【課題】 簡便な分析方法であって元の試料形状を反映した結果が得られる試料分析方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る試料分析方法は、絶縁物試料１を試料固定用樹脂２に埋め込み、前記試料固定用樹脂２を研削して前記絶縁物試料１の断面を露出させ、前記絶縁物試料１の断面を含む前記試料固定用樹脂２の表面にカーボン膜３を形成し、前記試料固定用樹脂２をオージェ電子分光分析装置の導電性試料台４上に保持し、前記絶縁物試料１の断面上のカーボン膜３を加工して試料の元素が検出可能な膜厚まで薄くし、前記絶縁物試料１の断面に対してオージェ電子分光分析を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 薄片化試料の配置状況に応じて、正確かつ簡単に気体イオンビームの照射角度を制御することが可能な荷電粒子ビーム装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 試料を加工して薄片化試料２を作成するとともに薄片化試料２を観察する集束イオンビーム装置３、及び薄片化試料２を観察する走査型電子顕微鏡４と、薄片化試料２の表面に気体イオンビーム１２を照射して仕上げ加工をする気体イオンビーム照射装置５と、薄片化試料２が固定され且つ少なくとも1以上の回転軸を有する試料ステージ６と、試料ステージ６に対する薄片化試料２の位置関係を認識する試料姿勢認識手段７と、薄片化試料２の表面または裏面に対する気体イオンビーム１２の入射角度を所望の値にするために、姿勢認識手段７により認識した試料姿勢と気体イオンビーム照射装置５の取り付け角度に基づき試料ステージ６を制御する試料ステージ制御手段８を具備する。 （もっと読む）

【課題】 異なる電顕用試料ごとに最適な異なる照射条件の掘削を行い、イオンビームの照射時間の短縮を計ると共に、オペレータの負担を軽減するイオンミリング装置を実現する。
【解決手段】 電極板１５および検流計１４からなる通過イオン計測手段により、通過イオンのイオン電流を所定時間間隔ごとに計測し、このイオン電流の変化情報から試料５の掘削深さｈの変化量を推定し、掘削深さｈの変化量を期待掘削深さ変化量に一致させる様に制御弁１１および可変電圧源１３の弁の開度および加速電圧を調整することとしているので、オペレータが入力する全照射時間に近似する時間で掘削を終了することができると共に、多種多様な電顕用試料ごとの制御弁１１の開度情報および可変電圧源１３の電圧情報を最適なものとし、繰り返し行われる試料５の同様の掘削を、効率的に行うことを実現させる。 （もっと読む）

【課題】一度に多くのミクロン以上〜１００μｍ以下の粉末、またはサブミクロンの粉末を短時間に加工することのできるＴＥＭ観察用試料作製方法を提供する。
【解決手段】粉末を透過電子顕微鏡観察用試料に加工する方法において、粉末を樹脂に混合しこの組成物をＴＥＭに挿入できる大きさの単孔もしくは多孔シートメッシュの孔に充填して硬化し、硬化後組成物の断面を出すように半分に切断し、さらに集束イオンビーム加工装置で断面側からイオンビームを当てて薄片化する。使用する単孔もしくは多孔シートメッシュの厚さまたは挿入した組成物の厚さが５０μｍ以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 大口径ウェハ用の探針移動機構ならびにサイドエントリ型試料ステージを試料作製装置、不良検査装置に適用することで、小型で従来と同等の操作性を有する試料作製装置、評価装置を提供する。
【解決手段】 探針ならびにサイドエントリ型試料ステージを、上記イオンビーム照射光学軸とウェハ面の交点を通る傾斜角を持って真空容器を大気開放することなく真空容器に出し入れ可能とする真空導入手段を配した探針移動機構およびサイドエントリ型試料ステージ微動機構用い、さらにサイドエントリ型試料ステージの試料ホルダの試料片設置部分をウェハ面と平行とする回転自由度を有したサイドエントリ型試料ステージを用いる。
【効果】
真空容器の容積が必要最小限の設置面積の小さい小型で使い勝手の優れた、大口径ウェハ用の試料作製装置、評価装置が実現できる。 （もっと読む）

【課題】 試料台としての剛性を確保しつつ微小試料の薄片化時間を短縮できる微小試料台を提供すること。
【解決手段】 微小試料台１０は、全シリコン製であり、上下方向（Ｚ方向）に４段を有する多段構造である。微小試料台１０を側面から見ると、中心面Ａに対して対称形であり、上方の段ほど厚さ（Ｙ方向の長さ）が薄い。微小試料台１０の第１段１１と第２段１２はＸ方向に延設されているが、第３段１３〜５３と第４段１４〜５４とからそれぞれ構成される５つの突状部分１〜５は、Ｘ方向に配列して第２段１２の上面からＺ方向に突設されている。突状部分１〜５は、高さ（Ｚ方向の長さ）及び厚さ（Ｙ方向の長さ）は一律であるが、幅（Ｘ方向の長さ）は微小試料片Ｓの寸法などに応じて任意に形成することができる。微小試料片Ｓは、その表面、すなわち薄片化調製が行われる平面がＸＺ面に平行となるように、第４段１４〜５４に固定される。 （もっと読む）

【課題】 複数個の微小試料台を保管したり運搬する際の取り扱いを簡便とすること。
【解決手段】 微小試料台１０の集合体である微小試料台集合体５０は、複数の微小試料台１０がＸ方向に直線状に規則正しく配列され、このような列がＺ方向に突き抜けた空間ＳＰを挟んでＹ方向に並列に規則正しく配置されている。微小試料台１０同士は、連結リブ６０を介して直列に連結され、各列において最も外側にある微小試料台１０の一端が接続リブ８０を介して外枠７０の突起部７０ａに接続されている。微小試料台１０、連結リブ６０、外枠７０および接続リブ８０は、全てシリコン製であり、単結晶シリコンウエハ１０１から一体で作製される。微小試料台１０を分離するときは、連結リブ６０、接続リブ８０を折って切り離す。 （もっと読む）

【課題】
イオンビーム測定子の移動を行うに際して、手間取らずに簡便に行うことのできるイオンミリング装置を提供する。
【解決手段】
イオンビーム測定子が真空チャンバの内部に設けられ、該イオンビーム測定子に連結され、真空排気によって駆動される駆動部を有する他の真空排気系が真空チャンバに連通する真空排気系に連通して設けられ、かつ各真空排気系に一方が開のときに閉、閉のときに開となる弁がそれぞれ設けられる。 （もっと読む）

【課題】イオンビームで研磨された試料を固定した試料ホルダはSEM試料台支持部に取り付けるに際して試料ホルダとＳＥＭ試料台支持部との間に取り付けのために用いられて来た中間材を設けることなく取り付けることができ、以って両者間の距離を短くし、試料ホルダをＳＥＭ試料台支持部に近接配置できるようにする。
【解決手段】試料ホルダ２３に試料３の研磨されて観察される面の裏側の面に、ＳＥＭ試料台支持部に設けたおねじ部５３に直接ねじ挿入されるめねじ穴５２を設け、当該おねじ部を当該めねじ部に直接ねじ挿入することによって、試料を固定した前記試料ホルダをSEM試料台を介さずに直接ＳＥＭ試料台支持部に固定される。 （もっと読む）

【課題】 微小な試料片において、加工歪のない清浄な剥離面を得ることができる分析用の試料片抽出方法を提供する。
【解決手段】 多層膜試料１の所定箇所の輪郭に沿って溝１Ｄ加工を行ない、所定箇所を剥離する工程により所定箇所の膜面を剥離して、剥離面を露出させる。試料１は、母材１Ｂ上に多層膜１Ｃが形成されている。溝１Ｄの加工は、集束イオンビームを用いて行なうことができる。試料１の微小な分析対象箇所の加工が簡易であり、試料１に余分な力を加えずに、バリや新たな剥離面の発生を生じない試料片１Ａを抽出することができる。 （もっと読む）

【課題】
少ない工程数で短時間に平面ＴＥＭサンプルを作製できるようにする。
【解決手段】
半導体集積回路のシリコン基板の裏面側から不良箇所を特定し、その不良箇所を含む領域のシリコン基板を選択的に薄膜化し、シリコン基板の裏面側から、不良箇所を含む矩形領域の周囲に収束イオンビームにより溝を形成して中央部に不良箇所を含む小片を形成する。次にその小片の１つの側面に対し斜め方向から収束イオンビームを照射して小片を切り離すとともに、溝により形成されるシリコン基板の穴内で、その切り離された小片を前記側面の方向に倒す。そして、前記側面とは反対側の側面が上を向くようにシリコン基板を傾け、上を向いた側面に対し垂直方向から収束イオンビームを照射して不良箇所を含む薄膜状の薄片に切り出すことにより、表面に配線層が形成された半導体集積回路から不良箇所を含む平面ＴＥＭサンプルを作製する。 （もっと読む）

【課題】 試料から微小サンプルを切り出す作業を迅速に且つ正確に行うことができ、また、微小サンプルを試料台に配置させる作業を迅速に且つ正確に行うことができる装置及び方法を提供する。
【解決手段】 プローブに負の電圧を印加し、試料の輝度を計測する。プローブによって試料から微小サンプルを切り出す場合には、輝度が減少したときに、プローブが試料に接近したと判定し、輝度が更に減少した後に急激に増加したとき、プローブが試料に接触したと判定する。プローブに接続された微小サンプルを試料台に配置する場合には、輝度が減少したときに、プローブに接続された微小サンプルが試料台に接近したと判定し、輝度が更に減少した後に急激に増加したとき、プローブに接続された微小サンプルが試料台に接触したと判定する。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームで形成した試料面は平坦であり、走査電子顕微鏡での構造観察には適していなかった。
【解決手段】材料毎のスパッタイールド差を大きくするアシストガスを利用した集束イオンビームアシストエッチングにより、構造毎の微小凹凸を形成することで、走査電子顕微鏡観察に適した試料作製を実現する。 （もっと読む）

【課題】 試料の特性に左右されることなく、グロー放電により試料を確実に掘削する。
【解決手段】 グロー放電掘削装置１は、連続的に給電を行う連続モード及び断続的に給電を行う断続モードの切替が可能であり、グロー放電に伴う熱により溶融しやすい試料Ｓ、グロー放電に伴うスパッタリングの威力により壊れやすい試料Ｓ等に対しては断続モードで給電を行うことで、良好な観察を行える観察面を得られるように試料Ｓの掘削を行う。試料Ｓが溶解しやすい及び壊れやすい特性を具備しないときは、連続モードで給電を行うことにより効率良く良好な観察面が得られるように試料Ｓの掘削を行う。 （もっと読む）

【課題】 ＴＥＭ観察などに適した良好な薄膜試料を確実に作製できる試料作製方法および試料作製装置を提供する。
【解決手段】 高輝度画素抽出手段１０は、撮像手段８で撮像された試料像に対して、所定のしきい値Ｋより大きな強度を有し、且つ試料の薄膜化に伴ってその強度が前記しきい値Ｋより大きくなった高輝度画素Ｐを抽出する。判定手段１１は、高輝度画素抽出手段１０で抽出された高輝度画素Ｐがその試料像上において所定個数以上連なっているかどうかを判定する。判定手段１１は、高輝度画素Ｐが所定個数以上連なっていると判定した場合、試料へのイオンビーム照射を停止させる信号をイオン銃制御手段１２に送る。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームにより試料体が切除されて観察断面が更新された際に、観察断面に対する電子ビームの焦点を合わせるようにする。
【解決手段】 試料体２００にイオンビームＩＢを照射して観察断面２０２を形成するイオン銃１０２と、イオン銃１０２により形成された観察断面２０２に電子ビームＥＢを照射する電子銃１０４と、観察断面２０２と電子ビームＥＢの焦点との関係を調整する焦点調整部１０６と、イオン銃１０２のイオンビームＩＢの照射による試料体２００の切除量に基づいて、焦点調整部１０６を制御する焦点制御部１０８と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハやデバイスチップから所望の特定領域を含む試料片のみをサンプリング（摘出）して、分析／計測装置の試料ステ−ジに、経験や熟練や時間のかかる手作業の試料作り工程を経ることなく、マウント（搭載）する試料作製方法およびその装置を提供すること。
【解決手段】 FIB加工と、摘出試料の移送、さらには摘出試料の試料ホルダへの固定技術を用いる。
【効果】 分析や計測用の試料作製に経験や熟練技能工程を排除し、サンプリング箇所の決定から各種装置への装填までの時間が短縮でき、総合的に分析や計測の効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】 大気中で安定的な表面を有し、保管方法が簡便で寿命の長いＡＦＭ標準試料を提供すること。
【解決手段】 被検体の垂直方向の測定値を１０^−１０〜１０^−８ｍの分解能で直接的に校正する為に用いられるＡＦＭ標準試料であって、
主面として（０００１）面、または（０００１）面から１０度以内のオフ角度を持った面を有する単結晶サファイヤ基板からなり、該凹部の内側の面にステップ構造を有することを特徴とするＡＦＭ標準試料及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハやデバイスチップから所望の特定領域を含む試料片のみをサンプリング（摘出）して、分析／計測装置の試料ステ−ジに、経験や熟練や時間のかかる手作業の試料作り工程を経ることなく、マウント（搭載）する試料作製方法およびその装置を提供すること。
【解決手段】 FIB加工と、摘出試料の移送、さらには摘出試料の試料ホルダへの固定技術を用いる。
【効果】 分析や計測用の試料作製に経験や熟練技能工程を排除し、サンプリング箇所の決定から各種装置への装填までの時間が短縮でき、総合的に分析や計測の効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】 断面観察用試料の観察面に残存する加工ダメージ層を簡単かつ迅速に除去する手段を備え、２次元キャリア分布測定を精度よく実施することが可能な断面観察用試料を作製する方法を提供すること。
【解決手段】 シリコン基板上に不純物を導入したシリコン層を有する半導体デバイスの断面観察用試料片を作製する方法において、半導体デバイスの断面を露出させ、その断面を平坦化する加工を施した後、断面観察用試料をアルカリ金属水酸化物と過酸化水素とを含む強アルカリ性エッチング液に浸漬させ、さらに塩酸またはアンモニアと過酸化水素とを含む表面改質液に浸漬させて、加工ダメージ層を除去し、かつ、加工ダメージ層が除去された断面表面に均一なシリコン酸化膜を形成する。 （もっと読む）