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Fターム[2G052EC18]の内容

サンプリング、試料調製 (40,385) | 切断、切削、研磨、薄片化 (1,238) | 手段 (984) | ビーム (343) | イオン(イオンミリングを含む) (248)

Fターム[2G052EC18]に分類される特許

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【課題】同一条件の下で指標試料と検体試料を同時に観察・EDX測定できる試料を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜試料の作製方法では、検体試料に指標試料の塊を密着させて一体化させ、一体化させた部分を切り取って試料片とする。そして、試料片をレーザーによって薄膜化する。なお、一体化させる際には、まず、検体試料表面保護のためにカーボン蒸着させて、指標試料の塊を検体試料上にばら撒く。そして、その上にさらにタングステンデポジション処理を施し、全体に保護層を形成する。その状態で所定のサイズ(例えば、2μm×10μm)の試料片に切り取ってそれを薄膜化処理(例えば、0.1μm厚)する。 (もっと読む)


【課題】
位置精度の高い所望の断面を有する試料を作製できるイオンミーリング試料作製装置用マスクおよび試料作製装置を提供する。
【解決手段】
イオン照射領域とイオン非照射領域を規定するマスクのエッジ部に数ミクロンから数百ミクロン単位のマークを付けることにより、このマークに注目してマスクと試料の位置関係を確認して光学顕微鏡での観察を容易にし、数ミクロン程度の位置精度の高い断面試料を作製することを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】 短い調製時間で大きいカット深さを実現でき、高い確実性および達成可能な良好な試料品質において高い経済性を達成できるイオンエッチング法を実現する。
【解決手段】 電子顕微鏡検鏡用試料を固体材料から切出す。次いで、試料に構成された試料表面(3)を、イオンビーム(J)によって所定の入射角度で処理し、かくして、試料(1)のイオンビーム(J)の投射ゾーン(4)の範囲に、電子顕微鏡による試料(1)の所望範囲の観察(12)を実現できる所望の観察範囲(20)が露出されるまで、イオンエッチングによって試料表面(3)から材料を切除する。この場合、イオンビーム(J1,J2)が試料表面(3)において少なくとも互いに接触するか、又は交叉して、上記試料表面に投射ゾーン(4)を形成するよう、少なくとも2つの不動のイオンビーム(J1,J2)を所定の角度(α)で相互に配向して試料表面(3)に導き、試料(1)もイオンビーム(J1,J2)も、移動させず、従って、位置不変の状態で処理する。 (もっと読む)


【課題】
本発明の目的は、接触精度やプローブ操作性を向上させることに関する。
【解決手段】
本発明は、試料ステージ移動制御とプローブ移動制御を、観察画像上において同一の座標系を用いて制御することにより、試料ステージの停止誤差をプローブ制御移動量として位置決め可能とする。また、観察画像を利用してプローブの先端位置を把握し、画像上の基準位置におけるプローブ座標を記憶する。本発明により、マイクロメートルオーダの試
料位置への正確なプローブ接触操作が容易となる。 (もっと読む)


【課題】
試料となるウェーハを割ることなしにウェーハ断面を水平から垂直迄の方向からの断面
観察や分析を高分解能,高精度かつ高スループットで行える微小試料加工観察装置および
微小試料加工観察方法を実現することを目的とする。
【解決手段】
上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と
電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し
、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 (もっと読む)


【課題】 表面にコート層が設けられた板状粉体の該コート層の厚さを正確に測定しうるTEM用断面試料の調製方法とこれを用いたコート層厚の測定方法の提供を目的とする。
【解決手段】 表面にコート層が設けられた板状粉体を表面が平滑な難接着性の板上に薄く均一な厚さになるように載せ、この上から樹脂を滴下し、板状粉体と樹脂とを混練することなく板状粉体間に樹脂を染み込ませ、その上に表面が平滑な難接着性の板を載せて、二枚の難接着性の板で挟み込み、そのまま放置して樹脂を固化させ、その後、板状粉体を含む樹脂片を難接着性の板より剥離し、得た樹脂片を用いて収束イオンビーム加工装置により観察用断面を形成する。 (もっと読む)


【課題】試料ステージを傾斜することなく、半導体ウエーハやデバイスなどの電子部品等の試料から所望の特定領域を含む微小試料を、分離または分離準備して、微小領域分析や観察、計測用の試料作製方法およびその試料作製装置を提供すること。
【解決手段】集束イオンビームを試料表面に対して大きくとも90度未満の照射角度で試料に照射し、目的とする微小試料周辺を取り除き、次に試料ステージを、試料表面に対する垂直線分を回転軸として回転させ、試料表面に対する集束イオンビームの照射角度は固定して試料に照射し、微小試料を分離または分離準備することを特徴とする試料作製方法。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエハやデバイスチップから所望の特定領域を含む試料片のみをサンプリング(摘出)して、分析/計測装置の試料ステ−ジに、経験や熟練や時間のかかる手作業の試料作り工程を経ることなく、マウント(搭載)する試料作製方法およびその装置を提供すること。
【解決手段】FIB加工と、摘出試料の移送、さらには摘出試料の試料ホルダへの固定技術を用いる。
【効果】分析や計測用の試料作製に経験や熟練技能工程を排除し、サンプリング箇所の決定から各種装置への装填までの時間が短縮でき、総合的に分析や計測の効率が向上する。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエハから取り出された試料を薄くするプロセスを自動化する。
【解決手段】試料キャリアは、外側境界(6)を有する隆線形状部(5)及び外側境界を超えて延びる支持膜(4)を有する。その隆線形状部(5)はCuで作製され、その支持膜(4)は炭素で作製される。試料を支持膜上に設け、位置合わせをして、その試料は、IBIDを用いて剛性構造体に取り付けられる。試料を剛性構造体に取り付けた後、イオンビームを用いてその試料を薄くする。試料を薄くする間、支持膜も同様に局所的に除去される。本発明は、試料と試料キャリアとの良好な位置合わせを実現する。また本発明は、たとえば帯電したガラス針(2)による、ウエハから試料キャリアへの試料の移動に係る自由度を増大させる。その自由度の増大により、試料を試料キャリアへ移動させるのに通常必要となる取り付け/切断工程が不要となる。 (もっと読む)


【課題】試料の特性に左右されることなく、グロー放電により試料を確実に掘削する。
【解決手段】グロー放電掘削装置1は、連続的に給電を行う連続モード及び断続的に給電を行う断続モードの切替が可能であり、グロー放電に伴う熱により溶融しやすい試料S、グロー放電に伴うスパッタリングの威力により壊れやすい試料S等に対しては断続モードで給電を行うことで、良好な観察を行える観察面を得られるように試料Sの掘削を行う。試料Sが溶解しやすい及び壊れやすい特性を具備しないときは、連続モードで給電を行うことにより効率良く良好な観察面が得られるように試料Sの掘削を行う。 (もっと読む)


【課題】 立体的な試料を断面加工し、観察するための新たな方法の提供を課題とする。
【解決手段】 集束イオンビーム加工観察装置で立体的な試料を断面加工し、得られた断面を観察する方法において、試料直上に試料表面を保護するためのマスクとして前記装置内に設けられた可動式プローブを用い、該可動式プローブを試料の0.5〜5μm上方に配置して断面加工することを特徴とする試料の断面加工方法である。前記可動式プローブは、その先端を予め所望の断面加工の形状にして使用する。 (もっと読む)


【課題】 集束イオンビーム微細加工装置を用いたフォトマスクの孤立パターンの欠陥修正時のチャージアップに起因する問題点を解決する。
【解決手段】 孤立したパターン間に集束イオンビームCVD金属デポジション膜空中配線7を形成して導通させチャージアップの影響を無くしてから欠陥3を修正する。修正後不要となった金属デポジション膜空中配線7をイオンビームエッチングで除去する。孤立したパターンにX方向及びY方向にFIB-CVDで金属デポジション膜空中配線を形成してチャージアップの影響を無くした状態で、X方向及びY方向の金属デポジション膜空中配線を加工時のドリフト補正のマーカーとして使用し、ドリフト補正を行いながら欠陥を修正する。修正後不要となった金属デポジション膜空中配線をイオンビームエッチングまたはAFMスクラッチ加工で除去する。 (もっと読む)


【課題】
試料となるウェーハを割ることなしにウェーハ断面を水平から垂直迄の方向からの断面
観察や分析を高分解能,高精度かつ高スループットで行える微小試料加工観察装置および
微小試料加工観察方法を実現することを目的とする。
【解決手段】
上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と
電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し
、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 (もっと読む)


【課題】本発明は、AESによる断面加工試料の測定において、断面のエッチングによるクリーニング操作から断面の観察、測定操作までにかかる複雑なステージ操作工程や、さらにCMAを搭載したAESにおける複数試料観察の際の角度微調節といった工程の削減を可能とする試料台の提供を目的とする。
【解決手段】試料台(1)に傾斜角度50°〜60°の傾斜面2面からなる傾斜部分(2)を設けることにより、エッチング後、試料ステージの反転操作を行なわずに観察、測定操作を可能とし、また、傾斜部分(2)に並列に試料(5)を固定できる構造により、観察断面の方向をそろえることを可能とすることで位置調整に要する操作を削減することが出来る。 (もっと読む)


【課題】 微小試料を把持するための機構では角度ズレ、先端形状に起因する試料の姿勢変化がある。
【解決手段】 把持体18をFIBなどの荷電粒子ビームで加工を施すことにより、ビームに対して平行な把持面を形成することができ、また把持面に付着したダストも除去する。荷電粒子ビーム照射される装置内でTEM試料に代表される微小試料を荷電粒子ビームによるエッチングで切り出すことで作製して運搬するとき、試料は荷電粒子ビーム照射方向にエッチングされるので把持体18の把持面19を試料の断面加工と同じ方向で加工することができるので、試料と把持面19とを平行な面に作製することができ、試料を把持したときの試料の姿勢変化を少なくすることができる。 (もっと読む)


【課題】元試料から、TEMまたはSEM観察のための試料片の採取、成形および観察
ホルダ設置までの工程を簡素化し、試料処理室において一貫して行なう。
【解決手段】集束イオンビーム照射光学系2により元試料5の所望位置において試
料片15の切り出しの成形を行なう。次に、脱着可能な試料片プローブ7によって
試料片15を採取し、試料片プローブ7を観察用試料ホルダ10に移載した後、試料
処理室1からエアーロック機構を用いて観察用試料ホルダ10を抜き取ることによ
って、簡便かつ迅速な試料作成を行なう。 (もっと読む)


【課題】微細に加工された半導体デバイス内の所望の箇所の3次元的構造を観
察するための電子顕微鏡用試料作製装置、電子顕微鏡及びその方法を提供する。
【解決手段】試料片10の加工にダイサーを用い、試料片上の観察対象となる
部分を突起状に削り出す加工に集束イオンビーム加工を用い、試料片10を1軸
全方向傾斜試料ホルダに、突起11の中心軸と試料傾斜軸Zを一致させて固定し
、高角に散乱された電子で結像したTEM像を投影像として用い、再構成を行う
(もっと読む)


【課題】試料作製及び試料観察を効率よく行う。
【解決手段】イオン銃11のイオンビーム照射口は試料表面に対向するように試料室5内部に設けられ、イオンビーム照射口から試料ホルダー4にセットされた試料表面に直接イオンビームを照射することができるので、大面積の薄片加工が可能となる。またイオン銃11は希ガスのイオンビームを試料表面に照射するので、試料の材質を問わずに安定的にドライエッチングを行うことができる。 (もっと読む)


【課題】 ボンディング界面に形成された金属間化合物を直接X線回折により同定するための試料の調整方法を提供する。
【解決手段】 ボンディング済みの金属細線と下地パッド金属との間において、ボンディングされた金属細線を物理的な力で剥離して露出した剥離面に、表面から内部に向かって断続的にArイオンビームを照射してイオンエッチングし、順次新しい観察面を露出させてX線回折試料とする。金属細線と下地パッド金属とを物理的な力で剥離するに際し、ボンディングパッド上にボンディング済みのボンディングワイヤを含むように中空の容器を立て、該中空の容器内に熱硬化性樹脂を流し込み、熱硬化性樹脂を硬化させて金属細線を樹脂で保護した後に、物理的な力で剥離することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】グロー放電を利用した円柱状又は棒状の試料の側面の掘削を可能とする試料掘削方法、及び試料掘削装置を提供する。
【解決手段】アルゴンガス(不活性ガス)が供給される試料室(処理室)3内で、グロー放電管1が備える電極に対して、棒材等の円柱状の試料Sの側面を対向配置する。モータ38により試料Sを軸周りに回転させながら試料Sと電極との間に電圧を印加してグロー放電を発生させ、グロー放電に伴うアルゴンイオンのイオン衝撃により試料Sの側面を掘削する。円柱状の試料Sの側面が軸対称に掘削され、グロー放電発光分析による成分分析が可能となり、清浄に形成した試料Sの側面をSEM等で観察することも可能となる。 (もっと読む)


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