【課題】イオンミリング法によるＳｉＰ型半導体パッケージでの断面試料を作成するために光学顕微鏡では観察できない試料内部構造中の所望の断面を正確に得ることができる断面作成方法及び作成システムを提供する。
【解決手段】不透明な半導体パッケージを加工して、当該半導体パッケージの所望の部位の断面を作成する断面試料作成方法において、試料内部観察手段により半導体パッケージの内部観察画像を取得する試料内部取得工程と、試料表面観察手段により半導体パッケージの表面観察画像を取得する表面画像取得工程と、内部観察画像と表面観察画像とを表示部に表示する画像表示工程と、表示部に内部観察画像と表面観察画像とを表示させて、イオンミリングによる半導体パッケージの断面加工を行う断面加工工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 断面作製等を行った試料を簡易に真空環境下で保管でき、真空環境下で保管したまま搬送可能な試料保存装置を提供する。
【解決手段】 試料保存装置１は、試料作製装置２０の加工室２１に固定して取り付けられたメインケース２と、脱着型ケース１０とからなる。試料保管室５及び脱着型ケース１０内は、真空仕切り弁を介して加工室２１と連通可能である。試料を試料保管室５及び／又は脱着型ケース１０に入れ、真空仕切り弁を開けた状態で、試料作製装置２０が備える真空排気装置により加工室２１を真空排気すれば、試料は真空環境で保管される。真空仕切り弁を閉じれば、大気開放して試料の取り出しが可能である。 （もっと読む）

【課題】イオンビームでエッチング加工して断面観察試料を作製する場合に、試料の大きさに影響されないで清浄な加工断面が得られる断面観察試料の作製方法を提供する。
【解決手段】被加工物の上部を遮蔽板で覆い、遮蔽されない部分をイオンビームでエッチング加工して断面観察試料を作製する方法において、加工前の被加工物の加工対象面と遮蔽板の底面とのなす角度が鋭角である断面観察試料の作製方法。さらに、前記角度が４０°〜８４°である断面観察試料の作製方法。また、加工対象面のエッチングされた加工断面の深さが５０μｍ以上である断面観察試料の作製方法。 （もっと読む）

【課題】共通のイオンビームカラムを用いて試料の加工とダメージ層の除去とを迅速に実行することができるイオンビーム加工装置及び試料加工方法を提供する。
【解決手段】ガスイオン源１１から引き出されたイオンビーム１２を試料３１に導くイオンビーム光学系と、イオンビーム１２を通過させてイオンビーム１２の断面を成形する開口１５ａ〜１５ｃを有するマスク１５と、ガスイオン源１１に印加する加速電圧及びマスク１５の動作を制御するイオンビームカラム制御部１８とを備え、イオンビームカラム制御部１８は、マスク１５の開口１５ｂ，１５ｃに通して断面成形した高速加工用のイオンビーム１２を投射して試料３１又は試料片５０を加工する手順と、高速加工用のイオンビームに比較して加速電圧を下げ、加工後の試料３１又は試料片５０の観察面にイオンビーム１２を投射して観察面のダメージ層を除去する手順とを実行可能である。 （もっと読む）

【課題】 例えば透過型電子顕微鏡用の試料を比較的容易に形成することができるようにする。
【解決手段】 比較的大きな直方体形状のガラス基板１上の全面に形成された試料層４の上面の一部に厚さ２．２μｍのマスク５を形成する。次に、マスク５を含む試料層４およびガラス基板１の上面側をアルゴンイオンエッチングにより２μｍ程度除去し、ガラス層３、試料層４およびマスク５からなる試料部形成用凸部２を形成する。次に、試料部形成用凸部２の中央部両側に、集束イオンビームの照射による掘削加工により、溝６を形成し、両溝６間に残存された試料部形成用凸部２により試料部７を形成する。以上の工程は、比較的大きな直方体形状のガラス基板１に対して行なえばよく、ガラス基板１の運搬等を比較的容易に行なうことができる。なお、ガラス基板１を試料支持部材８に固着すれば、その取り扱いをさらに容易とすることができる。 （もっと読む）

【課題】観察対象の試料にダメージを与えることなく、簡単な操作で、走査電子顕微鏡用の試料を作製する方法を提供することにある。
【解決手段】イオンミリングによって試料の表面を削り取り、走査電子顕微鏡による走査像を観察し、ケミカルエッチングによって試料の表面を除去し、再度、走査電子顕微鏡による走査像を観察することによって、走査顕微鏡用の試料を作製する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＴＥＭやＳＥＭ等の観察に用いる断面試料をイオンビームエッチング法により作製するに当たり、試料表面の凹凸の少ない試料を作製する方法及び装置を提供する。
【解決手段】試料１又はイオン銃５を回転させることにより、試料に対するイオンビームの入射方向を変化させ、角度αが３０〜９０度及び−３０〜−９０度である場合の試料又はイオン銃の移動速度が、角度αが−３０〜３０度である場合の移動速度の１／３〜２／３とすることで、イオンビームエッチング法によって生じる筋状の表面凹凸をなくすことができる試料作製方法及び装置である。 （もっと読む）

【課題】フリップステージなしにＦＩＢ−ＳＴＥＭシステムで使用されることができるＳＴＥＭサンプル作製および解析のための方法を提供する。
【解決手段】方法は、約６０度の最大傾斜を有する典型的な傾斜ステージを有するデュアル・ビームＦＩＢ／ＳＴＥＭシステムが、基板からＳＴＥＭサンプルを抜き出し、ＴＥＭサンプル・ホルダ上にサンプルを搭載し、ＦＩＢミリングを使用してサンプルを薄化し、かつサンプル面がＳＴＥＭ撮像のために垂直電子カラムに垂直であるように、サンプルを回転するために使用されることを可能にする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハやデバイスチップから所望の特定領域を含む試料片のみをサンプリング（摘出）して、分析／計測装置の試料ステ−ジに、経験や熟練や時間のかかる手作業の試料作り工程を経ることなく、マウント（搭載）する試料作製方法およびその装置を提供すること。
【解決手段】FIB加工と、摘出試料の移送、さらには摘出試料の試料ホルダへの固定技術
を用いる。
【効果】分析や計測用の試料作製に経験や熟練技能工程を排除し、サンプリング箇所の決定から各種装置への装填までの時間が短縮でき、総合的に分析や計測の効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】液滴における前記物質の分散状態を保持したまま、液体中の分散物の分散状態を正確に観察可能な固体試料を提供する。
【解決手段】常温常圧で液相を呈する液体と、前記液体とは異なる物質であって常温常圧で固相又は液相を呈する物質と、を含み、前記物質が前記液体中に分散された検体を用意する工程と、前記検体を液滴として、冷却されたステージ表面に付着させる工程と、を含み、観察すべき領域全体をアモルファス化することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】試料ステージを傾斜することなく、半導体ウェーハやデバイスなどの電子部品等の試料から所望の特定領域を含む微小試料を、分離または分離準備して、微小領域分析や観察、計測用の試料作製方法およびその試料作製装置を提供すること。
【解決手段】集束イオンビームを試料表面に対して大きくとも９０度未満の照射角度で試料に照射し、目的とする微小試料周辺を取り除き、次に試料ステージを、試料表面に対する垂直線分を回転軸として回転させ、試料表面に対する集束イオンビームの照射角度は固定して試料に照射し、微小試料を分離または分離準備することを特徴とする試料作製方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスの所望領域から集束イオンビーム装置で切り出した薄片の断面の、走査キャパシタンス顕微鏡ドーパントプロファイル測定もしくは電子線ホログラフィードーパントプロファイル測定を可能にする。
【解決手段】 アルゴンなどのガスクラスターイオンビーム1のスパッタで、集束イオンビーム装置で切り出した薄片6の表面の残留ガリウム層3の除去を行う。電子線ホログラフィーを用いてドーパントプロファイル測定を行う場合は、残留ガリウム層3除去後の薄片2を100〜200kVの電子線が透過する厚さまでガスクラスターイオンビーム1のスパッタで薄くする。走査キャパシタンス顕微鏡を用いてドーパントプロファイル測定を行う場合は、残留ガリウム層除去後の薄片2の表面を酸素ガスクラスターイオンビームで表面酸化を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハやデバイスチップから所望の特定領域を含む試料片のみをサンプリング（摘出）して、分析／計測装置の試料ステ−ジに、経験や熟練や時間のかかる手作業の試料作り工程を経ることなく、マウント（搭載）する試料作製方法およびその装置を提供すること。
【解決手段】FIB加工と、摘出試料の移送、さらには摘出試料の試料ホルダへの固定技術
を用いる。
【効果】分析や計測用の試料作製に経験や熟練技能工程を排除し、サンプリング箇所の決定から各種装置への装填までの時間が短縮でき、総合的に分析や計測の効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】
試料の微細化に伴い、特に電子線照射に弱い材料に対して高い位置精度で薄膜加工し、観察する手法の確立が望まれている。これには、ＦＩＢ加工の加工終点をどのように判断し、観察部位が薄膜の中心に残るよう制御するかが技術的な課題となっている。
【解決手段】
試料断面の傾き部分に短冊状の加工領域を設定し、その加工モニタを短辺方向に拡大表示することで、断面構造の表示を可能とする。断面の構造が電子線の併用無しに確認できる。加工断面の確認を電子線を用いずに実施できるため、加工断面に電子線による損傷や変形が発生しない。また、薄膜化後に高加速電子線により観察することで、試料損傷を抑えた観察が可能で、電子線による試料像を観察しながら更に薄い薄膜にＦＩＢで加工することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】試料ステージを傾斜することなく、半導体ウェーハやデバイスなどの電子部品等の試料から所望の特定領域を含む微小試料を、分離または分離準備して、微小領域分析や観察、計測用の試料作製方法およびその試料作製装置を提供すること。
【解決手段】集束イオンビームを試料表面に対して大きくとも９０度未満の照射角度で試料に照射し、目的とする微小試料周辺を取り除き、次に試料ステージを、試料表面に対する垂直線分を回転軸として回転させ、試料表面に対する集束イオンビームの照射角度は固定して試料に照射し、微小試料を分離または分離準備することを特徴とする試料作製方法。 （もっと読む）

【課題】試料ステージを傾斜することなく、半導体ウェーハやデバイスなどの電子部品等の試料から所望の特定領域を含む微小試料を、分離または分離準備して、微小領域分析や観察、計測用の試料作製方法およびその試料作製装置を提供すること。
【解決手段】集束イオンビームを試料表面に対して大きくとも９０度未満の照射角度で試料に照射し、目的とする微小試料周辺を取り除き、次に試料ステージを、試料表面に対する垂直線分を回転軸として回転させ、試料表面に対する集束イオンビームの照射角度は固定して試料に照射し、微小試料を分離または分離準備することを特徴とする試料作製方法。 （もっと読む）

【課題】ドリフトの影響を受けずに、連続的に取得した複数枚の断面像を重ね合わせて、正確で鮮明な試料の三次元画像を構築すること。
【解決手段】試料２の表面にデポジション膜ＤＰを形成する工程と、一方向に向かってライン状に延びる補正用マークＭをデポジション膜に形成する工程と、補正用マークを横切るようにエッチング加工して、デポジション膜及び試料の断面を露出させる工程と、露出したデポジション膜及び試料の断面像を取得する工程と、これら各工程を繰り返し行って、断面像を連続的に複数枚取得する工程と、補正用マークを基準にして複数枚の断面像を取得した順番に重ね合わせて基礎三次元画像を構築する工程と、を行う三次元画像構築方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】従来周知の技術では、ＦＩＢ加工技術を併用した微細構造化の手法で作製した微細構造に損傷を生じさせざるを得ないものであり、本発明は、このような損傷を生じさせないようにすることを目的とした。
【解決手段】微細構造観察用試料の作製方法は、エネルギー硬化性樹脂にて前記微細構造を包埋し、前記微細構造を有する面に対向してダミー基材を配置して真空脱泡し、前記観察用試料と樹脂及びダミー基材間の間隙をなくし、次に前記樹脂に硬化エネルギーを付与させた後に、前記観察用試料の基材裏面（微細構造を設けていない面）から低角度でウェッジ型に鏡面研磨し、その後、研磨した面に対し集束イオンビームを照射して微細構造を加工する。 （もっと読む）

【課題】試料ステージを傾斜することなく、半導体ウェーハやデバイスなどの電子部品等の試料から所望の特定領域を含む微小試料を、分離または分離準備して、微小領域分析や観察、計測用の試料作製方法およびその試料作製装置を提供すること。
【解決手段】集束イオンビームを試料表面に対して大きくとも９０度未満の照射角度で試料に照射し、目的とする微小試料周辺を取り除き、次に試料ステージを、試料表面に対する垂直線分を回転軸として回転させ、試料表面に対する集束イオンビームの照射角度は固定して試料に照射し、微小試料を分離または分離準備することを特徴とする試料作製方法。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム装置における倍率校正を精度良く行うために校正位置の特定が容易な校正用標準部材及びそれを用いた電子ビーム装置を提供する。
【解決手段】装置校正用標準部材の超格子パターン近傍に、校正位置を特定するためのマークもしくは標識を形成することで、校正位置の特定が可能な高精度測長校正が実現できる。異なる材料４、５が交互に積層された積層構造の超格子パターンの断面を有する基板１に、電子ビーム装置から放出される一次電子ビーム１１を照射して検出される二次荷電粒子の信号をもとに前記電子ビーム装置の倍率校正を行う校正用標準部材において、前記基板は、前記積層に並行した基板面上にあって前記超格子パターン断面に対して交差する方向に一定の間隔で配列された線状パターン３を有し、該線状パターン３の断面は前記超格子断面と略同一の平面内にあるよう構成して、前記線状パターンにより前記超格子パターンの位置を特定する。 （もっと読む）