【課題】半導体ウエハやデバイスチップから所望の特定領域を含む試料片のみをサンプリング（摘出）して、分析／計測装置の試料ステ−ジに、経験や熟練や時間のかかる手作業の試料作り工程を経ることなく、マウント（搭載）する試料作製方法およびその装置を提供すること。
【解決手段】FIB加工と、摘出試料の移送、さらには摘出試料の試料ホルダへの固定技術を用いる。
【効果】分析や計測用の試料作製に経験や熟練技能工程を排除し、サンプリング箇所の決定から各種装置への装填までの時間が短縮でき、総合的に分析や計測の効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】 立体的な試料を断面加工し、観察するための新たな方法の提供を課題とする。
【解決手段】 集束イオンビーム加工観察装置で立体的な試料を断面加工し、得られた断面を観察する方法において、試料直上に試料表面を保護するためのマスクとして前記装置内に設けられた可動式プローブを用い、該可動式プローブを試料の０．５〜５μｍ上方に配置して断面加工することを特徴とする試料の断面加工方法である。前記可動式プローブは、その先端を予め所望の断面加工の形状にして使用する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハから取り出された試料を薄くするプロセスを自動化する。
【解決手段】試料キャリアは、外側境界(6)を有する隆線形状部(5)及び外側境界を超えて延びる支持膜(4)を有する。その隆線形状部(5)はCuで作製され、その支持膜(4)は炭素で作製される。試料を支持膜上に設け、位置合わせをして、その試料は、IBIDを用いて剛性構造体に取り付けられる。試料を剛性構造体に取り付けた後、イオンビームを用いてその試料を薄くする。試料を薄くする間、支持膜も同様に局所的に除去される。本発明は、試料と試料キャリアとの良好な位置合わせを実現する。また本発明は、たとえば帯電したガラス針(2)による、ウエハから試料キャリアへの試料の移動に係る自由度を増大させる。その自由度の増大により、試料を試料キャリアへ移動させるのに通常必要となる取り付け/切断工程が不要となる。 （もっと読む）

【課題】試料の特性に左右されることなく、グロー放電により試料を確実に掘削する。
【解決手段】グロー放電掘削装置１は、連続的に給電を行う連続モード及び断続的に給電を行う断続モードの切替が可能であり、グロー放電に伴う熱により溶融しやすい試料Ｓ、グロー放電に伴うスパッタリングの威力により壊れやすい試料Ｓ等に対しては断続モードで給電を行うことで、良好な観察を行える観察面を得られるように試料Ｓの掘削を行う。試料Ｓが溶解しやすい及び壊れやすい特性を具備しないときは、連続モードで給電を行うことにより効率良く良好な観察面が得られるように試料Ｓの掘削を行う。 （もっと読む）

【課題】試料ホルダを運搬中に微小試料片Ｓの破損を回避すること。
【解決手段】微小試料台１０は、全てシリコン製であり、基部１１、固定部１２及びガード部１３を有する。微小試料片Ｓは、固定部１２の頂部に立てて固定される。微小試料台１０は、基部１１の上面１１Ａに２本の固定部１２と３本のガード部１３が交互に突設された一体化構造である。ガード部１３の厚さは固定部１２よりも厚く、ガード部１３の高さ（Ｚ方向の長さ）は固定部１２よりも高く作製する。 （もっと読む）

【課題】 集束イオンビーム微細加工装置を用いたフォトマスクの孤立パターンの欠陥修正時のチャージアップに起因する問題点を解決する。
【解決手段】 孤立したパターン間に集束イオンビームCVD金属デポジション膜空中配線7を形成して導通させチャージアップの影響を無くしてから欠陥3を修正する。修正後不要となった金属デポジション膜空中配線7をイオンビームエッチングで除去する。孤立したパターンにX方向及びY方向にFIB-CVDで金属デポジション膜空中配線を形成してチャージアップの影響を無くした状態で、X方向及びY方向の金属デポジション膜空中配線を加工時のドリフト補正のマーカーとして使用し、ドリフト補正を行いながら欠陥を修正する。修正後不要となった金属デポジション膜空中配線をイオンビームエッチングまたはAFMスクラッチ加工で除去する。 （もっと読む）

【課題】 小さな容積の容器中のガスを質量分析する場合に、ガスが測定中に減少して、測定のタイミングによって絶対量や組成比が正しく測定できない問題あった。
【解決手段】 オリフィスを通して真空排気される容積Ｖの試料室の内部でガスを内部に有する容器を開封し、開封後の複数の時刻Ｔで試料室の内部のガスを質量分析してガスの検出強度Ｍ（Ｔ）を得て、複数の時刻Ｔの検出強度Ｍ（Ｔ）とオリフィスのコンダクタンスＣとから、下記の式（１）に基づいて容器中の内部のガス量Ｑを得る。
Ｍ（Ｔ）＝Ａ・Ｃ／Ｓ・Ｑ／Ｖ・ｅｘｐ（−Ｃ（Ｔ−Ｔ０）／Ｖ）＋Ｂ ・・式（１）
ただし、Ａ：感度補正係数、Ｓ：ポンプの排気量、Ｔ０：容器を開封した時刻、Ｂ：バックグラウンド強度。
以上の方法により容積の小さい容器中に含まれるガスであってもそのガスを精度良く分析できる。 （もっと読む）

【課題】観察したい平面領域を広範囲にわたって観察することが可能な平面観察試料を得ることができる試料作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】エネルギービームを照射することで、被観察平面を含む薄膜領域３１を有する平面観察試料３０を作製する試料作製方法であって、原試料から被観察平面を含む微小試料片２０を摘出する微小試料片摘出工程と、該微小試料片２０に、エネルギービーム照射方向に対する被観察平面の傾きの有無を現出させるマーカ手段を形成するマーカ手段形成工程と、前記マーカ手段に基づいて被観察平面をエネルギービームの照射方向に一致させる平行合わせ工程と、被観察平面を照射方向に一致させた状態で、エネルギービームを照射して被観察平面を含む薄膜領域３１を加工する薄膜加工工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 微小試料を把持するための機構では角度ズレ、先端形状に起因する試料の姿勢変化がある。
【解決手段】 把持体１８をＦＩＢなどの荷電粒子ビームで加工を施すことにより、ビームに対して平行な把持面を形成することができ、また把持面に付着したダストも除去する。荷電粒子ビーム照射される装置内でＴＥＭ試料に代表される微小試料を荷電粒子ビームによるエッチングで切り出すことで作製して運搬するとき、試料は荷電粒子ビーム照射方向にエッチングされるので把持体１８の把持面１９を試料の断面加工と同じ方向で加工することができるので、試料と把持面１９とを平行な面に作製することができ、試料を把持したときの試料の姿勢変化を少なくすることができる。 （もっと読む）

【課題】元試料から、TEMまたはSEM観察のための試料片の採取、成形および観察
ホルダ設置までの工程を簡素化し、試料処理室において一貫して行なう。
【解決手段】集束イオンビーム照射光学系2により元試料5の所望位置において試
料片15の切り出しの成形を行なう。次に、脱着可能な試料片プローブ7によって
試料片15を採取し、試料片プローブ7を観察用試料ホルダ10に移載した後、試料
処理室1からエアーロック機構を用いて観察用試料ホルダ10を抜き取ることによ
って、簡便かつ迅速な試料作成を行なう。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置からの排ガス中に含まれるフルオロコンパンズ等の被測定対象成分の排出重量を正確に求めるために、半導体製造装置の下流に設置されたポンプからのポンプ排出ガスの流量を高精度かつ正確に求め、これにより被測定対象成分の排出重量を高精度に求められるようにする。
【解決手段】半導体製造装置１からの排ガスを吸引するとともにシールガスが供給されるポンプ４の上流側または下流側において、排ガスに標準ガスを既知量添加し、排ガスとシールガスと標準ガスとが混合されてなり、ポンプから排出されるポンプ排出ガス中の標準ガスの濃度を定量し、得られた標準ガス濃度と標準ガス添加量とからポンプ排出ガスの流量を算出し、ポンプ排出ガス中の被測定対象成分の濃度を定量し、この被測定対象成分濃度を前記ポンプ排出ガス流量とに基づいて、被測定対象成分の排出重量を算出する。 （もっと読む）

【課題】試料作製及び試料観察を効率よく行う。
【解決手段】イオン銃１１のイオンビーム照射口は試料表面に対向するように試料室５内部に設けられ、イオンビーム照射口から試料ホルダー４にセットされた試料表面に直接イオンビームを照射することができるので、大面積の薄片加工が可能となる。またイオン銃１１は希ガスのイオンビームを試料表面に照射するので、試料の材質を問わずに安定的にドライエッチングを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】微細に加工された半導体デバイス内の所望の箇所の３次元的構造を観
察するための電子顕微鏡用試料作製装置、電子顕微鏡及びその方法を提供する。
【解決手段】試料片１０の加工にダイサーを用い、試料片上の観察対象となる
部分を突起状に削り出す加工に集束イオンビーム加工を用い、試料片１０を１軸
全方向傾斜試料ホルダに、突起１１の中心軸と試料傾斜軸Ｚを一致させて固定し
、高角に散乱された電子で結像したＴＥＭ像を投影像として用い、再構成を行う
。 （もっと読む）

【課題】濃度分析をより高精度に行うＳＩＭＳ分析法を提供する。
【解決手段】基板上に分析対象となる薄膜又は薄膜積層体を形成し、薄膜の最表面又は薄膜積層体の最上層の最表面に支持体を貼りあわせ、薄膜又は薄膜積層体を基板から剥離することで分析試料を作製する。基板と、薄膜又は薄膜積層体と、の間に剥離層を形成し、該剥離層をきっかけとすることが好ましい。更に好ましくは、剥離層と、薄膜又は薄膜積層体と、の間に緩和層を形成する。該分析試料はＳＩＭＳ分析に用いることができ、剥離した分析試料を裏面側からＳＩＭＳ分析することで、従来のＳＩＭＳ分析法では必要であった研磨工程を経ることなく、従来のＳＩＭＳ分析法と同様に高精度な濃度分析を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】
シリコンウェーハ表面上の珪素を効率よく脱離することができるシリコンウェーハ表面の珪素脱離方法、この珪素脱離方法を適用することにより採取した液体サンプル中のシリコン含有量を低く抑えることができるようにしたシリコンウェーハ表層下領域の液体サンプル採取方法、及びこの採取方法により採取した液体サンプルを用いて分析することにより分析感度を向上させ高感度で安定した分析が行えるようにしたシリコンウェーハ表層下領域の金属不純物分析方法を提供する。
【解決手段】
ＨＦ溶液、ＨＮＯ₃溶液及びＨ₂ＯのそれぞれをＮ₂ガスでバブリングする工程と、シリコンウェーハを収納したチャンバー内に前記それぞれの溶液の揮発蒸気を含んだＮ₂ガスを導入し当該シリコンウェーハをエッチングする工程と、前記エッチングされたシリコンウェーハをＮ₂ガスでブローすることにより前記シリコンウェーハ表面上の珪素を蒸発する工程と、を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】 装置のコストアップが生じることなく探針の交換作業を効率的に行う。
【解決手段】 試料室２内において、第１の探針６の先端部をメタルデポジションによりダミー部材１１に固着し、イオンビーム１ｂの照射により第１の探針６を切断して先端側部分６ｂと基端側部分６ａとに分離し、ダミー部材１１を移動させて当該先端側部分６ｂを移動し、保持部材１３に固定された第２の探針１２を当該基端側部分６ａにメタルデポジションにより固着し、イオンビーム１ｂの照射により第２の探針１２と保持部材１３とを分離し、その後保持部材１３を第２の探針１２から移動させる。 （もっと読む）

【課題】 ボンディング界面に形成された金属間化合物を直接Ｘ線回折により同定するための試料の調整方法を提供する。
【解決手段】 ボンディング済みの金属細線と下地パッド金属との間において、ボンディングされた金属細線を物理的な力で剥離して露出した剥離面に、表面から内部に向かって断続的にＡｒイオンビームを照射してイオンエッチングし、順次新しい観察面を露出させてＸ線回折試料とする。金属細線と下地パッド金属とを物理的な力で剥離するに際し、ボンディングパッド上にボンディング済みのボンディングワイヤを含むように中空の容器を立て、該中空の容器内に熱硬化性樹脂を流し込み、熱硬化性樹脂を硬化させて金属細線を樹脂で保護した後に、物理的な力で剥離することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、アトムプローブ分析用試料の作製方法において、ＡＰ分析時の強い静電引力に十分耐えることができる試料基板とブロック状試料との強固な接着固定手法を提示することにある。
【解決手段】本発明のアトムプローブ分析用試料の作製方法は、ベース針２と移植試料片１の双方にＦＩＢのエッチング加工によって凹凸構造を作製するステップと、互いの部材を接合させるステップと、前記凹凸構造が噛合い形態となるようにＦＩＢのデポジション加工によって接着するステップとを踏むものとした。 （もっと読む）

【課題】元素分析前処理用容器であって、耐熱性と、耐酸性等の耐薬品性に優れ、かつ高純度な元素分析前処理用容器を提供する。また、ＩＣＰ法による分析装置で用いられる誘導結合プラズマトーチであって、精密な元素分析を可能とし、かつ耐久性に優れる誘導結合プラズマトーチ、及びこれを具備するＩＣＰ法による元素分析装置を提供する。
【解決手段】元素分析の前処理で使用される容器であって、該容器が、化学気相成長（ＣＶＤ）法によって製造されたセラミック容器であることを特徴とする元素分析前処理用容器。また、少なくとも、誘導コイルとノズルを具備する、ＩＣＰ法による元素分析装置で用いられる誘導結合プラズマトーチであって、前記ノズルが、ＣＶＤ法によって製造されたセラミックノズルであることを特徴とする誘導結合プラズマトーチ。 （もっと読む）

Ｓ／ＴＥＭサンプルの調製および分析用の改良された方法および装置である。本発明の好ましい実施形態により、ＴＥＭサンプル作成用、特に小さい形状（厚さ１００ｎｍ未満）のＴＥＭラメラ用の改良された方法が提供される。機械視覚ベースの計測および画像認識、高精度のフィデューシャルマーク、ならびに自動フィデューシャル配置の組み合わせを用いてラメラの配置正確度および精度を大幅に改善させる。本発明の好ましい実施形態により、ＴＥＭサンプル作成を一部または全部自動化するための方法、ＴＥＭサンプルの作成および分析のプロセスを労力のより少ないものにするための方法、ならびにＴＥＭ分析のスループットおよび再現性を高めるための方法が提供される。
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