【課題】 ボンディング界面に形成された金属間化合物を直接Ｘ線回折により同定するための試料の調整方法を提供する。
【解決手段】 ボンディング済みの金属細線と下地パッド金属との間において、ボンディングされた金属細線を物理的な力で剥離して露出した剥離面に、表面から内部に向かって断続的にＡｒイオンビームを照射してイオンエッチングし、順次新しい観察面を露出させてＸ線回折試料とする。金属細線と下地パッド金属とを物理的な力で剥離するに際し、ボンディングパッド上にボンディング済みのボンディングワイヤを含むように中空の容器を立て、該中空の容器内に熱硬化性樹脂を流し込み、熱硬化性樹脂を硬化させて金属細線を樹脂で保護した後に、物理的な力で剥離することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】グロー放電を利用した円柱状又は棒状の試料の側面の掘削を可能とする試料掘削方法、及び試料掘削装置を提供する。
【解決手段】アルゴンガス（不活性ガス）が供給される試料室（処理室）３内で、グロー放電管１が備える電極に対して、棒材等の円柱状の試料Ｓの側面を対向配置する。モータ３８により試料Ｓを軸周りに回転させながら試料Ｓと電極との間に電圧を印加してグロー放電を発生させ、グロー放電に伴うアルゴンイオンのイオン衝撃により試料Ｓの側面を掘削する。円柱状の試料Ｓの側面が軸対称に掘削され、グロー放電発光分析による成分分析が可能となり、清浄に形成した試料Ｓの側面をＳＥＭ等で観察することも可能となる。 （もっと読む）

【課題】試料の観察表面が変形したり、ダメージを受けたりせず、真空チャンバ内を排気する排気装置の負荷が増大しない顕微鏡用試料作成装置を提供することを課題とする。
【解決手段】真空チャンバ１内の試料５にイオンビームを照射するイオン銃（イオン照射手段）７と、真空チャンバ１内の試料５を観察可能な光学顕微鏡（観察手段）１１と、イオン銃７が試料５にイオンを照射できる第１の状態，光学顕微鏡１１が試料５を観察できる第２の状態を切り替える切り替え手段とを設ける。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内で、イオンビームに対して試料の加工面が非直交の状態で、前記試料の加工面に対して直交する軸を中心に回転されながら、前記加工面にイオンビームが照射される試料作成装置に関し、操作性の良い試料作成装置を提供することを課題とする。
【解決手段】真空チャンバ１に取り付けられ、試料ホルダ７が設けられた筐体９に、試料ホルダ７の試料６が設けられた面７ａと直交するＸ軸（第１の軸）を中心に試料ホルダ７を回転させる回転機構と、Ｘ軸と直交するＺ軸（第２の軸）を中心に試料ホルダ７を傾斜させる傾斜機構とを設け、筐体９の真空チャンバ１の外側に位置する部分に、傾斜機構の操作部を設ける。 （もっと読む）

Ｓ／ＴＥＭサンプルの調製および分析用の改良された方法および装置である。本発明の好ましい実施形態により、ＴＥＭサンプル作成用、特に小さい形状（厚さ１００ｎｍ未満）のＴＥＭラメラ用の改良された方法が提供される。機械視覚ベースの計測および画像認識、高精度のフィデューシャルマーク、ならびに自動フィデューシャル配置の組み合わせを用いてラメラの配置正確度および精度を大幅に改善させる。本発明の好ましい実施形態により、ＴＥＭサンプル作成を一部または全部自動化するための方法、ＴＥＭサンプルの作成および分析のプロセスを労力のより少ないものにするための方法、ならびにＴＥＭ分析のスループットおよび再現性を高めるための方法が提供される。
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【課題】ＴＥＭ観察に好適な試料を容易に作製可能な試料作製装置及び試料作製方法を得る。
【解決手段】イオンビームを形成する照射光学系と、試料の観察部位をイオンビームにより切り出してなる微小薄片試料と、この微小薄片試料が載置及び接着される試料ホルダと、微小薄片試料に接着されるプローブを有し、このプローブを介して該微小薄片試料を試料ホルダまで移送する移送手段とを備えた試料作製装置において、移送手段とは別に、三次元方向に駆動可能な、試料ホルダに載置または接着された微小薄片試料の姿勢を調整する姿勢調整ニードルを設けた。 （もっと読む）

【課題】表面の汚染物質を確実に除去することができる表面前処理方法及び表面前処理装置を提供すること。
【解決手段】グロー放電により発生させた不活性ガスイオンを試料表面に衝突させ、表面から飛び出した粒子をプラズマ中で励起するグロー放電発光手段を備えた装置に試料を設置し、試料表面をスパッタリングする第１工程と、プラズマ中で励起された粒子が基底状態に戻る際に放出するトータル発光量ＦＩを測定する第２工程と、トータル発光量ＦＩを測定しながら、１次微分値ＦＩ’及び２次微分値ＦＩ”を逐次算出する第３工程と、測定を開始してから最初に、１次微分値ＦＩ’の絶対値又は２次微分値ＦＩ”の絶対値の少なくとも一方が第１しきい値α以下となり、かつ、他方が第２しきい値β（０＜α≦β）以下になったときに、スパッタリングを停止させる第４工程とを備えた表面前処理方法、及び、表面前処理装置。 （もっと読む）

Ｓ／ＴＥＭサンプルの調製および分析用の改良された方法および装置である。本発明の好ましい実施形態により、ＴＥＭサンプル作成用、特に小さい形状（厚さ１００ｎｍ未満）のＴＥＭラメラ用の改良された方法が提供される。新規なサンプル構造およびミリング・パターンの新規な用途は、大きな反りまたは歪みなしで５０ｎｍの薄さのＳ／ＴＥＭサンプルの作成を可能にする。本発明の好ましい実施形態により、ＴＥＭサンプル作成を一部または全部自動化するための方法、ＴＥＭサンプルの作成および分析のプロセスを労力のより少ないものにするための方法、ならびにＴＥＭ分析のスループットおよび再現性を高めるための方法が提供される。
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Ｓ／ＴＥＭサンプルの調製および分析用の改良された方法および装置である。本発明の好ましい実施形態により、ＴＥＭサンプル作成用、特に小さい形状（厚さ１００ｎｍ未満）のＴＥＭラメラ用の改良された方法が提供される。本発明の好ましい実施形態は、ＴＥＭサンプルの作成および分析のプロセスの労力を低減し、ＴＥＭ分析のスループットおよび再現性を高めるために、ＴＥＭサンプル作成を一部または全部自動化する方法を提供することにより半導体ウェハ上に製造される集積回路または他の構造などの対象に対するＳ／ＴＥＭベースの計測用のインライン・プロセスも提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハやデバイスチップから所望の特定領域を含む試料片のみを摘出、搬
送、固定が可能で、特にマイクロマニピュレーションにおけるプローブ先端位置決めを容
易にすることで自動化に適した試料作製装置を提供する。
【解決手段】イオンビーム加工と、試料片の搬送技術さらには試料片の試料片ホルダへの
固定技術を用いる。特に、搬送用プローブの流入電流をイオンビーム走査と同期させてデ
ータ化することで、プローブ先端位置の同定を容易にする。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢ加工による薄板化を行うＴＥＭ用観察試料の作製において、ＦＩＢ加工試料台への試料設置における試料表面の傾斜誤差を精度高く補正する。
【解決手段】観察を行う試料表面とその近傍の斜面部に、それぞれ直線状をなす目印があり、各部の目印の直線状位置関係に関し、一直線に繋がっていない場合、あるいは平行関係にない場合、ＦＩＢ加工面は所定の位置から傾いており、試料台の回転機構などを用いて、前記関係が一直線に繋がるように調整することで、試料面の傾斜を補正する。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で試料の断面を広範囲に観察することができる試料観察方法及び試料観察装置を提供する。
【解決手段】微細パターンが形成されたウエハである平板状の試料Ｓに対して、グロー放電によって表面から深さ方向に掘削し、試料Ｓの表面から深さ方向に掘削断面を形成する。形成した掘削断面に電子線を照射し、ＳＥＭによって試料Ｓの掘削断面の観察を行う。グロー放電によって、試料Ｓの特定の位置に掘削断面を形成することができ、また試料Ｓの表面を広範囲に短時間で掘削することができる。従って、ウエハに形成された微細パターンの欠損の検査を、簡便に短時間で広範囲に実行することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】微細な試料を無用に変質させることなく高精度に微細部位の断面の分析が可能な微細部位解析装置を提供する。
【解決手段】試料を断面加工して解析する微細部位解析装置は、試料台１と集束イオンビーム装置２と回転機構３と電子ビーム装置４と補正部５と分析装置６とからなる。集束イオンビーム装置２は、試料が置かれた試料台に向かって斜め方向の視線を有するよう配置され、試料台に対して斜め方向にターゲットを切断する。回転機構３は、ターゲットを中心に試料台を着眼位置中心回転させる。電子ビーム装置４は、切断するターゲットを探索すると共に回転中のターゲットを観察する。補正部５は、電子ビーム装置により観察されるターゲットの位置を補正する。分析装置６は、集束イオンビーム装置からターゲットの断面に照射される集束イオンビームにより放出される二次イオンを分析する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、試料のマスク面側と搭載面とが非平行の場合に、平行に加工する必要が無く試料作製を容易に行うことができるイオンミリング装置及びその方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、平面を有する試料を真空チャンバ内で試料ホルダユニットに固定してイオンビーム照射しミリング加工するイオンミリング装置において、前記試料ホルダユニットは、前記試料を前記イオンビームから遮蔽するマスクに接する前記平面に対してその裏面側の傾斜に沿って固定できる固定構造を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】帯電粒子ビーム操作のためにサンプルを配向させる方法および装置を提供する。
【解決手段】サンプルが、サンプルの主表面がプローブ・シャフトに対して垂直ではない角度にある状態で、プローブに付着され、プローブ・シャフトは、サンプルを再配向させるために回転される。一実施形態では、サンプル・ステージに対して４５度などのある角度に配向されたプローブは、平坦領域がプローブの軸に対して４５度で平行に配向された、すなわち、平坦領域がサンプル・ステージに平行であるプローブの先端を有する。プローブ先端の平坦領域は、サンプルに付着され、プローブが１８０度回転されるとき、サンプルの配向は、水平から垂直に９０度変化する。次いで、サンプルは、ＴＥＭ格子をサンプル・ステージ上で垂直配向ＴＥＭ格子に付着される。サンプル・ステージは、薄くするためにサンプルの背面をイオン・ビームに向けるように回転および傾斜される。 （もっと読む）

【課題】試料の高さ方向の位置を容易に調節することが可能なホルダ装置、及びこのホルダ装置を用いた加工観察方法を提供する
【解決手段】ホルダ装置２５は、試料台１０及び試料台ホルダ３０で構成され、試料台ホルダ３０は、本体３１及びバネ３２を備えている。本体３１には、保持部３３が形成され、この保持部３３には、試料台１０を高さ方向に付勢するバネ３２が設けられている。試料台１０は、試料２０が固定される固定面１０ａと、挿入穴１１と、挿入穴１２とを備えている。バネ３２が挿入穴１１，１２のいずれかに挿入されるように、試料台１０を保持部３３に保持させて、ストッパ４１によって試料２０を位置決めした後、試料台１０が固定される。また、アダプタの突起部を挿入穴１１に挿入して固定することにより、試料台１０を研磨機専用の試料ホルダに装着することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセスへの金属汚染の拡散を最小限度に抑制し歩留まりを向上させることができる荷電粒子線加工装置を提供する。
【解決手段】真空容器１０に接続され非金属イオン種のイオンビーム１１を試料３５に照射するイオンビームカラム１と、イオンビーム１１により試料３５から切り出されたマイクロサンプル４３を摘出するプローブ１６を有するマイクロサンプリングユニット３と、マイクロサンプル４３とプローブ１６とを接着するガスを流出させるガス銃２と、イオンビームカラム１が接続されたと同一の真空容器１１に接続され汚染計測用ビーム１３をイオンビームカラム１によるイオンビーム照射跡に照射する汚染計測用ビームカラム６Ａと、汚染計測用ビーム１３を照射した際にイオンビームカラム１によるイオンビーム照射跡から放出される特性Ｘ線を検出する検出器７とを備えたことを特徴とする荷電粒子線加工装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、試験片（2）から微小サンプル（1）を分離する方法に関する。
【解決手段】そのような方法は、半導体産業分野においてウェハからTEM観察用のサンプルを入手するために、一般的に使用されている。発明者らによれば、試料担体（6）とサンプルの位置ずれのため、得られるサンプルの内の約20％は、適切に処理（薄膜化）されない。この位置ずれは、溶接前に、サンプルと接触する試料担体によって生じることが確認されている。溶接の間、試料担体がサンプルと接触することを回避し、試料担体とサンプルの間に微細な間隙を残しておくことにより、この位置ずれが解消される。例えば振動による、溶接の間の試料担体の移動を回避するため、試料担体は、ウェハ上のサンプルと近接する位置（8）に置載される。 （もっと読む）

【課題】 既存技術よりはるかに安価に、かつ簡便に平面観察を行ってから観察後に断面を加工することができる試料作製方法を提供する。
【解決手段】 集束イオンビーム装置のチャンバ内で試料１をブロック状に切り出し、その試料ブロック（バルク）４を真空外に取り出して、マニピュレータの先端にセットしたガラスプローブ５に接触させて支持する。次に、バルク４を試料台である円筒状のピン６の先端にエポキシ樹脂で固定する。次に、平面観察用の薄膜試料をＦＩＢ加工により作製する。次に、内部の欠陥位置を２次元的にＴＥＭ／ＳＴＥＭで観察し同定する。その後、ピン６を手動で９０°回転させてから、欠陥部位を含む位置を断面加工する。 （もっと読む）

【課題】製造されたデバイスの内部構造をテストするために薄いサンプルを準備して像形成する。
【解決手段】物体のサンプルを形成し、物体からサンプルを抽出し、真空チャンバーにおいて表面分析及び電子透過度分析を含むマイクロ分析をこのサンプルに受けさせるための方法及び装置が開示される。ある実施形態では、抽出されたサンプルの物体断面表面を像形成するための方法が提供される。任意であるが、サンプルは、真空チャンバー内で繰り返し薄くされて像形成される。ある実施形態では、サンプルは、任意のアパーチャーを含むサンプル支持体に位置される。任意であるが、サンプルは、物体断面表面がサンプル支持体の表面に実質的に平行となるようにサンプル支持体の表面に位置される。サンプル支持体に装着されると、サンプルは、真空チャンバー内でマイクロ分析を受けるか、又はロードステーションにロードされる。 （もっと読む）