【課題】気体イオンビーム装置とＦＩＢとＳＥＭを用いて、効率よくTEM試料作製ができる複合荷電粒子ビーム装置としての構成方法を提供する。
【解決手段】ＦＩＢ鏡筒１と、ＳＥＭ鏡筒２と、気体イオンビーム鏡筒３と、ユーセントリックチルト機構とユーセントリックチルト軸８と直交する回転軸１０とを持つ回転試料ステージ９と、を含む複合荷電粒子ビーム装置であり、集束イオンビーム４と電子ビーム５と気体イオンビーム６とは、１点で交わり、かつＦＩＢ鏡筒１の軸とＳＥＭ鏡筒２の軸はそれぞれユーセントリックチルト軸８と直交し、かつＦＩＢ鏡筒１の軸と気体イオンビーム鏡筒３の軸とユーセントリックチルト軸８とは一つの平面内にあるように配置する。 （もっと読む）

【課題】観察対象が配置された部分が薄い観察用試料を容易に作製する。
【解決手段】観察用試料は、観察対象１を含み、第１の平面と第２の平面とを有している。第１の平面に対して第２の平面のなす角度は１．５°〜４．５°の範囲内である。第１の平面と第２の平面の間の最短距離は０．５μｍ以下である。観察用試料の作製方法は、素材１０Ｍの接着用平面１１Ｍと支持部材２０の加工用平面２１とを接着する工程と、素材１０Ｍが観察用試料となるように、支持部材２０および素材１０Ｍに対して研磨を含む加工を施す工程とを備えている。接着する工程では、接着用平面１１Ｍの外縁のうち観察対象１に最も近い部分が加工用平面２１の外縁よりも内側に配置される。加工を施す工程では、支持部材２０に第１の研磨面５１が形成され、素材１０Ｍに第２の研磨面５２が形成される。接着用平面１１Ｍは第１の平面となり、第２の研磨面５２は第２の平面となる。 （もっと読む）

【課題】優れたＴＥＭ試料の作製方法、ＴＥＭ観察方法及びＴＥＭ試料構造を提供することを課題とする。
【解決手段】透過型電子顕微鏡用の試料の作製方法において、半導体デバイスの特定箇所の観察断面に非晶質構造の保護膜を形成する工程と；前記保護膜が形成された観察断面の周囲を除去する工程と；少なくとも前記保護膜を含む領域を薄膜化する工程とを含むことを特徴とする。また、半導体デバイスの断面を観察する観察方法において、前記半導体デバイスの特定箇所の断面を走査型顕微鏡で観察する工程と；前記断面に非晶質構造の保護膜を形成し、当該保護膜を透して透過型電子顕微鏡によって前記断面を更に観察する工程とを含むことを特徴とする。更に、半導体デバイスの特定箇所の断面を走査型顕微鏡で観察した後、同一観察断面を透過型電子顕微鏡で観察すべく作製される観察試料において、前記観察断面上に非晶質構造の保護膜を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】効率よく金属を表面に析出させる金属析出装置を提供する。
【解決手段】金属析出装置１００は、シリコンウェハ９００中に含まれる不純物金属を表面に析出させる。金属析出装置１００は、シリコンウェハ９００に向けてＸ線を発射するＸ線発射部３００を備える。Ｘ線の波長は、不純物金属のＫ吸収端の波長以下であってＫ吸収端に近い波長である。例えば、不純物金属がＮｉであるとき、特性Ｘ線を発射するターゲット３３１をＺｎとする。また、例えば、不純物金属がＣｕであるとき、特性Ｘ線を発射するターゲット３３１をＺｎとする。 （もっと読む）

【課題】短時間で試料から微小片試料を切り出すことができる装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明によると、Ｖ溝の所望の深さから、実験式を用いて、加工時間が最小となるようにＶ溝の深さの設定値とＶ溝の幅の設定値を計算する。こうして求めた設定値によって、集束イオンビームによってＶ溝加工を行う。Ｖ溝加工のみから、試料表面より微小片を切り出す。試料表面に対して傾斜したイオンビームを用いる。 （もっと読む）

【課題】試料がデュアルビーム粒子光学装置においてより均一に処理されることを可能にするステージ組立体を提供する。
【解決手段】ステージ組立体は、第一軸Ａ１に沿う第一照射ビームＥを発生するための第一源と、ビーム交差地点で前記第一軸と交差する第二軸Ａ２に沿う第二照射ビームＩを発生するための第二源と、試料を載置し得る試料テーブル２１と、基準面に対して垂直なＸ軸、基準面と平行なＹ軸、及び、基準面と平行なＺ軸と実質的に平行な方向に沿って前記試料テーブルの平行移動をもたらすために配置された一組のアクチュエータとを備え、該一組のアクチュエータは、Ｚ軸と実質的に平行な回転軸ＲＡについての試料テーブル２１の回転と、Ｚ軸に対して実質的に垂直なフリップ軸ＦＡについての試料テーブルの回転とをもたらすようさらに配置されること。 （もっと読む）

【課題】
試料となるウェーハを割ることなしにウェーハ断面を水平から垂直迄の方向からの断面
観察や分析を高分解能，高精度かつ高スループットで行える微小試料加工観察装置および
微小試料加工観察方法を実現することを目的とする。
【解決手段】
上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と
電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し
、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 （もっと読む）

【課題】粒子汚染測定装置と欠陥検出装置の全体の動作範囲をカバーすることを可能にする新しいノイズ標準を提供する。
【解決手段】本発明は、絶縁薄膜（１０２、２０２）と、前記絶縁薄膜上に形成された半球状の複数のナノ構造体（１１４、１１６、２１４、２１６）と、をそれぞれ有するヘイズノイズ標準の製造方法に関し、前記それぞれの標準は、第１半導体材料のための第１前駆体ガス（１０４）を用いた化学蒸着によって、前記第１半導体材料からなるシード（１０６、１０７）の少なくとも１つの絶縁膜（１０２、２０２）への形成と、第２半導体材料のための第２前駆体ガス（１１９）を用いた化学蒸着によって、前記第２半導体材料からなる安定なシードから、前記第２半導体材料に配置され、半球状に形成されたナノ構造体（１１４、１１６、２１４_１、２１４_２、２１４_３、２１４_４）の前記絶縁層（１０２、２０２）への形成と、によって製造される。 （もっと読む）

【課題】 透過電子顕微鏡の観察に適した試料を作製することができる試料加工装置を提供する。
【解決手段】 遮蔽材支持手段をなす遮蔽材支持ステージ２３ａの基台１００は、試料Ｓの加工面ＳＡが上下に通過可能とされた切り欠き部１００ａを備える。基台１００上には、供給ホイール１０１、一対の支持ホイール１０２、張力印加ホイール１０３、及び弾性部材１０５が設けられている。供給ホイール１０１から供給された長尺状（ワイヤ状）の遮蔽材Ｍは、一対の支持ホイール１０２の間で架橋されて支持され、この部分の遮蔽材Ｍが試料Ｓの加工面ＳＡの上方に配置される。試料Ｓのエッチング加工時には、遮蔽材Ｍが加工面ＳＡの近傍に介在された状態でイオンビームが照射されて行われる。このとき、張力印加ホイール１０３を介して弾性部材１０５により遮蔽材Ｍに所定の張力が印加される。遮蔽材Ｍの交換時には、供給ホイール１０１から自動的にイオンビームが未照射の遮蔽材Ｍが供給される。 （もっと読む）

【課題】高精度の透過型電子顕微鏡観察ならびに電子線エネルギー損失分光法等の分析を高精度に行うことを目的とし、集束イオンビームによる種々の試料ダメージ層を除去した特定箇所の電子顕微鏡用試料を作製する方法及び装置を提供する。
【解決手段】均一構造物上に不均一なパターンが形成され、その両者が含まれる箇所を断面電子顕微鏡用試料に作製する方法であって、シリコン基板４などの均一構造物上にデバイスパターン５などの不均一なパターンが形成され、均一構造物側からイオンビーム１を照射することにより試料を薄片化する電子顕微鏡試料作製方法を提供する。更に、この試料作製方法を実施するための集束イオンビーム装置および試料支持台などの作製装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】FIBによる断面加工や薄片加工に先立って行なわれていたFIBAD膜による試料表面平坦化作業を行なうこと無く、試料表面にFIB照射損傷を与えることなく、SEM試料やSTEM試料を作製する。
【解決手段】試料加工の際に試料表面に作製していた集束イオンビームアシストデポジション（FIBAD）膜の代わりに、対象試料とは別の微小な薄膜の薄板を加工位置に移設固定して保護膜とする。 （もっと読む）

本発明の１つの態様によれば、基板処理システムが提供される。このシステムは、チャバを囲むチャンバ壁と、基板を支持するようにチャンバ内に位置付けられた基板支持体と、基板上の材料から光電子を放出させる電磁放射線を基板支持体上の基板に放出させる電磁放射線源と、基板から放出された光電子を捕らえるアナライザと、チャンバ内に磁場を発生させ基板からアナライザに光電子を誘導する磁場発生器と、を含む。
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【課題】 薄片化試料の配置状況に応じて、正確かつ簡単に気体イオンビームの照射角度を制御することが可能な荷電粒子ビーム装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 試料を加工して薄片化試料２を作成するとともに薄片化試料２を観察する集束イオンビーム装置３、及び薄片化試料２を観察する走査型電子顕微鏡４と、薄片化試料２の表面に気体イオンビーム１２を照射して仕上げ加工をする気体イオンビーム照射装置５と、薄片化試料２が固定され且つ少なくとも1以上の回転軸を有する試料ステージ６と、試料ステージ６に対する薄片化試料２の位置関係を認識する試料姿勢認識手段７と、薄片化試料２の表面または裏面に対する気体イオンビーム１２の入射角度を所望の値にするために、姿勢認識手段７により認識した試料姿勢と気体イオンビーム照射装置５の取り付け角度に基づき試料ステージ６を制御する試料ステージ制御手段８を具備する。 （もっと読む）

【課題】 シリコンおよびゲルマニウムからなるウエハに含まれる不純物量を、効率的かつ高精度で測定可能とするために、最小限の工程で、測定試料を調製して分析する半導体ウエハの不純物分析方法を提供する。
【解決手段】 シリコンおよびゲルマニウムからなるウエハ表面に、フッ化水素酸の濃度が０．３１〜０．００６３％、硝酸の濃度が６７．４〜６８％である混酸を接触させて溶解した回収液を加熱濃縮して、シリコン成分およびゲルマニウム成分を揮発させたものを測定試料として、高周波誘導結合プラズマ質量分析装置または原子吸光分析装置にて不純物分析を行う。 （もっと読む）

【課題】 大口径ウェハ用の探針移動機構ならびにサイドエントリ型試料ステージを試料作製装置、不良検査装置に適用することで、小型で従来と同等の操作性を有する試料作製装置、評価装置を提供する。
【解決手段】 探針ならびにサイドエントリ型試料ステージを、上記イオンビーム照射光学軸とウェハ面の交点を通る傾斜角を持って真空容器を大気開放することなく真空容器に出し入れ可能とする真空導入手段を配した探針移動機構およびサイドエントリ型試料ステージ微動機構用い、さらにサイドエントリ型試料ステージの試料ホルダの試料片設置部分をウェハ面と平行とする回転自由度を有したサイドエントリ型試料ステージを用いる。
【効果】
真空容器の容積が必要最小限の設置面積の小さい小型で使い勝手の優れた、大口径ウェハ用の試料作製装置、評価装置が実現できる。 （もっと読む）

【課題】構造が簡単で、試料の交換作業を短時間で行なえる真空搬送装置を実現し、しかも、占有面積が小さく、スループットを向上させた荷電粒子線検査装置を提供する。
【解決手段】２つの駆動源２，１０により回転および上下動作が可能なアーム１と、このアーム１の両端に、アーム１の回転に伴って回転するように支持されて試料を載置する第１のハンド２２と第２のハンド２３とを上下方向に離間させて配置して、アーム１の回転と上下動作の制御のみにより試料の搬送とその交換を可能した真空搬送装置２６を構成し、また、この真空搬送装置２６を荷電粒子線検査装置の予備排気室ではなく真空試料室内に配置した。 （もっと読む）

【課題】 複数個の微小試料台を保管したり運搬する際の取り扱いを簡便とすること。
【解決手段】 微小試料台１０の集合体である微小試料台集合体５０は、複数の微小試料台１０がＸ方向に直線状に規則正しく配列され、このような列がＺ方向に突き抜けた空間ＳＰを挟んでＹ方向に並列に規則正しく配置されている。微小試料台１０同士は、連結リブ６０を介して直列に連結され、各列において最も外側にある微小試料台１０の一端が接続リブ８０を介して外枠７０の突起部７０ａに接続されている。微小試料台１０、連結リブ６０、外枠７０および接続リブ８０は、全てシリコン製であり、単結晶シリコンウエハ１０１から一体で作製される。微小試料台１０を分離するときは、連結リブ６０、接続リブ８０を折って切り離す。 （もっと読む）

【課題】 試料台としての剛性を確保しつつ微小試料の薄片化時間を短縮できる微小試料台を提供すること。
【解決手段】 微小試料台１０は、全シリコン製であり、上下方向（Ｚ方向）に４段を有する多段構造である。微小試料台１０を側面から見ると、中心面Ａに対して対称形であり、上方の段ほど厚さ（Ｙ方向の長さ）が薄い。微小試料台１０の第１段１１と第２段１２はＸ方向に延設されているが、第３段１３〜５３と第４段１４〜５４とからそれぞれ構成される５つの突状部分１〜５は、Ｘ方向に配列して第２段１２の上面からＺ方向に突設されている。突状部分１〜５は、高さ（Ｚ方向の長さ）及び厚さ（Ｙ方向の長さ）は一律であるが、幅（Ｘ方向の長さ）は微小試料片Ｓの寸法などに応じて任意に形成することができる。微小試料片Ｓは、その表面、すなわち薄片化調製が行われる平面がＸＺ面に平行となるように、第４段１４〜５４に固定される。 （もっと読む）

【課題】 側面に微小試料片を確実に固定することができる微小試料台を提供すること。
【解決手段】 微小試料台１０は、全てシリコン製であり、上下方向（Ｚ方向）に４段を有する多段構造である。微小試料台１０の第１段１１と第２段１２はＸ方向に延設されているが、第３段１３〜５３と第４段１４〜５４とからそれぞれ構成される５つの突状部分１〜５は、Ｘ方向に配列して第２段１２の上面からＺ方向に突設されている。微小試料片Ｓは、微小試料台１０の第４段１４〜５４のいずれかに固定されるが、固定する位置としては、次の３通りがある。第１は、第４段５４を例として示す上面（頂面）に立設する場合であり、第２は、第４段４４を例として示す側面Ｐに設置する場合であり、第３は、第４段２４を例として示す側面Ｑに設置する場合である。第４段１４〜５４の側面Ｐ，Ｑには平滑化処理が施されているので、微小試料片Ｓを確実に固定できる。 （もっと読む）

【課題】 硬い素材の上に柔らかい素材が重層された試料を短時間で研磨する。
【解決手段】 研磨材の研磨面に試料を当てて試料２０を研磨する研磨治具において、硬い素材２０ａの上に素材２０ａより柔らかい素材２０ｂが積層された重層形態試料２０の硬い素材２０ａ側が試料取付面１２ａに固着される角度設定台１２と、角度設定台１２を固定する基台１１であって角度設定台１２の試料取付面１２ａが研磨面に対して所要角度θ傾けられたとき硬い素材２０ａを研磨面に当てて該素材を所要位置まで研磨しその後に角度設定台１２の試料取付面１２ａが研磨面に対して垂直にされたとき柔らかい素材２０ｂを研磨面に当てて該素材を研磨する基台１１とを備える。 （もっと読む）