【課題】 電子ビーム照射で変質しやすい試料を、操作性やスループットを損なわずに正確にイオンビームエッチング加工する手段を提供する。
【解決手段】 イオンビーム鏡筒１と電子ビーム鏡筒２を有し、イオンビームによるエッチング加工中の試料の状態を電子ビームによる観察あるいは計測可能な装置において、第一に加工部分全体を含む電子ビームによる二次信号による観察像を取得し、第二に前記観察像の中で照射可能領域７と照射禁止領域８を設定し、第三に前記照射可能領域７のみに電子ビーム照射を制限する。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームを用いたマイクロサンプリングにおいて、試料加工の妨げとなる、スパッタリングされた物質の試料表面への付着を防止する試料の作製方法を提供する。
【解決手段】試料片１２の一方の側方に試料基板１０と接続した支持部２５を残し、他方の側方である側方側領域２７、前方側領域２１、及び後方側領域２３を掘り下げ加工する。具体的には、抽出すべき試料片１２の周囲を、前方側領域２１において、表面２６から６５°〜９０°の傾斜角で試料片１２から離れた位置から試料片１２へ向かって深くなるように、かつ試料片１２に隣接する前方側隣接領域２１ａを、試料片１２の高さの１．２〜１．５倍の深さに掘り下げる。 （もっと読む）

【課題】
複数の異なる材料から成る複合材の試料の断面作成において、試料表面をフェムト秒レーザで直接切断して観察に適した断面を作成する方法を提供するものであり、また研磨加工された試料断面にフェムト秒レーザを照射して最表面の加工変形層を除去することで観察に適した断面を作成する方法を提供しようとするものである。
【解決手段】
各種試料の断面作成に際し、切削された試料の観察断面をフェムト秒レーザで照射することにより、試料断面の加工変形層またはダメージ層を除去する工程を有することを特徴とする試料断面作成法。 （もっと読む）

【課題】薄膜材料からなる試験片を用いて精度良く引張試験を行う。
【解決手段】引張試験に用いられる薄膜試験片構造体１であって、試験対象部２ａ及びそれに連続する荷重伝達部２ｂが設けられた薄膜試験片２と、薄膜試験片２の試験対象部２ａを除いた少なくとも一部を支持する支持部材３とを備え、支持部材３は、荷重伝達部２ｂに接合された試験片支持部３ａと、薄膜試験片２と離隔した周囲に配置されたフレーム部３ｃと、試験片支持部３ａをフレーム部３ｃに対して引張方向に相対変位可能に連結する弾性連結部３ｄ，３ｅとを有している。 （もっと読む）

【課題】微小試料台の個片化作業が容易な微小試料台集合体を提供すること。
【解決手段】シリコンウエハには、複数本の梁部３０が平行して配列され、各梁部３０の側面には、所定間隔で接続部２０を介して微小試料台１０が一つずつ保持されている。微小試料台１０は、接続部２０を折るようにして梁部３０から分離することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の汚染又は試験液の汚染状況を簡易な装置構成で測定することができる、金属汚染物質測定方法及び装置を提供する。
【解決手段】基板２と、基板２の一方の面に、測定対象となる試験液が接触するように収容される試験液収容部３と、基板２の他方の面に、金属不純物濃度が試験液よりも低い液体が接触するように収容される測定液収容部４と、測定液収容部４中に収容されている測定液の金属不純物濃度を測定する測定手段５と、試験液収容部３に収容されている試験液、測定液収容部４に収容されている測定液をそれぞれ攪拌する攪拌手段６，７と、からなる金属汚染物質測定装置１。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビーム・システムを用いて欠陥を観察するための方法および装置を提供すること。
【解決手段】不正確に発見された欠陥が、一連のスライスをミリングし、軽い優先的エッチングを行って、類似する二次電子放出特性を有する材料間の形状的界面を提供することによって画像化される。スライスは小さな欠陥を補足するのに十分小さいものであるが、再堆積の問題を克服するには十分に大きいものである。 （もっと読む）

【課題】微細に加工された半導体デバイス内の所望の箇所の３次元的構造を観察するための電子顕微鏡用試料作製装置、電子顕微鏡及びその方法を提供する。
【解決手段】試料片１０の加工にダイサーを用い、試料片上の観察対象となる部分を突起状に削り出す加工に集束イオンビーム加工を用い、試料片１０を１軸全方向傾斜試料ホルダに、突起１１の中心軸と試料傾斜軸Ｚを一致させて固定し、高角に散乱された電子で結像したＴＥＭ像を投影像として用い、再構成を行う。 （もっと読む）

【課題】 簡便に試料小片の姿勢を９０度、１８０度、あるいは任意の角度だけ回転させて試料台に固定可能な装置を提供すること。
【解決手段】 試料７の表面とマニピュレータ回転軸２の交点を一端とする試料表面に垂直な線分をマニピュレータ回転軸２の周りに回転して得られる円錐側面と、試料表面の２つの面によってつくられる交線１１に、試料小片の特定の方向を一致させた後、試料小片をマニピュレータで支持し、マニピュレータ回転軸２を動作させることを特徴とする試料作成装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、分析対象試料表面に不均一もしくは微量な状態で付着し、従来、検出下限以下で検出できなかったような付着物質であっても、検出可能とする表面分析方法を提供することを課題とする。
【解決手段】分析対象試料表面に不均一もしくは微量な状態で付着した物質を試料表面から広範囲に採取して物質を濃縮して粘着基材の粘着面に転写して、高濃度の物質が転写された粘着面を表面分析することにより前記物質を分析することを特徴とする表面分析方法である。 （もっと読む）

【課題】試料全面からのものではなく、試料表面の特定部分からの吸着物，含有物の評価を容易にできるようにする。
【解決手段】図２（ａ）のような酸化膜付きシリコンウエハを用い、その表面に図２（ｂ）のように例えばアセトンを滴下する。その際、アセトンが塗布されなかった箇所の裏面に、例えばＡｌ膜パターンを図２（ｃ）のように成膜し、このような試料を試料ホルダ（上部電極）にセットして真空排気を行ない、熱酸化膜とＳｉの浅い層が残るようＳｉのドライエッチングを施す。その後、この裏面エッチングを施した試料をサンプリング室へ搬送し、剛性のある針でつついて脱落させ、エッチング穴の直下に配置した石英の試料皿で“アセトンが付いていないであろう特定部”をキャッチし、この試料皿を分析室に搬入した後、脱離ガス分析を行なう。 （もっと読む）

【課題】イオンミリング法によるＳｉＰ型半導体パッケージでの断面試料を作成するために光学顕微鏡では観察できない試料内部構造中の所望の断面を正確に得ることができる断面作成方法及び作成システムを提供する。
【解決手段】不透明な半導体パッケージを加工して、当該半導体パッケージの所望の部位の断面を作成する断面試料作成方法において、試料内部観察手段により半導体パッケージの内部観察画像を取得する試料内部取得工程と、試料表面観察手段により半導体パッケージの表面観察画像を取得する表面画像取得工程と、内部観察画像と表面観察画像とを表示部に表示する画像表示工程と、表示部に内部観察画像と表面観察画像とを表示させて、イオンミリングによる半導体パッケージの断面加工を行う断面加工工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 試料の断面部の画像を得るための方法及びシステムの提供。
【解決手段】 試料の断面部をさらすように試料を粉砕するが、断面部が、第一材料から製造された少なくとも一つの第一部分と第二材料から製造された少なくとも一つの第二部分を備えるステップと；断面部を平滑にするステップと；断面部の少なくとも一つの第一部分と少なくとも一つの第二部分との間で形状差を生じるように断面部のガス援助エッチングを行うステップと；断面部を導電物質の薄層で被覆するステップと；断面部の画像を得るステップと；を含み、粉砕するステップ、平滑にするステップ、エッチングを行うステップ、被覆するステップ、画像を得るステップが、試料が真空のチャンバ内に配置されている間に行われる。 （もっと読む）

【課題】共通のイオンビームカラムを用いて試料の加工とダメージ層の除去とを迅速に実行することができるイオンビーム加工装置及び試料加工方法を提供する。
【解決手段】ガスイオン源１１から引き出されたイオンビーム１２を試料３１に導くイオンビーム光学系と、イオンビーム１２を通過させてイオンビーム１２の断面を成形する開口１５ａ〜１５ｃを有するマスク１５と、ガスイオン源１１に印加する加速電圧及びマスク１５の動作を制御するイオンビームカラム制御部１８とを備え、イオンビームカラム制御部１８は、マスク１５の開口１５ｂ，１５ｃに通して断面成形した高速加工用のイオンビーム１２を投射して試料３１又は試料片５０を加工する手順と、高速加工用のイオンビームに比較して加速電圧を下げ、加工後の試料３１又は試料片５０の観察面にイオンビーム１２を投射して観察面のダメージ層を除去する手順とを実行可能である。 （もっと読む）

【課題】 例えば透過型電子顕微鏡用の試料を比較的容易に形成することができるようにする。
【解決手段】 比較的大きな直方体形状のガラス基板１上の全面に形成された試料層４の上面の一部に厚さ２．２μｍのマスク５を形成する。次に、マスク５を含む試料層４およびガラス基板１の上面側をアルゴンイオンエッチングにより２μｍ程度除去し、ガラス層３、試料層４およびマスク５からなる試料部形成用凸部２を形成する。次に、試料部形成用凸部２の中央部両側に、集束イオンビームの照射による掘削加工により、溝６を形成し、両溝６間に残存された試料部形成用凸部２により試料部７を形成する。以上の工程は、比較的大きな直方体形状のガラス基板１に対して行なえばよく、ガラス基板１の運搬等を比較的容易に行なうことができる。なお、ガラス基板１を試料支持部材８に固着すれば、その取り扱いをさらに容易とすることができる。 （もっと読む）

【課題】ウェハ表裏面及びウェハ周縁部の両方を評価することができ、容器や器具による分析試料液の汚染を減らすことができる半導体基板評価装置及び半導体基板評価方法を提供すること。
【解決手段】基板保持部３と、下部に開口部を有する疎水性の試料液保持部４と、試料液保持部に設けられた開閉弁部と、開閉弁部を介して試料液保持部内にガスを供給するガス供給管１１と、開閉弁部を介して試料液保持部内のガスを排出するガス排出管１２とを備え、基板保持部で保持した疎水性の半導体基板２と、試料液保持部で保持して開口部からはみ出すように露出させた分析試料液とを接触させる。 （もっと読む）

【課題】観察対象の試料にダメージを与えることなく、簡単な操作で、走査電子顕微鏡用の試料を作製する方法を提供することにある。
【解決手段】イオンミリングによって試料の表面を削り取り、走査電子顕微鏡による走査像を観察し、ケミカルエッチングによって試料の表面を除去し、再度、走査電子顕微鏡による走査像を観察することによって、走査顕微鏡用の試料を作製する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハやデバイスチップから所望の特定領域を含む試料片のみをサンプリング（摘出）して、分析／計測装置の試料ステ−ジに、経験や熟練や時間のかかる手作業の試料作り工程を経ることなく、マウント（搭載）する試料作製方法およびその装置を提供すること。
【解決手段】FIB加工と、摘出試料の移送、さらには摘出試料の試料ホルダへの固定技術
を用いる。
【効果】分析や計測用の試料作製に経験や熟練技能工程を排除し、サンプリング箇所の決定から各種装置への装填までの時間が短縮でき、総合的に分析や計測の効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】フリップステージなしにＦＩＢ−ＳＴＥＭシステムで使用されることができるＳＴＥＭサンプル作製および解析のための方法を提供する。
【解決手段】方法は、約６０度の最大傾斜を有する典型的な傾斜ステージを有するデュアル・ビームＦＩＢ／ＳＴＥＭシステムが、基板からＳＴＥＭサンプルを抜き出し、ＴＥＭサンプル・ホルダ上にサンプルを搭載し、ＦＩＢミリングを使用してサンプルを薄化し、かつサンプル面がＳＴＥＭ撮像のために垂直電子カラムに垂直であるように、サンプルを回転するために使用されることを可能にする。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板分解後の残渣も含む分解液を簡便かつ効率的に得ることができ、高精度の不純物分析を行うことが可能な基板の分解方法、基板の評価方法および基板分解装置の提供。
【解決手段】基板２を保持する基板保持部４と、基板２を分解する分解用溶液３を収容する溶液収容部１ａと、基板２を分解した分解液を回収する分解液回収部６と、これらを密閉する密閉系容器１と、分解用溶液３を加熱して蒸発させる溶液加熱機構１１と、溶液加熱機構１１により蒸発させた分解用溶液の蒸気７を冷却して液滴を生成させる冷却機構９とを備えた基板分解装置を用いて、基板２を分解する。 （もっと読む）