【課題】 イオンビームを試料に照射してミリングを行う際、試料におけるイオンビームの照射面を直接冷却することができるイオンミリング装置とイオンミリング方法とを提供する。
【解決手段】試料Sが設置される試料台1と、試料Sに照射するイオンビームを発生させるイオン源2と、試料台1の収納空間を所定の真空に保持する試料チャンバ3と、試料Sを冷却するための気体冷媒を試料チャンバ3内に供給する冷媒供給手段5とを備えるイオンミリング装置である。気体冷媒を試料チャンバ内に供給することで、試料Sにおけるイオンビームの照射面を直接気体冷媒で冷却することができる。 （もっと読む）

【課題】ＴＥＭによる観察を正確に行うことが可能な電子顕微鏡観察用試料の作製方法を提供する。
【解決手段】支持部材１０の面上に試料片２０を固定した電子顕微鏡観察用試料の作製方法であって、支持部材１０の面上を深さ方向に切り欠く溝部３０を形成する工程と、試料片２０の加工面Ｓが溝部３０と交差するように当該試料片２０を支持部材１０の面上に固定する工程と、溝部３０の深さ方向に沿って試料片２０の加工面Ｓを薄膜状に加工する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 ガス中の粒子を空気中粒子計数器で精度を低下させることなく計測することができるガス中粒子計測システムを提供する。
【解決手段】 空気以外の気体に浮遊する粒子を計測するガス中粒子計測システムであって、多孔性隔壁を介して計測対象となる試料ガスと空気との分圧差による拡散により、試料ガスを空気に置換するガス空気置換部１と、このガス空気置換部１で置換された空気中の粒子を計測する空気中粒子計数器２を備える。ガス空気置換部１の試料ガス流入口Ａと空気流入口Ｂの差圧を測定する差圧計１０を設けることができる。また、ガス空気置換部１の試料ガス流入口Ａの上流に、試料ガス又は空気を選択して試料ガス流入口Ａへ導く切換バルブ１２を設けることができる。 （もっと読む）

【課題】透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により一連の回転像を撮影して画像処理を行うＴＥＭトモグラフィーにおいて、位置合わせの目印のために用いる金微粒子は、直径が数ｎｍであり、試料上に分散して載せることが困難であった。針状試料に金微粒子を載せる方法を提供する。
【解決手段】試料を集束イオンビームで針状に加工する際に、同時にマスク１０を加工形成する。次に、マスク１０を近傍に有する針状試料に対して、所定の角度を持たせて金微粒子を蒸着させると、針状試料の特定の領域には金微粒子が付着し、他の領域にはマスクにより金微粒子が付着しないので、蒸着装置内で金微粒子を付着させる領域と付着させない領域を分離することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、試料を透過した電子を用いて観察するＴＥＭやＳＴＥＭ、或いはＳＥＭにおいて、画像のサブミクロンから数１０μｍの微小寸法を高い精度で測定可能にする荷電粒子線用標準試料及びそれを用いる荷電粒子線装置を提供することにある。
【解決手段】本発明では、上記目的を達成するために、倍率、或いは寸法校正のための異なる２つの試料が含まれている荷電粒子線用標準試料及びそれを用いる荷電粒子線装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】空間内に存在する化学物質を容易に回収可能な回収装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る回収装置は、一つ又は複数の部材によって構成された空間内の物質を回収する回収装置であって、上記空間内に気体又は溶媒を導入するための導入口を上記部材に形成する、導入用ニードル１３と、上記導入口を介して上記空間内に上記気体又は溶媒を供給する供給配管１４と、上記空間から上記物質を含む上記気体又は溶媒を排出するための排出口を上記部材に形成する、回収用ニードル１５と、上記排出口を介して上記物質を含む気体又は溶媒を回収する回収配管１６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、同一装置により、エッチング工程と回収工程の両工程が行える、小型で簡易的な分析装置であって、基板に形成された膜の種類によらず分析可能であり、基板上の局所分析にも好適な分析装置を提供する。
【解決手段】本発明は、分析液を吐出及び吸引するノズル本体と、ノズル本体の外周に配された外管とからなる２重管ノズルを備え、回収手段は２重管ノズルのノズル本体であり、エッチング手段はノズル本体と外管との間に供給されるエッチングガスである基板分析装置に関する。本発明は、同一装置によりエッチング工程と回収工程の両工程を行うことができる分析装置であり、簡易的な分析や、基板の特定箇所についての局所的な分析にも好適である。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームで形成した観察面に荷電粒子ビームを照射し、観察像を取得し、観察面を保持したまま、さらに透過可能になるように薄片化加工を行うことで、同一観察位置のＴＥＭ観察と二次粒子像観察を図ること。
【解決手段】集束イオンビーム３を試料５に照射し観察面を形成し、電子ビーム４を観察面に照射し、観察像を形成し、試料５の観察面と反対側の面を除去し、観察面を含む薄片部５ｔを形成し、薄片部５ｔの透過電子像を取得する試料加工観察方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】周期構造を有する試料でも観察対象の構造の断面を観察可能な断面加工観察を図ること。
【解決手段】試料５に集束イオンビーム３を照射する集束イオンビーム照射系１と、試料５上の集束イオンビーム照射領域に荷電粒子ビーム４を照射する荷電粒子ビーム照射系２と、試料５から発生する二次荷電粒子を検出する二次荷電粒子検出器７ａと、異なる断面間隔の断面を作成する集束イオンビーム３の照射信号を集束イオンビーム照射系１に送信する処理を行う処理機構１１と、を有する集束イオンビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶基板の検査方法に関するもので、結晶の検査工程に要する時間を短縮することを目的とするものである。
【解決手段】準備工程として、結晶基板に樹脂溶液を塗布する第１の工程と、検査工程として、前記樹脂溶液を塗布した結晶基板を検査装置に固定し、検査を行い、その後、結晶基板を検査装置から取り外す第２の工程と、検査後工程として、検査装置から取り外された結晶基板を樹脂除去溶媒に浸漬し、結晶基板表面の樹脂を除去する第３の工程と、を備えた結晶基板の検査方法。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンロッドからＦＺ法により作製した単結晶試料の軸芯位置（シリコン芯棒の位置）を簡易かつ正確に特定して、不純物濃度を部位別に正確に測定する。
【解決手段】シーメンス法で製造した多結晶シリコンロッドの軸芯位置を含む半径方向の部位別に不純物濃度を測定する方法であって、多結晶シリコンロッドの軸芯を横断する径方向に沿って切り出した棒状の多結晶試料をその端部から一定量の純水に浸漬し、多結晶試料における軸芯の位置まで浸漬した状態で純水の重量を測定する第１工程と、多結晶試料をフローティングゾーン法により単結晶にした単結晶試料Ｓ２を第１工程時と同量の純水Ｗに端部から浸漬し、第１工程時に測定した重量と同じ重量に達したときの単結晶試料Ｓ２の浸漬面位置を多結晶試料の軸芯位置に対応する単結晶試料Ｓ２の軸芯Ｃの位置と特定する第２工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】プローブとの接触が維持され正確に測定を行うことのできる電気特性測定用試料の作製方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成された電子回路における電気特性の測定を行うための電気特性測定用試料の作製方法において、真空中において、前記半導体基板上に形成されている所定の領域を除去し、配線部分の表面を露出させるエッチング工程と、真空中において、露出している前記配線部分の表面に、導電性材料により中央に凹部を有する形状の導電層を形成する導電層形成工程と、を有することを特徴とする電気特性測定用試料の作製方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】検査用試料の作製において、所望の観察箇所のみを取り出すとともに、比較的簡易な作業でかつ可及的に観察箇所の損傷を抑えることができるようにする。
【解決手段】ダイシングテープ３に貼着された状態で板状物１の形状を維持したまま、観察領域２００の周囲に観察面である第一の側面２０１を形成して観察部を形成し、第一の側面２０１に平行な第二の側面２１０をフルカットで切削し、第二の側面２１０に垂直な第三の側面２１１をハーフカットで切削し、ハーフカットにより残留した残留部９２に外力を加えて検査用試料に分割するように構成し、極小サイズの検査用試料を作製する場合においても熟練した手作業等を不要とし、観察側面の損傷を可及的に防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】試料分解時の不純物の混入を確実に避けることにより、精度の高い多結晶シリコンの分析を可能にする。
【解決手段】上方が開放され、前記試料を収容可能な試料容器と、上方が開放され、前記試料を分解する分解用溶液を保持する溶液容器と、前記試料容器および前記溶液容器を収容して密閉空間を形成するチャンバと、前記試料容器を所定の試料温度に加熱する試料加熱器と、前記分解用溶液を所定の溶液温度に加熱する溶液加熱器とを備え、多結晶シリコンに含まれる不純物濃度を分析するために多結晶シリコンの試料を分解昇華させる装置。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハ表面の超微量不純物金属の分析、特に自動分析の方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る分析方法は、第１工程である分解（又はエッチング）表面に生じる種々の生成物（副生物）を除去又は不活性化処理を行い、かつその後必要であれば表面を速やかにＨＦガスで疎水性化することで、極めて再現よく効率的に、疎水性シリコンウェハ表面を水滴でスキャンして表面の分解物を回収して分析する。 （もっと読む）

【課題】
デバイス等の不良原因となる数μｍの難揮発性の有機微小異物を高感度に分析できる熱分解質量分析手法を提供することを目的とする。
【解決手段】
加熱プローブ２によって気化した試料をイオン源４に導入し，イオン化された試料を質量／電荷比ごとに分離して検出する質量分析技術において，加熱プローブ２を筒型の気体捕集機構３で覆い，気化した試料を気体捕集機構3によって効率よくイオン源４へ導くことにより，従来は拡散して無駄になっていた試料成分も分析に寄与できるようにした。これにより従来より高感度でＳ／Ｎのよい質量分析が可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ポリシリコン等の膜を備える半導体基板がエッチング可能であるとともに、ウェーハ基材のエッチングを抑制できる半導体基板の分析方法を提供する。
【解決手段】本発明は、フッ化水素の蒸気と、放電により発生させたオゾン含有ガスとを用いた気相分解法により分析対象物を含む半導体基板をエッチングし、エッチング後の半導体基板上に回収液を吐出し、回収液とともに分析対象物を回収する半導体基板の分析方法に関する。本分析方法によれば、微量の分析対象物の高感度な分析が可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板内部に含まれる金属不純物汚染を低コストかつ容易に回収および分析可能な半導体基板の分析方法および分析装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面に回収液の濃硫酸２を供給し、該濃硫酸２を半導体基板１との間に挟むように疎水性部材３を配置し、該濃硫酸２を前記半導体基板１に広く接触させ、前記半導体基板１の内部に含まれる金属不純物を前記濃硫酸２中へ溶解させた後、前記疎水性部材３を取り外し、前記半導体基板１および前記疎水性部材３の少なくとも一方の表面に残留する前記濃硫酸２を分析する。また、前記半導体基板１を加熱することが好ましい。 （もっと読む）