【課題】荷電粒子ビーム・システムを用いてスライス・アンド・ビュー技法を実行するための方法および装置を提供すること。
【解決手段】試料の画像内の着目フィーチャの位置がマシン・ビジョンによって突き止められ、後続のスライス・アンド・ビューの繰返しにおいてミリングし、画像化する領域が、少なくとも部分的に、マシン・ビジョンによって集められたデータの分析によって決定される。決定されたミリング領域を、フィーチャの周囲の境界ボックスとして表現することができ、境界ボックスの寸法は、分析ステップに基づいて変更することができる。デュアル・ビーム・システムでは、次いで、これに応じてＦＩＢを調整して、後続のスライス・アンド・ビューの繰返しにおいて新しいフェースをスライシングし、ミリングし、ＳＥＭが、この新しいフェースを画像化する。 （もっと読む）

【課題】気体イオンビーム装置とＦＩＢとＳＥＭを用いて、効率よくTEM試料作製ができる複合荷電粒子ビーム装置としての構成方法を提供する。
【解決手段】ＦＩＢ鏡筒１と、ＳＥＭ鏡筒２と、気体イオンビーム鏡筒３と、ユーセントリックチルト機構とユーセントリックチルト軸８と直交する回転軸１０とを持つ回転試料ステージ９と、を含む複合荷電粒子ビーム装置であり、集束イオンビーム４と電子ビーム５と気体イオンビーム６とは、１点で交わり、かつＦＩＢ鏡筒１の軸とＳＥＭ鏡筒２の軸はそれぞれユーセントリックチルト軸８と直交し、かつＦＩＢ鏡筒１の軸と気体イオンビーム鏡筒３の軸とユーセントリックチルト軸８とは一つの平面内にあるように配置する。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームで形成した観察面に荷電粒子ビームを照射し、観察像を取得し、観察面を保持したまま、さらに透過可能になるように薄片化加工を行うことで、同一観察位置のＴＥＭ観察と二次粒子像観察を図ること。
【解決手段】集束イオンビーム３を試料５に照射し観察面を形成し、電子ビーム４を観察面に照射し、観察像を形成し、試料５の観察面と反対側の面を除去し、観察面を含む薄片部５ｔを形成し、薄片部５ｔの透過電子像を取得する試料加工観察方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】周期構造を有する試料でも観察対象の構造の断面を観察可能な断面加工観察を図ること。
【解決手段】試料５に集束イオンビーム３を照射する集束イオンビーム照射系１と、試料５上の集束イオンビーム照射領域に荷電粒子ビーム４を照射する荷電粒子ビーム照射系２と、試料５から発生する二次荷電粒子を検出する二次荷電粒子検出器７ａと、異なる断面間隔の断面を作成する集束イオンビーム３の照射信号を集束イオンビーム照射系１に送信する処理を行う処理機構１１と、を有する集束イオンビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】プローブとの接触が維持され正確に測定を行うことのできる電気特性測定用試料の作製方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成された電子回路における電気特性の測定を行うための電気特性測定用試料の作製方法において、真空中において、前記半導体基板上に形成されている所定の領域を除去し、配線部分の表面を露出させるエッチング工程と、真空中において、露出している前記配線部分の表面に、導電性材料により中央に凹部を有する形状の導電層を形成する導電層形成工程と、を有することを特徴とする電気特性測定用試料の作製方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、上記の問題点を鑑み、材料やイオンビーム照射角度に依存しない加工をする手法を提供することを目的としている。
【解決手段】上記目的を達成するために、本発明は、イオンビームを試料に照射して試料を加工する加工装置において、前記イオンビームに対し、試料を回転傾斜させる試料傾斜回転機構を備え、当該試料回転機構は、試料をイオンビームに対し回転させる回転軸と、当該回転軸に対して直行し、前記試料をイオンビームに対して傾斜させる傾斜軸を備え、前記試料の回転と傾斜を同時に行うことを特徴とする加工装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの照射による断面加工において，断面に熱によるダメージを与えず，加工面に荒れを生じさせないイオンビーム加工方法を提供する。
【解決手段】加工すべき試料６にイオンビームを発射するイオン銃２と，試料６を下面に装着しイオンビームの一部を遮蔽する遮蔽板７とを備えるイオンビーム加工装置において，試料６の断面作成側の側面６ａに，熱伝導部材８を接触して設け、試料の上面６ｃを遮蔽板の端部７ａより、ずらして突出させて被加工部６ｂを形成し，イオンビーム４を，この被加工部６ｂの上面６ｃ，熱伝導部材８の側面近傍の上面８ｂに照射して，試料６の被加工部６ｂを研削し，加工処理を行う。断面に，加工処理による熱が発生しても，熱伝導部材８を経て外部に熱放出され，熱によるダメージで断面に荒れが生じるのを回避できる。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、微小試料片およびまたはその周辺領域を汚染することなく、確実で安定的な微小試料片の分離、摘出、格納を行う装置および方法を提供することにある。
【解決手段】試料基板から観察すべき領域を含む試料片をイオンビームスパッタ法により分離し、試料を押し込んで保持し、引き抜いて分離するための、根元に比較して先端が細く、該先端部が割れている形状で、該形状により得られる試料片を保持する部位の弾性変形による力で試料片を保持する棒状部材からなるはり部材を用いて、前記試料片を試料基板から摘出し、試料片を載置するための載置台上へ移動させた後、前記はり部材と前記試料片を分離することで該試料片の格納を行う。 （もっと読む）

【課題】
ガラスの内部に存在する特定の微小欠陥の表面分析前処理を、確度が高く、かつ容易に実施できる表面分析前処理方法を提供する。
【解決手段】
ガラスの内部に存在するサイズが５μｍ以下である特定の微小欠陥の表面からの深さを測定する工程と、機械加工により前記微小欠陥の深さがガラス表面から１０〜５０μｍとなるまでガラス表面を除去する工程と、ＨＦを含む溶液により前記微小欠陥の深さが表面から１０μｍ未満になるまでガラス表面を除去する工程とを含んでなることを特徴とする表面分析前処理法である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、加工や観察を所望する微小領域を急冷しつつ、試料汚染や霜付着を防止することに関する。
【解決手段】本発明は、気体もしくは液体を直接試料に吹き付けることにより、加工・観察を所望する微小領域を急冷することに関する。冷媒の照射量と照射位置を切り替えることにより、試料汚染や霜付着を防止できる。本発明によれば、冷却条件下であっても試料汚染や霜付着を防止できる。これにより、例えば、冷却条件下における試料への保護膜形成を効果的に行うことできる。 （もっと読む）

【課題】ホルダ面に薄膜加工される試料を保持する試料ホルダに関し、試料ホルダを冷却しても、試料が外れない試料ホルダを提供することを課題とする。
【解決手段】ホルダ面１１ａと交差する方向に移動可能なように試料ホルダ１１に設けられ、ホルダ面１１ａに載置された試料１３のホルダ面１１ａと対向する面と反対側の面に当接／離反可能な第１クランプ爪５３，第２クランプ爪６３を有する第１クランプ５１，第２クランプ６１（クランプ手段）と、第１クランプ爪５１，第２クランプ爪６３が試料１３に当接する方向に付勢する第１スプリング７１，第２スプリング７３（付勢手段）とを有する。 （もっと読む）

【課題】微小試料を加工する際のユーザの負担を効果的に低減できる微小試料の加工方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る微小試料の加工方法は、微小試料の断面のＳＥＭ画像を取得するステップと、取得したＳＥＭ画像の一部の領域を指定するステップと、指定した領域の濃淡度を指定するステップと、集束イオンビームを照射して、微小試料を加工するステップと、加工した微小試料の断面のＳＥＭ画像を取得するステップと、取得したＳＥＭ画像の指定した領域の濃淡度を算出するステップと、算出した濃淡度が、指定した濃淡度を満たすかどうかを判定するステップとを具備し、算出した濃淡度が指定した濃淡度を満たすまで、微小試料を加工するステップから濃淡度を算出するステップまでを繰り返すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板上に形成された導体部分からなる被分析領域をアトムプローブによって分析するための検査試料を、簡便に製造できるアトムプローブ分析用検査試料の製造方法を提供する。
【解決手段】試料素材１の被分析領域上の検査箇所に保護膜４を形成する工程と、保護膜が形成された試料素材にイオンビームを照射し、検査箇所となる被分析領域３ａ下方の絶縁基板２の少なくとも一部を除去し、該被分析領域の底部の少なくとも一部を露出させる工程と、被分析領域の底部に接するように、前記工程で絶縁基板を除去した部分に導電性金属を埋め込む工程と、底部が前記工程で埋め込んだ導電性金属となるように試料素材にイオンビームを照射して試料片を切り出す工程と、切り出された試料片をピックアップして前記導電性金属側を試料台に固定し、被分析領域が形成された側を針形状に加工する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】アトムプローブ観察用の試料を容易に作製すること。
【解決手段】観察対象となるモデル合金１から、透過型電子顕微鏡で観察可能な厚さまで薄膜化された薄膜試料２が作製され、薄膜試料２にマーク３の作製が行なわれる。そして、マーク３近傍を照射部位として、超高圧電子線の照射が行なわれ、マーク３の近傍に位置する薄膜試料２の上面にて、保護膜４の形成が行なわれる。そして、保護膜４および保護膜４の下面にある薄膜試料２は、三次元アトムプローブを用いた解析を行なうために採取される対象である採取対象試料５とされ、アトムプローブ観察用の試料が作製される。 （もっと読む）

【課題】清浄な検査断面を簡単かつ迅速に形成することができる、断面観察用試料製造装置及び断面観察用試料の製造方法を提供する。
【解決手段】この製造装置１０は、試料１の一部を遮蔽する遮蔽材２０と、前記遮蔽材２０の端縁部に沿って、前記試料１の表面にイオンビームを照射して、遮蔽材２０で覆われた部分と遮蔽材２０で覆われていない部分との境界に沿って前記試料１の表面に切欠溝を形成する切欠溝形成手段（イオン銃１３）と、前記切欠溝に沿って試料１に圧力を加えて、前記試料１を切欠溝に沿って劈開する劈開手段２３と、劈開された試料１の検査すべき断面にイオンビームを照射して検査断面を加工研磨する加工研磨手段（イオン銃１３）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】均一な厚さとなる電子顕微鏡用の試料を作製する。
【解決手段】試料の面方向に対し略垂直となる第１の角度より電子を照射し、第１の長さを測定する第１の測定工程と、第１の測定工程の後、試料の面方向に沿った集束イオンビームを照射し、試料を薄く加工する加工工程と、加工工程の後、試料の面方向に対し、第１の角度とは異なる第２の角度より電子を照射し、第２の長さを測定する第２の測定工程と、第２の測定工程の後、第１の長さと前記第２の長さに基づき、試料の厚さを算出する厚さ算出工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より明瞭な観察又は分析を可能にする試料、試料作製方法及び試料作製装置を提供すること。
【解決手段】試料作製方法は、第１面１０ａが上方を向き、コンタクトを有する試料２０を、第１面１０ａが側方ないし下方を向くように試料２０の向きを変える回転工程と、試料２０に対して、コンタクトの短手方向から集束イオンビームを照射する照射工程とを含む。照射工程において、回転工程により上面を向いた第２面１０ｂに対して集束イオンビームを照射し、コンタクトの延在方向に沿うように試料２０に薄膜領域２０ａを形成する。 （もっと読む）