Ｓ／ＴＥＭ分析のためにサンプルを抽出および取り扱うための改善された方法および装置。本発明の好適な実施形態は、マイクロマニピュレータと、真空圧を用いてマイクロプローブ先端をサンプルに付着させる中空マイクロプローブとを使用する。小さな真空圧をマイクロプローブ先端を通してラメラに印加することによって、ラメラをより確実に保持することができ、静電力だけを用いるよりも、ラメラの配置をより正確に制御することができる。勾配の付いた先端を有し、その長手軸線周囲に回転させることも可能なプローブを用いることによって、抽出されたサンプルをサンプル・ホルダ上に平坦に置くことができる。これによってサンプルの配置および配向を正確に制御することが可能になるので、分析の予測可能性および処理能力が大幅に増大される。
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【課題】ＴＥＭ観察に好適な試料を容易に作製可能な試料作製装置及び試料作製方法を得る。
【解決手段】イオンビームを形成する照射光学系と、試料の観察部位をイオンビームにより切り出してなる微小薄片試料と、この微小薄片試料が載置及び接着される試料ホルダと、微小薄片試料に接着されるプローブを有し、このプローブを介して該微小薄片試料を試料ホルダまで移送する移送手段とを備えた試料作製装置において、移送手段とは別に、三次元方向に駆動可能な、試料ホルダに載置または接着された微小薄片試料の姿勢を調整する姿勢調整ニードルを設けた。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を用いた被評価液の品質評価において、一度容器に接触した被評価液が再び半導体基板に接触しない構造を持ち、基板保持容器からの汚染を受けずに被評価液中の不純物を高精度で測定する半導体基板保持容器を得ることを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体基板保持容器１は、密閉した内部空間である基板保持室３と基板保持室３に半導体基板４を出し入れする基板出入り口とを有する保持容器本体２と、基板保持室３に保持容器本体３の内壁面とは間隔を有して半導体基板４を中空状態で保持する保持体５と、基板保持室３に保持された半導体基板４上に被評価液６を滴下する給水口７と、半導体基板４上から落下した被評価液６を排水する排水口８とを備える。 （もっと読む）

【課題】表面の汚染物質を確実に除去することができる表面前処理方法及び表面前処理装置を提供すること。
【解決手段】グロー放電により発生させた不活性ガスイオンを試料表面に衝突させ、表面から飛び出した粒子をプラズマ中で励起するグロー放電発光手段を備えた装置に試料を設置し、試料表面をスパッタリングする第１工程と、プラズマ中で励起された粒子が基底状態に戻る際に放出するトータル発光量ＦＩを測定する第２工程と、トータル発光量ＦＩを測定しながら、１次微分値ＦＩ’及び２次微分値ＦＩ”を逐次算出する第３工程と、測定を開始してから最初に、１次微分値ＦＩ’の絶対値又は２次微分値ＦＩ”の絶対値の少なくとも一方が第１しきい値α以下となり、かつ、他方が第２しきい値β（０＜α≦β）以下になったときに、スパッタリングを停止させる第４工程とを備えた表面前処理方法、及び、表面前処理装置。 （もっと読む）

Ｓ／ＴＥＭサンプルの調製および分析用の改良された方法および装置である。本発明の好ましい実施形態により、ＴＥＭサンプル作成用、特に小さい形状（厚さ１００ｎｍ未満）のＴＥＭラメラ用の改良された方法が提供される。本発明の好ましい実施形態は、ＴＥＭサンプルの作成および分析のプロセスの労力を低減し、ＴＥＭ分析のスループットおよび再現性を高めるために、ＴＥＭサンプル作成を一部または全部自動化する方法を提供することにより半導体ウェハ上に製造される集積回路または他の構造などの対象に対するＳ／ＴＥＭベースの計測用のインライン・プロセスも提供する。 （もっと読む）

Ｓ／ＴＥＭサンプルの調製および分析用の改良された方法および装置である。本発明の好ましい実施形態により、ＴＥＭサンプル作成用、特に小さい形状（厚さ１００ｎｍ未満）のＴＥＭラメラ用の改良された方法が提供される。新規なサンプル構造およびミリング・パターンの新規な用途は、大きな反りまたは歪みなしで５０ｎｍの薄さのＳ／ＴＥＭサンプルの作成を可能にする。本発明の好ましい実施形態により、ＴＥＭサンプル作成を一部または全部自動化するための方法、ＴＥＭサンプルの作成および分析のプロセスを労力のより少ないものにするための方法、ならびにＴＥＭ分析のスループットおよび再現性を高めるための方法が提供される。
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【課題】 所望部分を良好な状態で保持した試料片を作製できる試料作製方法を提供すること。
【解決手段】 半導体素子１表面に透明な保護用ガラス２をエポキシ樹脂３で貼り付ける。（図２（ａ））。保護用ガラス２の上から圧力を加えながらエポキシ樹脂３を加熱（１３０度）し、エポキシ樹脂３を硬化させる（図２（ｂ））。ダイシングソーを用いて、厚さ０．１ｍｍ、幅２．５ｍｍ、高さ０．５ｍｍの試料片５を切り出す（図２（ｃ））。切り出された試料片５は、イオンビーム試料作製装置の試料ホルダにワックスで貼り付けられる（図２（ｅ））。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハやデバイスチップから所望の特定領域を含む試料片のみを摘出、搬
送、固定が可能で、特にマイクロマニピュレーションにおけるプローブ先端位置決めを容
易にすることで自動化に適した試料作製装置を提供する。
【解決手段】イオンビーム加工と、試料片の搬送技術さらには試料片の試料片ホルダへの
固定技術を用いる。特に、搬送用プローブの流入電流をイオンビーム走査と同期させてデ
ータ化することで、プローブ先端位置の同定を容易にする。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢ加工による薄板化を行うＴＥＭ用観察試料の作製において、ＦＩＢ加工試料台への試料設置における試料表面の傾斜誤差を精度高く補正する。
【解決手段】観察を行う試料表面とその近傍の斜面部に、それぞれ直線状をなす目印があり、各部の目印の直線状位置関係に関し、一直線に繋がっていない場合、あるいは平行関係にない場合、ＦＩＢ加工面は所定の位置から傾いており、試料台の回転機構などを用いて、前記関係が一直線に繋がるように調整することで、試料面の傾斜を補正する。 （もっと読む）

【課題】遷移領域における二次イオン質量分析装置の較正を可能とする、２〜５ｎｍの深さに所定濃度の濃度ピークを有する較正用標準試料を提供する。
【解決手段】基板１表面から５〜１０ｎｍの深さに不純物原子濃度のピークを有する不純物原子のイオン注入層２を形成し、再結晶化熱処理によりイオン注入層２を再結晶化させる。再結晶化層４は基板１側から基板１表面へと形成される。このとき、再結晶化層４と非晶質のイオン注入層２との界面に不純物原子が集積し濃度ピークを形成する。この界面の位置は、熱処理条件等により容易に制御されるので、容易に浅い位置に濃度ピークを有する標準試料を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】広い濃度範囲で高い測定精度を得ることができる排気ガス分析装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る排気ガス分析装置は、排気ガスの一部が流れる第１の配管１２と、第１の配管１２に希釈ガスを導入して前記排気ガスを希釈する希釈ガス導入手段１５ｂと、第１の配管１２を流れる希釈後の排気ガスに含まれる特定物質の濃度を測定する濃度測定手段３と、第１の配管１２を流れる希釈前の排気ガスの流量を測定する第１の流量測定手段１２ｂと、濃度測定手段３及び第１の流量測定手段１２ｂそれぞれの測定結果に基づいて、希釈後の排気ガスに含まれる特定成分の濃度が一定範囲内に収まるように希釈ガス導入手段１５ｂを介して希釈ガスの導入量を制御し、かつ濃度測定手段３による測定結果、第１の流量測定手段１２ｂによる測定結果、及び希釈ガス導入量に基づいて、希釈前の排気ガスにおける特定物質の濃度を算出する演算制御部４とを具備する。 （もっと読む）

【課題】絶縁物の分析対象となる領域における帯電を補正することにより、正確かつ再現性良く質量分析を行うことが可能な絶縁物の二次イオン質量分析方法を提供する。
【解決手段】本発明の絶縁物の二次イオン質量分析方法は、絶縁物である試料の表面に導電性の連続膜であるＰｔ−Ｐｄ合金薄膜を成膜し、このＰｔ−Ｐｄ合金薄膜付き試料に一次イオンビーム及び電子ビームを照射し、この試料から発生する二次イオンを引き出し、質量分析する。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で試料の断面を広範囲に観察することができる試料観察方法及び試料観察装置を提供する。
【解決手段】微細パターンが形成されたウエハである平板状の試料Ｓに対して、グロー放電によって表面から深さ方向に掘削し、試料Ｓの表面から深さ方向に掘削断面を形成する。形成した掘削断面に電子線を照射し、ＳＥＭによって試料Ｓの掘削断面の観察を行う。グロー放電によって、試料Ｓの特定の位置に掘削断面を形成することができ、また試料Ｓの表面を広範囲に短時間で掘削することができる。従って、ウエハに形成された微細パターンの欠損の検査を、簡便に短時間で広範囲に実行することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は第1ホルダ(40)内の第1位置から第2ホルダ(10)内の第2位置へ、及び/又はその逆へ試料(2)を搬送する搬送機構に関する。
【解決手段】 各ホルダ(10,40)は脱着可能な状態で試料を保持するように備えられ、ホルダ間での試料の搬送は、第2位置とは異なる搬送位置で行われる。試料がホルダ(10,40)間を搬送されるとき、機械的案内機構は、第2位置での相互精度よりも高い相互精度でホルダを位置設定し、かつ試料が第2位置にあるときには、ホルダ(10,40)のうちの少なくとも1は位置設定されない。
機械的案内機構は追加部分(50)を有して良い。
ホルダ(40)のうちの少なくとも1は多数の試料を保持するように備えられて良い。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセスへの金属汚染の拡散を最小限度に抑制し歩留まりを向上させることができる荷電粒子線加工装置を提供する。
【解決手段】真空容器１０に接続され非金属イオン種のイオンビーム１１を試料３５に照射するイオンビームカラム１と、イオンビーム１１により試料３５から切り出されたマイクロサンプル４３を摘出するプローブ１６を有するマイクロサンプリングユニット３と、マイクロサンプル４３とプローブ１６とを接着するガスを流出させるガス銃２と、イオンビームカラム１が接続されたと同一の真空容器１１に接続され汚染計測用ビーム１３をイオンビームカラム１によるイオンビーム照射跡に照射する汚染計測用ビームカラム６Ａと、汚染計測用ビーム１３を照射した際にイオンビームカラム１によるイオンビーム照射跡から放出される特性Ｘ線を検出する検出器７とを備えたことを特徴とする荷電粒子線加工装置。 （もっと読む）

【課題】正確な断面観察を行なうことができる観察用試料を、簡便な方法により、素早く大量に作製することが可能な観察用試料の作製方法及び観察用試料を提供する。
【解決手段】単結晶基板２上に金属膜３が成膜された試料１０の金属膜３側の表面に罫書線１０ａを形成し、試料１０を、液体窒素５０中で冷却しながら、罫書線１０ａに沿ってへき開する方法とする。 （もっと読む）

【課題】帯電粒子ビーム操作のためにサンプルを配向させる方法および装置を提供する。
【解決手段】サンプルが、サンプルの主表面がプローブ・シャフトに対して垂直ではない角度にある状態で、プローブに付着され、プローブ・シャフトは、サンプルを再配向させるために回転される。一実施形態では、サンプル・ステージに対して４５度などのある角度に配向されたプローブは、平坦領域がプローブの軸に対して４５度で平行に配向された、すなわち、平坦領域がサンプル・ステージに平行であるプローブの先端を有する。プローブ先端の平坦領域は、サンプルに付着され、プローブが１８０度回転されるとき、サンプルの配向は、水平から垂直に９０度変化する。次いで、サンプルは、ＴＥＭ格子をサンプル・ステージ上で垂直配向ＴＥＭ格子に付着される。サンプル・ステージは、薄くするためにサンプルの背面をイオン・ビームに向けるように回転および傾斜される。 （もっと読む）

【課題】基板上の分析対象物質が被膜で覆われている場合に、良好な精度で当該被膜の下の分析対象物質の分析を行うことが可能となる分析方法と、該分析方法を実施する分析装置を提供する。
【解決手段】基板上に形成された被膜を、紫外線を照射することで除去する第１の処理部と、前記基板表面に溶解液を供給して前記基板上の分析対象物質を溶解させる第２の処理部と、前記第２の工程で用いた前記溶解液中の前記分析対象物質を分析する第３の処理部と、を有することを特徴とする分析装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、試験片（2）から微小サンプル（1）を分離する方法に関する。
【解決手段】そのような方法は、半導体産業分野においてウェハからTEM観察用のサンプルを入手するために、一般的に使用されている。発明者らによれば、試料担体（6）とサンプルの位置ずれのため、得られるサンプルの内の約20％は、適切に処理（薄膜化）されない。この位置ずれは、溶接前に、サンプルと接触する試料担体によって生じることが確認されている。溶接の間、試料担体がサンプルと接触することを回避し、試料担体とサンプルの間に微細な間隙を残しておくことにより、この位置ずれが解消される。例えば振動による、溶接の間の試料担体の移動を回避するため、試料担体は、ウェハ上のサンプルと近接する位置（8）に置載される。 （もっと読む）

【課題】 既存技術よりはるかに安価に、かつ簡便に平面観察を行ってから観察後に断面を加工することができる試料作製方法を提供する。
【解決手段】 集束イオンビーム装置のチャンバ内で試料１をブロック状に切り出し、その試料ブロック（バルク）４を真空外に取り出して、マニピュレータの先端にセットしたガラスプローブ５に接触させて支持する。次に、バルク４を試料台である円筒状のピン６の先端にエポキシ樹脂で固定する。次に、平面観察用の薄膜試料をＦＩＢ加工により作製する。次に、内部の欠陥位置を２次元的にＴＥＭ／ＳＴＥＭで観察し同定する。その後、ピン６を手動で９０°回転させてから、欠陥部位を含む位置を断面加工する。 （もっと読む）