器とを備え、前記サンプリングモジュールは、前記検査対象物の検査面が収容可能な収容空間が形成された液槽と、前記液槽の収容空間に液を供給する液供給ノズルとを備える。 （もっと読む）