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Fターム[2G052EC18]の内容

サンプリング、試料調製 (40,385) | 切断、切削、研磨、薄片化 (1,238) | 手段 (984) | ビーム (343) | イオン(イオンミリングを含む) (248)

Fターム[2G052EC18]に分類される特許

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イオン衝突を利用した顕微鏡検査または表面研究用の試料のミリング処理装置を開示する。この装置は高低両エネルギー・イオン源を使用することによって試料表面をそれぞれ粗及び微修正することができる。イオン源から発生する衝突ビーム内の試料位置を正確に制御することによって、ビームに対して試料を傾倒及び回転させることができる。この位置制御によって、プログラム制御下に且つ定常な真空条件下に、試料を異なるイオン源の間で移動させることができる。また、装置への試料の導入及び装置からの試料取出しの際に真空度を低下させず、しかも試料を周囲温度に戻すことを可能にするロード・ロック機構を設ける。ミリング処理のすべての動作段階において試料を観察及び撮像することができる。
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【課題】
本発明が解決しようとする課題は、試料へのアプローチに際し試料へのダメージを与えることがない試料とプローブの接触感知機能を備え、ピックアップ機構としては微細なサンプルを迅速で確実なハンドリングを可能とすると共に、試料の材質を選ぶことなく、しかも構造的にも単純な機構を提供することにある。
【解決手段】
本発明のプローブ機構とサンプルピックアップ機構は、観察装置または分析装置に備えられ試料に接触を図る針状体からなる先端部材を有し、駆動用の静電アクチュエータと、該静電アクチュエータの電極間の静電容量変化をモニターする手段とを備え、該モニターにより前記プローブがサンプルに接触したことを検知できることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 変質のない良好な透過電子顕微鏡用観察試料の作成方法を提供すること。
【解決手段】 試料1を銅リング3に接着する際、試料1の向きを従来のそれに対して90°回転させることでFIB加工面をダイシング加工面1b方向にする。試料1のダイシング加工面1b側からトレンチ1cを含む領域をFIB加工する。FIB加工方向をこのように変更することで、埋め込みトレンチ1cを側面方向から薄片化できるため、加工深さはトレンチ幅(5μm)程度で済み、観察部位の非結晶化等は発生せず、良質なTEM用観察試料を作製可能である。 (もっと読む)


【課題】 サイズの小さい試料1の微小部の特定箇所を選択して、その箇所の密着性評価を行なうことができる密着性評価方法及び装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 周囲部4と切り離された被測定部5を形成し、被測定部5に、支持部材であるμプローブ6を固定させ、固定させた支持部材であるμプローブ6を用いて被測定部5に引っ張り力を加えることで、被測定部5の密着性を評価する。また、被測定部5を切り離す工程は、粒子線を用いてなされる。 (もっと読む)


【課題】 分析領域の特定を簡便に行うと共に正確な分析を行うことが可能な、2次イオン質量分析方法を提供することにある。
【解決手段】 試料22の分析領域30の近傍に溝40を作成した後、試料断面を出してその切断面50を分析対象面とし、切断面50に表出した溝40を目印として分析を行い、分析領域30を特定する。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、時間的な節約を提供できる、基板から微視的なサンプルを取り出すための方法を提供することである。
【解決手段】 本発明は、基板2から微視的なサンプル1を取り出すための方法を提供し、該方法は、サンプル1が基板2から切り出されるようにして、基板2がビーム4で照射される、切断処理を実行するステップと、サンプル1がプローブ3に付着される付着処理を実行するステップと、を含み、切断処理の継続期間の少なくとも一部期間で、切断処理が少なくとも2つのビーム4及び5によって同時に実行されることを特徴とする。
少なくとも2つのビームで切断を実行することによって、ビームを生成する手段に関する基板2の方位を変えることなく、サンプル1が抽出できる。2ビームの同時作用と、方位を一定に維持する可能性は、切断が単一ビームでのみ実行される方法と比較して、時間的な節約を提供する。 (もっと読む)


【課題】 薄膜の表面状態および表面と平行な面内における状態の解析に適した試料を、容易に作製することの可能な方法を提供する。
【解決手段】 積層膜10Zに対してFIB15A,15Bを照射することにより、可溶膜12に達するエッチング溝16を、解析対象領域10Rを取り囲むように形成したのち、ウェハ11、可溶膜12および中間膜13Zのうち、可溶膜12のみを溶解可能な酸性溶液を用いて中間膜パターン13と接する部分である底部12Bを溶解除去することにより、解析用試料10を形成する。得られた解析用試料10を、その側面10Wを把持することにより取り出す。これにより解析対象膜パターン14の表面を汚すことなく、SEMやTEMなどを用いた表面状態および表面と平行な面内における状態の解析に好適な解析用試料10を、高精度かつ容易に形成することができる。 (もっと読む)


【解決手段】 一実施形態において、集束イオンビーム(FIB)で基板を切断することにより、前記基板から少なくとも部分的に試料を切断する工程と、把持要素を作動させることにより前記基板試料を捕持する工程と、前記捕持済み試料を前記基板から分離させる工程とを含む方法。前記捕持済み試料は、前記基板から分離して検査用に電子顕微鏡へ移送することもできる。 (もっと読む)


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