【課題】集束イオンビーム装置による加工の際、マニピュレータとして微小ピンセットとその回転機構とを用いることで、傾斜機構を必要とせずに試料の向きを変えて試料ホルダへ固定可能な集束イオンビーム装置を提供する。
【解決手段】試料２０を固定するための固定面６２ｓを有する試料ホルダ６２と、試料ホルダが設置されている試料台６１と、集束イオンビームを試料に照射する集束イオンビーム照射機構１２０と、試料を挟持し、その軸方向Ｌが試料台の表面と所定の角度θをなす微小ピンセット５０と、微小ピンセットを開閉させる開閉機構５３と、微小ピンセットを軸方向の周りに回転させる回転機構５４と、微小ピンセットの位置を移動させる移動機構５５とを備えた集束イオンビーム装置１００である。 （もっと読む）

本発明は、ウエハ表面の欠陥分析のためにウエハ欠陥部位にイオンデコレーションを行う際に、デコレーション作業とイオン抽出作業とを別に分離し、イオン抽出の完了した電解液を循環させることで、デコレーション作業時に面倒で長い時間がかかる過程を最小化し、全体デコレーションにかかる時間を画期的に短縮させて、終局としてウエハ欠陥分析時間の短縮と欠陥分析の効率性を向上させることができるウエハ欠陥分析装置及びこれに用いられるイオン抽出装置、並びに該ウエハ欠陥分析装置を用いるウエハ欠陥分析方法を提供する。
また、デコレーション作業のためのイオン抽出時にイオンの活動性を向上させてイオン抽出時間を画期的に短縮させることができるウエハ欠陥分析装置及びこれに用いられるイオン抽出装置、並びに該ウエハ欠陥分析装置を用いるウエハ欠陥分析方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】サンプリング動作中にステージを移動させることなく試料から試料片を短時間に取り出すことができるイオンビーム加工装置及び試料加工方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ３１を保持する試料ステージ３３と、イオン源１１で発生したイオンビーム１２をマスク１５によってプロジェクションビームに成形するプロジェクション光学系を有し、イオンビーム１２を試料面に斜めに照射可能な第１イオンビームカラム１０と、第１イオンビームカラム１０よりもイオンビーム２２を細く絞ることが可能なイオンビーム光学系を有し、第１イオンビームカラム１０と同時にイオンビーム２２を試料面に垂直に照射可能な第２イオンビームカラム２０と、イオンビーム１２，２２の照射により加工した試料片５０をウェーハ３１から摘出するマニピュレータ４２と、摘出した試料片５０を保持するカートリッジ５１とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢにより試料を作製する際に試料の表面に形成されたアモルファス層の厚さを、試料を破壊することなく正確に確認、評価する。そして、その結果に基づいて、多くの時間と手間を掛けることなく、アモルファス層を的確に可能な限り低減、除去して、良好な観察を行うことができるＴＥＭ試料を提供する。
【解決手段】表面にアモルファス層が形成されている試料の表面に電子線を照射し、試料を透過して得られた電子回折図形の輝度に基づいて、アモルファス層の厚さを評価する。電子回折図形内の回折スポットを結ぶ直線における輝度のラインプロファイルの内、最も高い輝度をＹ２とし、最も低い輝度をＹ１としたときの輝度の比率（Ｙ１／Ｙ２）を、アモルファス層の厚さが既知である他の試料における輝度の比率（Ｙ１／Ｙ２）と比較してアモルファス層の厚さを評価して、アモルファス層の厚さが所定の値以下となるまで、アモルファス層を低減、除去する。 （もっと読む）

【課題】表面に有機物が形成されている試料の断面を精度よく得ることができる断面加工方法及び断面観察試料の製造方法を提供する。
【解決手段】有機物の層又は構造８を表面に有する試料２に、集束イオンビーム装置１００を用いて集束イオンビームを照射し、試料の断面加工位置Ｌに断面加工を行う方法であって、保護膜となる原料ガスの存在下、断面加工位置を含む試料の表面に集束イオンビームを照射し、有機物の層又は構造の表面に保護膜７ａを形成する保護膜形成工程と、保護膜が形成された断面加工位置に、保護膜形成工程における加速電圧より高い電圧で集束イオンビームを照射し、断面加工を行う断面加工工程とを有する試料の断面加工方法である。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの外周部の膜を確実に除去し、シリコンウェーハの外周部に含まれる金属不純物を高感度に分析可能なシリコンウェーハの分析方法を提供する。
【解決手段】溶出装置３０を用いて、外周部Ｅまで酸化膜を除去したシリコンウェーハの外周部Ｅに含まれる金属不純物を溶媒３６に溶出（回収）させる際には、まず、溶出用容器３３に所定量の溶媒３６を注入する。溶媒３６は、シリコンウェーハ１０の特性劣化の原因となるＣｕを確実に溶出させることが可能な、フッ化水素酸、過酸化水素水、および塩酸を含む溶媒を用いる。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で安価に平面観察用半導体薄片試料を作製することを可能にする集束イオンビーム加工装置の試料ステージおよびこの試料ステージを用いた透過型電子顕微鏡平面観察用半導体薄片試料の作製方法の提供。
【解決手段】試料ステージ面は、該試料ステージ面に対してメッシュ挟持用の傾斜溝を有する。集束イオンビームの照射により試料基板から微小試料片を切り出し、マイクロプローブで分離摘出後、前記試料ステージ面の傾斜溝に挟み込まれたメッシュを、メッシュの側面が前記集束イオンビームに垂直な向きとなるように傾ける。微小試料片の観察平面が集束イオンビームと垂直な向きとなるように前記メッシュの端面に接着した後、傾斜した試料ステージを回転軸の周りに１８０度回転させる。集束イオンビームを照射して透過型電子顕微鏡平面観察用半導体薄片試料を作製する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、半導体ウェハ等の表面や内部にある異物や欠陥などをＴＥＭもしくはＳＴＥＭで観察や分析など解析するために加工された薄片試料を迅速に採取することに関する。
【解決手段】
本発明は、ＴＥＭ／ＳＴＥＭ試料作製の全体工程を、ＦＩＢを利用した微小試料の加工作業と、微小試料の採取及び試料ホルダへの移設作業と、を別の装置で行い、微小試料の加工作業と、微小試料の採取作業と、を並行して行うことに関する。好ましくは、キャリアにおいて微小試料を設置する箇所を液体とすると、採取具に付着した微小試料を確実、且つ迅速にキャリアに移設できる。本発明によれば、事前に集束イオンビーム装置で試料上に作製された微小試料を迅速に採取し、キャリアに設置することができるため、１個の試料を加工するためのＦＩＢ装置の占有時間が短縮し、試料作製効率が高まる。 （もっと読む）

【課題】厚さの均一性が高く、かつ、観察部位から所望の距離に真空領域を有する観察試料を作製することができる観察試料作製方法及び観察試料作製装置を提供する。
【解決手段】少なくともパターンが形成された構造部７１とパターンが形成されていない無構造部７２の２つの部分を有する加工対象試料７の無構造部７２側からＦＩＢを照射し、構造部７１と無構造部７２との界面を含む側面を加工して加対象試料７の構造を観察する観察対象面を形成し、観察対象面に沿う方向からＦＩＢを照射することにより加工対象試料７を加工する。 （もっと読む）

【課題】 サンプルが、効果的に区域限定されかつ再現されるような形で迅速に作成されることを可能にすると共に、多数の異なるサンプル材料に関して損傷を殆ど引き起こさない透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成方法、および該方法を実施するのに適した装置を提供する。
【解決手段】 透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成方法の場合、サンプルはサンプル材料の基材（１１０）から準備される。この目的のため、サンプル材料は、該サンプル材料中に脆弱路（３０１）を作成するべく、レーザービームにより照射軌道に沿って照射される。該照射は、上記脆弱路が、サンプル材料中を走る、レーザー照射によって同様に作成されるのが好ましい更なる脆弱路（３０２）に交差領域（３０５）において鋭角で交差するよう制御されている。基材は脆弱路に沿って切り離される。これにより、裂け目表面によって囲まれたくさび形のサンプル部を有すると共に、くさびの先端領域に少なくとも１個の電子透過領域を有するサンプルが作成される。 （もっと読む）

【課題】計測エリア内における微粒子を高効率で計測可能なようにトラップすること。
【解決手段】本トラップ方法は、計測エリア内の浮遊微粒子を分光的手段で計測するに際して、その浮遊微粒子を当該計測エリア内でトラップする微粒子トラップ方法であって、上記計測エリア内に微粒子通過路を配置し、この微粒子通過路内に微粒子が通過できないサイズの細孔を多数備えた多孔質ガラスをトラップフィルタとして配置する。 （もっと読む）

【課題】有機絶縁膜を含む層の境界を明確に判別可能とすることができる試料作製方法および試料作製装置を提供する。
【解決手段】有機絶縁膜と他の絶縁膜とが積層されてなる試料Ｗａに対して集束イオンビーム２０Ａを照射して試料の断面を露出させる断面露出工程と、断面に対して水または水蒸気を供給しつつ、集束イオンビームを照射して断面の各膜が判別可能となるように処理する断面処理工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】ウエハーの不純物を分析するための方法および装置において、ウエハーの端部領域を分析する。
【解決手段】ウエハー１の不純物を分析するための方法は、液体の滴１０を、下部滴保持器２と上部滴保持器３との間に、滴１０の下面が下部滴保持器２に接触し滴１０の上面が上部滴保持器３に接触するように用意するステップと、ウエハー１を滴１０の一方の面に接触させながらウエハー１を滴１０によって走査するステップと、滴１０を吸引して分析するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】ＳＩＭＳ装置にＦＩＢ装置を設置させること無く、試料表面の大気汚染と帯電を低減し、かつ残存元素のスパッタを抑制する。
【解決手段】分析対象物１０の表面における所定領域１４から発生する二次イオン２５に基づいて所定領域１４における深さ方向の分析を行う質量分析法において、所定領域１４の周囲に、質量分析を行う深さよりも深く、一次イオンビームの照射範囲２３よりも広い凹部１５を形成する凹部形成工程と、所定領域１４および凹部１５を含む分析対象物１０の表面に導電膜１３を形成する導電膜形成工程により質量分析用の試料１６を作製する。 （もっと読む）

【課題】 基板の表面に付着する液滴から水分を飛ばす液滴乾燥方法を提供しようとする。
【解決手段】
従来の基板を液滴で処理する液滴乾燥方法にかわって、開口に連通した窪みを形成し前記開口の周囲を囲う輪状の縁部を持ち前記開口を基板の表面に対面させ基板の表面に付着した液滴を前記窪みで覆って基板の表面に付着した液滴に接触しない様に支持され雰囲気を基板の表面と前記縁部との隙間から吸引し前記窪みの奥から外へ排出できる様になった液滴保持治具を準備する準備工程と、前記窪みの中の気体を前記窪みの奥から外へ排出する排気工程と、前記液滴保持治具を支持して基板の表面と前記縁部との離間距離を所定の距離に維持する支持工程と、を備えるものとした。 （もっと読む）

【課題】 本発明はたとえばTEM検査用の高品質試料の作製方法に関する。
【解決手段】 たとえば集束イオンビーム(FIB)装置によって試料を薄くするとき、前記試料は、前記FIB装置から取り出されるとき、大気曝露によって酸化する。この結果、試料は低品質となり、さらなる解析には適さない恐れがある。前記試料上に保護層-好適には水素保護層-をその場で-つまり前記FIB装置から取り出す前に-形成することによって、高品質試料が得られる。 （もっと読む）

【課題】被処理物の断面の観察により処理の適否をより正確かつ簡単に判断することができる断面観察方法を提供する。
【解決手段】基材に基材の他の部分とは導電率が異なるマーカー層を形成するマーカー層形成工程と、マーカー層が形成された基材に対して処理を行なって被処理物を形成する被処理物形成工程と、被処理物の断面に電子を照射することにより発生した二次電子を検出する二次電子検出工程とを含む断面観察方法である。 （もっと読む）

【課題】 薄膜加工位置やマイクロピラー形成位置の指定を、高い位置精度で簡単・迅速に行えるようにする。
【解決手段】 集束イオンビーム２による加工領域８０の指定に加えて、集束イオンビーム２による非加工領域９０の指定を行えるようにし、これら指定した集束イオンビーム２による加工領域８０と非加工領域９０との組み合わせによって、実際に集束イオンビーム２により加工する任意形状加工領域１００の任意形状加工データを得る。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ表面の金属汚染を、汚染金属種によらず高感度に分析可能な手段を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ３表面に溶液を走査させた後、該溶液中の金属成分を分析するシリコンウェーハの金属汚染分析方法。前記溶液として、フッ化水素酸と過酸化水素水と塩酸との混合溶液を使用する。上記金属汚染分析方法を使用するシリコンウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ表面の金属汚染を簡便かつ高感度に分析するための手段を提供すること。
【解決手段】酸化膜付きシリコンウェーハ３を冷却しつつ、フッ化水素ガスと接触させることによりウェーハ表面に結露（但しシリコン酸化成分を含まない）を発生させることによって、シリコンウェーハ表面の酸化膜をエッチングする方法。上記方法によりシリコンウェーハ表面の酸化膜をエッチングにより除去し、酸化膜除去後のシリコンウェーハ表面に溶液を走査させた後、該溶液中の金属成分を分析することを含む酸化膜付きシリコンウェーハの金属汚染分析方法。上記金属汚染分析方法を使用する酸化膜付きシリコンウェーハの製造方法。 （もっと読む）