【課題】本発明は、試料を取り外すことなく、試料を多方向から加工することを可能にする、集束イオンビーム加工装置と透過型電子顕微鏡に用いる共用試料ホルダーを提供することを課題とする。
【解決手段】試料ホルダー本体と、回転操作のための突起を有する円弧状回転台と、試料を搭載する試料台であって前記回転台の突起に嵌合するための穴を有する試料台と、前記試料ホルダー本体に装着された前記試料台を当該試料台の上から押さえる試料台押さえ手段と、前記試料台押さえ手段を試料ホルダーに固定する固定手段と、を少なくとも有すると共に、試料ホルダー本体に、ＦＩＢが入射する側の一部に形成されたＦＩＢ加工用の切り欠き部と、ＴＥＭ観察用の電子線通過穴と、該通過穴に沿った円弧状の溝と、が前記円弧状回転台を嵌合可能に形成されており、試料台押さえ手段によって、前記試料ホルダーに前記試料台を固定する試料ホルダーである。 （もっと読む）

【課題】厚さの均一性が高く、かつ、観察部位から所望の距離に真空領域を有する観察試料を作製することができる観察試料作製方法及び観察試料作製装置を提供する。
【解決手段】少なくともパターンが形成された構造部７１とパターンが形成されていない無構造部７２の２つの部分を有する加工対象試料７の無構造部７２側からＦＩＢを照射し、構造部７１と無構造部７２との界面を含む側面を加工して加対象試料７の構造を観察する観察対象面を形成し、観察対象面に沿う方向からＦＩＢを照射することにより加工対象試料７を加工する。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で安価に平面観察用半導体薄片試料を作製することを可能にする集束イオンビーム加工装置の試料ステージおよびこの試料ステージを用いた透過型電子顕微鏡平面観察用半導体薄片試料の作製方法の提供。
【解決手段】試料ステージ面は、該試料ステージ面に対してメッシュ挟持用の傾斜溝を有する。集束イオンビームの照射により試料基板から微小試料片を切り出し、マイクロプローブで分離摘出後、前記試料ステージ面の傾斜溝に挟み込まれたメッシュを、メッシュの側面が前記集束イオンビームに垂直な向きとなるように傾ける。微小試料片の観察平面が集束イオンビームと垂直な向きとなるように前記メッシュの端面に接着した後、傾斜した試料ステージを回転軸の周りに１８０度回転させる。集束イオンビームを照射して透過型電子顕微鏡平面観察用半導体薄片試料を作製する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、半導体ウェハ等の表面や内部にある異物や欠陥などをＴＥＭもしくはＳＴＥＭで観察や分析など解析するために加工された薄片試料を迅速に採取することに関する。
【解決手段】
本発明は、ＴＥＭ／ＳＴＥＭ試料作製の全体工程を、ＦＩＢを利用した微小試料の加工作業と、微小試料の採取及び試料ホルダへの移設作業と、を別の装置で行い、微小試料の加工作業と、微小試料の採取作業と、を並行して行うことに関する。好ましくは、キャリアにおいて微小試料を設置する箇所を液体とすると、採取具に付着した微小試料を確実、且つ迅速にキャリアに移設できる。本発明によれば、事前に集束イオンビーム装置で試料上に作製された微小試料を迅速に採取し、キャリアに設置することができるため、１個の試料を加工するためのＦＩＢ装置の占有時間が短縮し、試料作製効率が高まる。 （もっと読む）

【課題】ＴＥＭ試料作成のための改善された方法。
【解決手段】ＦＩＢ／ＳＥＭデュアルビームにおいてＳＥＭ−ＳＴＥＭ検出器を使用することにより、ＳＴＥＭ信号で試料膜厚を観察しながら、ＦＩＢを用いて試料を薄膜化することができる。本発明の好ましい一つの実施形態では、再現性があって自動化に適している正確なエンドポイント検出の方法を使用することによって、Ｓ／ＴＥＭ試料の膜厚を測定し、Ｓ／ＴＥＭ試料を作成することができる。また、好ましい実施形態では、ＴＥＭ薄膜作成中に自動的なエンドポインティングを実現することができ、手動による薄膜化中に使用者に試料膜厚に関する直結フィードバックを提供することができる。したがって、本発明の好ましい実施形態では、試料を薄膜化する際にエンドポイントを決定するための改善された方法、及びＴＥＭ試料作成のスループットと再現性を向上するように、部分的又は完全に自動化されたエンドポインティングの方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 試料の薄膜加工終了を正しく判定して実行することができるイオンビーム加工装置を提供すること。
【解決手段】 イオンビーム加工開始時刻ｔ_０から所定期間Ｔ_２においては、第１光源７の輝度と第２光源８の輝度は、オペレータが像を観察しやすい明るさに任意に可変設定される。そして、イオンビーム加工開始時刻ｔ_０から所定期間Ｔ_２が経過して時刻ｔ_１となると、輝度設定手段１６は第１光源７の輝度を所定期間Ｔ_１にわたって所定値ａに固定設定すると共に、第２光源８の輝度を所定期間Ｔ_１にわたって所定値ｂに固定設定する。加工終了判定手段１８は、輝度ａ，ｂの光で照らされた試料５の像を加工終了判定用画像として撮像手段９から取り込んで加工終了判定を行う。前記輝度ａおよびｂは、加工終了判定が正確に行えるように設定されたものであり、予め実験により求められたものである。 （もっと読む）

【課題】 本発明はたとえばTEM検査用の高品質試料の作製方法に関する。
【解決手段】 たとえば集束イオンビーム(FIB)装置によって試料を薄くするとき、前記試料は、前記FIB装置から取り出されるとき、大気曝露によって酸化する。この結果、試料は低品質となり、さらなる解析には適さない恐れがある。前記試料上に保護層-好適には水素保護層-をその場で-つまり前記FIB装置から取り出す前に-形成することによって、高品質試料が得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明はイオン液体を用いた試料の処理方法及び処理システムに関し、大気中を搬送しても試料表面が大気に曝されないようにすることができるイオン液体を用いた試料の処理方法及び処理システムを提供することを目的としている。
【解決手段】イオンビーム加工装置等の真空中で試料２に加工処理を施し、加工処理が施された試料２にイオン液体を塗布し、イオン液体が塗布された試料２を電子顕微鏡等の予備排気室８に搬送し、該予備排気室８でイオン液体を除去し、該イオン液体が除去された試料２を電子顕微鏡本体で観察するように構成される。 （もっと読む）

【課題】 薄膜加工位置やマイクロピラー形成位置の指定を、高い位置精度で簡単・迅速に行えるようにする。
【解決手段】 集束イオンビーム２による加工領域８０の指定に加えて、集束イオンビーム２による非加工領域９０の指定を行えるようにし、これら指定した集束イオンビーム２による加工領域８０と非加工領域９０との組み合わせによって、実際に集束イオンビーム２により加工する任意形状加工領域１００の任意形状加工データを得る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＴＥＭ観察に用いる試料をイオンミリング法により作製するに当たり、イオンビームが試料台をスパッタすることにより生じる試料台物質が試料表面に付着するいわゆるリデポジッションの少ない試料を作製する試料台を提供する。
【解決手段】頂角が１２０度以下の三角形あるいは扇形で、先端部の厚さが１μｍ以上５μｍ以下で、先端から離れるにつれて傾斜断面を有し、傾斜断面の鉛直方向に対する傾斜角を５度以下とする導電性材料であり、ＴＥＭ観察用試料ホルダ及びイオンミリング装置用試料ホルダに固定するための穴を有することを特徴とするイオンミリング用試料台である。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハやデバイスチップから所望の特定領域を含む試料片のみをサンプリング（摘出）して、分析／計測装置の試料ステ−ジに、経験や熟練や時間のかかる手作業の試料作り工程を経ることなく、マウント（搭載）する試料作製方法およびその装置を提供すること。
【解決手段】FIB加工と、摘出試料の移送、さらには摘出試料の試料ホルダへの固定技術
を用いる。
【効果】分析や計測用の試料作製に経験や熟練技能工程を排除し、サンプリング箇所の決定から各種装置への装填までの時間が短縮でき、総合的に分析や計測の効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】吐出口から液体試料が蒸発することを抑制して、固化する際の検体の組成や構造の変化を抑制し、かつ安定した検体の吐出を可能にする。
【解決手段】固体試料の作製室（１〜３）と、ステージ（１４）と、検体を吐出する吐出口を備え、吐出動作により、ステージの表面に検体を供給する検体供給器（１６）と、ステージを冷却する冷却器（１３）と、を有し、作製室内において、冷却されたステージの表面に検体を供給して、検体を固化させる固体試料の作製装置において、検体供給器の吐出動作の待機時に、検体供給器の吐出口を作製室内の雰囲気から遮蔽した状態で、吐出口から検体を吸引する吸引器（１８）を有する。 （もっと読む）

【課題】ステージを傾けることなく薄片試料を試料ホルダに固定でき、スループットを高めてより短時間で効率良くＴＥＭ試料を作製すること。
【解決手段】ステージ上に載置された試料Ｓから薄片試料２を取り出した後、該薄片試料を試料ホルダ３に固定してＴＥＭ試料１を作製する方法であって、集束イオンビームによるエッチング加工により試料を穴掘りし、平面視矩形状に形成された薄片本体２ａと該薄片本体の側面の一部から側方に向けて突出した突出部２ｂとで一体的に形成された薄片試料を作製する工程と、薄片試料を試料ホルダの近傍まで移動させる工程と、突出部が試料ホルダの表面に接触するように薄片試料を試料ホルダに接触させる工程と、原料ガスを突出部の周辺に供給しながら該突出部の近傍に向けて集束イオンビームを照射して、デポジション膜Ｄにより突出部と試料ホルダとを固定する工程と、を備えているＴＥＭ試料作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】トモグラフィー法にあって、試料を試料台の回転軸上に容易に搭載でき、全回転角において、観察・分析を正確に行うことができるようにする。
【解決手段】電子顕微鏡にも共用される、試料台が備えられている試料回転ホールダにあって、試料台の軸心上の試料搭載側先端に球体部を設け、粉体試料を効率よく回転軸中央に装着し、試料回転ホールダ及び試料台それぞれの各回転角で、三次元再構成時の取得画像の位置合わせが正確に行え、三次元再構成像を高精度で得ることができるようにした。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップの裏面に樹脂が回りこむことを回避して、表面部材が取り付けられている半導体チップに発生している故障を解析するための試料を確実に作成する技術を提供する。
【解決手段】 ワイヤＷ（表面部材）が取付けられている半導体チップ１０に発生している故障を解析するための試料の作成方法であり、定盤４０（試料作成用基台）の上面４１に半導体チップ１０の裏面１１に密着する両面テープ３０（シート）を配置する工程と、両面テープ３０の上面３１に半導体チップ１０の裏面１１を載置する工程と、両面テープ３０の上面３１に半導体チップ１０を取り囲む型枠５０を載置する工程と、型枠５０内に樹脂６０を充填し、ワイヤＷと半導体チップ１０の両者を樹脂６０で封止する工程と、故障箇所Ｆを半導体チップ１０の裏面１１から穿孔する工程を備えており、故障箇所Ｆが内面１３ａ（断面）に露出している試料を作成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、磁気ヘッド等の製造プロセスのチェックを行うための試料作成に関し、より詳細には集束イオンビームを照射して試料の表面の所望する位置に断面を露出する凹部加工を行う試料加工方法と試料加工プログラムに関する。
【解決手段】 本発明の試料加工方法は、試料の表面に形成された基準マーカーを検出して基準マーカーから基準位置を求める基準位置算出工程と、基準位置と断面形成所望位置との距離から所定値を差し引いた第１のオフセット値と基準位置と第１の加工パターンとに基づいてＦＩＢを前記試料に照射して加工する第１加工工程と、基準位置と第１加工工程によって加工された試料の所望位置に近い断面をなす端部との間の距離を計測する計測工程と、計測された距離から所望位置までの未加工距離を求めその未加工距離に第１のオフセット値を加えた第２のオフセットと基準位置と第２の加工パターンとに基づいてＦＩＢを前記試料に照射して加工する第２加工工程と、を有するよう構成する。 （もっと読む）

【課題】 ＦＩＢ加工で試料からより微小な試料片を摘出し、電子顕微鏡観察用試料に加工する際に、ＦＩＢのイオンビームが微小試料片固定用の電子顕微鏡観察用試料支持部材に照射されず、試料への再付着が生じない電子顕微鏡観察用試料支持部材を提供することにある。
【解決手段】 薄片固定部５が微小試料片２よりも充分に薄いため、イオンビーム６を傾斜し微小試料片２の中央部の電子顕微鏡観察用試料部に照射しても薄片固定部５を削らないようにしての加工が可能となり、これにより薄片固定部５からの微小粉末の発生も生じないため、観察試料への再付着も起こらない。 （もっと読む）

【課題】１０μｍ〜１００μｍオーダーの平滑な断面形成に適し、作業者の熟練の技術を必要とせず、かつ加工位置精度に優れ、所望の特定位置に正確に断面を形成できる、走査電子顕微鏡による断面観察用サンプルの作製方法を提供する。
【解決手段】試料の被観察部を通る粗断面を形成するとともに、イオンビームによる加工深さ以下の厚さの透明な基板を、前記被観察部を覆うように試料に固定した後、前記試料を、イオンビームを試料に照射する装置の試料ホルダーに設置して、前記被観察部と前記装置のイオンビーム照射位置との位置合わせを行い、その後、被観察部にある粗断面をイオンビーム照射により加工することを特徴とする走査電子顕微鏡による断面観察用サンプルの作製方法。 （もっと読む）

【課題】グロー放電により試料を掘削する試料掘削装置において、試料の大きさ及び形状に関わらずに掘削を可能とし、試料と電極との間の距離を適切に調整することができる試料掘削装置及び試料ホルダを提供する。
【解決手段】グロー放電により試料を掘削する試料掘削装置は、円筒部（端部）１２ｂを有する陽極１２と試料ホルダ２とを備え、試料ホルダ２は、一端が開口端となり他端が閉口端となった筒状筐体部２１と、一端が試料保持端となった試料保持部２２とを有する。試料保持部２２は、試料保持端を開口端と同じ向きに向けて筒状筐体部２１に螺着される。試料ホルダ２は、試料Ｓを保持した試料保持端を陽極（電極）１２の端部に対向させて配置される。螺着の際にねじ込む深さを変更して筒状筐体部２１に対する試料保持部２２の位置を調整することにより、試料保持部２２で保持した試料Ｓと陽極１２の円筒部１２ｂとの距離を調整することができる。 （もっと読む）

【課題】プローブ高さをモニタして、安全かつ効率的に試料表面にプローブを接触させる方法の提供。
【解決手段】試料４にイオンビーム３を照射するイオンビーム光学系１と、イオンビーム３の照射によって試料４から放出された２次電子を検出する２次電子検出器１０と、２次電子検出器１０による検出情報を画像として表示する表示装置１２と、試料４の表面に接触させるプローブ７と、プローブ７の駆動を制御するプローブ制御装置９と、予めプローブ７を試料４に接触させて得られたプローブ先端座標を記録するプローブ基準座標記録装置と、を有し、プローブ制御装置９は、前記プローブ基準座標記録装置の記録座標とプローブ７を接触させるべき試料７上の座標に基づいて、プローブ７の駆動距離と速度とを制御する。 （もっと読む）