【課題】より明瞭な観察又は分析を可能にする試料、試料作製方法及び試料作製装置を提供すること。
【解決手段】試料作製方法は、第１面１０ａが上方を向き、コンタクトを有する試料２０を、第１面１０ａが側方ないし下方を向くように試料２０の向きを変える回転工程と、試料２０に対して、コンタクトの短手方向から集束イオンビームを照射する照射工程とを含む。照射工程において、回転工程により上面を向いた第２面１０ｂに対して集束イオンビームを照射し、コンタクトの延在方向に沿うように試料２０に薄膜領域２０ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、微小試料片およびまたはその周辺領域を汚染することなく、確実で安定的な微小試料片の分離、摘出、格納を行う装置および方法を提供することにある
。
【解決手段】試料基板から観察すべき領域を含む試料片をイオンビームスパッタ法により分離し、試料を押し込んで保持し、引き抜いて分離するための、根元に比較して先端が細く、該先端部が割れている形状で、該形状により得られる試料片を保持する部位の弾性変形による力で試料片を保持する棒状部材からなるはり部材を用いて、前記試料片を試料基板から摘出し、試料片を載置するための載置台上へ移動させた後、前記はり部材と前記試料片を分離することで該試料片の格納を行う。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビーム加工装置用のマニピュレート用プローブ装置において、従来の針形状プローブでは交換頻度が高く、同技術が汎用化されるにつれコスト問題が増大し、また一方で、より高度な微細加工が要求されるようになり、寿命が長く、また目的に応じた形状の細線プローブが要求されている。
【解決手段】集束イオンビーム加工装置において、試料７をマニピュレート操作するためのプローブ装置９の先端を多段の細線プローブ１１とすることで、長寿命化、並びに集束イオンビーム加工装置内での抽出試料目的に合わせた形状加工ができるプローブと製造方法を提供する。多段の細線プローブ１１は、円柱状、或いは多角柱状のものが、中心軸上に先端に向けて半径が小さく極細になっていく順に継ぎ足された形状であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は透過型電子顕微鏡の試料作製方法及び試料保持体に関し、試料片への通電を容易に行なうことができる透過型電子顕微鏡の試料作製方法及び試料保持体を提供することを目的としている。
【解決手段】真空外で、半月状の導電性部材１の弦の部分に電気的絶縁膜３を形成し、該電気的絶縁膜３の上に金線４を接着し、アクチュエータを用いて、予め作製されていた試料片を前記半月状の導電性部材１の弦の部分に取り付けて固定し、真空内で、前記試料片部分に電気的導通のためのデポジションを行ない、前記金線４と試料片２ａとの間に導電性プローブを固定のためのデポジションにより取り付け、前記導電性プローブを切断することにより透過型電子顕微鏡の試料を作製するように構成する。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームを用いた試料の加工を止めるタイミングを容易に判定する。
【解決手段】試料を加工する加工方法では、まず、試料の、加工によって表面に露出させる予定の断面に、穴部が接するように、試料の断面に沿って試料に当該穴部を形成する（Ｓ１０１）。そして、集束イオンビームを用いて、加工によって表面に露出させる予定の上記断面と交わる方向から試料を加工し（Ｓ１０２）、試料の加工中の面に穴部が現れたかどうかを判定し（Ｓ１０３）、加工中の面に穴部が現れたときに加工を止める（Ｓ１０４）。 （もっと読む）

【課題】 分析時におけるバックグラウンドノイズを大幅に低減することが可能な微小試料台を提供すること。
【解決手段】 微小試料台１００は、半導体基板よりなる微小試料台基部１０の一面に成膜により一体化された微小試料搭載用薄膜２０を有する。微小試料台基部１０はＶ字形状の溝１１を有し、微小試料搭載用薄膜２０は溝１１の上面と溝１１の最深部との間に設けられた上端面２１を有する。微小試料台基部１０の上面１３と微小試料搭載用薄膜２０の上端面２１との間の部分が微小試料７０のガード部となる。 （もっと読む）

【課題】イオンビーム加工中の試料温度を任意の温度に保ちながらイオンビームエネルギーによる試料の温度上昇を抑制して、試料構造変化などのダメージを抑制して清浄な断面作製を実現する。
【解決手段】本発明は、イオンを発生するイオン銃と、試料を搭載する試料台と、試料と前記イオン銃の間に配置されたマスクと、前記イオン銃から放出されたイオンビームにより、前記マスクから突出した試料を削る加工装置において、前記マスクは前記試料の上面に接触し、当該マスクには、冷却機構が接続されていることを特徴とする。この冷却機構は、温度調節機構であってもよい。また、同様に、前記試料台に冷却機構を備えたことを特徴とする。さらに、前記試料台には、振動発生機構が取り付けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームによって削られた物質が遮蔽材や試料に再付着するリデポジションの影響を受けない平坦な試料断面を作製する試料作製装置及び試料作製方法を提供する。
【解決手段】 加工を始めるとき遮蔽材１２の端縁部を断面作製位置より試料の端部に近くに設定し、遮蔽材に遮蔽されない試料の突き出し部が狭くなるようにしておく。制御演算装置２０は試料６の突き出し部の切削が進行するのに合わせて、ピエゾモータ２２により試料ホルダ７を駆動し、試料を矢印方向に移動させる。遮蔽材１２の端縁部が断面作製位置に到達したら移動を停止させ、その状態でイオンビーム照射を継続し仕上げ加工を行なう。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、既知の方法の欠点である、ミリングによって曝露された面では像が生成されないこと、及び如何なるエンドポイント指定もウエハ表面から生成される像に基づかなければならないことを解決することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、FIB鏡筒のみが用いられている装置によって、この問題に対する代替解決策を提供する。
薄片を最終的な厚さ-たとえば30nm-にまでミリングするため、集束イオンビーム100は前記薄片に沿って繰り返し走査される。前記薄片をミリングしている際、前記薄片から信号が得られ、該信号はエンドポイント指定にとって十分であることが分かった。検査用のさらなる電子ビームは必要ない。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、試料からの摘出試料の分離等を自動的に行うことに関する。
【解決手段】本発明は、試料における摘出試料となる領域や、それ以外の領域、若しくは、摘出試料を移送する移送手段や、摘出試料を保持できる試料ホルダに、画像認識の精度を向上させる指標を設け、摘出試料と試料の相対的移動等を高精度に画像認識することに関する。本発明によれば、集束イオンビームを用いた微小試料のサンプリングにおいて、摘出試料と試料との分離加工の終点検知等を自動的に実施できるようになる。このため、例えば、無人化した試料摘出が可能となり、大量の試料作製を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハやデバイスチップから所望の特定領域を含む試料片のみをサンプリング（摘出）して、分析／計測装置の試料ステ−ジに、経験や熟練や時間のかかる手作業の試料作り工程を経ることなく、マウント（搭載）する試料作製方法およびその装置を提供すること。
【解決手段】FIB加工と、摘出試料の移送、さらには摘出試料の試料ホルダへの固定技術
を用いる。
【効果】分析や計測用の試料作製に経験や熟練技能工程を排除し、サンプリング箇所の決定から各種装置への装填までの時間が短縮でき、総合的に分析や計測の効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハやデバイスチップから所望の特定領域を含む試料片のみをサンプリング（摘出）して、分析／計測装置の試料ステ−ジに、経験や熟練や時間のかかる手作業の試料作り工程を経ることなく、マウント（搭載）する試料作製方法およびその装置を提供すること。
【解決手段】FIB加工と、摘出試料の移送、さらには摘出試料の試料ホルダへの固定技術
を用いる。
【効果】分析や計測用の試料作製に経験や熟練技能工程を排除し、サンプリング箇所の決定から各種装置への装填までの時間が短縮でき、総合的に分析や計測の効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】本発明は電子顕微鏡の試料コーティング方法に関し、絶縁試料の導電性処理を簡易な構成で行なうことができる電子顕微鏡の試料コーティング方法を提供することを目的としている。
【解決手段】走査型電子顕微鏡１０と集束イオンビーム装置１１との光学系を備え、これら二つの光学系の光軸が試料位置の一点で交わる構造のマルチビーム装置において、マルチビーム装置のチャンバ１にその先端部のプローブ１３の位置が移動可能なマニピュレータ１２を設置し、該設置されたマニピュレータ１２のプローブ先端に蒸着材料保持機構を設け、イオンビームによって加工された絶縁試料の加工断面近傍に前記蒸着材料保持機構を近づけ、該蒸着材料保持機構内の蒸着材料に前記集束イオンビーム装置１１からイオンビームを照射してスパッタリングを行ない絶縁試料の加工断面に該蒸着材料をコーティングさせるように構成する。 （もっと読む）

【課題】微小な特定箇所を劈開して断面を得ることができるミクロ断面加工方法の提供を提供する。
【解決手段】試料表面２ａに、観察対象３が含まれる線状の断面予想位置３Ｌを決定する工程と、断面予想位置に対して、集束イオンビーム２０Ａを垂直または傾斜角を持って照射させ、断面予想位置の前方の位置で断面１０を形成する工程と、断面の両端部に集束イオンビームを照射させ、断面予想位置より後方の位置まで延びる側面切込み１２、１２を形成する工程と、断面予想位置より後方の位置まで延びる底部切込み１４を形成する工程と、側面切込みから断面予想位置に沿って集束イオンビームを照射させ、底部切込みに接続する楔１６，１６を形成する工程と、試料の断面予想位置より前方の部位２ｘに衝撃を加え、楔で挟まれた断面予想位置の近傍を劈開させ、劈開面Ｓを形成する工程とを有するミクロ断面加工方法である。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビーム装置による加工の際、マニピュレータとして微小ピンセットとその回転機構とを用いることで、傾斜機構を必要とせずに試料の向きを変えて試料ホルダへ固定可能な集束イオンビーム装置を提供する。
【解決手段】試料２０を固定するための固定面６２ｓを有する試料ホルダ６２と、試料ホルダが設置されている試料台６１と、集束イオンビームを試料に照射する集束イオンビーム照射機構１２０と、試料を挟持し、その軸方向Ｌが試料台の表面と所定の角度θをなす微小ピンセット５０と、微小ピンセットを開閉させる開閉機構５３と、微小ピンセットを軸方向の周りに回転させる回転機構５４と、微小ピンセットの位置を移動させる移動機構５５とを備えた集束イオンビーム装置１００である。 （もっと読む）

【課題】サンプリング動作中にステージを移動させることなく試料から試料片を短時間に取り出すことができるイオンビーム加工装置及び試料加工方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ３１を保持する試料ステージ３３と、イオン源１１で発生したイオンビーム１２をマスク１５によってプロジェクションビームに成形するプロジェクション光学系を有し、イオンビーム１２を試料面に斜めに照射可能な第１イオンビームカラム１０と、第１イオンビームカラム１０よりもイオンビーム２２を細く絞ることが可能なイオンビーム光学系を有し、第１イオンビームカラム１０と同時にイオンビーム２２を試料面に垂直に照射可能な第２イオンビームカラム２０と、イオンビーム１２，２２の照射により加工した試料片５０をウェーハ３１から摘出するマニピュレータ４２と、摘出した試料片５０を保持するカートリッジ５１とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢにより試料を作製する際に試料の表面に形成されたアモルファス層の厚さを、試料を破壊することなく正確に確認、評価する。そして、その結果に基づいて、多くの時間と手間を掛けることなく、アモルファス層を的確に可能な限り低減、除去して、良好な観察を行うことができるＴＥＭ試料を提供する。
【解決手段】表面にアモルファス層が形成されている試料の表面に電子線を照射し、試料を透過して得られた電子回折図形の輝度に基づいて、アモルファス層の厚さを評価する。電子回折図形内の回折スポットを結ぶ直線における輝度のラインプロファイルの内、最も高い輝度をＹ２とし、最も低い輝度をＹ１としたときの輝度の比率（Ｙ１／Ｙ２）を、アモルファス層の厚さが既知である他の試料における輝度の比率（Ｙ１／Ｙ２）と比較してアモルファス層の厚さを評価して、アモルファス層の厚さが所定の値以下となるまで、アモルファス層を低減、除去する。 （もっと読む）

【課題】表面に有機物が形成されている試料の断面を精度よく得ることができる断面加工方法及び断面観察試料の製造方法を提供する。
【解決手段】有機物の層又は構造８を表面に有する試料２に、集束イオンビーム装置１００を用いて集束イオンビームを照射し、試料の断面加工位置Ｌに断面加工を行う方法であって、保護膜となる原料ガスの存在下、断面加工位置を含む試料の表面に集束イオンビームを照射し、有機物の層又は構造の表面に保護膜７ａを形成する保護膜形成工程と、保護膜が形成された断面加工位置に、保護膜形成工程における加速電圧より高い電圧で集束イオンビームを照射し、断面加工を行う断面加工工程とを有する試料の断面加工方法である。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの照射により断面を露出させた試料を作製するため試料をイオンビームに対する所定位置に保持する試料作製装置において、イオンビームによる試料の加工中にイオンビームを遮断する遮蔽板のイオンビームに接近する方向への移動を防止し、良好な断面が現れた試料を作製する。
【解決手段】基端側を支持され先端側が自由端である第１の支持部材２と、第１の支持部材２の先端側に基端側を支持され先端側が第１の支持部材２の基端側に向けた自由端である第２の支持部材９と、第２の支持部材９に支持された遮蔽板１０と、第２の支持部材９に取り付けられた加熱ヒーター１３を備え、第２の支持部材９は加熱ヒーター１３により加熱せられて前記第１の支持部材の基端側方向に膨張する構造となされ、遮蔽板１０の第１の支持部材２の先端側に向かう一側縁をイオンビームＢの照射位置として保持し、遮蔽板１０によりイオンビームＢが遮蔽される位置に設置された試料１０１の遮蔽板１０の一側縁より露出した箇所への加工を行う。 （もっと読む）

【課題】試料の加工断面に不要な段差やリデポによる不要な付着物が生じることを確実に防ぐことのできる試料加工装置を提供する。
【解決手段】試料１が載置される試料台３ａと、試料台３ａに載置された試料１を間に挟んで試料台３ａと対向するように配置された遮蔽板２と、遮蔽板２の上方に位置するイオンビーム源とを備え、試料台３ａの先端側に位置する試料１の部分で遮蔽板２の側縁部２ａから露出された箇所１ａに、イオンビーム源からのイオンビーム１０を照射して試料１の加工を行う試料加工装置において、試料台３ａが、遮蔽板２よりも熱膨張率の大きな材料により構成されている。 （もっと読む）